JP2594682B2 - 変圧器保護継電装置 - Google Patents
変圧器保護継電装置Info
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- JP2594682B2 JP2594682B2 JP2120744A JP12074490A JP2594682B2 JP 2594682 B2 JP2594682 B2 JP 2594682B2 JP 2120744 A JP2120744 A JP 2120744A JP 12074490 A JP12074490 A JP 12074490A JP 2594682 B2 JP2594682 B2 JP 2594682B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は電力系統を保護する保護継電装置、特に、
変圧器を保護する励磁突入電流対策付変圧器保護継電装
置に関するものである。
変圧器を保護する励磁突入電流対策付変圧器保護継電装
置に関するものである。
従来より文献電気学会“保護継電工学”第10章10.1項
等で周知の如く、変圧器保護では励磁突入電流対策を行
っていることが一般的である。
等で周知の如く、変圧器保護では励磁突入電流対策を行
っていることが一般的である。
第６図は従来の変圧器保護継電装置の保護構成例を示
す回路図、第７図は上記文献に示される保護リレーの内
部回路図、第８図は変圧器の巻線構成とCT接続の関係を
示す図、第９図は、変圧器励磁突入電流波形とリレー入
力電流波形の説明図である。
す回路図、第７図は上記文献に示される保護リレーの内
部回路図、第８図は変圧器の巻線構成とCT接続の関係を
示す図、第９図は、変圧器励磁突入電流波形とリレー入
力電流波形の説明図である。
第６図において、（１）は変圧器高圧側母線、（２）
は変圧器低圧側母線、（３）は保護対象変圧器、
（４），（５）は保護対象変圧器３の両端に接続した遮
断器（以下、CBと称す。）、（６），（７）は変圧器高
圧側母線（１）、変圧器低圧側母線（２）と遮断器
（４），（５）の接続路に設けた計器用変流器（以下、
CTと称す。）、（８）〜（10）は各相の変圧器保護を行
う比率差動継電器「以下、リレーとも称する（87−1,87
−2,87−３）」である。
は変圧器低圧側母線、（３）は保護対象変圧器、
（４），（５）は保護対象変圧器３の両端に接続した遮
断器（以下、CBと称す。）、（６），（７）は変圧器高
圧側母線（１）、変圧器低圧側母線（２）と遮断器
（４），（５）の接続路に設けた計器用変流器（以下、
CTと称す。）、（８）〜（10）は各相の変圧器保護を行
う比率差動継電器「以下、リレーとも称する（87−1,87
−2,87−３）」である。
なお、第６図には図示していないが、第８図に示すよ
うにCT6,7は変圧器巻線の接続方法（スターかデルタ
か）により、スター巻線側はデルタ接続、デルタ巻線側
はスター接続となっている。これは、 ａ） 変圧器保護リレー（８）〜（10）に流入するCT
（６），（７）の２次電流ベクトルを揃えるため ｂ） 変圧器高圧側母線、変圧器低圧側母線間の中性点
接地方式の違いにより、零相回路が変圧器高圧側母線、
変圧器低圧側母線間で非接続となり、CTでも、零相回路
を切るためである。
うにCT6,7は変圧器巻線の接続方法（スターかデルタ
か）により、スター巻線側はデルタ接続、デルタ巻線側
はスター接続となっている。これは、 ａ） 変圧器保護リレー（８）〜（10）に流入するCT
（６），（７）の２次電流ベクトルを揃えるため ｂ） 変圧器高圧側母線、変圧器低圧側母線間の中性点
接地方式の違いにより、零相回路が変圧器高圧側母線、
変圧器低圧側母線間で非接続となり、CTでも、零相回路
を切るためである。
又、第７図において、（11）（12）はCT（６）（７）
よりのリレー（８）（９）（10）への入力端子、（13）
は差動トランス、（14）（15）は抑制トランス、（16）
は過電流要素、（17）は基本波フィルタ、（18）は高調
波フィルタ、（19）は高調波分検出要素、（20）は比率
要素、（21）は論理積回路、（22）は論理和回路であ
る。
よりのリレー（８）（９）（10）への入力端子、（13）
は差動トランス、（14）（15）は抑制トランス、（16）
は過電流要素、（17）は基本波フィルタ、（18）は高調
波フィルタ、（19）は高調波分検出要素、（20）は比率
要素、（21）は論理積回路、（22）は論理和回路であ
る。
次に動作について説明する。まず、特開昭54−45765
