JPS62222024A - 磁束密度の極めて高い一方向性電磁鋼板の製造方法 - Google Patents
磁束密度の極めて高い一方向性電磁鋼板の製造方法Info
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- JPS62222024A JPS62222024A JP6199386A JP6199386A JPS62222024A JP S62222024 A JPS62222024 A JP S62222024A JP 6199386 A JP6199386 A JP 6199386A JP 6199386 A JP6199386 A JP 6199386A JP S62222024 A JPS62222024 A JP S62222024A
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Landscapes
- Manufacturing Of Steel Electrode Plates (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はトランス等の鉄芯に用いられる高磁束密度一方
向性電磁鋼板の製造方法に関するものである。
向性電磁鋼板の製造方法に関するものである。
一方向性電磁銅板は軟磁性材料として主にトランスその
他の電気機器の鉄芯材料に使用されているもので、磁気
特性として励磁特性と鉄を員特性が良好でなくてはなら
ない。
他の電気機器の鉄芯材料に使用されているもので、磁気
特性として励磁特性と鉄を員特性が良好でなくてはなら
ない。
この励磁特性を表わす数値として通常Ｂｅ（ｍ場の強さ
８００＾／ｍにおける磁束密度）を用い、鉄損特性を表
わす数値としてｗ＋ｖｚｓ。（５０Ｈｚで１．７Ｔまで
磁化させた時の１ ｋｇ当りの鉄Ｆｒ４）を用いている
。
８００＾／ｍにおける磁束密度）を用い、鉄損特性を表
わす数値としてｗ＋ｖｚｓ。（５０Ｈｚで１．７Ｔまで
磁化させた時の１ ｋｇ当りの鉄Ｆｒ４）を用いている
。
この一方向性電磁鋼板は最終仕上焼鈍工程で２次再結晶
現象を起こさせ、鋼板面に（１１０１面、圧延方向に＜
００１＞軸をもったいわゆるゴス組織を発達させること
によって得られている。良好な磁気特性を得るためには
磁化容易軸である＜００ Ｄ軸を圧延方向に高度に揃え
る事が重要である。又板厚、結晶粒度、固有抵抗、表面
被膜、鋼板の純度等も磁気特性に大きな影響を及ぼす。
現象を起こさせ、鋼板面に（１１０１面、圧延方向に＜
００１＞軸をもったいわゆるゴス組織を発達させること
によって得られている。良好な磁気特性を得るためには
磁化容易軸である＜００ Ｄ軸を圧延方向に高度に揃え
る事が重要である。又板厚、結晶粒度、固有抵抗、表面
被膜、鋼板の純度等も磁気特性に大きな影響を及ぼす。
方向性については、ＭｎＳ ５ＡＬＮをインヒビターと
して利用する最終強圧下冷間圧延を特徴とする方法によ
って大幅に向上し、それに伴って鉄損特性も著しく向上
してきた。
して利用する最終強圧下冷間圧延を特徴とする方法によ
って大幅に向上し、それに伴って鉄損特性も著しく向上
してきた。
一方近年エネルギー価格の高原を背景として、トランス
メーカーは低鉄損トランス用素材への指向を一段と強め
ている。低鉄損素材としてアモルファス合金や６．５％
Ｓｉ鋼等の開発も進められているが、トランス用材料と
して工業的に使用するには解決すべき問題を残している
。他方レーザー等を用いた磁区制御技術が近年開発され
、それによって鉄損特性が大幅に向上した。また製品の
磁束密度が高いほど磁区制御技術の効果が大きいため、
磁束密度の極めて高い製品を開発する必要性が高まって
きた。磁束密度を高める目的で、最終仕上焼鈍の加熱昇
温中２次再結晶が開始するまでの温度領域で焼鈍雰囲気
のＮｚ分圧を低めとし、２次再結晶が開始し終了するま
での温度領域で焼鈍雰囲気のＮｚ分圧を高めとする方法
が提案されているが（特公昭５９−３３１７０号公４４
１、この方法では極めて磁束密度の高い製品を安定して
得るには十分でなく、２次再結晶の本質にさらにせまっ
た技術が必要になってきた。
メーカーは低鉄損トランス用素材への指向を一段と強め
ている。低鉄損素材としてアモルファス合金や６．５％
Ｓｉ鋼等の開発も進められているが、トランス用材料と
して工業的に使用するには解決すべき問題を残している
。他方レーザー等を用いた磁区制御技術が近年開発され
、それによって鉄損特性が大幅に向上した。また製品の
磁束密度が高いほど磁区制御技術の効果が大きいため、
