JPS62227929A - レジスト材料 - Google Patents
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
新規なラダー型構造を有するオルガノポリシロキサン、
すなわち、シリコーン樹脂と、該シリコーン樹脂のレジ
スト材料としての使用が開示される。本発明のレジスト
材料は、電離放射線、なかんずくＸ線に対して高い感度
を有している。
すなわち、シリコーン樹脂と、該シリコーン樹脂のレジ
スト材料としての使用が開示される。本発明のレジスト
材料は、電離放射線、なかんずくＸ線に対して高い感度
を有している。
本発明は、リソグラフィー技術、特に、半導体集積回路
、バブルメモリー素子などの製造時に微細加工を行なう
のに有用な、電子線、Ｘ線、遠紫外線、イオンビームな
どの電離放射線を用いたリソグラフィー技術に関する。
、バブルメモリー素子などの製造時に微細加工を行なう
のに有用な、電子線、Ｘ線、遠紫外線、イオンビームな
どの電離放射線を用いたリソグラフィー技術に関する。
本発明は、さらに詳しく述べると、このような技術分野
において新規なラダー型構造を有するオルガノポリシロ
キサン（以下、シリコーン樹脂とも呼ぶ）と、その感電
離放射線レジスト材料としての使用に関する。
において新規なラダー型構造を有するオルガノポリシロ
キサン（以下、シリコーン樹脂とも呼ぶ）と、その感電
離放射線レジスト材料としての使用に関する。
半導体デバイスの窩集積化が進むにつれて、リソグラフ
ィー技術において用いられるレジスト材料も日に日に改
良されている。例えば、電子線及びＸ線用のネガ型レジ
スト材料として、クロロメチル化ポリスチレン（ＣＭＳ
） 、環化ポリイソプレン等が広く使用されている。し
かし、これらの材料は、感度及び解像性の両者を十分に
満足させるに至っていない。
ィー技術において用いられるレジスト材料も日に日に改
良されている。例えば、電子線及びＸ線用のネガ型レジ
スト材料として、クロロメチル化ポリスチレン（ＣＭＳ
） 、環化ポリイソプレン等が広く使用されている。し
かし、これらの材料は、感度及び解像性の両者を十分に
満足させるに至っていない。
最近になって、レジスト膜を二層構造となして、より満
足すべきレジストパターンを得る方法も実現されている
。しかし、このパターン形成方法のために開発された、
ＳＮＲ，ＣＭＳとトリメチルシリルスチレンの共重合体
等のレジスト材料も、感度が未だ十分ではない。特にＸ
線リソグラフィーに使用するとなると、レジスト材料の
感度は従来のレジスト材料のそれのほぼ２倍以上である
ことが必要である。
足すべきレジストパターンを得る方法も実現されている
。しかし、このパターン形成方法のために開発された、
ＳＮＲ，ＣＭＳとトリメチルシリルスチレンの共重合体
等のレジスト材料も、感度が未だ十分ではない。特にＸ
線リソグラフィーに使用するとなると、レジスト材料の
感度は従来のレジスト材料のそれのほぼ２倍以上である
ことが必要である。
本発明の目的は、上述のような従来の技術の欠点を解消
すること、換言すると、電離放射線、特にＸ線に高い感
度を有するレジスト材料を提供することにある。
すること、換言すると、電離放射線、特にＸ線に高い感
度を有するレジスト材料を提供することにある。
本発明者らは、上述の目的を達成すべく研究していく過
程で、ラダー型構造を有するポリメチルシルセスキオキ
サンやポリビニルシルセスキオキサンが特に電子線に対
して高感度である点に着目し、さらに研究を続けた結果
、新規な次の構造式（Ｉ）により表わされるオルガノポ
リシロキサンを見い出した。
程で、ラダー型構造を有するポリメチルシルセスキオキ
サンやポリビニルシルセスキオキサンが特に電子線に対
して高感度である点に着目し、さらに研究を続けた結果
