JPS622268A - 電子写真用感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 二発明の技術分野］ この発明は、例えば電子写真記録装置または複写装置等
に使用され、帯電特性、暗減衰特性、光感度特性、耐環
境性等に優れた性能を有する電子写真用感光体に関する
。

［発明の技術的背景およびその問題点］従来、例えばカ
ールソン方式の電子写真記録装置等に使用される電子写
真用感光体の光導電層を構成スル材Ｉｔ　、！：　Ｌ、
　Ｔ　ハ、Ｃｒｌ　Ｓ、Ｚｎ　Ｏ，Ｓｅ　。

Ｓｅ　−Ｔｅ　、アモルファスシリコン等の無機材料や
、またはポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール（ＰＶＣＺ）、
トリニトロフルオレン（ＴＮＦ）等の有傭材斜が主に知
られている。

しかしながら、これらの光導電材料を使用するには、材
料として種々の問題があり、装置の特性をある程度犠牲
にして状況に応じてこれらの材料を使いわけているのが
現状である。

すなわち、例えばＳｅ、Ｃｄ　Ｓは本質的に対人体に対
して有害な材１′８Ｉであり、これらを装造づ゛るに当
っては、安全対策上、特別の配慮が必要でそのため製造
装置が複雑になったり、その製作に余分な費用を必要と
するし、またＳｅ等は回収の必要もあり、その費用も月
利の洒格にはねかえってくる。更に特性的には、例えば
Ｓｅ　　（または５ｅ−Ｔｅ系）は結晶化温度が６５°
Ｃと低いため、複写動作を繰り返し行っている間に結晶
化が起り、残雪、その他の点で実用上問題が生じ易く、
結局寿命が短いという問題がある。

また、ＺｎＯにＪ３いては、材料物性上、酸化）三元が
起り易く、環境雰囲気の影響を著しく受は易いために信
頼性が低いという問題がある。

更に、有機光導電性材料においては、ｐ’ｖｃｚやＴＮ
Ｆ等は最近人体に有害であるとの疑いがもたれたりして
おり、また有機材料であるために熱安定性、耐斤耗姓か
弱く、このため製品の寿命が短いという問題がある。

一方、アモルファスシリコン（以下、ａ　−３ｉと省略
する）は、近年、光電変操材料として注目を集め、太陽
電池、薄膜トランジスタ、イメージセンサ等への応用が
活発に行われているが、その池の応用として電子写真用
感光体の光導電材料としても検討が行われている。この
ａ−８ｉ材料は、電子写真用感光体としては上述した他
の材料にはない沙れた次の記載するような長所を有して
いる。

（１）無公害の材料であり、回収処理の必要がない。

〈２）従来の材料に比べて可視光領域で高い分光感度を
有する。

（３）表面硬度が高く、耐摩耗性、耐衝撃性に但れてい
る。

この結果、電子写真用感光体として大いに期待されてい
いる材料である。このように優れた特性を有するａ−３
ｉは既にカールソン方式の電子写真記録装置の感光体と
して検討が進んでいるが、感光体の特性としては高抵抗
でかつ光感度が高いことが要求されており、この両方の
特性を単層の感光体で同時に満足させることは特性上か
なり困難である。このため、ａ−３ｉ光導電層と支持層
との間に障壁層を設け、更に光導電層上に表面電荷保持
層を設けた積層型ａ−３ｉ感光体で上記電子写真記録装
置の特性を満足する努力が成されている。

ａ−３ｉは、通常、原料としてシラノ類を用いたグロー
放電分解法により形成されるが、この形成時にａ　−８
ｉ　膜の中に取り込まれる水素の量により電気的および
光学的特性が大きく左右される。

すなわち、ａ　　３　ｉ　ｌｌ！ｐ！の中に取り込まれ
る水素のｉが多くなると、光学的バンドギャップが大き
くなり、高抵抗化するが、それに伴って長波長光に対す
る光感度が低下してしまい、たとえば半導体レーザを搭
載したレーザビームプリンタに使用することが困難にな
る。また、ａ−８ｉｌｌ！の中の水素の含有量が多い場
合には、成膜条件によって（Ｓｉ　８２　）ｎ　、Ｓｉ
　８２等の結合構造を有するものが、嘆中で支配的とな
り、その結果、ボイドを多く含み、シリコンダングリン
グボイドが増大するため、光導電性が悪化し、電子写真
用感光体としては使用しｌＩｉいものとなる。