磁束密度の極めて高い製品を開発する必要性が高まって
きた。磁束密度を高める目的で、最終仕上焼鈍の加熱昇
温中２次再結晶が開始するまでの温度領域で焼鈍雰囲気
のＮｚ分圧を低めとし、２次再結晶が開始し終了するま
での温度領域で焼鈍雰囲気のＮｚ分圧を高めとする方法
が提案されているが（特公昭５９−３３１７０号公４４
１、この方法では極めて磁束密度の高い製品を安定して
得るには十分でなく、２次再結晶の本質にさらにせまっ
た技術が必要になってきた。
一方向性電磁鋼板を製造する場合極めて高い磁束密度を
もつ製品を安定して得ることが難しいという問題点を解
決する方法を提供するものである。
もつ製品を安定して得ることが難しいという問題点を解
決する方法を提供するものである。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
本発明は、最終仕上焼鈍工程に於ける２次再結晶開始か
ら完了までの途中段階でＮｚ分圧を増加させることによ
って極めて磁束密度の高い含Ａ１一方向性電磁鋼板を製
造する方法を提供するものである。以下本発明の詳細な
説明する。
ら完了までの途中段階でＮｚ分圧を増加させることによ
って極めて磁束密度の高い含Ａ１一方向性電磁鋼板を製
造する方法を提供するものである。以下本発明の詳細な
説明する。
本発明の対象としている含Ａ１一方向性電磁鋼板の製造
に於ては、従来用いられている製鋼法で得られた溶鋼を
連続鋳造法或は造塊法で鋳造し、必要に応じて分塊工程
を挟んでスラブを得、ひき続き熱間圧延し、必要に応じ
て熱延板焼鈍を行ない、ひき続き、１回又は中間焼純を
挟む２回以上の冷間圧延により最終ゲージの冷延板を得
、ひき続き脱炭焼鈍を従来の方法で行なう。
に於ては、従来用いられている製鋼法で得られた溶鋼を
連続鋳造法或は造塊法で鋳造し、必要に応じて分塊工程
を挟んでスラブを得、ひき続き熱間圧延し、必要に応じ
て熱延板焼鈍を行ない、ひき続き、１回又は中間焼純を
挟む２回以上の冷間圧延により最終ゲージの冷延板を得
、ひき続き脱炭焼鈍を従来の方法で行なう。
熱延板の化学成分は重量％でＳｉ ： ２．５〜４．０
％。
％。
Ｃ：０．０３〜０．１０％、酸可溶性Δｌ ：Ｏ，０Ｉ
Ｏ−０，０６５％。
Ｏ−０，０６５％。
Ｎ：０．００１０〜０．０１５０％、 Ｍｎ： ０．０
２〜０．３０％、Ｓ：０．００５〜０．０４０％、その
他インヒビター構成元素として公知であるＳｎ、Ｓｂ、
Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｃｒ、 Ｎｉ、Ｂ、Ｖ、へｓ
、Ｂｉ等を必要に応じて含有させてもよく、その信実質
Ｆｅからなっている。本発明の成分系における主インヒ
ビターはＡＩＩＮであり、最終冷延以前の工程でＡＩＮ
を析出させる焼鈍を必要に応じて行なう。
２〜０．３０％、Ｓ：０．００５〜０．０４０％、その
他インヒビター構成元素として公知であるＳｎ、Ｓｂ、
Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｃｒ、 Ｎｉ、Ｂ、Ｖ、へｓ
、Ｂｉ等を必要に応じて含有させてもよく、その信実質
Ｆｅからなっている。本発明の成分系における主インヒ
ビターはＡＩＩＮであり、最終冷延以前の工程でＡＩＮ
を析出させる焼鈍を必要に応じて行なう。
脱炭焼鈍後鋼板にＭｇＯを主成分とする焼鈍分離剤を塗
布し、最終仕上焼鈍を行なう。本発明の特徴はこの最終
仕上焼鈍工程にある。
布し、最終仕上焼鈍を行なう。本発明の特徴はこの最終
仕上焼鈍工程にある。
即ち最終仕上焼鈍工程において、２次再結晶の開始から
完了までの途中段階で焼鈍雰囲気のＮｚ分圧を増加させ
ることによって極めて磁束密度の高い一方向性電磁鋼板
を製造する方法を提供するものである。
完了までの途中段階で焼鈍雰囲気のＮｚ分圧を増加させ
ることによって極めて磁束密度の高い一方向性電磁鋼板
を製造する方法を提供するものである。
本発明者らは、２次再結晶挙動を詳細に調査した結果衣
のような新しい知見を得た。第１図に２次再結晶開始初
期及び２次再結晶完了期の２次再結晶粒の方位の一例を
示す。２次再結晶開始初期の２次再結晶粒の方位は（１
１０） ＜００１＞に極めて近く、２次再結晶が進行す
るに従って（１１０） ＜００１＞方位から分散した方
位粒が２次再結晶してくるのがわかる。本発明者らはこ
の知見に基き、２次再結晶が進行するに従って（１１０
） ＜００１＞方位から分散した方位粒が２次再結晶し
てくるのを極力抑制することによって２次再結晶初期の
（１１０） ＜００１＞方位に極めて近い２次再結晶粒
の粒成長を助長でき従って製品の磁束密度を高めること
