JPS62224476A - 電子デバイスの実装装置 - Google Patents
電子デバイスの実装装置Info
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- JPS62224476A JPS62224476A JP62010169A JP1016987A JPS62224476A JP S62224476 A JPS62224476 A JP S62224476A JP 62010169 A JP62010169 A JP 62010169A JP 1016987 A JP1016987 A JP 1016987A JP S62224476 A JPS62224476 A JP S62224476A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/08059—Constructional details of the reflector, e.g. shape
- H01S3/08068—Holes; Stepped surface; Special cross-section
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
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- B23K1/0056—Soldering by means of radiant energy soldering by means of beams, e.g. lasers, E.B.
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-
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- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S2301/20—Lasers with a special output beam profile or cross-section, e.g. non-Gaussian
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3494—Heating methods for reflowing of solder
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、基板の導電線に電子デバイスのリードを結合
させ、電子デバイスを基板上に高密度に実装する装置に
関する。特に本発明は、基板表面に取り付けられる電子
デバイスのリードを基板の導電線に固着させる電子デバ
イスの実装装置に関する。
させ、電子デバイスを基板上に高密度に実装する装置に
関する。特に本発明は、基板表面に取り付けられる電子
デバイスのリードを基板の導電線に固着させる電子デバ
イスの実装装置に関する。
(従来の技術)
電子デバイスの高密度実装の従来技術はいくつかある。
その一つは、多数の貫通孔を有するプリント回路板を使
用し、これら貫通孔に電子デバイスのリードを通して回
路板から突出させるものである。この技術では、電子デ
バイスは回路板の一方の面に配置され、そのリードが回
路板の貫通孔を通って回路板の反対側に延びる。これら
リードは、一般に、ウェーブソルダリング加工によって
回路板のプリント配線に半田付けされる。このウェーブ
ソルダリング加工において、溶けた半田の波頭は回路板
の底部に沿って進み、接続されるべきリードとプリント
配線端子とに接触する。この半田が固化して、リードと
端子とに良好な電気的通路を提供する。
用し、これら貫通孔に電子デバイスのリードを通して回
路板から突出させるものである。この技術では、電子デ
バイスは回路板の一方の面に配置され、そのリードが回
路板の貫通孔を通って回路板の反対側に延びる。これら
リードは、一般に、ウェーブソルダリング加工によって
回路板のプリント配線に半田付けされる。このウェーブ
ソルダリング加工において、溶けた半田の波頭は回路板
の底部に沿って進み、接続されるべきリードとプリント
配線端子とに接触する。この半田が固化して、リードと
端子とに良好な電気的通路を提供する。
実質的にすべての半田付は接続がプリント回路板の片面
のみを使用して行われるため、および、ウェーブソルダ
リング加工が一般的であるため、回路板の反対側の面に
すべての電子デバイスを実装することが一般に行われて
いる。このような電子デバイスの実装方法の便宜を計る
ため、多数のリードを右する集積回路デバイスなどの電
子デバイスは、そのほとんどがDIRとして製造される
。
のみを使用して行われるため、および、ウェーブソルダ
リング加工が一般的であるため、回路板の反対側の面に
すべての電子デバイスを実装することが一般に行われて
いる。このような電子デバイスの実装方法の便宜を計る
ため、多数のリードを右する集積回路デバイスなどの電
子デバイスは、そのほとんどがDIRとして製造される
。
すなわち、多数のリードが平行な二列に配置されて製造
される。これらリードは、回路板の貫通孔を通過するに
十分な長さを有している。DIRとは、デュアルインラ
インパッケージ(DualI n1ine P’ack
age)の略N テある。
される。これらリードは、回路板の貫通孔を通過するに