号公報に開示されているように、一般に変圧器に電圧を
印加すると、励磁突入電流が流れる。これはCT2次電流
としては、電圧印加端CTにのみ電流が流れることになる
ので、変圧器保護リレー（８）〜（10）にとっては、内
部故障とまったく同じことになる。
号公報に開示されているように、一般に変圧器に電圧を
印加すると、励磁突入電流が流れる。これはCT2次電流
としては、電圧印加端CTにのみ電流が流れることになる
ので、変圧器保護リレー（８）〜（10）にとっては、内
部故障とまったく同じことになる。
そこで、変圧器保護リレー（８）〜（10）では励磁突
入電流対策と称して、第２高調波含有率により動作を阻
止又は抑制することが一般的である。
入電流対策と称して、第２高調波含有率により動作を阻
止又は抑制することが一般的である。
第７図においては変圧器保護リレー（８）（９）（1
0）の内部構成を示している。励磁突入電流が流れた場
合には、入力端（11）にのみ電流が流れるため差動トラ
ンス（13）の出力にはID＝I1,の出力が表われ、又抑制
トランス（14）の出力はI1′＝I1の出力が表われ比率要
素DF（20）は動作力＝抑制力であり、動作する。この場
合、差動電流IDは励磁突入電流そのものであり、この電
流の基本波フィルター（17）の出力IFと高調波フィルタ
ー（一般に第２高調波フィルター）（18）の出力IHとの
比はIF＜Ｋ′IHとなっており、高調波要素HF（19）の出
力は動作することはなく、論理積（21）が成立せず変圧
器保護リレー（８）（９）（10）は励磁突入電流では動
作しない。尚、過電流要素OC（16）は変圧器保護リレー
（８）（９）（10）が、励磁突入電流対策として、上記
のような、基本波フィルター（17）、高調波フィルター
（18）等を使用しており、動作時間がそれほど早くする
ことができず、大入力内部故障時変圧器耐量との動作協
調が得られない場合があるため、想定される励磁突入電
流以上の差動電流があった場合には励磁突入電流対策を
行なっていない当該過電流要素OC（16）により高速動作
を行なうためのものである。
0）の内部構成を示している。励磁突入電流が流れた場
合には、入力端（11）にのみ電流が流れるため差動トラ
ンス（13）の出力にはID＝I1,の出力が表われ、又抑制
トランス（14）の出力はI1′＝I1の出力が表われ比率要
素DF（20）は動作力＝抑制力であり、動作する。この場
合、差動電流IDは励磁突入電流そのものであり、この電
流の基本波フィルター（17）の出力IFと高調波フィルタ
ー（一般に第２高調波フィルター）（18）の出力IHとの
比はIF＜Ｋ′IHとなっており、高調波要素HF（19）の出
力は動作することはなく、論理積（21）が成立せず変圧
器保護リレー（８）（９）（10）は励磁突入電流では動
作しない。尚、過電流要素OC（16）は変圧器保護リレー
（８）（９）（10）が、励磁突入電流対策として、上記
のような、基本波フィルター（17）、高調波フィルター
（18）等を使用しており、動作時間がそれほど早くする
ことができず、大入力内部故障時変圧器耐量との動作協
調が得られない場合があるため、想定される励磁突入電
流以上の差動電流があった場合には励磁突入電流対策を
行なっていない当該過電流要素OC（16）により高速動作
を行なうためのものである。
次に変圧器投入時発生する励磁突入電流の様子につい
てもう少し詳細に説明する。第９図（ａ）において、相
電圧R,S,Tの印加により、励磁突入電流が流れる場合、
まず変圧器の各巻線に単相電圧印加における励磁突入電
流が流れたとする。（第９図（ａ）の純インラッシュで
示される電流：これらの電流が流れる大きさ、相は、変
圧器の残留磁束、電圧の投入位相により変化するが、一
般的に２相でインラッシュが発生する。）これらの純イ
ンラッシュ電流は、変圧器星状巻線の中性点接地状態に
より多少変化するが、接地線によりのみ還流することは
なく、必ず他相に廻り込みを発生する。従って一般に変
圧器星状巻線で観測される励磁突入電流は第９図（ａ）
Ｉλで示されるような電流になる。尚、これを変圧器保
護用にCTを三角接続としたあとのリレー入力電流は第９
図（ａ）ＩΔで示されるような電流になる。これらの電
流の基本波と第２高調波の位相関係は第９図（ｂ）の通
りである。一般に変圧器保護リレーの第２高調波含有率
検出値は第９図（ａ）ＩΔ,RS電流（２相インラッシュ
がR,S相で発生した場合の最大リレー電流発生相）にお
ける第２高調波含有率を基準に決定されている。ここ
で、CTは理想CTと考えているが、一般にCTは直流分を含