ができると考え、広範な実験を行なった結果、２次再結
晶の開始から完了までの途中段階で焼鈍雰囲気のＮｚ分
圧を増加させることが非常に有効であるというまったく
新しい知見を得た。
のような新しい知見を得た。第１図に２次再結晶開始初
期及び２次再結晶完了期の２次再結晶粒の方位の一例を
示す。２次再結晶開始初期の２次再結晶粒の方位は（１
１０） ＜００１＞に極めて近く、２次再結晶が進行す
るに従って（１１０） ＜００１＞方位から分散した方
位粒が２次再結晶してくるのがわかる。本発明者らはこ
の知見に基き、２次再結晶が進行するに従って（１１０
） ＜００１＞方位から分散した方位粒が２次再結晶し
てくるのを極力抑制することによって２次再結晶初期の
（１１０） ＜００１＞方位に極めて近い２次再結晶粒
の粒成長を助長でき従って製品の磁束密度を高めること
ができると考え、広範な実験を行なった結果、２次再結
晶の開始から完了までの途中段階で焼鈍雰囲気のＮｚ分
圧を増加させることが非常に有効であるというまったく
新しい知見を得た。
第２図に最終仕上焼鈍の加熱昇温中Ｎｚ分圧を増加させ
た温度と製品の磁束密度との関係を示す。
た温度と製品の磁束密度との関係を示す。
この場合Ｓｉ ： ３．２７％、 Ｃ： ０．０７８％
、酸可溶性へｌ：０．０２６％、 Ｎ：０．００８５％
、 Ｍｎ：０．０７１％、 Ｓ： ０．０２５％を含有
する２、３■ｍ厚の熱延板を出発材とし、かがる熱延板
を１１００℃２分間の焼鈍後急冷し、０．２２５龍の最
終厚みまで冷間圧延し、ついで脱炭焼鈍を行なった後Ｍ
ｇＯを主成分とする焼鈍分離剤を塗布し、１５℃／ｈｒ
、の加熱速度で１２００℃まで界温し、１２００℃の温
度で２０時間の最終仕上焼鈍を行なった。焼鈍雰囲気は
７５％）Ｉｚ＋２５％Ｎｚの混合ガスで昇温を開始し、
第２図に示す各温度で１００％Ｎｔガスに切り換え、１
２００℃に達した時点で１００％Ｈ２ガスに切り換えた
。第２図から明らかなように２次再結晶の開始から完了
までの途中段階で焼鈍雰囲気のＮｚ分圧を増加させるこ
とによって製品の磁束密度が向上している。
、酸可溶性へｌ：０．０２６％、 Ｎ：０．００８５％
、 Ｍｎ：０．０７１％、 Ｓ： ０．０２５％を含有
する２、３■ｍ厚の熱延板を出発材とし、かがる熱延板
を１１００℃２分間の焼鈍後急冷し、０．２２５龍の最
終厚みまで冷間圧延し、ついで脱炭焼鈍を行なった後Ｍ
ｇＯを主成分とする焼鈍分離剤を塗布し、１５℃／ｈｒ
、の加熱速度で１２００℃まで界温し、１２００℃の温
度で２０時間の最終仕上焼鈍を行なった。焼鈍雰囲気は
７５％）Ｉｚ＋２５％Ｎｚの混合ガスで昇温を開始し、
第２図に示す各温度で１００％Ｎｔガスに切り換え、１
２００℃に達した時点で１００％Ｈ２ガスに切り換えた
。第２図から明らかなように２次再結晶の開始から完了
までの途中段階で焼鈍雰囲気のＮｚ分圧を増加させるこ
とによって製品の磁束密度が向上している。
本発明の特徴である２次再結晶の開始から完了までの途
中段階での焼鈍雰囲気Ｎｚ分圧増加の効果のメカニズム
については必ずしも明らかではないが、本発明者らは以
下のように考えている。最終仕上焼鈍の雰囲気ガス中に
Ｎｚを入れると、焼鈍中鋼板にＮｚ吸収が生じ、吸収さ
れたＮｚはＡβＮを主とした窒化物を形成する。そして
これら窒化物はインヒビターの働きを行なう。つまり、
最終仕上焼鈍の雰囲気ガス中にＮｚを添加することによ
って、焼鈍中に新たなインヒビターが形成され、１次再
結晶粒の正常粒成長は一層抑制される。２次再結晶開始
から完了までの途中段階で焼鈍雰囲気中のＮｚ分圧を高
めることによって、新たなインヒビターの形成を促進さ
せ、（１１０１＜ＯＯＤ方位から分散した方位粒が２次
再結晶してくるのを抑制したために、２次再結晶初ｕＪ
１ｐ二発生した（１１０１ ＜００１＞方位に極めて近
い２次再結晶粒の粒成長が助長された結果、製品の磁束
密度が高まったものと考えられる。
中段階での焼鈍雰囲気Ｎｚ分圧増加の効果のメカニズム
については必ずしも明らかではないが、本発明者らは以
下のように考えている。最終仕上焼鈍の雰囲気ガス中に
Ｎｚを入れると、焼鈍中鋼板にＮｚ吸収が生じ、吸収さ
れたＮｚはＡβＮを主とした窒化物を形成する。そして
これら窒化物はインヒビターの働きを行なう。つまり、
最終仕上焼鈍の雰囲気ガス中にＮｚを添加することによ
って、焼鈍中に新たなインヒビターが形成され、１次再
結晶粒の正常粒成長は一層抑制される。２次再結晶開始
から完了までの途中段階で焼鈍雰囲気中のＮｚ分圧を高
めることによって、新たなインヒビターの形成を促進さ
せ、（１１０１＜ＯＯＤ方位から分散した方位粒が２次