十分な長さを有している。DIRとは、デュアルインラ
インパッケージ(DualI n1ine P’ack
age)の略N テある。
プリント回路板に、またはリード接続用の導電性パッド
を有する基板に実装できる電子デバイスの数は、これら
回路板または基板の両面に電子デバイスを搭載すれば増
加可能である。しかし、回路板または基板の両面に電子
デバイスを配置すると、ウェーブソルダリング加工の邪
魔となり、必要接続が良好に行われない。
を有する基板に実装できる電子デバイスの数は、これら
回路板または基板の両面に電子デバイスを搭載すれば増
加可能である。しかし、回路板または基板の両面に電子
デバイスを配置すると、ウェーブソルダリング加工の邪
魔となり、必要接続が良好に行われない。
最近、表面取付の方法によってマルチリード電子デバイ
スを実装する傾向が増えている。この方法では、DIR
よりもSMPの電子デバイスが使用される。SMPとは
、表面取付実装(3urraceM 0tlnted
P ackage)の略語である。SMPデバイスは
、本体から突11jするリードを有し、このリードが基
板または回路板のパッドに取り付けられる。これらパッ
ドは、基板または回路板において、SMPデバイスが実
装されるのと同一の側に位置する。SMPデバイスのリ
ードは基板または回路板の孔を貫通することがないので
、これらリードはパッドに到達できる程度の長さであれ
ばよい。
スを実装する傾向が増えている。この方法では、DIR
よりもSMPの電子デバイスが使用される。SMPとは
、表面取付実装(3urraceM 0tlnted
P ackage)の略語である。SMPデバイスは
、本体から突11jするリードを有し、このリードが基
板または回路板のパッドに取り付けられる。これらパッ
ドは、基板または回路板において、SMPデバイスが実
装されるのと同一の側に位置する。SMPデバイスのリ
ードは基板または回路板の孔を貫通することがないので
、これらリードはパッドに到達できる程度の長さであれ
ばよい。
このため、SMPデバイスのリードは、一般に太く短い
ワイヤであり、これが5l14Pデバイス本体から突き
出る。このような表面取付技術は、基板または回路板の
両面に電子デバイスを実装するこを可能にする。本川I
Iにおいては、便宜上、回路板と基板との語は同様の意
味において使用する。
ワイヤであり、これが5l14Pデバイス本体から突き
出る。このような表面取付技術は、基板または回路板の
両面に電子デバイスを実装するこを可能にする。本川I
Iにおいては、便宜上、回路板と基板との語は同様の意
味において使用する。
すなわち、回路板または基板とは、電子デバイスを支持
するとともに導電性の通路を有し、これら通路に実装電
子デバイスのリードが固着されて電気接続が達成される
あらゆる支持部材を意味する。
するとともに導電性の通路を有し、これら通路に実装電
子デバイスのリードが固着されて電気接続が達成される
あらゆる支持部材を意味する。
表面取付において広く使用されている方法の一つは、接
着剤(例えばエポキシ接着剤)によって回路板にSMP
デバイスを取り付けるものである。
着剤(例えばエポキシ接着剤)によって回路板にSMP
デバイスを取り付けるものである。
すべての(または、はぼすべての)電子デバイスが回路
板に取り付けられると、この電子デバイスを付着した回
路板がオーブンに入れられる。オーブンの温度を上昇さ
せ、あらかじめ配置した半田を各接続部の周囲において
局所的に再融解させる。
板に取り付けられると、この電子デバイスを付着した回
路板がオーブンに入れられる。オーブンの温度を上昇さ
せ、あらかじめ配置した半田を各接続部の周囲において
局所的に再融解させる。
この方法は、単一の加熱工程においてすべての半田接続
を可能にする反面、次のような重大な欠点を有する。す
なわち、 (a) 半田の再融解温度まで回路板全体を加熱する
ので、エネルギーのほとんどが無駄になる。これは、実
際に加熱の必要な箇所は半rl付けを行う接続部の近辺
だけだからである。
を可能にする反面、次のような重大な欠点を有する。す
なわち、 (a) 半田の再融解温度まで回路板全体を加熱する
ので、エネルギーのほとんどが無駄になる。これは、実
際に加熱の必要な箇所は半rl付けを行う接続部の近辺
だけだからである。
(b) 冷却過程においてはんだ接続部に応力が発生
する。これは、回路板とSMPデバイスとの熱膨張係数
が異なるためである。
する。これは、回路板とSMPデバイスとの熱膨張係数
が異なるためである。
(C) オーブン内においてSMPデバイスを高温に
さらすため、デバイス内の集積回路が損傷を受ける恐れ
があるとともに、これらデバイスの寿命や信頼性が減少
する恐れがある。
さらすため、デバイス内の集積回路が損傷を受ける恐れ
があるとともに、これらデバイスの寿命や信頼性が減少
する恐れがある。
前記欠点のうち(C)に記載した電子デバイスの損傷等
は最も重大なものである。これは、電子デバイスの半導
体がシリコンやゲルマニウムなど湿度に過敏な材料製で
あり、厳しい温度限界を有しているためである。また、
電子デバイスの信頼性を維持し、突発故障を避けるため
には、その温度限界を越えてはならないためである。
は最も重大なものである。これは、電子デバイスの半導
体がシリコンやゲルマニウムなど湿度に過敏な材料製で
あり、厳しい温度限界を有しているためである。また、