また、逆に、ａ−３ｉｇＪのなかに取り込まれる水素の
量が低下すると、光学的バンドギャップは小さくなり、
低抵抗化するが、長波長光に対する光感度は増加する。

しかしながら、水素含有量が少ないと、シリコンのダン
グリングボンドを床証しないｌ；め、発生したキャリヤ
の移動度や寿命が低下し、光導電性が悪化してしまい、
電子写真用感光体としては使用しＩＭいものとなる。ま
た、長波長光に対する感度を高める方法として、例えば
シラノ類とゲルマンＧｅ　ｔ−（４を混合し、グロー、
ｌｔ電分解を行うことにより光学的バンドギャップの狭
い膜を成膜づることか行われているが、一般に、シラノ
類とＧｅ　Ｈ４とでは最適基慇温度が異なるため、形成
される岡は＋ｆ’ｆｆ　３Ｗ欠陥が多く、良好な光導電
性がｆ％られない。更に、ＧｅＨ４の廃ガスは酸化され
ると有毒となるため、廃ガス処理も複雑となるという問
題がある。

［発明の目的］ この発明は、上記に鑑み多くの実験の結果達成されたも
ので、その目的とするところは、帯電特性にＮれ、残留
電位が低く、近赤外領域までの広い波長領域にわたって
高感瓜であり、更に基板との密着性が良好で耐環境性に
浸れた電子写真用感光体を提供することにある。

［発明の概要コ 上記目的を達成するために、導電性支持体と該導電性支
持体に設けられた光導電層とを有する電子写真用感光１
木において、この発明は、前記導電性支持体と光導電層
との間にブロッキング層を有し、前記光導電層は、前記
ブロッキング層に隣接し、アモルファスシリコンを有す
る第１の光導電層と、該第１の光導電層に対して前記ブ
ロッキング層が隣接する側と反対の側に隣接し、マイク
ロクリスタリンシリコンを有する第２の光導電層と、該
第２の光導電層に対して前記第１の光導電層が隣接づる
側に隣接し、アモルファスシリコンを有する第３の光導
電層とを有することを要旨とする。

［発明の実施例コ 以下、図面を用いて、この発明の詳細な説明する。

第１層はこの発明の一実施例に係わる電子写真用感光体
の部分断面図である。この電子写真用感光体は、一番下
層には導電性支持体としてアルミニュウム性の基体１を
有し、この基体１の上にブロッキング雪３、第１の光導
電層５、第２の光導電＠７、第３の光導電層９が順次形
成されている。

前記基体１は、例えば直径８Ｑｍｍ、長さ３５０＋１１
１１１の大きさのアルミニュウム性ドラムで形成され、
第１図に示す電子写真用感光体はこのドラムからなる基
（＊１の表面に形成されているものであり、第１層はそ
の部分断面を示しているものである。

この電子写真用感光体は、光導電層が第１、第２、第３
の光導電層５，７．９の３層で構成され、第１の光導電
層５および第３の光導電層９はマイクロクリスタリンシ
リコンで形成され、第２の光導電層７はアモルファスシ
リコンで形成されている。

このように本発明の実施例による電子写真用感光体は、
光導電層が従来のようにアモルファスシリコンのみでな
く、マイクロクリスタリンシリコンを右し、アモルファ
スシリコンとの（６層となっている。マイクロクリスタ
リンシリコンはアモルファスシリコンやポリクリスタリ
ンシリコン等から明確に区別され、約数十オングストロ
ーム以上の粒径の微結晶が集合して形成されていると考
えられる微結晶シリコンである。すなわち、Ｘ線回析洞
定を行うと、アモルファスシリコンは無定形であるため
、ハローが現われるのみで回折パターンを認めることは
できないが、マイクロクリスタリンシリコンは２θが２
７−２８°付近に結晶回折パターンを示す。また、ポリ
クリスタンシリコンは暗抵抗が１０６Ω・ｃｍ以下であ
るのに対して、マイクロクリスタリンシリコン１０Ω・
ａｍ以上である。

このマイクロクリスタリンシリコンからなる電子写真用
感光体を形成するには、アモルファスシリコンからなる
電子写真用感光体を形成する場合と同様に、シランガス
を原石ガスとして使用し、高周波グロー放電分解法によ
り支持体上にマイクロクリスクリンシリコンを堆積させ
ることにより形成されるが、アモルファスシリコンを形
成する場合よりも支持体の温負を高めに設定し、高い周
波電力もより大きくすると形成され易い。このように支
持体の温度を高め、高周波電力を大きくすることにより
原料ガスのシラノ等の流量を増大させることも可能とな
り、その結果、マイクロクリスタリンシリコンのＩＩφ
を形成する速度を増大することができる。また、原石ガ
スのＳｉＨ４やＳ１２　Ｈａ等の高次シラノガスも含め
、水素で希釈したガスを使用した場合には特にマイクロ
クリスタリンシリコンが効果的に形成され易くなる。

また、本電子写真用感光体は、従来のアモルファスシリ
コンを使用したものと同様に、クローズシステムの製造
装置で製造できるため安全であり、また製品は人体に無
害である。また、耐熱性、耐湿性、耐摩耗性に優れてい
るため、長期にねたつて使用しても劣化せず寿命が長い
という長所を有しいてる。更に、ＧｅＨ４等の長波長増
減を行うためのガスを必要としないため、余分な廃ガス
処理設備が不要であり、工業的生産性が著しく高いとい
う利点もある。