再結晶してくるのを抑制したために、２次再結晶初ｕＪ
１ｐ二発生した（１１０１ ＜００１＞方位に極めて近
い２次再結晶粒の粒成長が助長された結果、製品の磁束
密度が高まったものと考えられる。
本発明において、２次再結晶の開始から完了までの途中
段階で焼鈍雰囲気のＮｚ分圧を増加させると規定したも
のは、上記の本発明のメカニズムから明らかな様に、２
次再結晶の途中段階で（１１０） ＜００１＞方位から
分散した方位粒が２次再結が必要であり、２次再結晶開
始以１’Ｊ、及び完了後では効果がないためである。
段階で焼鈍雰囲気のＮｚ分圧を増加させると規定したも
のは、上記の本発明のメカニズムから明らかな様に、２
次再結晶の途中段階で（１１０） ＜００１＞方位から
分散した方位粒が２次再結が必要であり、２次再結晶開
始以１’Ｊ、及び完了後では効果がないためである。
最終仕上焼鈍の方法については特に限定しない。
加熱昇温中に２次再結晶を生しさせる方法、恒温保定中
に２次再結晶を生じさせる方法等いずれの方法でもよい
。焼鈍雰囲気中のＮｚ分圧を増加させる温度、焼鈍開始
からの時間については特に限定しない、２次再結晶が開
始していればよい。好しくは２次再結晶の開始初期段階
で焼鈍雰囲気中のＮｚ分圧を増加させるとより効果的で
ある。Ｎｚ分圧の増加量については特に限定しないが、
好しくは２５％以上増加させるとより効果的である。
に２次再結晶を生じさせる方法等いずれの方法でもよい
。焼鈍雰囲気中のＮｚ分圧を増加させる温度、焼鈍開始
からの時間については特に限定しない、２次再結晶が開
始していればよい。好しくは２次再結晶の開始初期段階
で焼鈍雰囲気中のＮｚ分圧を増加させるとより効果的で
ある。Ｎｚ分圧の増加量については特に限定しないが、
好しくは２５％以上増加させるとより効果的である。
昇温中に２次再結晶を住しさせる場合の２次再結晶開始
温度は８５０〜１２００℃の温度範囲にあるが、成分、
昇温速度、２次再結晶開始までの焼鈍雰囲気等の条件に
よって決まり、焼鈍前のＡＩＮ等イフィンヒビター細均
一に析出しているほど、昇温速度が早いほど、２次再結
晶開始までの焼鈍雰囲気のＮｚ分圧が高いほど、焼鈍分
離剤にインヒビター構成元素が添加されているほど、２
次再結晶開始温度は高温側になり、２次再結晶の完了も
早くなる傾向があるので、Ｎｚ分圧を増加させる温度を
適性に選ぶ必要がある。Ｎｚ吸収は８５０〜１１００’
ｃの温度範囲で最もすみやかに起るので、２次再結晶開
始温度がこの範囲になるように成分、工程条件等を設定
することが、本発明の効果を一層助長することになる。
温度は８５０〜１２００℃の温度範囲にあるが、成分、
昇温速度、２次再結晶開始までの焼鈍雰囲気等の条件に
よって決まり、焼鈍前のＡＩＮ等イフィンヒビター細均
一に析出しているほど、昇温速度が早いほど、２次再結
晶開始までの焼鈍雰囲気のＮｚ分圧が高いほど、焼鈍分
離剤にインヒビター構成元素が添加されているほど、２
次再結晶開始温度は高温側になり、２次再結晶の完了も
早くなる傾向があるので、Ｎｚ分圧を増加させる温度を
適性に選ぶ必要がある。Ｎｚ吸収は８５０〜１１００’
ｃの温度範囲で最もすみやかに起るので、２次再結晶開
始温度がこの範囲になるように成分、工程条件等を設定
することが、本発明の効果を一層助長することになる。
２次再結晶の開始温度を８５０〜１１００℃の範囲にす
るためには、昇温速度を１〜２００″Ｃ／ｈｒ、２次再
結晶開始までの焼鈍雰囲気のＮｚ分圧を７５％未満にす
ることが好しい。恒温保定中に２次再結晶を生じさせる
場合、８００〜１１００℃にａ板は保定され、１秒〜１
０００時間後に２次再結晶は開始するが、保定温度が低
いほど２次再結晶開始までの時間が長く、開始後完了ま
での時間も長くなる傾向があり、上記昇温中に２次再結
晶させる場合に述べた２次再結晶温度を上げる成分、工
程条件等を用いると恒温保定中に２次再結晶させる場合
には、−ｉに２次再結晶開始までの時間が長くなり、開
始後完了までの時間は短くなる傾向があるので、Ｎｚ分
圧を増加させる時期を適性に選ぶ必要がある。Ｎｚ吸収
を効率的に行なわせ、本発明の効果を一層助長するには
８５０〜１１００’ｃの温度範囲に保定温度を選ぶこと
が好しい。
るためには、昇温速度を１〜２００″Ｃ／ｈｒ、２次再
結晶開始までの焼鈍雰囲気のＮｚ分圧を７５％未満にす
ることが好しい。恒温保定中に２次再結晶を生じさせる
場合、８００〜１１００℃にａ板は保定され、１秒〜１
０００時間後に２次再結晶は開始するが、保定温度が低
いほど２次再結晶開始までの時間が長く、開始後完了ま
での時間も長くなる傾向があり、上記昇温中に２次再結