電子デバイスの信頼性を維持し、突発故障を避けるため
には、その温度限界を越えてはならないためである。
電子デバイスを付着させた回路板をオーブン内で加熱す
ることによって半田接続を行う表面取付加工の前記欠点
を避けるため、レーザビームで一度に1個ないし2個の
接続箇所を加熱して「順次」に半田付けを行う方法が提
案されている。レーザビームを使用して「順次」の半田
付けを行う方法は、1982年4月27日にK evi
n D alyに付与された米国特許第4.327,
277号に開示されている。
ることによって半田接続を行う表面取付加工の前記欠点
を避けるため、レーザビームで一度に1個ないし2個の
接続箇所を加熱して「順次」に半田付けを行う方法が提
案されている。レーザビームを使用して「順次」の半田
付けを行う方法は、1982年4月27日にK evi
n D alyに付与された米国特許第4.327,
277号に開示されている。
「順次」の半田付は方法は、一箇所の接続を完成させる
ために約0.1〜0.2秒を必要とするので遅い。レー
ザ光源からの高出力ビームを利用することにより、半田
付は時間をある程度短縮することはできるが、極端に短
縮することはできない。これは、ビームによって回路板
表面に加えられる放射エネルギーが熱に変化し、この熱
があらかじめ接続箇所に配置した半田を伝わって信頼性
の高い半田接続を確実に行うまで、十分な時間を必要と
するからである。代表的なSMPデバイスは24〜48
本のリードを有しているので、「順次」の方法によって
半田接続を行うための合計時間は非常に長くなり、表面
取付実装における高生産性が損なわる。
ために約0.1〜0.2秒を必要とするので遅い。レー
ザ光源からの高出力ビームを利用することにより、半田
付は時間をある程度短縮することはできるが、極端に短
縮することはできない。これは、ビームによって回路板
表面に加えられる放射エネルギーが熱に変化し、この熱
があらかじめ接続箇所に配置した半田を伝わって信頼性
の高い半田接続を確実に行うまで、十分な時間を必要と
するからである。代表的なSMPデバイスは24〜48
本のリードを有しているので、「順次」の方法によって
半田接続を行うための合計時間は非常に長くなり、表面
取付実装における高生産性が損なわる。
複数のリードを一度に1個ずつ接着するという時間のか
かる方法を避けるため、Cruickshank等に付
与された米国特許第3.632.955Nは、−回の動
作ですべてのリードを同時に接着するように、放射エネ
ルギーのビームを適切なパターンに成形する方法を提案
している。この目的を達成するため、複数のレンズ要素
を有する複合円筒レンズが使用される。このレンズに対
して放射エネルギーのビームを向け、これを2対の平行
線に集束させる。この平行線は方形を形成し、これが接
着されるべぎリードの配置形状に一致する。方形となっ
た放射エネルギーは、リードが延びるデバイスには全く
入射せず、リードだけに照射される。
かる方法を避けるため、Cruickshank等に付
与された米国特許第3.632.955Nは、−回の動
作ですべてのリードを同時に接着するように、放射エネ
ルギーのビームを適切なパターンに成形する方法を提案
している。この目的を達成するため、複数のレンズ要素
を有する複合円筒レンズが使用される。このレンズに対
して放射エネルギーのビームを向け、これを2対の平行
線に集束させる。この平行線は方形を形成し、これが接
着されるべぎリードの配置形状に一致する。方形となっ
た放射エネルギーは、リードが延びるデバイスには全く
入射せず、リードだけに照射される。
Cruickshank等の接着方法は、リードの配置
形状が異なればそれに適した複合円筒レンズが必要とな
り、しかも、各リードの配置形状に対して放射パターン
を調整する様能を持っていないので、柔軟性に欠ける。
形状が異なればそれに適した複合円筒レンズが必要とな
り、しかも、各リードの配置形状に対して放射パターン
を調整する様能を持っていないので、柔軟性に欠ける。
また、c ruickshank等の接着方法において
は、放射エネルギーの多くの部分がリード間の領域にも
照射されることによって、またはリード間の領域に放射
エネルギーが到達する前にそれを遮るためのマスクによ
る吸収や反射によって、S駄になる。
は、放射エネルギーの多くの部分がリード間の領域にも
照射されることによって、またはリード間の領域に放射
エネルギーが到達する前にそれを遮るためのマスクによ
る吸収や反射によって、S駄になる。
(発明の目的)
本発明の基本的な目的は、前記従来技術の問題点を解決
することであり、基板のパッドにマルチリードSMPデ
バイスの全リードを同時に接着することを可能にする電
子デバイスの実装装置を提供することである。
することであり、基板のパッドにマルチリードSMPデ
バイスの全リードを同時に接着することを可能にする電
子デバイスの実装装置を提供することである。
本発明の他の目的は、接続されるべき接続箇所に放射エ
ネルギーのビームを向かわせ、信頼性の高い電気接続を
得るのに必要な熱を迅速に発生させることにより、表面
取付実装における生産性を高めることができる電子デバ
イスの実装装置を提供することである。
ネルギーのビームを向かわせ、信頼性の高い電気接続を
得るのに必要な熱を迅速に発生させることにより、表面
取付実装における生産性を高めることができる電子デバ
イスの実装装置を提供することである。