更に、光導電層を形成するマイクロクリスタリンシリコ
ンは、水素を０．１乃至３０原子％含むことにより暗抵
抗と明抵抗との比が調和のとれたものとなり、光導電特
性がａれたものとなる。

マイクロクリスタリンシリコンの光学的エネルギーギせ
ツブ（Ｅ　　）はアモルファスシリコンの光学的エネル
ギーギャップ（Ｅ　　）１．６５及至１．７０ｅＶに比
較して小さい。まＩζ、マイクロクリスタリンシリコン
の光学的エネルギーギャップは含有されるマイクロクリ
スタリンシリコン微結晶粒の粒径と結晶化度に依存して
いる。クリスタルシリコンの光学的エネルギーギャップ
（Ｅ　　）は１．１ｅＶと小さいので、マイクロクリス
リタシリコン微結晶化度の増加によりマイクロクリスタ
リンシリコンの光学的エネルギーギャップは低下する。

近年、半導体レーザを光源としたプリンターの開発が盛
んに行われており、その一部ではアモルファスシリコン
感光体が使用されている。しかしながら、半導体レーザ
光の波長が７９０ｎｏ＋とアモルファスシリコンの高感
度領域より長いため、アモルファスシリコン感光体を用
いる場合には半導体レーザ能力以上のレーザ強洩を必要
とし、使用上の問題となっている。

マイクロクリスタリンシリコンはアモルファスシリコン
よりも光学的エネルギーギャップ（Ｅ　　）が小さく、
高感度領域も近い赤外領域まで伸びており、半導体レー
ザプリンター用の感光体として非常に良い特性を有して
いる。

上述したように、マイクロクリスタリンシリコンに水素
を含有させるこにより光導電特性を向上させることがで
きるが、このためにマイクロクリスタリンシリコン層に
水素をドーピングするには、例えばグロー放電分解法で
行う場合、原料ガスとして３ｉＨ４や５ｉＨａ等のシラ
ノ類とキャリアガスとしての水素等を反応室に尋人して
グロー放電を行う。また、別の方法としては、５ｉＦａ
や３ｉ　０１４等のハロゲン化ケイ素と水素の混合ガス
を原料ガスとして用いてもよいし、またシラノ類とハロ
ゲン化ケイ素の混合ガス系で反応されて同様に水素を含
有するマイクロクリスタリンシリコンを１するこ、とが
できる。また更に、グロー放電分解法に寄らなくても、
例えばスパッタリング等の物理的な方法によっても形成
することができる。

なお、本電子写真用感光体のマイクロクリスタリンシリ
コンを有する光導電層の膜厚は１−８０μ騰であること
が好ましく、更には５−５０μｍがが望ましい。

また、マイクロクリスタリンシリコンにドーピングする
不純物元素としては、ｐ型にするためには周期律表第■
族の元素、例えばＢ、ＡＩ　、Ｇａ　。

（ｎ、Ｔｉ等が好ましい、ｎ型にするためには周期律表
第Ｖ族の元素、例えばＮ、Ｐ、Ａｓ　、Ｓｂ　。

３ｉ等が好適である。これらのｎ型不純物またはｎ型不
純物のドーピングは、支持体から電荷が光導電層へ注入
されるのを防止するためや、光感度特性を高めるためや
、またはｉ型にして高抵抗化するため等の目的で行われ
る。

更に、マイクロクリスタリンシリコンの暗抵抗を多くし
て光導電特性を高めるために窒素、炭素および酸素の少
なくとも１種をドーピングすることが望ましい。これら
の元素は、マイクロクリスタリンシリコンの粒界に析出
し、またシリコンのダングングボンドのターミネータと
して作用してバンド間の禁制帯中に存在り゛る状態密度
を減少させ、上記効果を奏するものと考えられる。

マイクロクリスタリンシリコンの屈折率は３〜４と比較
的大きいため表面での光反射が起り易い。

そのため、光導電層に吸収される米研の割合が低下し、
光損失が大きくなるので、表面に反射防止装置を設ける
ことが好ましい。また、光導電層を保護するために表面
保護層を設けることが望ましい。このよな表面保護層の
材料としては、Ｓｉ３Ｎ４　、Ｓ！　Ｄ２　、Ｓ！　Ｃ
，ＡＩ２０３．８−５ｉｎ；Ｈ，ａ　−ｓ；　ｏニド１
．　ａ　−８ｉ　Ｃ；Ｈ等の焦機化合物やポリ塩化ビニ
ル、ポリアミド等の有殿材料がある。

１２１“′ｔ′″′）ｆｌ　ｌ！ＩＩ（７）　（！！！
（７）　、−、”ｊ（°“ｈ　６　ｍ　ｔ　”　　　　
Ｈ具用感光体の部分拡大断面図であるが、この電子　　
　　　１写真用感光体は第１図に示す電子写真用感光体
の最上部に表面保護層１１を形成したものであり、その
他の溝或は第１図の電子写真用感光体と同じである。こ
の表面法ｉ！１１はアモルファス炭化シリコンを２μｍ
の厚さに形成したものである。