晶させる場合に述べた２次再結晶温度を上げる成分、工
程条件等を用いると恒温保定中に２次再結晶させる場合
には、−ｉに２次再結晶開始までの時間が長くなり、開
始後完了までの時間は短くなる傾向があるので、Ｎｚ分
圧を増加させる時期を適性に選ぶ必要がある。Ｎｚ吸収
を効率的に行なわせ、本発明の効果を一層助長するには
８５０〜１１００’ｃの温度範囲に保定温度を選ぶこと
が好しい。
恒温保定と昇温とを組み金紗せて２次再結晶を行なわせ
る方法等でも、本発明の効果を得られることは本発明の
メカニズムから明らかである。２次再結晶完了後は、Ｎ
ｚを全く含まない雰囲気に保ち、１１００〜１３００’
ｃの温度で不純物の除去を行なう。
る方法等でも、本発明の効果を得られることは本発明の
メカニズムから明らかである。２次再結晶完了後は、Ｎ
ｚを全く含まない雰囲気に保ち、１１００〜１３００’
ｃの温度で不純物の除去を行なう。
最終仕上焼鈍後に鋼板に張力を付加するコーティングを
行なうと鉄損特性が一層向上する。本発明によって製造
された製品は極めて磁束密度が高いため、レーザー等を
用いた磁区制御を行なうと極めて鉄損特性の優れた製品
となる。
行なうと鉄損特性が一層向上する。本発明によって製造
された製品は極めて磁束密度が高いため、レーザー等を
用いた磁区制御を行なうと極めて鉄損特性の優れた製品
となる。
以下実施例について述べる。
実施例Ｉ
Ｓｉ ： ３．２５％、 Ｃ：０．０７８％、酸可溶性
Ａ Ｉ！：０．０２５％。
Ａ Ｉ！：０．０２５％。
Ｎ：０．００８５％、 Ｍｎ：０．０７１％、 Ｓ：０
．０２５％、Ｓｎ：０．１２％を含む板厚２．３龍の熱
延板に１１００℃２分間の焼鈍後０．２２５■ｌの最終
厚みまで冷間圧延し、ついで脱炭焼鈍し、ひき続きＭｇ
Ｏを主成分とする焼鈍分離剤を塗布し、１２００℃まで
１５℃／ｈｒで昇温し、１２００℃の温度で２０時間の
最終仕上焼鈍を行なった。雰囲気ガスの条件は、（１）
昇温過程１２００℃まで７５％Ｉ＋２＋２５％Ｎｚで処
理、（２）昇温過程９５０℃まで７５％１１２士２５％
Ｎｚテ処理し、９５０℃から１２００’Ｃま’？’ １
００％Ｎｚで処理の２通りとし、１２００’ｃになった
時点で１００％１１ｇとして焼鈍を行なった。（１）の
条件の場合約９２５℃で２次再結晶が開始し、約１０２
５℃で完了しており、（２）の条件は、２次再結晶の開
始から完了までの途中段階でＮｚ分圧を増加させたこと
になる。処理条件と製品の磁束密度との関係を第１表に
示す。
．０２５％、Ｓｎ：０．１２％を含む板厚２．３龍の熱
延板に１１００℃２分間の焼鈍後０．２２５■ｌの最終
厚みまで冷間圧延し、ついで脱炭焼鈍し、ひき続きＭｇ
Ｏを主成分とする焼鈍分離剤を塗布し、１２００℃まで
１５℃／ｈｒで昇温し、１２００℃の温度で２０時間の
最終仕上焼鈍を行なった。雰囲気ガスの条件は、（１）
昇温過程１２００℃まで７５％Ｉ＋２＋２５％Ｎｚで処
理、（２）昇温過程９５０℃まで７５％１１２士２５％
Ｎｚテ処理し、９５０℃から１２００’Ｃま’？’ １
００％Ｎｚで処理の２通りとし、１２００’ｃになった
時点で１００％１１ｇとして焼鈍を行なった。（１）の
条件の場合約９２５℃で２次再結晶が開始し、約１０２
５℃で完了しており、（２）の条件は、２次再結晶の開
始から完了までの途中段階でＮｚ分圧を増加させたこと
になる。処理条件と製品の磁束密度との関係を第１表に
示す。
実施例２
Ｓｉ ： ３．５１％、 Ｃ：０．０８４％、 酸可溶
性Ａ ｌ ：０．０２５％。
性Ａ ｌ ：０．０２５％。
Ｎ：０．００８０％、 Ｍｎ：０．０７５％、 Ｓ：０
．０２６９７６、Ｓｎ：０．１６％。
．０２６９７６、Ｓｎ：０．１６％。
Ｃｕ： ０．０７％を含む板厚２．３關の熱延板を、焼
鈍分離剤塗布工程まで、実施例１．記載の条件で処理し
、１２００℃まテ１５℃／ｈｒ”’？：界温昇温１２０
０℃の温度テ２０時間の最終仕上焼鈍を行なった。雰囲
気ガスの条件は、（１）昇温過程１２００℃まで７５％
Ｈｚ＋２５％Ｎｚで処理、（２）昇温過程１０００℃ま
で７５％Ｈｚ＋２５％Ｎｚで処理し、１０００℃から１
２００℃まで１００％Ｎｚで処理の２通りとし、１２０
０℃になった時点で１００％Ｎｚとして焼鈍を行なった
。（１）の条件の場合約９４０℃で２次再結晶が開始し
、約１０５０℃で完了しており、（２）の条件は、２次
再結晶の開始から完了までの途中段階でＮｚ分圧を増加
させたことになる。処理条件と製品の磁束密度との関係
を第２表に示す。
鈍分離剤塗布工程まで、実施例１．記載の条件で処理し
、１２００℃まテ１５℃／ｈｒ”’？：界温昇温１２０