本発明のざらに別、の目的は、複数のビームを使用する
と共にこれらの各ビームの位置を調整することによって
、SMPデバイスの様々なリード形状に一致する各種の
ビームパターンを作成し、もってデバイスのすべてのリ
ードを同時に基板に接続できるような電子デバイスの接
続装置を提供することである。
と共にこれらの各ビームの位置を調整することによって
、SMPデバイスの様々なリード形状に一致する各種の
ビームパターンを作成し、もってデバイスのすべてのリ
ードを同時に基板に接続できるような電子デバイスの接
続装置を提供することである。
(発明の構成)
前記目的を達成するため本発明の電子デバイスの実装装
置は、レーザ光を反射するためのリアミラーと、このリ
アミラーに対向して設けられ該リアミラー側からの入射
光の一部を、前記リードとパッドの接合部の配置パター
ンに対応したビームパターンで出力するための出力窓を
形成した出力カプラーと、前記リアミラーと出力ミラー
との間に導入されたレード媒質と、このレーザ媒質をボ
ンピングするためのボンピング装置と、前記出力カブラ
−から出力された出力ビームを前記接合部に集束させる
ための集束装置と、を有した。
置は、レーザ光を反射するためのリアミラーと、このリ
アミラーに対向して設けられ該リアミラー側からの入射
光の一部を、前記リードとパッドの接合部の配置パター
ンに対応したビームパターンで出力するための出力窓を
形成した出力カプラーと、前記リアミラーと出力ミラー
との間に導入されたレード媒質と、このレーザ媒質をボ
ンピングするためのボンピング装置と、前記出力カブラ
−から出力された出力ビームを前記接合部に集束させる
ための集束装置と、を有した。
この発明の電子デバイスの実装装置にあっては、レーザ
発振器を構成する出力カプラーによって、出力ビームの
ビームパターンが接続すべき接続部の配置パターンに対
応する形状とされるので、このパターン形成の際に、エ
ネルギーロスが発生しない。
発振器を構成する出力カプラーによって、出力ビームの
ビームパターンが接続すべき接続部の配置パターンに対
応する形状とされるので、このパターン形成の際に、エ
ネルギーロスが発生しない。
(実施例)
この発明の第1の実施例を、第1図乃至M3図に基づい
て説明する。
て説明する。
まず、第1図に示゛すような方形のSMPデバイス1を
考える。このSMPデバイス1は、18本のリードを有
し、これらリードが基板2のパッドに同時に半田付けさ
れる。各パッドには、半田プレフォームまたは半田ペー
ストが置かれており、これが再融解してパッドとリード
との間に半田接続を形成する。本実施例の目的は、この
半田接続を迅速に且つ一度に行うとともに、基板デバイ
スの顕著な加熱を避けることである。この目的を達成す
るため、各リードとパッドとが放射エネルギーによって
加熱され、半田の再融解が発生される。
考える。このSMPデバイス1は、18本のリードを有
し、これらリードが基板2のパッドに同時に半田付けさ
れる。各パッドには、半田プレフォームまたは半田ペー
ストが置かれており、これが再融解してパッドとリード
との間に半田接続を形成する。本実施例の目的は、この
半田接続を迅速に且つ一度に行うとともに、基板デバイ
スの顕著な加熱を避けることである。この目的を達成す
るため、各リードとパッドとが放射エネルギーによって
加熱され、半田の再融解が発生される。
すべての半田接続を一時に行うためには、照射時間中に
おいて、各接続箇所に対して同mの放射エネルギーが加
えられなければならない。従って、18本のビームが照
射され、これらビームのすべてが、接続すべき接続箇所
に実質的に同一の熱を印加するようにする必要がある。
おいて、各接続箇所に対して同mの放射エネルギーが加
えられなければならない。従って、18本のビームが照
射され、これらビームのすべてが、接続すべき接続箇所
に実質的に同一の熱を印加するようにする必要がある。
第2図はこの発明の第1の実施例の構成を示す。
同図に示すようにこの実施例はガスレーザ装置3と結像
レンズ6とから成る。ガスレーザ装M3は、従来タイプ
の共振空洞4を有する。このガスレーザ装置3から18
本のレーザビームが得られる。
レンズ6とから成る。ガスレーザ装M3は、従来タイプ
の共振空洞4を有する。このガスレーザ装置3から18
本のレーザビームが得られる。
これら18本のビームは、共振空洞4の一端に配置され
た出力ミラー5に形成された透孔を通って出射される。
た出力ミラー5に形成された透孔を通って出射される。
ミラー5は、透孔から出力されない放射エネルギーのほ
ぼすべてを共振空洞4内に反射する。同一断面を有する
18本のビームを得るため、すべての透孔は第3図に示
ずように同一直径を有する。第3図に示す透孔のパター
ンは、半田付番プされる接続箇所の配置形状よりも大き
な相似形である。この構成における一つの問題は、出力
ミラー5における対応する透孔の位置によってビームの
エネルギーが異なることである。ガスレーザ装置のエネ
ルギープロフィールは共振空洞の断面に対して均一でな
く、出力ミラーの透孔から出射される放射エネルギーの
量は該透孔の寸法とその位置とに依存することが知られ
ている。さらに問題を?!2雅にするのは、安定共振空
洞を使用するレーザビームにおいては、加熱点、すなわ
ち放射エネルギーの゛強い点が発生されやすいことであ
る。
ぼすべてを共振空洞4内に反射する。同一断面を有する