上述したように、光導電特性を優れたものにするために
、第１図および第２図に示す電子写真用感光体の第１の
光３９電層５および第３の光）；電属９を構成するマイ
クロクリスタリンシリコンは水素を含有したもの（μｍ
−８ｉ：Ｈ）であり、また第２の光導電層７を構成する
アモルファスシリコンは水素を含有したしの（μ＋ｎ−
８ｉ：Ｈ）であってもよい。

また更に、このような水素を含有したアモルファスシリ
コンおよびマイクロクリスタリンシリコンに上述したよ
うに必要に応じて周期律表第■族または第Ｖ元素のいず
れか一方をドーピングすることが好ましい。

また、上記電子写真用感光体は帯電能、電荷保持能を向
上するために、マイクロクリスタリンシリコンに炭素、
窒素、酸素のうらの少なくともいずれか一種以上を含有
するこが好ましい。第１、第２、第３の光導電層５，７
．９の重要なｎ能の１つは電荷の発生であるが、第１の
光Ｓ電層５および第３の光導電層９のマイクロクリスタ
リンシぜｔ リコンの光学的エネルギーギャップ（Ｅ　　）はアモル
ファスシリコンの光学的エネルギーギャップよりも小さ
いため、より近い赤外の光を吸収して雪間を発生する能
力があり、半導体レーザを用いたプリンタ用の感光体に
適している。

第１図および第２図に示した電子写真用感光体にＪ５い
て、基体１と光導電層５−９との間にはブロッキング層
３、すなわら、障壁層が設けられているが、これは基体
１からの電子または正孔の注入を阻止するために設けら
れているものである。

より詳しくは、例えばカールソン方式において感光体表
面に正帯電を行わせる場合には、基体１側からの電子の
注入を阻止するためにブロッキング層３をｐ型薯として
形成し、また感光体表面に負帯電を行わせる場合には基
体１側からの正孔の注入を阻止するためにブロッキング
層３をｎ型として形成するのである。また、上述した以
外に、ｔヲ縁膜をブロッキング層として設け、感光体に
正または負の電を行わせることも基本的には可能である
。いずれにしても、光導電層の一部または全部にマイク
ロクリスタリンシリコン系のものを使用し、かつ基体１
との間にブロッキング層３を設けろことにより電荷保持
能が侵れ、光仏心特性を良好で、更に光疲労特性、繰返
し持面等に顕著な性能を有する電子写真用感光体の構成
が可能である。

また、ブロッキング層３の膜厚としては１００Ａ乃至１
０μｍが好ましい範囲であり、ブロッキング層３はアモ
ルファスシリコンでは形成されてもよいし、またはマイ
クロクリスタリンシリコンで形成されてもよい。

第３層は本発明の電子写真用感光体を製造する成膜装置
の概略構成図である。同図において、１３．１５．１７
．１９は反応ガスのボンベであり、各ボンベ内には例え
ばＳｉ　Ｈ４、８２Ｈｅ　、　ＣＨ４等が原料ガスとし
て収容されている。２１，２３．２５．２７はガスの圧
力調整器であり、それぞれバルブ２９，３１，３３．３
５によって流量が設定できるようになっている。３７は
ガスの混合器であり、この混合器内で反応ガスの混合が
十分に行われる。３つは反応容器であり、この中に本発
明の電子写真用感光体の支持基体を構成するドラム基体
４１は収納され、支持台４５の上に載置される。４３は
円筒状電極であり、この円筒状電（か４３は高周波電源
５７に接続されている。また、ドラム基体４１の内部に
は加熱用のヒータ５１が設けられ、これによってドラム
基体４１を加熱し得るようになっている。ドラム基体４
１を載置した支持台４５は回転軸４７を介してモータ４
９に連結され、回転駆動されるようになっている。

５５は排気用ゲートバルブであり、この排気用ゲートバ
ルブ５５を介して反応容器３９内は図示しない排気系に
接続され、グロー放電を発生させるに必要な真空を反応
容器３９内に形成するようになっている。なお、ドラム
基体４１は例えばアルミニュム性で直径８０ｍｍ、長さ
３５０ｍ…の大きさのものである。