０℃の温度テ２０時間の最終仕上焼鈍を行なった。雰囲
気ガスの条件は、（１）昇温過程１２００℃まで７５％
Ｈｚ＋２５％Ｎｚで処理、（２）昇温過程１０００℃ま
で７５％Ｈｚ＋２５％Ｎｚで処理し、１０００℃から１
２００℃まで１００％Ｎｚで処理の２通りとし、１２０
０℃になった時点で１００％Ｎｚとして焼鈍を行なった
。（１）の条件の場合約９４０℃で２次再結晶が開始し
、約１０５０℃で完了しており、（２）の条件は、２次
再結晶の開始から完了までの途中段階でＮｚ分圧を増加
させたことになる。処理条件と製品の磁束密度との関係
を第２表に示す。
実施例３
Ｓｉ ： ３．２５％、 Ｃ：０．０８０％、酸可溶性
Ａ ｌ ：０．０２７％。
Ａ ｌ ：０．０２７％。
Ｎ：０．００８２％、 Ｍｎ：０．０７５％、 Ｓ：０
．０２４％を含む板厚２．３龍の熱延板を１１２０℃に
３０秒保持しひき続き９００℃に１分間保持した後急冷
し、０．２８５ｎの最終厚みまで冷間圧延し、ついで脱
炭焼鈍し、ひき続きＭｇＯを主成分とする焼鈍分離剤を
塗布し、１２００℃まで１０℃／１１ｒで昇温し、１２
００℃の温度で２０時間のＲ終仕上焼鈍を行なった。雰
囲気ガスの条件は、（１）昇温過程１２００℃まで７５
％Ｈ２＋２５％Ｎｚで処理、（２）昇温ｉｙＪ程９５０
℃まで７５％１１□＋２５％Ｎｚで処理し、９５０℃か
ら１２００°Ｃまで１０％）ｌｚ＋９０％Ｎｚで処理の
２通りとし、１２００℃になった時点で１００％１！２
として焼鈍を行なった。（１）の条件の場合約９１０℃
で２次再結晶が開始し、約１０００℃で完了しており、
（２）の条件は２次再結晶の開始から完了までの途中段
階でＮｚ分圧を増加させたことになる。処理条件と製品
の磁束密度との関係を第３表に示す。
．０２４％を含む板厚２．３龍の熱延板を１１２０℃に
３０秒保持しひき続き９００℃に１分間保持した後急冷
し、０．２８５ｎの最終厚みまで冷間圧延し、ついで脱
炭焼鈍し、ひき続きＭｇＯを主成分とする焼鈍分離剤を
塗布し、１２００℃まで１０℃／１１ｒで昇温し、１２
００℃の温度で２０時間のＲ終仕上焼鈍を行なった。雰
囲気ガスの条件は、（１）昇温過程１２００℃まで７５
％Ｈ２＋２５％Ｎｚで処理、（２）昇温ｉｙＪ程９５０
℃まで７５％１１□＋２５％Ｎｚで処理し、９５０℃か
ら１２００°Ｃまで１０％）ｌｚ＋９０％Ｎｚで処理の
２通りとし、１２００℃になった時点で１００％１！２
として焼鈍を行なった。（１）の条件の場合約９１０℃
で２次再結晶が開始し、約１０００℃で完了しており、
（２）の条件は２次再結晶の開始から完了までの途中段
階でＮｚ分圧を増加させたことになる。処理条件と製品
の磁束密度との関係を第３表に示す。
実施例４
Ｓｉ ： ３．３０％、 Ｃ：０．０８Ｌ％、 酸
可？容性Ａ ｆｆｉ ：０．０２６％。
可？容性Ａ ｆｆｉ ：０．０２６％。
Ｎ：０．００８２％、Ｍｎ：０．０７８％、Ｓ：０．０
２４％、Ｓｎ：０．１５％。
２４％、Ｓｎ：０．１５％。
Ｃｕ： ｏ、ｏＥ）％を含む板厚２．３鶴の熱延板を、
１０００℃３分間の焼鈍後１．３５ｍｍ厚まで冷間圧延
し、ついで１１００℃２分間の中間焼鈍後０．１７０ｍ
ｍの最終厚みまで冷間圧延し、ついで脱炭焼鈍し、ひき
続きＭｇＯを主成分とする焼鈍分離剤を塗布し、１２０
０℃まで２５℃／ｈｒで昇温し、１２００℃の温度で２
０時間の最終仕上焼鈍を行なった。雰囲気ガスの条件は
、（１）昇温過程１２００℃まで８５％ｔｒｚ ＋ １
５％Ｎｚで処理、（２）昇’／Ａ過程１０００℃まで８
５％Ｈ２＋１５％Ｎｚで処理し、１０００℃から１２０
０℃まで２５％ｔｈ＋７５％ｌＪ！で処理の２通りとし
、１２００℃になった時点で１００％ｔｈとして焼鈍を
行なった。（１）の条件の場合約９５０℃で２次再結晶
が開始し、約１０５０℃で完了しており、（２）の条件
は、２次再結晶の開始から完了までの途中段階でＮｚ分
圧を増加させたことになる。処理条件と製品の磁束密度
との関係を第４表に示す。
１０００℃３分間の焼鈍後１．３５ｍｍ厚まで冷間圧延
し、ついで１１００℃２分間の中間焼鈍後０．１７０ｍ
ｍの最終厚みまで冷間圧延し、ついで脱炭焼鈍し、ひき
続きＭｇＯを主成分とする焼鈍分離剤を塗布し、１２０
０℃まで２５℃／ｈｒで昇温し、１２００℃の温度で２
０時間の最終仕上焼鈍を行なった。雰囲気ガスの条件は
、（１）昇温過程１２００℃まで８５％ｔｒｚ ＋ １
５％Ｎｚで処理、（２）昇’／Ａ過程１０００℃まで８
５％Ｈ２＋１５％Ｎｚで処理し、１０００℃から１２０
０℃まで２５％ｔｈ＋７５％ｌＪ！で処理の２通りとし
、１２００℃になった時点で１００％ｔｈとして焼鈍を