18本のビームを得るため、すべての透孔は第3図に示
ずように同一直径を有する。第3図に示す透孔のパター
ンは、半田付番プされる接続箇所の配置形状よりも大き
な相似形である。この構成における一つの問題は、出力
ミラー5における対応する透孔の位置によってビームの
エネルギーが異なることである。ガスレーザ装置のエネ
ルギープロフィールは共振空洞の断面に対して均一でな
く、出力ミラーの透孔から出射される放射エネルギーの
量は該透孔の寸法とその位置とに依存することが知られ
ている。さらに問題を?!2雅にするのは、安定共振空
洞を使用するレーザビームにおいては、加熱点、すなわ
ち放射エネルギーの゛強い点が発生されやすいことであ
る。
出力ミラーの透孔を通って出射される放射エネルギーは
、実質的に平行光であり18本の実質的に平行なビーム
が出力される。これらビームは結像レンズ6に入射し、
このレンズ6がビームのパターンを縮小しリードのパタ
ーンと基本的に同一の寸法とする。各ビームの放射エネ
ルギーは、半田付けされるべき接続箇所の各々に適正に
照射されることになる。又、結像レンズは透孔パターン
を著しく縮小するので、すべてのビームは基板表面の結
像面に到達する際に集束される傾向を有する。このため
、ビームは基板に対して鋭角をなして半田付は箇所に入
射する。このような角度での基板へのビーム入用、は、
SMPデバイスのリードの配置形状に対して極めて適切
なものである。というのは、すべてのビームが7mff
1の放射エネルギ−を有していれば、接続箇所は均一に
加熱され、すべての半田付は箇所が同時に形成されるか
らである。
、実質的に平行光であり18本の実質的に平行なビーム
が出力される。これらビームは結像レンズ6に入射し、
このレンズ6がビームのパターンを縮小しリードのパタ
ーンと基本的に同一の寸法とする。各ビームの放射エネ
ルギーは、半田付けされるべき接続箇所の各々に適正に
照射されることになる。又、結像レンズは透孔パターン
を著しく縮小するので、すべてのビームは基板表面の結
像面に到達する際に集束される傾向を有する。このため
、ビームは基板に対して鋭角をなして半田付は箇所に入
射する。このような角度での基板へのビーム入用、は、
SMPデバイスのリードの配置形状に対して極めて適切
なものである。というのは、すべてのビームが7mff
1の放射エネルギ−を有していれば、接続箇所は均一に
加熱され、すべての半田付は箇所が同時に形成されるか
らである。
但し、第2図に示す構成では、リードの配置形状が異な
るSMPデバイスに対して、これに適合する配置形状の
透孔を有する出力ミラーを必要とするので柔軟性に欠け
る。また、第2図に示す構成では各種リードに対しての
調整が困難である。
るSMPデバイスに対して、これに適合する配置形状の
透孔を有する出力ミラーを必要とするので柔軟性に欠け
る。また、第2図に示す構成では各種リードに対しての
調整が困難である。
そこで、次に第4図乃至第6図に基いて本発明の第2の
実施例を説明する。本実施例は、調整機能を有し、この
調整機能によって、接続箇所に対してビームパターンを
調整することができる。
実施例を説明する。本実施例は、調整機能を有し、この
調整機能によって、接続箇所に対してビームパターンを
調整することができる。
第4図に示すように、ガスレーザ装ff1oは、一端に
円形ミラー12を有する円筒形レーザ空洞11を有する
。SMPデバイスは、第1図に示したように配置された
18本のリードを有するものとする。出力ミラー12に
は、リード数に対応する数の透孔13が設けられ、レー
ザ装置10か618本のビームが1qられる。すべての
ビームが実質的に同1の放射エネルギーを有することを
確実にするため、透孔13は、第5図に示ずように、す
べて同一寸法を有して対称的に円14上に配置される。
円形ミラー12を有する円筒形レーザ空洞11を有する
。SMPデバイスは、第1図に示したように配置された
18本のリードを有するものとする。出力ミラー12に
は、リード数に対応する数の透孔13が設けられ、レー
ザ装置10か618本のビームが1qられる。すべての
ビームが実質的に同1の放射エネルギーを有することを
確実にするため、透孔13は、第5図に示ずように、す
べて同一寸法を有して対称的に円14上に配置される。
円14は、レーザ空洞11の長手軸に対して同心的なも
のである。
のである。
各透孔13からは、銅管15が延びる。銅管15は、光
パイプ、すなわち光学導波管としてi能する。銅管15
の内部は、研磨して反射性の高い表面を提供することが
望ましいが、銅管15が直線に対して極端に曲げられな
ければ、研磨していない導管でも許容範囲内の結果を得
ることができる。第4図に示すように、銅管15はゆる
やかに曲げられ、すべての銅管15の反対側端部が結像
レンズ16に対してほぼ同一の対物平面内に来るように
される。正面から見ると、銅管15の出力端の配置パタ
ーンは、SMPデバイスのリードの配置パターンよりも
大きな相似形である。
パイプ、すなわち光学導波管としてi能する。銅管15
の内部は、研磨して反射性の高い表面を提供することが
望ましいが、銅管15が直線に対して極端に曲げられな
ければ、研磨していない導管でも許容範囲内の結果を得
ることができる。第4図に示すように、銅管15はゆる
やかに曲げられ、すべての銅管15の反対側端部が結像
レンズ16に対してほぼ同一の対物平面内に来るように