次に、この装置を使用して第１図および第２図に示す電
子写真用感光体をグロー放電法によって製造づる方法に
ついて説明づる。

まず、ドラム基体４１を１−リクレンで１ｌｆ２　、Ｑ
ｏ処理し、反応容器３つ内の支持台４５の上に載置づる
。

この場合、必要に応じて干渉防止のためにドラム基体４
１の表面の酸処理、アルカリ処理、サンドブラスト処理
等を行う。次に、排気用ゲートバルブ５５を介して反応
容器３９内を排気して約０゜１ＴＯｒｒ以下、例えば１
０−５Ｔ　ｏｒｒの真空度ニ設定する。それから、ヒー
タ５１によってドラム基体４１を均一に加熱し、ドラム
基体４１の温度が３００°Ｃに保持された後、排気用ゲ
ートバルブ５５を閉じ、ＳｉＨ４の充填されているボン
ベ１３のバルブ２１を開けて５００ＳＣＣＭの流量で３
ｉＨ４を反応容器３９に導入する。なお、この時、ドラ
ム基体４１はモータ４９により毎分１０回転の速度で自
転させら°れている。次に、更にボンベ１５．１７から
同様の操作によって８２　ＨａＣＨ４８２Ｈ８、／’Ｓ
ｉ　Ｈ４＝　１０−３．１００８ＣＣＭの割合で反応容
器３つに尋人する。それから排気用ゲートバルブ５５を
介して図示しないメカニカルブースターポンプ、ロータ
リーポンプ等により反応容器３９内を排気し、内部圧力
を１ＴＯｒｒに調整する。次に、高周波電源５７によっ
て周波数１３．５６八りＨｚで３００Ｗの電力を円筒状
電極４３に供給し、Ｓ！　Ｈ＜　、Ｂ２　Ｈａ　、ＣＨ
４のプラズマを生起させ、ドラム基体４１上、すなわち
第１図および第２図に示す基体１上にブロッキング層３
として１）型のアモルファス炭化シリコンを形成する。

次に、ボンベ１３．１５のバルブ２９．３１を校り、Ｓ
ｉＨ＋を２００ＳＣＣＭ、Ｂ２　Ｈｌｌ　／ＳｉＨ４を
１０−７に調整し、またＳｉＨ４用のバルブ３３を閉じ
、Ｈ２が充填されているボンベ１９の減圧弁２７を解放
し、バルブ３５によって２ＳＬＭの流量でＨ２を反応容
器３９に導入する。そして、反応圧力を１．２Ｔｏｒｒ
に調整後、高周波電源５７から２ｋＷの電力を供給し、
前記ブロッキング層３の上に第１の光導電層５として２
５μｍのマイクロクリスタリンシリコン層を形成する。

続いて、バルブ２９により５００ＳＣＣＭの流量で３ｉ
ト１４を反応容器３つに導入し、更にＢ２Ｈ６／５ｉｎ
４を１０−６にして反応容器３つに導入する。反応圧力
を１．０Ｔｏｒｒに調整後、高周波電源５７により３０
０Ｗの電力を供給し、第１の光導電層５の上に第２の光
導電層７として５μｍのアモルファスシリコン層を形成
する。

その次に、前記第１の光導電層５を形成する場合と同様
に、第２の光導電層７の上に第３の光導電層９として５
μｍのマイクロクリスタリンシリコン層を形成する。

以上の製造工程により第１図に示す電子写真用感光体が
形成されるが、この第３の光導電層９の上に更に表面保
護層１１として２μｍのアモルファス炭化シリコンを形
成することにより第２図に示Ｊ電子写真用感光体が形成
されるのである。

以上のように形成された電子写真用感光体のドラムを半
導体レーザプリンタに組み込んでカールソン方式により
画像形成を行った所、感光体表面での露光両が２５　ｅ
ｒｇ　／　ｃｍ２でも鮮明で解像度が高い画医を得るこ
とができた。更に、この転写プロセスの再現性、安定性
を調べるために複写を繰り返した所、転写画像は極めて
良好であり、このような＠構成を有する電子写真用感光
体は耐コロナ性、耐湿性、耐摩耗性等の耐久性にも顕れ
ていることが実訂された。

なお、上記製造過程にＪ３いて、第２の光Ｓ電層７を形
成する場合に、バルブ２９により５００ＳＣＣＭの流９
でＳｉＨ４を反応容器３９に導入し、更にＢ２　Ｈａ　
／Ｓｉ　Ｈ４を１０−６にする後に、１１００５ＣＣの
流量でＣ１（４を反応容器３９に導入することにより第
２の光導電層７としてそれぞれアモルファス窒化シリコ
ン層を形成することができる。