、新規な次の構造式（Ｉ）により表わされるオルガノポ
リシロキサンを見い出した。
Ｒ９
上式において、
Ｒ１は、 Ｃ５Ｈｚ＋＊＊＋＋例えば−ＣＨ，。
ＣｚＨｓ 、 Ｃ３Ｈ？ ； Ｃ−Ｈｚ□１２例え
ばＣＨ−ＣＨｚ 、 ＣＨｚ ＣＨ＝ ＣＨ
ｔ ；又は−Ｃ６Ｈ，であり、 Ｒ２は、−ＣｓＨｋＣｆｆ Ｌ （ｋ ＋１＝’１ｍ十
ｌ。
ばＣＨ−ＣＨｚ 、 ＣＨｚ ＣＨ＝ ＣＨ
ｔ ；又は−Ｃ６Ｈ，であり、 Ｒ２は、−ＣｓＨｋＣｆｆ Ｌ （ｋ ＋１＝’１ｍ十
ｌ。
ｍ＞２）、例えば−Ｃ２Ｈ４Ｃ７！、 ＣｚＨｂＣｌ
。
。
ＣＨＣｘ−ＣＨ，Ｃβ、−ＣＨ，−ＣＨＣｌ−ＣＨ２Ｃ
１であり、 ｍは、１〜５の整数を表わし、 そして ｎは、５，０００〜２００，０００の分子ｆｆｉ（Ｍｗ
）を与えるのに必要な重合度を表わす。
１であり、 ｍは、１〜５の整数を表わし、 そして ｎは、５，０００〜２００，０００の分子ｆｆｉ（Ｍｗ
）を与えるのに必要な重合度を表わす。
さらに、上記式（Ｉ）のオルガノポリシロキサンは、感
電離放射線のレジスト材料として、特に感Ｘ線（Ｐ ｄ
Ｌα線、Ｍ ｏ Ｌα線等）のレジスト材料として有
用であることも、研究の結果として判明した。本発明の
レジスト材料は、判明したところによると、二Ｎ構造レ
ジスト膜の上層として有利に使用することができる。こ
の二層構造のレジスト膜は、例えば次のようにしてパタ
ーン形成に供することができる： 電離放射線の像パターンを照射して上層レジスト薄膜に
前記像パターンに対応する潜像を形成させ、 前記潜像を現像液で現像して上層レジストパターンを得
、そして必要に応じてリンスを行ない、前記上層レジス
トパターンをマスクとしてプラズマ処理を行ない、前記
上層レジストパターンをその下方の下層レジストｍ膜に
転写する。
電離放射線のレジスト材料として、特に感Ｘ線（Ｐ ｄ
Ｌα線、Ｍ ｏ Ｌα線等）のレジスト材料として有
用であることも、研究の結果として判明した。本発明の
レジスト材料は、判明したところによると、二Ｎ構造レ
ジスト膜の上層として有利に使用することができる。こ
の二層構造のレジスト膜は、例えば次のようにしてパタ
ーン形成に供することができる： 電離放射線の像パターンを照射して上層レジスト薄膜に
前記像パターンに対応する潜像を形成させ、 前記潜像を現像液で現像して上層レジストパターンを得
、そして必要に応じてリンスを行ない、前記上層レジス
トパターンをマスクとしてプラズマ処理を行ない、前記
上層レジストパターンをその下方の下層レジストｍ膜に
転写する。
上記した一連の工程は、この技術分野において一般的に
用いられている技法を使用して実施することができ、し
たがって、ここでの詳しい説明を省略する。
用いられている技法を使用して実施することができ、し
たがって、ここでの詳しい説明を省略する。
本発明によれば、ビニルシルセスキオキサン、了り−ル
シルセスキオキサン、あるいはメチル−ビニル、メチル
ーア＋／−ル共存シルセスキオキサンを合成した後、塩
素ガス等のハロゲン化剤により不飽和結合をハロゲン化
してラダー型シリコーン樹脂にハロゲン原子を導入し、
よって、本発明の前代（Ｉ）のシリコーン樹脂を製造す
ることができる。このＭ遣方法は、次のような従来の製
造方法の欠点を含まないという点で注目に値する：従来
の製造方法としては、ポリフェニルシルセスキオキサン
をクロロメチル化する方法、ハロゲン化アルキルトリク
ロロ（アルコキシ）シランを縮重合して重合体となす方
法がある。しかし、前者の、ポリフェニルシルセスキオ
キサンをクロロメチル化する方法の場合、たとえクロロ
メチル化が可能であるとしても、炭素（Ｃ）、硫黄（Ｓ
）、酸素（０）に対する塩素（Ｃ１）の原子数の増加し
ないため、Ｘ線の吸収係数はさほど大きくならない。一
方、後者の方法の場合、硅素（Ｓｉ）原子に付加するク
ロロメチル基、クロロエチル基等は反応性が高く、ゲル