される。正面から見ると、銅管15の出力端の配置パタ
ーンは、SMPデバイスのリードの配置パターンよりも
大きな相似形である。
半田付けしようとする各リードに対してビームパターン
を調整するため、各銅管15の端部には第6図に系すよ
うなカラー17が設けられる。このカラー17によって
各銅管15の端部の位置が調整可能である。銅管15の
端部の移動の便宜を計るため、銅管15は軟鋼で作るこ
とが望ましい。
を調整するため、各銅管15の端部には第6図に系すよ
うなカラー17が設けられる。このカラー17によって
各銅管15の端部の位置が調整可能である。銅管15の
端部の移動の便宜を計るため、銅管15は軟鋼で作るこ
とが望ましい。
第6図に示すように、カラーは位置調整可能であり、銅
管15の端部はビーム射出方向に直交する二つの直交面
(図中矢印で規定される面)で移動可能である。このよ
うな調整を提供するための装置は、従来の機構で実現で
きる。
管15の端部はビーム射出方向に直交する二つの直交面
(図中矢印で規定される面)で移動可能である。このよ
うな調整を提供するための装置は、従来の機構で実現で
きる。
第7図は、外形6.35n+■(1/4インチ)の研磨
していない銅管光学導波管によるビーム伝播の効率を示
すグラフである。このグラフの横軸に角度で示されてい
るのは、前記導管内を伝播するビームの屈折角である。
していない銅管光学導波管によるビーム伝播の効率を示
すグラフである。このグラフの横軸に角度で示されてい
るのは、前記導管内を伝播するビームの屈折角である。
グラフの縦軸にバーレン1〜で示されているのは、導管
の30.48cm(1フイート)当りの伝達効率である
。この伝達効率は、もちろん研磨鋼管の方が高い。しか
し、研磨していない鋼管でも、長さ30.48cm(1
2インチ)に対して±1.27cm(1/2インチ)と
いう大きな曲げについても、出力損失がほとんど認めら
れない。従って、管端部は、小型の機械式X−Y位置決
め機構によって、実買上、あらゆるパターンを結像平面
に形成することができる。したがって、例えば銅管性の
光バイブによって十分な柔軟性が得られれば、SMPデ
バイスの各種リード配置形状に適した各種パターンの発
生が可能となる。
の30.48cm(1フイート)当りの伝達効率である
。この伝達効率は、もちろん研磨鋼管の方が高い。しか
し、研磨していない鋼管でも、長さ30.48cm(1
2インチ)に対して±1.27cm(1/2インチ)と
いう大きな曲げについても、出力損失がほとんど認めら
れない。従って、管端部は、小型の機械式X−Y位置決
め機構によって、実買上、あらゆるパターンを結像平面
に形成することができる。したがって、例えば銅管性の
光バイブによって十分な柔軟性が得られれば、SMPデ
バイスの各種リード配置形状に適した各種パターンの発
生が可能となる。
代表的なSMPデバイスは、24〜48本のリードを有
する。許容品質を有する半田付けを迅速に完成させるた
め、レーデビームは、約15〜20ワツトの出力を有す
る必要があると推定される。
する。許容品質を有する半田付けを迅速に完成させるた
め、レーデビームは、約15〜20ワツトの出力を有す
る必要があると推定される。
概略の計算によれば、1/2秒以下の時間内にすべての
接続箇所を同時に半田付けするのに必要な全ビーム出力
を発生させるためには、360〜960ワツトのレーザ
総出力が必要である。加熱時間を短(維持することによ
り、SMPデバイスの過度の加熱が避けられる。更に、
十分高出力のレーザビームを使用ずれば、信頼性の高い
半田付けが1/10秒程度の加熱時間で得られる。
接続箇所を同時に半田付けするのに必要な全ビーム出力
を発生させるためには、360〜960ワツトのレーザ
総出力が必要である。加熱時間を短(維持することによ
り、SMPデバイスの過度の加熱が避けられる。更に、
十分高出力のレーザビームを使用ずれば、信頼性の高い
半田付けが1/10秒程度の加熱時間で得られる。
なJ) N前記実施例において、出力ミラーをレーザ装
置本体に対して着脱可能とすれば、更に種々のパターン
を有するリードとパッドとの接続部を接続することがで
きる。
置本体に対して着脱可能とすれば、更に種々のパターン
を有するリードとパッドとの接続部を接続することがで
きる。
また、前記実施例では、出力ミラーに透孔を形成するよ
うにしたが、出力ミラーは全面半透過性のものとし、出
力ミラーの前面(リアミラー側)に館記透孔と同じパタ
ーンを有するマスクを配置しても同様効果が得られる。
うにしたが、出力ミラーは全面半透過性のものとし、出
力ミラーの前面(リアミラー側)に館記透孔と同じパタ
ーンを有するマスクを配置しても同様効果が得られる。
(発明の効果)
以上説明したように、本発明の電子デバイスの実装装置
によれば、リードとパッドとの接続部の配置パターンに
対応する出力ビームパターンを、出力カブラ−により形
成するようにしたので、無駄なエネルギーを消費するこ
となく容易かつ迅速に電子デバイスを実装することがで
きる。
によれば、リードとパッドとの接続部の配置パターンに
対応する出力ビームパターンを、出力カブラ−により形
成するようにしたので、無駄なエネルギーを消費するこ
となく容易かつ迅速に電子デバイスを実装することがで
きる。
第1図は、本発明に関係するタイプのマルチリードSM
Pデバイスを示す図、 第2図は、1回の動作においてSMPデバイスの全リー