なお、上記実施例においては、電子写真用感光体として
支持基体１、ブロッキング層３、光導重苦５，７．９表
面保護層１１の形態を取っているが、この他に支持基体
、電荷輸送層、電荷発生層の形態または支持基体、ブロ
ッキング層、電荷輸送層、電荷発生層の形態が考えられ
る。そして、電荷発生層は層の一部または全部がマイク
ロクリスクリンシリコンから形成されており、この場合
の電荷発生層の膜圧は薄くともよく、０．１〜１０μｍ
が好ましい。電荷輸送層は電荷発生層で発生したキャリ
アを効率よく支持期待側へ到達させることができ、これ
によりキャリアのＲ命が長く、移動度の大きい層として
形成され、キャリアの輪巡性が向上する。電荷輸送層は
アモルファスシリコンで形成されても、またマイクロク
リスタリンシリコンで形成されてもよく、暗抵抗を大き
くして帯電能を向上させるために周期律表第■族かまた
は第Ｖ族の元素のいずれか一方がライトドーピング、す
なわち低′ａ度でドープ処理されているものが好ましい
。更に、帯電能を向上させ電荷輸送と電位保持の両閃能
を備えたものとするために、炭素、窒素および酸素のう
ち少なくともいずれか一種以上を自信させることも可能
である。また、電荷輸送層はその膜摩が薄ずぎてもその
機能を十分に果ざず、好ましいｌＩＱ厚としては３〜８
０μｍである。また、ブロッキング層は電荷輸送層、電
荷発生否の芸能分離型の感光体においてその電荷保持能
を向上させるために支持基体上に形成され、その特性は
上述したものと同様にｎ型層、ｎ型層を帯電気特性に応
じて適宜使い分けることが必要である。更に、このブロ
ッキング層は上述したものと同様にアモルファスシリコ
ンで形成されてもよく、またマイクロクリスタリンシリ
コンで形成されてもよい。

［発明の効果］ 以上説明したように、この発明によれば、光導電層をマ
イクロクリスリンシリコンとアモルファスシリコンとを
積層して形成しているので、電気的、光学的特性が優れ
かつ安定化し、帯電特性に浸れ、残留電位が低く、近赤
外領域までの広い波長領域にわたって高感度であり、更
に基板との密着性が良好であり、耐環境性に優れ、疲労
が少なく繰返し特性が優れている。