む入力に対し極端に飽和しやすくなり、励磁突入電流の
如く直流分が大きい場合、飽和することがある。第９図
（ａ）ＩλのＳ′でＳ相が飽和した場合の状況を示して
いる。これは一般に励磁突入電流流入時CT飽和により、
変圧器保護リレーが誤動作するケースがあり、これを定
性的に説明しようとしたものである。励磁突入電流によ
りCTが飽和した場合、CTの飽和現象が、CTの励磁インピ
ーダンスが無視できなくなる現象として考えられるの
で、電流の第２高調波含有率はCTが飽和する前より大き
くなる。ところが、第９図のようにR,Sインラッシュに
よりＳ相CTが飽和した場合、ＩΔのRS相にて第２高調波
含有率が減少する。これは、Ｓ相CT飽和により、Ｓ相電
流の位相が進むことになり、RS相において基本波分がCT
飽和前より増加、第２高調波分がCT飽和前より減少する
ためである。
てもう少し詳細に説明する。第９図（ａ）において、相
電圧R,S,Tの印加により、励磁突入電流が流れる場合、
まず変圧器の各巻線に単相電圧印加における励磁突入電
流が流れたとする。（第９図（ａ）の純インラッシュで
示される電流：これらの電流が流れる大きさ、相は、変
圧器の残留磁束、電圧の投入位相により変化するが、一
般的に２相でインラッシュが発生する。）これらの純イ
ンラッシュ電流は、変圧器星状巻線の中性点接地状態に
より多少変化するが、接地線によりのみ還流することは
なく、必ず他相に廻り込みを発生する。従って一般に変
圧器星状巻線で観測される励磁突入電流は第９図（ａ）
Ｉλで示されるような電流になる。尚、これを変圧器保
護用にCTを三角接続としたあとのリレー入力電流は第９
図（ａ）ＩΔで示されるような電流になる。これらの電
流の基本波と第２高調波の位相関係は第９図（ｂ）の通
りである。一般に変圧器保護リレーの第２高調波含有率
検出値は第９図（ａ）ＩΔ,RS電流（２相インラッシュ
がR,S相で発生した場合の最大リレー電流発生相）にお
ける第２高調波含有率を基準に決定されている。ここ
で、CTは理想CTと考えているが、一般にCTは直流分を含
む入力に対し極端に飽和しやすくなり、励磁突入電流の
如く直流分が大きい場合、飽和することがある。第９図
（ａ）ＩλのＳ′でＳ相が飽和した場合の状況を示して
いる。これは一般に励磁突入電流流入時CT飽和により、
変圧器保護リレーが誤動作するケースがあり、これを定
性的に説明しようとしたものである。励磁突入電流によ
りCTが飽和した場合、CTの飽和現象が、CTの励磁インピ
ーダンスが無視できなくなる現象として考えられるの
で、電流の第２高調波含有率はCTが飽和する前より大き
くなる。ところが、第９図のようにR,Sインラッシュに
よりＳ相CTが飽和した場合、ＩΔのRS相にて第２高調波
含有率が減少する。これは、Ｓ相CT飽和により、Ｓ相電
流の位相が進むことになり、RS相において基本波分がCT
飽和前より増加、第２高調波分がCT飽和前より減少する
ためである。
従来の変圧器保護継電装置は以上のように構成されて
いるので、変圧器の星状巻線側励磁突入電流によりCTが
飽和した場合、特に遅れ相側CTが飽和すると、リレー入
力となるCTの三角接続後の電流において第２高調波分が
減少することがあり、この場合リレーが誤動作する等の
問題点があった。
いるので、変圧器の星状巻線側励磁突入電流によりCTが
飽和した場合、特に遅れ相側CTが飽和すると、リレー入
力となるCTの三角接続後の電流において第２高調波分が
減少することがあり、この場合リレーが誤動作する等の
問題点があった。
本発明は上記のような課題点を解決するためになされ
たもので、変圧器の星状巻線側励磁突入電流によりCTが
飽和した場合でも、安定した第２高調波含有率検出が可
能である変圧器保護継電装置を得ることを目的とする。
たもので、変圧器の星状巻線側励磁突入電流によりCTが
飽和した場合でも、安定した第２高調波含有率検出が可
能である変圧器保護継電装置を得ることを目的とする。
本発明に係る変圧器保護継電装置は、変圧器星状巻線
側CTを３角接続する前に、その電流中の第２高調波含有
率を検出する第２高調波検出回路を設け、この出力によ
り差動保護回路の出力をロックするようにしたものであ
る。
側CTを３角接続する前に、その電流中の第２高調波含有
率を検出する第２高調波検出回路を設け、この出力によ
り差動保護回路の出力をロックするようにしたものであ
る。
本発明における、第２高調波含有率検出回路は、変圧
器星状巻線側CTを３角接続する前の電流中の第２高調波
分を検出するので、CTが飽和しても励磁突入電流を検出
できなくなることがない。