ドを基板に同時に半[口付けする18置の第一実施例を
示す概略図、 13図は、SMPデバイスのリードのパターンに対応づ
゛るパターンでビームを出力するシー11装置のミラー
における透孔の配置を示す図、第4図は、本発明の第二
実施例の構成を示す概略図、 第5図は、第二実施例に使用されるレーザ装置のミラー
のビーム出力用透孔の配置を示す図、第6図は、可撓性
光学導波管の端部を移動させるための調整機構を示す概
略図、および第7図は、研磨していない鋼管製の光学導
波管内を伝播するビームの伝達効率を示すグラフである
。 1・・・SMPデバイス 2・・・基板 3.10・・・ガスレーザ装置 4.11・・・共振空洞 5.12・・・出力ミラー 6.16・・・結像レンズ 13・・・透孔 14・・・円 15・・・導管
Pデバイスを示す図、 第2図は、1回の動作においてSMPデバイスの全リー
ドを基板に同時に半[口付けする18置の第一実施例を
示す概略図、 13図は、SMPデバイスのリードのパターンに対応づ
゛るパターンでビームを出力するシー11装置のミラー
における透孔の配置を示す図、第4図は、本発明の第二
実施例の構成を示す概略図、 第5図は、第二実施例に使用されるレーザ装置のミラー
のビーム出力用透孔の配置を示す図、第6図は、可撓性
光学導波管の端部を移動させるための調整機構を示す概
略図、および第7図は、研磨していない鋼管製の光学導
波管内を伝播するビームの伝達効率を示すグラフである
。 1・・・SMPデバイス 2・・・基板 3.10・・・ガスレーザ装置 4.11・・・共振空洞 5.12・・・出力ミラー 6.16・・・結像レンズ 13・・・透孔 14・・・円 15・・・導管
Claims (6)
- (1)マルチリード電子デバイスの複数のリードを、基
板上の複数のパッドに同時に接合するための装置であつ
て、 (a)レーザ光を反射するためのリアミラーと、 (b)このリアミラーに対向して設けられ、前記リード
とパッドとの接合部の配置パタ ーンに対応したビームパターンで入射光の一部を出力す
るための出力窓を形成した出力カプラーと、 (c)レーザ光を放出すべく、前記リアミラーと出力ミ
ラーとの間に導入されたレーザ媒質と、 (d)このレーザ媒質をポンピングするためのポンピン
グ装置と、 (e)前記出力カプラーから出力された出力ビームを前
記接合部に集束させるための集束装置と、を備えて構成
される電子デバイスの実装装置。 - (2)前記出力カプラーは、前記接合部の配置パターン
に対応したパターンを有する透孔を形成した出力ミラー
から成ることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載
の電子デバイスの実装装置。 - (3)前記出力カプラーは、前記接合部に対応する数の
透孔を有する出力ミラーと、この出力ミラーの外側に前
記透孔と連通するように設けられ該透孔からのレーザ光
を案内する可撓性光学導波管と、この可撓性光学導波管
の出力端側に取り付けられこの出力端のビーム断面方向
の配置パターンを前記接合部の配置パターンに対応する
ように調整する導波管位置調整装置と、から成ることを
特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の電子デバイス
の実装装置。 - (4)前記可撓性光学導波管は、銅管であることを特徴
とする特許請求の範囲第3項に記載の装置。 - (5)前記ミラーの前記複数の透孔はすべて同一寸法を
有して円形に対称的に配置されていることを特徴とする
特許請求の範囲第3項に記載の電子デバイスの実装装置
。 - (6)前記リアミラーと出力ミラーとの間に形成される
共振空洞は、円筒形であり、前記透孔の円形は、前記共
振空洞の長手軸に対して同心的であることを特徴とする
特許請求の範囲第5項に記載の電子デバイスの実装装置
。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/822,027 US4682001A (en) | 1986-01-24 | 1986-01-24 | Multi-lead laser soldering apparatus |
US822027 | 1986-01-24 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62224476A true JPS62224476A (ja) | 1987-10-02 |
Family
ID=25234916
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62010169A Pending JPS62224476A (ja) | 1986-01-24 | 1987-01-21 | 電子デバイスの実装装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4682001A (ja) |
JP (1) | JPS62224476A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005277209A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Tadahiro Omi | パターン露光装置および二次元光像発生装置 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4806728A (en) * | 1988-02-01 | 1989-02-21 | Raytheon Company | Laser process apparatus |