【図面の簡単な説明】

第１層はこの発明の一実施例を示す電子写真用感光体の
部分拡大断面図、第２層はこの発明の他の実施例を示す
電子写真用感光体の部分拡大断面図、第３層は第１図お
よび第２図の電子写真用感光体をｙＪ造する成膜装置の
構成図である。 １・・・支持基体　　　　３・・・ブロッキング１４５
・・・第１の光導電層　７・・・第２の光導電層９・・
・第３の光導電層　１１・・・表面保護層手続ネ…正書
（自発） 昭和６０年１２月ｔ’７日 特許庁長官　　宇　賀　　道　部　　殿１、事件の表示
　　　昭和６０年特許願第１４１６７３号２、発明の名
称　電子写真用感光体 代表者　佐　波　正　− （発送日　昭和　　年　　月　　日）（自発）６、補正
の対重 （１）　　明細書の「発明の詳細な説明」の欄７、補正
の内容 （１）　　明細ｍ第５頁第１８行目乃至同頁第１９行目
に［・・・ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、トリニトロ
フルオレン（ＴＮＦ）等の有」とあるのを、 ［・・・ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、トリニトロフ
ルオレノン（丁ＮＦ）等の有」と補正する。 （２）　　明細書第１２頁第１７行目にＵマイクロクリ
スタリンシリコン１０Ω・ｃｍ以上で」 とあるのを、 「マイクロクリスタリンシリコン１０Ｃ１Ω・Ｃｍ以上
でＪ と補正する。 （３）　　明細書第１５頁第２０行目に［・・・Ｓｉｔ
−１ａ等の・・・Ｊとあるのを、「・・・３ｉ２Ｈａ等
の・・・ｊと補正する。 （４）　　明細書第１７頁第１９行目に、ｒＮ４．Ｓｉ
　Ｄ２　、Ｓｉ　Ｃ・・・」とあるのを、ｒＮ４．Ｓｉ
　０２　、Ｓｉ　Ｃ・・・」と補正する。 （５）明細書第１８頁第１４行目に ［・・・μｍ−８ｉ：Ｈ・・・」とあるのを「・・・μ
ｃ−８ｉ：Ｈ・・・」と補正する。 （６）明細書第２３頁第４行目乃至同頁第５行目に「・
・・Ｂ２　Ｈｅ　ＣＨ４Ｂ２　Ｈｅ　／Ｓｉ　ｌ−１４
・・・」とあるのを、 ［・・・　Ｂ　２　ト１ａ　　、　　　ＣＨ４を　１３
２　　Ｈ６／Ｓｉ　　　１−（４・・・　」と補正する
。 以　　上 手続？ｍ正書（自発） 昭和６１年　９月〆４日 特許庁長官　　黒　１）明　雄　殿 １、事件の表示　　　特願昭６０−１４１６７３号２、
発明の名称　　　電子写真用感光体３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 代表者　　渡　里　杉　−部 ４、代理人 住　所　　　　〒１０５東京都港区虎ノ門１丁目２番３
号虎ノ門第１ビル５階 ５、補正命令の日付　昭和　　年　　月　　日（自発）
６、補正の対蒙 （１）　　明ＩＩＩ書の［特許請求の範囲］の欄（２）
　　明細書の「発明の詳細な説明Ｊの欄７、補正の内容 （１）明細書の「特許請求の範囲ｊを別紙のように補正
する。 （２）　　明細書第１０頁第１１行目乃至第１１頁第２
行目に「上記目的を達成するために、・・・・・・要旨
とする。」とあるのを、 「上記目的を達成するために、導電性支持体と該導電性
支持体上に設けられた光導電層とを有する電子写真用感
光体において、この発明は、前記導電性支持体と光導電
層との間にブロッキング層を有し、前記光導電層は、前
記ブロッキング層に隣接し、マイクロクリスタリンシリ
コンを有する第１の光導電層と、該第１の光導電層に対
して前記ブロッキング層が隣接する側と反対の側に隣接
し、アモルファスシリコンを有する第２の光導電層と、
該第２の光導電層に対して前記第１の光導電層が隣接す
る側と反対の側に隣接し、マイクロクリスタリンシリコ
ンを有する第３の光導電層とを有することを要旨とす、
る。」と補正する。 （３）　　明細書第１２頁第１４行目に「・・・・・・
２θが２７−２８°付近」とあるのを、［・・・・・・
２θが２７°〜２８°付近Ｊと補正する。 （４）　　明細書第１３頁第６行目に 「・・・・・・高い周」とあ、るのを、「・・・・・・
高置」と補正する。 ＜５）明細書第１０頁第１８行日に、 「・・・・・・マイクロクリスリタ」とあるのを、「・
・・・・・マイクロクリスタリン」と補正する。 （６）　　明細書第１７頁第９行目に、「ダングングボ
ンドの・・・・・・」とあるのを、「ダングリングボン
ドの・・・・・・」と補正する。 （７）　　明細書第１９頁第１６行目に、「・・・・・
・光導電層５−９との間・・・・・・」とあるのを、「
・・・・・・光導電層５〜９との間・・・・・・Ｊと補
正する。 （８）　　明細書第２０頁第８行目に、「・・・・・・
負の電を行わせる・・・・・・」とあるのを、［・・・
・・・負の帯電を行わせる・・・・・・」と補正する。 （９）明細書第２２頁第４行目に、 「ミニュム性で・・・・・・」とあるのを、「ミニュウ
ム性で・・・・・・」と補正する。 （１０）　　明ｍ店第２５頁第１９行目に、［・・・・
・・アモルファス窒化シリコン層・・・・・・」とある
のを、 「・・・・・・アモルファス炭化シリコン層・・・・・
・」と補正する。 （１１）　　明細書第２７頁第１７行目に、「・・・・
・・マイクロクリスリンシリコン・・・・・・」とある
のを、 「・・・・・・マイクロクリスタリンシリコン・・・・
・・」と補正する。 ８、添付書類の目録 （１）　　明細書の「特許請求の範囲」以上 特許請求の範囲 （１）導電性支持°体と該導電性支持体上に設けられた
光導電層とを有する電子写真用感光体において、前記Ｓ
電性支持体と光導電層との間にブロッキング層を有し、
前記光導電層は、前記ブロッキング層に隣接し、マイク
ロクリスタリンシリコンを有する第１の光導電層と、該
第１の光導電層に対して前記ブロッキング層が隣接する
側と反対の側に隣接し、アモルファスシリコンを有する
第２の光導電層と、該第２の光導電層に対して前記第１
の光導電層が隣接する側と反対の側に隣接し、マイクロ
クリスタリンシリコンを有する第３の光導電層とを有す
ることを特徴とする電子写真用感光体。 （２）前記マイクロクリスタリンシリコンは水素原子を
含有することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
電子写真用感光体。 〈３）前記マイクロクリスタリンシリコンは周期律表第
■族の元素を含有することを特徴とする特許請求の範囲
第１項乃至第２項のいずれかに記載の電子写真用感光体
。 （４）前記マイクロクリスタリンシリコンは周期律表第
Ｖ族の元素を含有することを特徴とする特許請求の範囲
第１項乃至第２項のいずれかに記載の電子写真用感光体
。 （５）前記マイクロクリスタリンシリコンが炭素、酸素
および窒素のうち少なくとも１種以上を含有することを
特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第４項のいずれか