器星状巻線側CTを３角接続する前の電流中の第２高調波
分を検出するので、CTが飽和しても励磁突入電流を検出
できなくなることがない。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第
１図において、（1a）（1b）（1c）は変圧器高圧側母
線、（4a）（4b）（4c）はしゃ断器、（6a）（6b）（6
c）は計器用変流器、（23）〜（25）は第２高調波含有
率検出回路である。第2,3,4図において（26），（2
7），（29）〜（31），（35）は論理和回路、（28），
（32），（33），（34），（36），（37），（38）はイ
ンヒビット付論理積回路である。次に動作について説明
する。CTは飽和する前は、その励磁インピーダンスは無
限大と見なされ、１次電流を忠実に再現するが，電気学
会規格JEC1201にも示される如く、直流分を含む１次電
流により極端に飽和しやすくなる。CTが飽和した場合、
従来例の項に示した如く、励磁インピーダンスの低下に
より、CT2次電流は１次電流の高調波分を増幅したもの
となる。なんとなればインピーダンスはWLで示され高調
波程この価は大きくなり、励磁インピーダンスと負担と
の間の電流の分流比WL/Rは高周波程負担側へ分流が大き
くなる。即ち１次電流が励磁突入電流の如き第２高調波
を含む波形の場合、CT2次電流中の第２高調波含有率は
１次側より大きくなる。
１図において、（1a）（1b）（1c）は変圧器高圧側母
線、（4a）（4b）（4c）はしゃ断器、（6a）（6b）（6
c）は計器用変流器、（23）〜（25）は第２高調波含有
率検出回路である。第2,3,4図において（26），（2
7），（29）〜（31），（35）は論理和回路、（28），
（32），（33），（34），（36），（37），（38）はイ
ンヒビット付論理積回路である。次に動作について説明
する。CTは飽和する前は、その励磁インピーダンスは無
限大と見なされ、１次電流を忠実に再現するが，電気学
会規格JEC1201にも示される如く、直流分を含む１次電
流により極端に飽和しやすくなる。CTが飽和した場合、
従来例の項に示した如く、励磁インピーダンスの低下に
より、CT2次電流は１次電流の高調波分を増幅したもの
となる。なんとなればインピーダンスはWLで示され高調
波程この価は大きくなり、励磁インピーダンスと負担と
の間の電流の分流比WL/Rは高周波程負担側へ分流が大き
くなる。即ち１次電流が励磁突入電流の如き第２高調波
を含む波形の場合、CT2次電流中の第２高調波含有率は
１次側より大きくなる。
この関係は、CTを３角接続するまで保たれるので、本
発明のような、CTを３角接続する前の所謂スター電流の
第２高調波含有率を検出するようにすれば、CT飽和によ
り、励磁突入電流検出感度が低下することはない。
発明のような、CTを３角接続する前の所謂スター電流の
第２高調波含有率を検出するようにすれば、CT飽和によ
り、励磁突入電流検出感度が低下することはない。
第１図は保護リレー回路構成を示したもので第２高調
波含有率検出回路（23），（24），（25）を所謂スター
電流側に設けることを示している。第2,3,4図は、第２
高調波検出回路の出力により、差動保護回路の出力をロ
ックする方式を示したもので、第２図では３相一括ロッ
クにより行なう方法、第３図では差動保護回路が使用し
ている電流に関係する２相の論理和でロックする方法、
第４図では差動保護回路が使用している電流に関係する
２相のうちの進み相でロックする方法を示している。各
々、本発明の目的とする励磁突入電流によりCTが飽和し
た場合の対策は可能であるが、内部事故時の誤ロックの
可能性が、第２〜第４図に従がい、少なくなってくる。
従って方式的にもっとも安定であるのは、第４図に示さ
れる方法であるが、経済性他の理由も加味し、第2,3,4
図の方式であってもよい。
波含有率検出回路（23），（24），（25）を所謂スター
電流側に設けることを示している。第2,3,4図は、第２
高調波検出回路の出力により、差動保護回路の出力をロ
ックする方式を示したもので、第２図では３相一括ロッ
クにより行なう方法、第３図では差動保護回路が使用し
ている電流に関係する２相の論理和でロックする方法、
第４図では差動保護回路が使用している電流に関係する
２相のうちの進み相でロックする方法を示している。各
々、本発明の目的とする励磁突入電流によりCTが飽和し
た場合の対策は可能であるが、内部事故時の誤ロックの
可能性が、第２〜第４図に従がい、少なくなってくる。
従って方式的にもっとも安定であるのは、第４図に示さ
れる方法であるが、経済性他の理由も加味し、第2,3,4
図の方式であってもよい。
第５図において（36），（37），（38）は論理積回
路、（32），（33），（34）はインヒビット付論理積回
路、（35）は論理和回路である。次に動作について説明
する。CTは飽和する前は、その励磁インピーダンスは、
無限大と見なされ、１次電流を忠実に再現するが、電気
学会規格JEC1201にも示される如く、直流分を含む１次
電流により極端に飽和しやすくなる。CTが飽和した場
合、従来例の項に示した如く、励磁インピーダンスの低
下により、CT2次電流は１次電流の高調波分を増幅した
ものとなる。なんとなればインピーダンスはWLで示され
高調波程この価は大きくなり、励磁インピーダンスと負
担との間の電流の分流比WL/Rは高周波程負担側への分流
が大きくなる。即ち１次電流が励磁突入電流の如き第２
高調波を含む波形の場合、CT2次電流中の第２高調波含
有率は１次側より大きくなる。この関係は、CTを３角接
続するまで保たれるので、本発明のような、CTを３角接
続する前の所謂スター電流の第２高調波含有率を検出す
るようにすれば、CT飽和により、励磁突入電流検出感度
が低下することはない。
路、（32），（33），（34）はインヒビット付論理積回
路、（35）は論理和回路である。次に動作について説明
する。CTは飽和する前は、その励磁インピーダンスは、
無限大と見なされ、１次電流を忠実に再現するが、電気
学会規格JEC1201にも示される如く、直流分を含む１次
電流により極端に飽和しやすくなる。CTが飽和した場
合、従来例の項に示した如く、励磁インピーダンスの低
下により、CT2次電流は１次電流の高調波分を増幅した
ものとなる。なんとなればインピーダンスはWLで示され
高調波程この価は大きくなり、励磁インピーダンスと負
担との間の電流の分流比WL/Rは高周波程負担側への分流
が大きくなる。即ち１次電流が励磁突入電流の如き第２
高調波を含む波形の場合、CT2次電流中の第２高調波含
有率は１次側より大きくなる。この関係は、CTを３角接
続するまで保たれるので、本発明のような、CTを３角接
続する前の所謂スター電流の第２高調波含有率を検出す
るようにすれば、CT飽和により、励磁突入電流検出感度
が低下することはない。
第１図は保護リレー回路構成を示したもので第２高調
波含有率検出回路（23），（24），（25）を所謂スター
電流側に設けることを示している。第５図は、第２高調
波検出回路の出力により、差動保護回路の出力をロック
する方式を示したもので、第９図の波形図に示すように
インラッシュが発生すれば、スター電流側第２高調波含
有率検出回路（23）〜（25）は全相で第２高調波を検出
し、仮にどのCTが飽和して、どの差動保護回路がそのた
めに誤動作しても、論理積回路（36）〜（38）は全て成
立しているためインヒビット付論理積回路（32）〜（3
4）により差動保護回路（８）〜（10）の出力をロック
することができる。尚、仮にどこかの相に事故がある状
態で、変圧器投入を行なった場合、事故相以外ではイン
ラッシュの発生の可能性がある。この場合、スター電流
側についている第２高調波含有率検出回路（23）〜（2
5）は、少なくとも事故相については第２高調波含有率
検出を行なわないことになる。（厳密には事故電流と他
相のインラッシュ電流の廻り込み分により、第２高調波
含有率検出を行なう可能性もあるが、その場合には従来
方式でもトリップできず、本願との差異がないため、こ
こでは事故電流が大きく、第２高調波含有率検出しない
ケースについて述べる。） 従って論理積回路（36）〜（38）のうち、事故相を含
む２相が不成立となる。
波含有率検出回路（23），（24），（25）を所謂スター
電流側に設けることを示している。第５図は、第２高調
波検出回路の出力により、差動保護回路の出力をロック
する方式を示したもので、第９図の波形図に示すように
インラッシュが発生すれば、スター電流側第２高調波含
有率検出回路（23）〜（25）は全相で第２高調波を検出
し、仮にどのCTが飽和して、どの差動保護回路がそのた
めに誤動作しても、論理積回路（36）〜（38）は全て成
立しているためインヒビット付論理積回路（32）〜（3
4）により差動保護回路（８）〜（10）の出力をロック
することができる。尚、仮にどこかの相に事故がある状
態で、変圧器投入を行なった場合、事故相以外ではイン
ラッシュの発生の可能性がある。この場合、スター電流
側についている第２高調波含有率検出回路（23）〜（2
5）は、少なくとも事故相については第２高調波含有率
検出を行なわないことになる。（厳密には事故電流と他
相のインラッシュ電流の廻り込み分により、第２高調波
含有率検出を行なう可能性もあるが、その場合には従来
方式でもトリップできず、本願との差異がないため、こ
こでは事故電流が大きく、第２高調波含有率検出しない
ケースについて述べる。） 従って論理積回路（36）〜（38）のうち、事故相を含
む２相が不成立となる。
これにより、事故相を含む２相分の差動保護回路
（（８）〜（10）のうちの２つ）に対応するインヒビッ
ト付論理積回路（（32）〜（34）のうちの２つ）がロッ
クされることはなく、差動保護回路が動作すればその出
力をさまたげることなく、正常な保護が行なわれる。
尚、上記実施例では差動保護回路（８），（９），（1
0）には従来例通り、第２高調波含有率検出回路（第７
図、（17），（18），（19）にて構成される）を含む
か、否かに言及していないが、本発明による第２高調波
回路に対し、差動保護回路（８），（９），（10）内蔵
の第２高調波含有率検出回路があっても、なんらかまわ
ない。
（（８）〜（10）のうちの２つ）に対応するインヒビッ
ト付論理積回路（（32）〜（34）のうちの２つ）がロッ
クされることはなく、差動保護回路が動作すればその出
力をさまたげることなく、正常な保護が行なわれる。
尚、上記実施例では差動保護回路（８），（９），（1
0）には従来例通り、第２高調波含有率検出回路（第７
図、（17），（18），（19）にて構成される）を含む
か、否かに言及していないが、本発明による第２高調波
回路に対し、差動保護回路（８），（９），（10）内蔵
の第２高調波含有率検出回路があっても、なんらかまわ
ない。
以上のように本発明によれば、第２高調波含有率検出
回路を変圧器星状巻線側CTの３角接続する前に設けたの
で、CTが飽和しても安定な励磁突入電流検出を行なうこ
とができ、精度の高いものが得られる効果がある。又、
内部事故に対して何ら不都合なく精度の高いものが得ら
れる。
回路を変圧器星状巻線側CTの３角接続する前に設けたの
で、CTが飽和しても安定な励磁突入電流検出を行なうこ
とができ、精度の高いものが得られる効果がある。又、
内部事故に対して何ら不都合なく精度の高いものが得ら
れる。
第１図は本発明の一実施例による変圧器保護継電装置の
構成を示す図、第２図〜第５図は夫々本発明の他の実施
例による変圧器保護継電装置の内部構成を示す図、第６
図は従来の例、第７図は従来例の内部構成図、第８図は
変圧器保護用CTの接続説明図、第９図は励磁突入電流説
明図である。 図において、（３）は変圧器、（８），（９），（10）
は差動保護リレー、（23），（24），（25）は第２高調
波含有率検出回路。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
構成を示す図、第２図〜第５図は夫々本発明の他の実施
例による変圧器保護継電装置の内部構成を示す図、第６
図は従来の例、第７図は従来例の内部構成図、第８図は
変圧器保護用CTの接続説明図、第９図は励磁突入電流説
明図である。 図において、（３）は変圧器、（８），（９），（10）
は差動保護リレー、（23），（24），（25）は第２高調
波含有率検出回路。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (5)
- 【請求項１】星状巻線を有する変圧器を差動保護する変
圧器保護継電装置において、上記星状巻線より母線側の
変流器の２次側を三角接続する接続点より変流器巻線側
の三角接続する前の変流器２次電流中の各相の第２高調
波含有率を検出する第２高調波含有率検出回路を設け、
この第２高調波含有率検出回路の出力により差動保護回
路の出力をロックすることを特徴とする変圧器保護継電
装置。 - 【請求項２】星状巻線を有する変圧器を差動保護する変
圧器保護継電装置において、上記星状巻線より母線側の
変流器の２次側を三角接続する接続点より変流器巻線側
の三角接続する前の変流器２次電流中の各相の第２高調
波含有率を検出する第２高調波含有率検出回路を設け、
３相各相の第２高調波含有率検出回路の出力の論理和
で、３相各相の差動保護回路の出力を一括してロックす
ることを特徴とする変圧器保護継電装置。 - 【請求項３】星状巻線を有する変圧器を差動保護する変
圧器保護継電装置において、上記星状巻線より母線側の
変流器の２次側を三角接続する接続点より変流器巻線側
の三角接続する前の変流器２次電流中の各相の第２高調
波含有率を検出する第２高調波含有率検出回路を設け、
これら第２高調波含有率検出回路のそれぞれの出力の各
々２相分の出力の各論理和で、当該２相の差分入力を差
動保護回路の入力としている差動保護回路の出力をロッ
クすることを特徴とする変圧器保護継電装置。 - 【請求項４】星状巻線を有する変圧器を差動保護する変
圧器保護継電装置において、上記星状巻線より母線側の
変流器の２次側を三角接続する接続点より変流器巻線側
の三角接続する前の変流器２次電流中の各相の第２高調
波含有率を検出する第２高調波含有率検出回路を設け、
３相中の２相の第２高調波含有率検出回路の出力のうち
進み相の出力で、当該２相の差分入力を差動保護回路の
入力としている差動保護回路の出力をロックすることを
特徴とする変圧器保護継電装置。 - 【請求項５】星状巻線を有する変圧器を差動保護する変
圧器保護継電装置において、上記星状巻線より母線側の
変流器の２次側を三角接続する接続点より変流器巻線側
の三角接続する前の変流器２次電流中の各相の第２高調
波含有率を検出する第２高調波含有率検出回路を設け、
これら第２高調波含有率検出回路のそれぞれの出力の各
々２相分の出力の各論理積で、当該２相の差分入力を差
動保護回路の入力としている差動保護回路の出力をロッ
クすることを特徴とする変圧器保護継電装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2120744A JP2594682B2 (ja) | 1990-05-09 | 1990-05-09 | 変圧器保護継電装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2120744A JP2594682B2 (ja) | 1990-05-09 | 1990-05-09 | 変圧器保護継電装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0417515A JPH0417515A (ja) | 1992-01-22 |
| JP2594682B2 true JP2594682B2 (ja) | 1997-03-26 |
Family
ID=14793911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2120744A Expired - Lifetime JP2594682B2 (ja) | 1990-05-09 | 1990-05-09 | 変圧器保護継電装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2594682B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140077110A (ko) * | 2012-12-13 | 2014-06-23 | 우후 애루이트 인바이런멘틀 프러텍션 사이언스 컴퍼니 리미티드 | 상업용 로봇 바닥세척기 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54136639A (en) * | 1978-04-14 | 1979-10-23 | Mitsubishi Electric Corp | Transformer protective relay |
| JPS5961425A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-07 | 株式会社東芝 | 変圧器保護継電装置 |
| JPS648824A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-12 | Toshiba Corp | Protective relay |
-
1990
- 1990-05-09 JP JP2120744A patent/JP2594682B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140077110A (ko) * | 2012-12-13 | 2014-06-23 | 우후 애루이트 인바이런멘틀 프러텍션 사이언스 컴퍼니 리미티드 | 상업용 로봇 바닥세척기 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0417515A (ja) | 1992-01-22 |
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