DE59008222D1 (de) * | 1989-06-29 | 1995-02-23 | Siemens Nixdorf Inf Syst | Verfahren und Vorrichtung zum Kontaktieren von Bauelementen mittels Laserstrahlen. |
US5294774A (en) * | 1993-08-03 | 1994-03-15 | Videojet Systems International, Inc. | Laser marker system |
US5565119A (en) * | 1995-04-28 | 1996-10-15 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for soldering with a multiple tip and associated optical fiber heating device |
US6072148A (en) * | 1996-12-10 | 2000-06-06 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. | Device for producing connections between two respective contact elements by means of laser energy |
US6513701B2 (en) | 1999-06-24 | 2003-02-04 | International Business Machines Corporation | Method of making electrically conductive contacts on substrates |
US6833526B2 (en) * | 2001-03-28 | 2004-12-21 | Visteon Global Technologies, Inc. | Flex to flex soldering by diode laser |
JP6722061B2 (ja) * | 2016-07-29 | 2020-07-15 | アルプスアルパイン株式会社 | レンズ駆動装置及び該レンズ駆動装置の製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3315680A (en) * | 1965-06-16 | 1967-04-25 | Optics Technology Inc | Optical cauterizer |
US3408937A (en) * | 1966-08-24 | 1968-11-05 | Space Ordnance Systems Inc | Light energized explosive device |
US3467098A (en) * | 1967-03-24 | 1969-09-16 | Becton Dickinson Co | Flexible conduit for laser surgery |
US3577094A (en) * | 1968-09-27 | 1971-05-04 | United Aircraft Corp | Fresnel zone laser coupling mirror |
DE2647618C2 (de) * | 1973-04-26 | 1986-03-27 | Messerschmitt-Boelkow-Blohm Gmbh, 8000 Muenchen | Einrichtung zur Materialbearbeitung |
US4390994A (en) * | 1980-07-14 | 1983-06-28 | Roberts James R | Laser utilizing coated, multicapillary array as output window |
-
1986
- 1986-01-24 US US06/822,027 patent/US4682001A/en not_active Expired - Fee Related
-
1987
- 1987-01-21 JP JP62010169A patent/JPS62224476A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005277209A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Tadahiro Omi | パターン露光装置および二次元光像発生装置 |
JP4541010B2 (ja) * | 2004-03-25 | 2010-09-08 | 財団法人国際科学振興財団 | パターン露光装置および二次元光像発生装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4682001A (en) | 1987-07-21 |
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