行なった。（１）の条件の場合約９５０℃で２次再結晶
が開始し、約１０５０℃で完了しており、（２）の条件
は、２次再結晶の開始から完了までの途中段階でＮｚ分
圧を増加させたことになる。処理条件と製品の磁束密度
との関係を第４表に示す。
以下余日
第４表
Ｃ発明の効果〕
以上のとおり、本発明によれば最終仕上焼鈍工程に於て
、２次再結晶の開始から完了までの途中段階で焼鈍雰囲
気のＮｚ分圧を増加させることによって掻めて磁束密度
の高い一方向性電磁銅板を安定して製造することができ
るので、その工業的効果は大きい。
、２次再結晶の開始から完了までの途中段階で焼鈍雰囲
気のＮｚ分圧を増加させることによって掻めて磁束密度
の高い一方向性電磁銅板を安定して製造することができ
るので、その工業的効果は大きい。
第１図は２次再結晶開始初期と２次再結晶完了期の２次
再結晶粒の方位の比較図であり、第２図は最終仕上焼鈍
の加熱昇温中のＮｚ分圧を増加させた温度と製品の磁束
密度との関係図である。 二次再結晶開始初期 二次再結晶完了期（＋
００）り点図 第１図 第２図 手続補正書（自発） 昭和６１年５り／３日 特許庁長官 宇 賀 道 部 殿 １、事件の表示 昭和６１年 特許側 第６１９９３号 ２、発明の名称 磁束密度の極めて高い一方向性電磁鋼板の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 （６６５） 新日本製敞株式会社４、代理人 住所 〒１０５東京都港区虎ノ門−丁目８番１ｏ号（外
４名） ５、補正の対象 （１） 明細書の「発明の詳細な説明」の欄（２）
図面（第２図） ６、補正の内容 （１）発明の詳細な説明 （イ） 明細書第７頁第１３行から第１４行の「入れ
ると−・−・−・−生し、」を「入れることによって、
焼鈍中鋼板にＮｚ吸収を生じさせることができる。」に
訂正する。 （ロ）明細書第７頁第１８行から第２０行の「インヒビ
ターが・−・−・−される。」を「インヒビターを形成
させ、１次再結晶粒の正常粒成長を一層抑制させること
ができる。１に訂正する。 Ｉ／〜 明細書第８頁第１０行の「したものは」を「し
たのはＪに訂正する。 （に）明細書第１１頁第１行の「Ｎｚを全く含まない」
をｒＮｉ分圧の低い」に訂正する。 （２） 図面（第２図）を別紙のように補正する。 ７、添付書類の目録 図 面（第２図） １通 第２図 手続補正書（自発） 昭和６１年７月２日
再結晶粒の方位の比較図であり、第２図は最終仕上焼鈍
の加熱昇温中のＮｚ分圧を増加させた温度と製品の磁束
密度との関係図である。 二次再結晶開始初期 二次再結晶完了期（＋
００）り点図 第１図 第２図 手続補正書（自発） 昭和６１年５り／３日 特許庁長官 宇 賀 道 部 殿 １、事件の表示 昭和６１年 特許側 第６１９９３号 ２、発明の名称 磁束密度の極めて高い一方向性電磁鋼板の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 （６６５） 新日本製敞株式会社４、代理人 住所 〒１０５東京都港区虎ノ門−丁目８番１ｏ号（外
４名） ５、補正の対象 （１） 明細書の「発明の詳細な説明」の欄（２）
図面（第２図） ６、補正の内容 （１）発明の詳細な説明 （イ） 明細書第７頁第１３行から第１４行の「入れ
ると−・−・−・−生し、」を「入れることによって、
焼鈍中鋼板にＮｚ吸収を生じさせることができる。」に
訂正する。 （ロ）明細書第７頁第１８行から第２０行の「インヒビ
ターが・−・−・−される。」を「インヒビターを形成
させ、１次再結晶粒の正常粒成長を一層抑制させること
ができる。１に訂正する。 Ｉ／〜 明細書第８頁第１０行の「したものは」を「し
たのはＪに訂正する。 （に）明細書第１１頁第１行の「Ｎｚを全く含まない」
をｒＮｉ分圧の低い」に訂正する。 （２） 図面（第２図）を別紙のように補正する。 ７、添付書類の目録 図 面（第２図） １通 第２図 手続補正書（自発） 昭和６１年７月２日
Claims (1)
- 含Ａｌ一方向性電磁鋼板の製造に於て、通常の工程で得
られた冷延板を脱炭焼鈍後、最終仕上焼鈍を施す工程に
於て、２次再結晶の開始から完了までの途中段階で焼鈍
雰囲気のＮｚ分圧を増加させることを特徴とする磁束密