に記載の電子写真用感光体。 （６）前記アモルファスシリコンは水素原子を含有する
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子写真
用感光体。 （７）前記アモルファスシリコンは周期律表第ｍ族の元
素を含有することを特徴とする特許請求の範囲第１項ま
たは第６項記載の電子写真用感光体。 （８）前記アモルファスシリコンは周期律表第Ｖ族の元
素を含有することを特徴とする特許請求の範囲第１項ま
たは第６項記載の電子写真用感光体。 （９）前記ブロッキング層は炭素、酸素および窒素のう
ち少なくとも１種以上の元素を含有するマイクロクリス
タリンシリコンから構成されていることを特徴とする特
許請、求の範囲第１項記載の電子写真用感光体。 （１０）前記ブロッキング層はアモルファスシリコンか
ら構成されていることを特徴とする特許請求のｉ囲第１
項の記載の電子写真用感光体。 （１１）前記ブロッキング層はアモルファス炭化シリコ
ンから構成されていることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の電子写真用感光体。 （１２）前記ブロッキング層はアモルファス窒化シリコ
ンから構成されていることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の電子写真用感光体。 （１３）前記ブロッキング層は周期律表第■族または第
Ｖ族のいずれかから少なくとも１種類以上の元素を含有
することを特徴とする特許請求の範囲第９項乃至第１２
項のいずれかに記載の電子写真用感光体。 （１４）前記ブロッキング層は周期律表第■族および第
Ｖ族からそれぞれ少なくとも１種類以上の元素を同時に
含有することを特徴とする特許請求の範囲第１９項乃至
第１２項のいずれかに記載の電子写真用感光体。 （１５）前記光導電層は第３の光導電層に対して第２の
光導電層が隣接する側と反対の側に隣接する保１ｆｆｌ
を有することを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第
１４項のいずれかに記載の電子写真用感光体。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）導電性支持体と該導電性支持体上に設けられた光
   導電層とを有する電子写真用感光体において、前記導電
   性支持体と光導電層との間にブロッキング層を有し、前
   記光導電層は、前記ブロッキング層に隣接し、マイクロ
   スリスタリンシリコンを有する第１の光導電層と、該第
   １の光導電層に対して前記ブロッキング層が隣接する側
   と反対の側に隣接し、アモルファスシリコンを有する第
   ２の光導電層と、該第２の光導電層に対して前記第１の
   光導電層が隣接する側と反対の側に隣接し、マイクロク
   リスタリンシリコンを有する第３の光導電層とを有する
   ことを特徴とする電子写真用感光体。 （２）前記アモルファスシリコンはアモルファス炭化シ
   リコンで構成されていることを特徴とする特許請求の範
   囲第１項記載の電子写真用感光体。 （３）前記マイクロクリスタリンシリコンは水素原子を
   含有することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
   電子写真用感光体。 （４）前記マイクロクリスタリンシリコンは周期律表第
   III族の元素を含有することを特徴とする特許請求の範
   囲第１項乃至第３項のいずれかに記載の電子写真用感光
   体。 （５）前記マイクロクリスタリンシリコンは周期律表第
   Ｖ族の元素を含有することを特徴とする特許請求の範囲
   第１項乃至３項のいずれかに記載の電子写真用感光体。 （６）前記マイクロクリスタリンシリコンが炭素、酸素
   および窒素のうち少なくとも１種以上を含有することを
   特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第５項のいずれか
   に記載の電子写真用感光体。 （７）前記アモルファスシリコンは水素原子を含有する
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子写真
   用感光体。 （８）前記アモルファスシリコンは周期律表第III族の
   元素を含有することを特徴とする特許請求の範囲第１項
   または第７項記載の電子写真用感光体。 （９）前記アモルファスシリコンは周期律表第Ｖ族の元
   素を含有することを特徴とする特許請求の範囲第１項ま
   たは第７項記載の電子写真用感光体。 （１０）前記アモルファス炭化シリコンは水素原子を含
   有することを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の電
   子写真用感光体 （１１）前記アモルファス炭化シリコンは周期律表第I
   II族の元素を含有することを特徴とする特許請求の範囲
   第２項または第１０項記載の電子用感光体。 （１２）前記アモルファス炭化シリコンは周期律表第Ｖ
   族の元素を含有することを特徴とする特許請求の範囲第
   ２項または第１０項記載の電子用感光体。 （１３）前記ブロッキング層は炭素、酸素および窒素の
   うち少なくとも１種以上の元素を含有するマイクロクリ
   スタリンシリコンから構成されていることを特徴とする
   特許請求の範囲第１項記載の電子用感光体。 （１４）前記ブロッキング層はアモルファスシリコンか
   ら構成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項の記載の電子用感光体。 （１５）前記ブロッキング装置はアモルファス炭化シリ
   コンから構成されていることを特徴とする特許請求の範
   囲第１項記載の電子用感光体。 （１６）前記ブロッキング層はアモルファス窒化シリコ
   ンから構成されていることを特徴とする特許請求の範囲
   第１項記載の電子写真用感光体（１７）前記ブロッキン
   グ層は周期律表第III族または第Ｖ族のいずれかから少
   なくとも１種類以上の元素含有することを特徴とする特
   許請求の範囲第１３項乃至第１６項のいずれかに記載の
   電子用感光体。 （１８）前記ブロッキング層は周期律表第III族および
   第Ｖ族からそれぞれ少なくとも１種類以上の元素を同時
   に含有することを特徴とする特許請求の範囲第１３項乃
   至第１６項のいずれかに記載の電子用感光体。 （１９）前記光導電層は第３の光導電層に対して第２の
   光導電層が隣接する側と反対の側に隣接する保護層を有
   することを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第１８
   項のいずれかに記載の電子写真用感光体。