化し易いという問題を伴なう。ゲル化の防止のためにア
ルキル鎖の長い七ツマを使用するとすると、今度は高分
子量化が実施不可能となる。
シルセスキオキサン、あるいはメチル−ビニル、メチル
ーア＋／−ル共存シルセスキオキサンを合成した後、塩
素ガス等のハロゲン化剤により不飽和結合をハロゲン化
してラダー型シリコーン樹脂にハロゲン原子を導入し、
よって、本発明の前代（Ｉ）のシリコーン樹脂を製造す
ることができる。このＭ遣方法は、次のような従来の製
造方法の欠点を含まないという点で注目に値する：従来
の製造方法としては、ポリフェニルシルセスキオキサン
をクロロメチル化する方法、ハロゲン化アルキルトリク
ロロ（アルコキシ）シランを縮重合して重合体となす方
法がある。しかし、前者の、ポリフェニルシルセスキオ
キサンをクロロメチル化する方法の場合、たとえクロロ
メチル化が可能であるとしても、炭素（Ｃ）、硫黄（Ｓ
）、酸素（０）に対する塩素（Ｃ１）の原子数の増加し
ないため、Ｘ線の吸収係数はさほど大きくならない。一
方、後者の方法の場合、硅素（Ｓｉ）原子に付加するク
ロロメチル基、クロロエチル基等は反応性が高く、ゲル
化し易いという問題を伴なう。ゲル化の防止のためにア
ルキル鎖の長い七ツマを使用するとすると、今度は高分
子量化が実施不可能となる。
■−土」四里■二
１００ｍｆのメチルイソブチルケトン（旧ＢＫ）に１８
ｍ１のトリエチルアミンを添加して混合し、さらにこの
混合物に３０ｇのビニルトリクロルシランを混合してか
ら一５０℃に冷却した。得られた混合物に１８ｍｊｌ！
の水を添加した後、溶液の温度を徐々に室温まで戻した
。次いで、窒素ガスでバブリングを行いながら、反応液
温度を１００℃まで上昇させ、そのま５１０時間にわた
って重縮合させた。形成された旧ＢＫＪ’ｉを採取し、
これに３０ｇのトリメチルクロルシランを添加した。６
０℃で１時間にわたって反応させて未反応ヒドロキシル
基をシリル化した。この反応液を５００ｍ／の水で４．
５回洗浄した後、アセトニトリルを加え、生成した樹脂
の沈澱を回収した。回収した樹脂を再び５０ｍｌの旧Ｂ
Ｋに溶解し、これに塩素ガスを一昼夜パブリングしてビ
ニル基の塩素化を行った。
ｍ１のトリエチルアミンを添加して混合し、さらにこの
混合物に３０ｇのビニルトリクロルシランを混合してか
ら一５０℃に冷却した。得られた混合物に１８ｍｊｌ！
の水を添加した後、溶液の温度を徐々に室温まで戻した
。次いで、窒素ガスでバブリングを行いながら、反応液
温度を１００℃まで上昇させ、そのま５１０時間にわた
って重縮合させた。形成された旧ＢＫＪ’ｉを採取し、
これに３０ｇのトリメチルクロルシランを添加した。６
０℃で１時間にわたって反応させて未反応ヒドロキシル
基をシリル化した。この反応液を５００ｍ／の水で４．
５回洗浄した後、アセトニトリルを加え、生成した樹脂
の沈澱を回収した。回収した樹脂を再び５０ｍｌの旧Ｂ
Ｋに溶解し、これに塩素ガスを一昼夜パブリングしてビ
ニル基の塩素化を行った。
この塩素化の後、樹脂の沈澱をアセトニトリルを加えて
生成させ、回収し、ベンゼンに溶解し、そして凍結乾燥
した。得られた樹脂を気相クロマトグラフィーにより分
析したところ、次の構造を有すルコトｌＪ’ＧＴＩＬ’
２すｈり： Ｍｗ＝ １．ＯＸ Ｉ Ｏ’ 。
生成させ、回収し、ベンゼンに溶解し、そして凍結乾燥
した。得られた樹脂を気相クロマトグラフィーにより分
析したところ、次の構造を有すルコトｌＪ’ＧＴＩＬ’
２すｈり： Ｍｗ＝ １．ＯＸ Ｉ Ｏ’ 。
Ｍ Ｗ ／ Ｍ ｎ ＝ １．８゜
前記例１に記載の手法を繰り返した。但し、本例の場合
、３０ｇのビニルトリクロルシランの代りに、１０ｇの
メチルトリクロルシランと２０ｇのビニルトリクロルシ
ランの混合物を使用し、また、回収した樹脂の塩素化の
ため、その６ｇを５ ＱｍＩ！のベンゼンに溶解し、１
ｇの過酸化ベンゾイル及び５ｇのＮ−クロロコハク酸イ
ミドを添加し、環流温度で１０時間にわたって反応させ
た。
、３０ｇのビニルトリクロルシランの代りに、１０ｇの
メチルトリクロルシランと２０ｇのビニルトリクロルシ
ランの混合物を使用し、また、回収した樹脂の塩素化の
ため、その６ｇを５ ＱｍＩ！のベンゼンに溶解し、１
ｇの過酸化ベンゾイル及び５ｇのＮ−クロロコハク酸イ
ミドを添加し、環流温度で１０時間にわたって反応させ
た。
得られた樹脂を気相クロマトグラフィーにより分析した
ところ、次の構造を有することが確認された： Ｍｗ＝
７ ｘ Ｉ Ｏ’ 、 Ｍｗ／Ｍｗ＝ １．６゜前記
例１の樹脂をジイソブチルケトン（ＤｉＢＫ）に溶解し
て得た？？Ｉ液をシリコン基板上にスピンコードし、１
００℃で３０分間にわたってプリベークした。次いで、
形成されたレジスト膜にＰｄＬα線（波長λ＝４．３７
人）を像状に照射した。この時、管電圧は１５ｋＶ、管
電流は１００ｍＡであった。
ところ、次の構造を有することが確認された： Ｍｗ＝
７ ｘ Ｉ Ｏ’ 、 Ｍｗ／Ｍｗ＝ １．６゜前記
例１の樹脂をジイソブチルケトン（ＤｉＢＫ）に溶解し
て得た？？Ｉ液をシリコン基板上にスピンコードし、１
００℃で３０分間にわたってプリベークした。次いで、
形成されたレジスト膜にＰｄＬα線（波長λ＝４．３７
人）を像状に照射した。この時、管電圧は１５ｋＶ、管
電流は１００ｍＡであった。
像露光後の試料をＭＩＢＫに６０秒間にわたって浸漬し
て現像した後、イソプロパツール（、ＩＰＡ）に３０秒
間浸漬してリンス処理した。本例のレジストの感度は７
０ ｍ Ｊ ／ｃＩ＋！であった。
て現像した後、イソプロパツール（、ＩＰＡ）に３０秒
間浸漬してリンス処理した。本例のレジストの感度は７
０ ｍ Ｊ ／ｃＩ＋！であった。
例４
前記例２の樹脂を用いて前記例３の手法を繰り返した。
本例のレジストの感度は１２０ｍＪ／ｃｎであった。
添付の第１ａ図〜第１ｄ図に断面で示されるような順序
で本例を実施した。
で本例を実施した。
シリコン基板Ｉ上に米国シラプレー社製のレジスト：マ
イクロポジット１３５０をスピンコードし、２００℃で
１時間にわたって熱処理した。膜厚２．０μｍの下層レ
ジスト膜２が得られた。次いで、形成された下層レジス
ト膜２上に、前記例１のレジストをスピンコードし、１
００℃で３０分間にわたってプリベークした。上層レジ
スト膜３の膜厚は０．２μｍであった。第１ａ図は、こ
のようにして得られた二層レジスト膜付のシリコン基板
の略示断面図である。
イクロポジット１３５０をスピンコードし、２００℃で
１時間にわたって熱処理した。膜厚２．０μｍの下層レ
ジスト膜２が得られた。次いで、形成された下層レジス
ト膜２上に、前記例１のレジストをスピンコードし、１
００℃で３０分間にわたってプリベークした。上層レジ
スト膜３の膜厚は０．２μｍであった。第１ａ図は、こ
のようにして得られた二層レジスト膜付のシリコン基板
の略示断面図である。
次いで、得られた二層レジスト膜付のシリコン基板をＰ
ｄＬα線露光装置に収容し、膜厚３μｍのポリイミドメ
ンプラン上に厚さ０．８μｍのＴａパターンを有するマ
スク（図示せず）を介してコンタクト露光を行なった（
第１ｂ図）。図中の３ａは露光域、３ｂは未露光域であ
る。
ｄＬα線露光装置に収容し、膜厚３μｍのポリイミドメ
ンプラン上に厚さ０．８μｍのＴａパターンを有するマ
スク（図示せず）を介してコンタクト露光を行なった（
第１ｂ図）。図中の３ａは露光域、３ｂは未露光域であ
る。
次いで、露光後のシリコン基板をＤｉＢＫ浴に６０秒間
にわたって浸漬することにより現像し、さらにＩＰＡに
３０秒間浸漬してリンス処理した。第１ｃ図に示される
ように、露光域の上層レジスト膜３ａのみが上層レジス
トパターンとして下層レジスト膜２上に残留した。
にわたって浸漬することにより現像し、さらにＩＰＡに
３０秒間浸漬してリンス処理した。第１ｃ図に示される
ように、露光域の上層レジスト膜３ａのみが上層レジス
トパターンとして下層レジスト膜２上に残留した。
次いで、現像後のシリコン基板を平行平板型ドライエツ
チング装置に収容し、残留せる上層レジスト膜３ａをマ
スクとしてかつカーボンターゲットを用いて、酸素プラ
ズマ（ガス圧力２Ｐａ、印加電圧０．２２ Ｗ ／ ｃ
ｔＡ ）にて１５分間のプラズマエツチングを行なった
。このエツチングの結果、第１ｄ図に示されるように、
上層レジストパターン３ａがそのま＼下層レジスト膜（
平坦化７ｇ）２ａに転写された。
チング装置に収容し、残留せる上層レジスト膜３ａをマ
スクとしてかつカーボンターゲットを用いて、酸素プラ
ズマ（ガス圧力２Ｐａ、印加電圧０．２２ Ｗ ／ ｃ
ｔＡ ）にて１５分間のプラズマエツチングを行なった
。このエツチングの結果、第１ｄ図に示されるように、
上層レジストパターン３ａがそのま＼下層レジスト膜（
平坦化７ｇ）２ａに転写された。
本例の場合、０．５μｍのライン＆スペースパターンが
解像された。
解像された。
本発明によれば、電離放射線、なかんずくＸ線に対して
高い感度を有するレジストが提供される。
高い感度を有するレジストが提供される。
このレジストは、高感度に加えて、高解像性をも保有し
ている。
ている。
第１ａ図、第１ｂ図、第１ｃ図及び第１ｄ図は、それぞ
れ、本発明のレジスト材料を使用したパターン形成方法
の一例を順を追って示した略示断面図である。 図中、ｌはシリコン基板、２は下層レジスト膜、そして
３は上層レジスト膜である。
れ、本発明のレジスト材料を使用したパターン形成方法
の一例を順を追って示した略示断面図である。 図中、ｌはシリコン基板、２は下層レジスト膜、そして
３は上層レジスト膜である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、次の構造式（ I ）により表わされるオルガノポリ
シロキサン。 視（ I ） （上式において、 Ｒ＿１は−Ｃ＿ｍＨ＿２＿ｍ＿＋＿１、−Ｃ＿ｍＨ＿２
＿ｍ＿−＿１又は−Ｃ＿６Ｈ＿５であり、 Ｒ＿２は−Ｃ＿ｍＨ＿ＫＣｌ＿Ｌ（＿ｋ＋＿Ｌ＝２＿ｍ
＋１、＿ｍ≧２）であり、 ｍは１〜５の整数を表わし、 そして ｎは重合度を表わす。） ２、次の構造式（ I ）により表わされるオルガノポリ
シロキサン： ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （上式において、 Ｒ＿１は−Ｃ＿ｍＨ＿２＿ｍ＿＋＿１、−Ｃ＿ｍＨ＿２
＿ｍ＿−＿１又は−Ｃ＿６Ｈ＿５であり、 Ｒ＿２は−Ｃ＿ｍＨ＿ＫＣｌ＿Ｌ（＿ｋ＋＿Ｌ＝２＿ｍ
＋１、＿ｍ≧２）であり、 ｍは１〜５の整数を表わし、 そして ｎは重合度を表わす）からなるレジスト材料。 ３、二層構造レジスト膜の上層として用いられる、特許
請求の範囲第２項に記載のレジスト材料。 ４、感電離放射線である、特許請求の範囲第２項又は第
３項に記載のレジスト材料。 ５、電離放射線がＸ線である、特許請求の範囲第４項に
記載のレジスト材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7126286A JPS62227929A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | レジスト材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7126286A JPS62227929A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | レジスト材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62227929A true JPS62227929A (ja) | 1987-10-06 |
| JPS6346094B2 JPS6346094B2 (ja) | 1988-09-13 |
Family
ID=13455632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7126286A Granted JPS62227929A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | レジスト材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62227929A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01123229A (ja) * | 1987-11-09 | 1989-05-16 | Toray Silicone Co Ltd | パターン形成用材料およびパターン形成方法 |
| JPH01221384A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-04 | Fujitsu Ltd | シリコーン化合物 |
| JPH02163744A (ja) * | 1988-12-19 | 1990-06-25 | Fujitsu Ltd | レジストパターンの形成方法 |
| JPH0873593A (ja) * | 1994-09-08 | 1996-03-19 | Showa Denko Kk | ポリオルガノシロキサン及びその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5859222A (ja) * | 1981-10-03 | 1983-04-08 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | オルガノポリシルセスキオキサン及びその製造方法 |
-
1986
- 1986-03-31 JP JP7126286A patent/JPS62227929A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5859222A (ja) * | 1981-10-03 | 1983-04-08 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | オルガノポリシルセスキオキサン及びその製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01123229A (ja) * | 1987-11-09 | 1989-05-16 | Toray Silicone Co Ltd | パターン形成用材料およびパターン形成方法 |
| JPH01221384A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-04 | Fujitsu Ltd | シリコーン化合物 |
| JPH02163744A (ja) * | 1988-12-19 | 1990-06-25 | Fujitsu Ltd | レジストパターンの形成方法 |
| JPH0873593A (ja) * | 1994-09-08 | 1996-03-19 | Showa Denko Kk | ポリオルガノシロキサン及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6346094B2 (ja) | 1988-09-13 |
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