度の極めて高い一方向性電磁鋼板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6199386A JPH0617512B2 (ja) | 1986-03-22 | 1986-03-22 | 磁束密度の極めて高い一方向性電磁鋼板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6199386A JPH0617512B2 (ja) | 1986-03-22 | 1986-03-22 | 磁束密度の極めて高い一方向性電磁鋼板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62222024A true JPS62222024A (ja) | 1987-09-30 |
| JPH0617512B2 JPH0617512B2 (ja) | 1994-03-09 |
Family
ID=13187233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6199386A Expired - Lifetime JPH0617512B2 (ja) | 1986-03-22 | 1986-03-22 | 磁束密度の極めて高い一方向性電磁鋼板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0617512B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6475627A (en) * | 1987-09-18 | 1989-03-22 | Nippon Steel Corp | Production of grain oriented electrical steel sheet having extremely high magnetic flux density |
| EP0390142A2 (en) * | 1989-03-30 | 1990-10-03 | Nippon Steel Corporation | Process for producing grain-oriented electrical steel sheet having high magnetic flux density |
-
1986
- 1986-03-22 JP JP6199386A patent/JPH0617512B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6475627A (en) * | 1987-09-18 | 1989-03-22 | Nippon Steel Corp | Production of grain oriented electrical steel sheet having extremely high magnetic flux density |
| EP0307905A2 (en) * | 1987-09-18 | 1989-03-22 | Nippon Steel Corporation | Method for producing grainoriented electrical steel sheet with very high magnetic flux density |
| US4888066A (en) * | 1987-09-18 | 1989-12-19 | Nippon Steel Corporation | Method for producing grain-oriented electrical steel sheet with very high magnetic flux density |
| JPH0567683B2 (ja) * | 1987-09-18 | 1993-09-27 | Nippon Steel Corp | |
| EP0307905B1 (en) * | 1987-09-18 | 1993-12-22 | Nippon Steel Corporation | Method for producing grainoriented electrical steel sheet with very high magnetic flux density |
| EP0390142A2 (en) * | 1989-03-30 | 1990-10-03 | Nippon Steel Corporation | Process for producing grain-oriented electrical steel sheet having high magnetic flux density |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0617512B2 (ja) | 1994-03-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |