JPS6221284A - 金属イオンレ−ザ− - Google Patents
金属イオンレ−ザ−Info
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- JPS6221284A JPS6221284A JP60160079A JP16007985A JPS6221284A JP S6221284 A JPS6221284 A JP S6221284A JP 60160079 A JP60160079 A JP 60160079A JP 16007985 A JP16007985 A JP 16007985A JP S6221284 A JPS6221284 A JP S6221284A
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- Japan
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- current
- discharge
- voltage
- anode
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/031—Metal vapour lasers, e.g. metal vapour generation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/097—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser
- H01S3/09705—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser with particular means for stabilising the discharge
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- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、安定な光出力全発生する金属イオンレーザ
−に関するものでるる。
−に関するものでるる。
近年、ホロー陰他放電？用い次金属イオンレーザ−が種
々提案されている。この種のレーザーはその励起の強さ
から多色発振が可能で、現在のところＨｅ −Ｃｄイオ
ンレーザ−では１２本の発振線が嬢測されておｐ、その
中には光三原色の赤。
々提案されている。この種のレーザーはその励起の強さ
から多色発振が可能で、現在のところＨｅ −Ｃｄイオ
ンレーザ−では１２本の発振線が嬢測されておｐ、その
中には光三原色の赤。
青、緑が含ｊｆＬ、液体レーザーおよび固体レーザーに
みらｎない浸れた特色ｋ［している。
みらｎない浸れた特色ｋ［している。
しかしながらこの種の金属イオンレーザ−Ｕ６る１１の
気体中に金ｉｔ蒸気化し混合させて励起状態金作ってい
るため、金属蒸気の分布状態によっては安定な光出力が
得舖いという欠点紫有していた。
気体中に金ｉｔ蒸気化し混合させて励起状態金作ってい
るため、金属蒸気の分布状態によっては安定な光出力が
得舖いという欠点紫有していた。
このエフな欠点？解決する几めにこの発明は、陽極電流
？一定にする定電流回路と、金属？１’に加熱するヒー
タに供給する電流？制御するヒータ制御回路とを役は几
ものでめる。
？一定にする定電流回路と、金属？１’に加熱するヒー
タに供給する電流？制御するヒータ制御回路とを役は几
ものでめる。
金属蒸気の蒸発量が制御され、レーザー管内の金属蒸気
の分布全一定（最適化）にすることに；９１党出力が安
定する。
の分布全一定（最適化）にすることに；９１党出力が安
定する。
第１図はこの発明の一実施例全示す構成図でろり、１は
Ｈｅ ガスを封入し次レーザー管、１０１〜１０５ は
定電流回路、１０６はヒータ制御回路、１０７〜１１２
は抵抗、１１３は電圧差検出回路、１１４は補助陽極用
電源、１１５は高圧発ゴ１路であるレーザー管１は第１
図および、そこに示すレーザー管１の■−■断面図の＝
うになっており、２．３はプリニスター窓、４にホロー
陰極、５ａ。
Ｈｅ ガスを封入し次レーザー管、１０１〜１０５ は
定電流回路、１０６はヒータ制御回路、１０７〜１１２
は抵抗、１１３は電圧差検出回路、１１４は補助陽極用
電源、１１５は高圧発ゴ１路であるレーザー管１は第１
図および、そこに示すレーザー管１の■−■断面図の＝
うになっており、２．３はプリニスター窓、４にホロー
陰極、５ａ。
５ｂ 、 ５ｃは主陽極、Ｅｉａ、６ｂは主陽極５ａ、
５ｂ。
５ｂ。
５ｃの両側に配設された補助陽極、γは除重、８ａ、８
ｂ、８ｃはＣｄ金属等の金属イオン発生材料９の溜部で
ある金属溜、１０Ａ、１０Ｂはヒーター、１１にＨｅガ
ス供給源、１２はレーザー萱１内の不純物を取り除く友
めのゲッター、１３は湯元柱放を通路、１４はグロー領
域、１５Ｉ−１陰極暗部でるる。
ｂ、８ｃはＣｄ金属等の金属イオン発生材料９の溜部で
ある金属溜、１０Ａ、１０Ｂはヒーター、１１にＨｅガ
ス供給源、１２はレーザー萱１内の不純物を取り除く友
めのゲッター、１３は湯元柱放を通路、１４はグロー領
域、１５Ｉ−１陰極暗部でるる。
前記ホロー陰極４に、スパッタリングの少ない導電性の
肉厚パイプで形成され、その中心孔力゛前記グロー領域
１４の発生する陰極ボア２１全構成し、該ホロー陰極４
の両端にはセラミックス等からなる筒状の絶縁体２２ａ
、２２ｂ がそ九ぞｎ嵌合固定され、ｔｅａ前記各主陽
極５ａ、 ５ｂ、 ５ｃに対応する周面には透孔がそｎ
ぞれ形成され、この透孔にもセラミックス等からなるリ
ング状の絶縁体２３ ａ １２３ ｂ ＊ ２３ ｃが
それぞれ嵌合固定されている。この＝５な絶縁体２２ａ
、 ２２ｂ 、 ２３ａ 、 ２３ｂ 。
肉厚パイプで形成され、その中心孔力゛前記グロー領域
１４の発生する陰極ボア２１全構成し、該ホロー陰極４
の両端にはセラミックス等からなる筒状の絶縁体２２ａ
、２２ｂ がそ九ぞｎ嵌合固定され、ｔｅａ前記各主陽
極５ａ、 ５ｂ、 ５ｃに対応する周面には透孔がそｎ
ぞれ形成され、この透孔にもセラミックス等からなるリ
ング状の絶縁体２３ ａ １２３ ｂ ＊ ２３ ｃが
それぞれ嵌合固定されている。この＝５な絶縁体２２ａ
、 ２２ｂ 、 ２３ａ 、 ２３ｂ 。
２３ｃ は、Ｈｅイオンによるスパッタリングにエフホ
ロー陰極４の表面から飛び出し九隘極物質が主陽極５ａ
、５ｂ、５ｃに付Ｎ凝固しｔり、この陰極物質にＬクホ
ロー陰極４と生湯１％５ａ、５ｂ、５ｃが短絡し７ｔ９
する■を防止する上で１効とさｎる。
ロー陰極４の表面から飛び出し九隘極物質が主陽極５ａ
、５ｂ、５ｃに付Ｎ凝固しｔり、この陰極物質にＬクホ
ロー陰極４と生湯１％５ａ、５ｂ、５ｃが短絡し７ｔ９
する■を防止する上で１効とさｎる。
前記主陽極５ａ、５ｂ、５ｅはタングステン、モリブデ
ン等にエフで製作され、第３図に示す；うにレーザー管
１に設けられ定筒状の取付は部２Ｔに封着用ガラス２８
を介して取付けられている。また、各主陽極５ａ、５ｂ
、５ｃの挿入端は放電効果金高めると共に放電に伴う焼
損を防止する几め略円錐形状もしくは截頭円錐形状に形
成されて前記絶縁体２３ａ、２３ｂ、２３ｃ の外周面
との間に僅かな間隔が設定されておｐｌこれに；つてホ
ロー陰極４七レーザー管１内に嵌合する際、ホロー陰極
４が主陽極５ａ、５ｂ、５ｃに当って破損するのを防止
している。そして、主陽極５ａ、５ｂ、５ａ間の間隔は
比較的小さく、例えば活性長３０α、ボア径Ｑ）） ０
．４ ｃｍの場合、２の程度に設定さｎ、ている。
ン等にエフで製作され、第３図に示す；うにレーザー管
１に設けられ定筒状の取付は部２Ｔに封着用ガラス２８
を介して取付けられている。また、各主陽極５ａ、５ｂ
、５ｃの挿入端は放電効果金高めると共に放電に伴う焼
損を防止する几め略円錐形状もしくは截頭円錐形状に形
成されて前記絶縁体２３ａ、２３ｂ、２３ｃ の外周面
との間に僅かな間隔が設定されておｐｌこれに；つてホ
ロー陰極４七レーザー管１内に嵌合する際、ホロー陰極
４が主陽極５ａ、５ｂ、５ｃに当って破損するのを防止
している。そして、主陽極５ａ、５ｂ、５ａ間の間隔は
比較的小さく、例えば活性長３０α、ボア径Ｑ）） ０
．４ ｃｍの場合、２の程度に設定さｎ、ている。
前記各金属溜部８ａ、８ｂ、８ｃ ｉｄ、レーザー管１
全略牛楕円形状に膨出させることにエフ、該レーザー管
１に一体に設けられ、前記ホロー陰極４に形成されｔ軸
方向のスリット３０ａ、３０ｂ、３０ｃによって前記グ
ロー領域１４とそれぞれ連通している。また、各金属溜
８ａ、８ｂ、８ｃは、前記主陽極５ａ、５ｂ、５ｃの間
隔ピッチとほぼ等しく、かり牛ピッチだけずれて設けら
れている。
全略牛楕円形状に膨出させることにエフ、該レーザー管
１に一体に設けられ、前記ホロー陰極４に形成されｔ軸
方向のスリット３０ａ、３０ｂ、３０ｃによって前記グ
ロー領域１４とそれぞれ連通している。また、各金属溜
８ａ、８ｂ、８ｃは、前記主陽極５ａ、５ｂ、５ｃの間
隔ピッチとほぼ等しく、かり牛ピッチだけずれて設けら
れている。
前記補助陽極６ａ、６ｂは前記ブリュースター窓２．３
’ｉＣｄ蒸気から保護するホめのもので、前記主陽極５
ａ、５ｂ、５ｃ と同様、封着用ガラス３５を介して
レーザー管１に配設され、前記ホロー陰極４の両側に位
置している。
’ｉＣｄ蒸気から保護するホめのもので、前記主陽極５
ａ、５ｂ、５ｃ と同様、封着用ガラス３５を介して
レーザー管１に配設され、前記ホロー陰極４の両側に位
置している。
前記陰極γは前記主陽極５ａ、５ｂ、５ｃおよび補助陽
極６ａ、６ｂと同様、レーザー管１に封着ガラス３６ｔ
−介して配設され、これに前記ホロー陰極４が導通され
ている。
極６ａ、６ｂと同様、レーザー管１に封着ガラス３６ｔ
−介して配設され、これに前記ホロー陰極４が導通され
ている。
前記レーザー管１０両端部には小径部４０・４１が設け
られている。こｎらの小径部４Ｑ、４１は１セラミツク
ス、放熱％性が大きい金ｐＡ等に１って形成された管体
４２，４３’ｔレーザー管１内に嵌合することに工ｐ形
成され、これにＬつて該管体４２．４３と前記ホロー論
極４の絶縁体２２＆。
られている。こｎらの小径部４Ｑ、４１は１セラミツク
ス、放熱％性が大きい金ｐＡ等に１って形成された管体
４２，４３’ｔレーザー管１内に嵌合することに工ｐ形
成され、これにＬつて該管体４２．４３と前記ホロー論
極４の絶縁体２２＆。
２２ｂ との間に金属蒸気溜め用空室４４．４５に形成
している。前記各小径部４０，４１、換言丁れば管体４
２．４３の内径Ｄ＋は前記ボア径りとほぼ等しいかもし
くは若干小さく設定されている。
している。前記各小径部４０，４１、換言丁れば管体４
２．４３の内径Ｄ＋は前記ボア径りとほぼ等しいかもし
くは若干小さく設定されている。
そして、各管体４２．４３はレーザー管１に設は几保持
部４８．４９に１って軸方向の移Ｉｎ防止されている。
部４８．４９に１って軸方向の移Ｉｎ防止されている。
保持部４８．４９の形成に際しては、外聞に周溝４６，
４７が形成された管体４２．４３ｔレーザー管１の内周
に嵌合し、しかる後肢レーザー管１の前記間＄４６．４
７に対応する部分を加熱溶融し、周溝４６，４γに溶し
込むようにすれば簡単に形成することができる。
４７が形成された管体４２．４３ｔレーザー管１の内周
に嵌合し、しかる後肢レーザー管１の前記間＄４６．４
７に対応する部分を加熱溶融し、周溝４６，４γに溶し
込むようにすれば簡単に形成することができる。
このような構成からなる金属イオンレーザ−にォイ−’
ｃ、主陽極５ａ、５ｂ、５ｃ、補助陽極６ａ、６ｂお工
びホロー陰極４との間に所要の電圧金印加すると、主陽
極５ａ、５ｂ、５ｃとホロー陰極４間に負グロー放電が
発生する。ここで、金属イオン発生材料９としてＣｄｋ
用いたＨｅ−Ｃｄレーザーの場合について説明すると、
上記負グロー放電の熱損お工び金属溜？ヒータで加熱す
ることによ、ｊ） Ｃｄ蒸気が発生し、これがＨｅ イ
オンなどの励起粒子によって高いエネルギー準位へ遷移
さ九る。この場合、ホロー陰極４全肉厚パイプで形成し
ておくと、熱伝導および熱容量が大きく、グロー領域１
４の温度分布全均一化するので、異常グロー放電からア
ーク放電への移行全防止−Ｔることができる。
ｃ、主陽極５ａ、５ｂ、５ｃ、補助陽極６ａ、６ｂお工
びホロー陰極４との間に所要の電圧金印加すると、主陽
極５ａ、５ｂ、５ｃとホロー陰極４間に負グロー放電が
発生する。ここで、金属イオン発生材料９としてＣｄｋ
用いたＨｅ−Ｃｄレーザーの場合について説明すると、
上記負グロー放電の熱損お工び金属溜？ヒータで加熱す
ることによ、ｊ） Ｃｄ蒸気が発生し、これがＨｅ イ
オンなどの励起粒子によって高いエネルギー準位へ遷移
さ九る。この場合、ホロー陰極４全肉厚パイプで形成し
ておくと、熱伝導および熱容量が大きく、グロー領域１
４の温度分布全均一化するので、異常グロー放電からア
ーク放電への移行全防止−Ｔることができる。
Ｈｅ供給源１１はＨｅ圧検出装置と、Ｈｅ供給部とから
なり、常に最適な内部Ｈｅ圧全保っている。
なり、常に最適な内部Ｈｅ圧全保っている。
ヒータ制御回路１０６ は定電流回路１０１〜１０３の
出力電圧全分圧し比電圧の平均値が、基準電圧Ｖｓとな
るようにヒータＩＯＢに供給するヒータ電流全調節して
Ｃｄ蒸気の蒸発量全制御するようになっている。基準電
圧Ｖｓ は次のような値に設定される。
出力電圧全分圧し比電圧の平均値が、基準電圧Ｖｓとな
るようにヒータＩＯＢに供給するヒータ電流全調節して
Ｃｄ蒸気の蒸発量全制御するようになっている。基準電
圧Ｖｓ は次のような値に設定される。
各記号の意味は次の通りでろる。
Ｒ】 ：抵抗ＲＩＱ！ｌ ｒ Ｒｔｘｏ ｌ Ｒ１１２
の抵抗値Ｒ２：抵抗Ｒ１０７＋ Ｒｔｏｓ ｒ Ｒｔ＋
＋ の抵抗値ＶＡ：発振最適陽極電圧 ヒータ１０Ａは陽極の保温用でるり、陽極お工び陽徳取
付部内にＣｄが付Ｎするの？防止しており、このヒータ
に供給する電流は図示しない電源から供給さｎる工うに
なっている。
の抵抗値Ｒ２：抵抗Ｒ１０７＋ Ｒｔｏｓ ｒ Ｒｔ＋
＋ の抵抗値ＶＡ：発振最適陽極電圧 ヒータ１０Ａは陽極の保温用でるり、陽極お工び陽徳取
付部内にＣｄが付Ｎするの？防止しており、このヒータ
に供給する電流は図示しない電源から供給さｎる工うに
なっている。
電圧差検出回路１１３は定電流回路１０１ の両端↑電
圧の差に対応し７′ｃ、電圧を出力し、陽極用可変電圧
源１０γは電圧差検出回路１１３ の出力電圧に基づい
て、電圧差検出回路１１３の入力電圧差が常に一定値、
例えば５０ボルトになるように出力電圧を制御するよう
になっている。
圧の差に対応し７′ｃ、電圧を出力し、陽極用可変電圧
源１０γは電圧差検出回路１１３ の出力電圧に基づい
て、電圧差検出回路１１３の入力電圧差が常に一定値、
例えば５０ボルトになるように出力電圧を制御するよう
になっている。
このように構成され之装置の動作は次の通りでるる。電
源が投入されるとレーザー管１は放電全開始するが、放
電の開始直後はＣｄ蒸気がホロー陰極内に入っていない
几め、主陽極５ａ、５ｂ、５ｃの対地電圧は各陽極の放
電電流ｉ５０ｍＡとし次場合２６０〜２７０ボルト糧度
（ｌｌ＃ｌ極構造、内部のガス圧にエフ多少異なる）で
あるから、陽極用可変電圧源１０７はこれより５０ボル
ト高い３１０〜３２０ボルトの電圧音出力する。放電全
開始して数分間経過してＣｄの蒸気がホロー陰極４に入
９、発振を行なうようになると、主陽極５ａ、５ｂ、５
ｃの対地電圧は３５０〜３６０ボルトになるので、陽極
用可変電圧源１０γはこれエフ５ｏボルト程度高い４０
０〜４１０ボルトの電圧を送出する工うになる。この工
うに、発振初期と安定発振時とで陽極用可変電圧源１０
７の出力電圧？変えることによって、発振初期における
消費電力（定電流回路１０１〜１０３の損失分）を低く
抑えることができる。また、陽極用可変電圧源１０７は
出力電圧によってそれほど効率が変らないようになって
いる。
源が投入されるとレーザー管１は放電全開始するが、放
電の開始直後はＣｄ蒸気がホロー陰極内に入っていない
几め、主陽極５ａ、５ｂ、５ｃの対地電圧は各陽極の放
電電流ｉ５０ｍＡとし次場合２６０〜２７０ボルト糧度
（ｌｌ＃ｌ極構造、内部のガス圧にエフ多少異なる）で
あるから、陽極用可変電圧源１０７はこれより５０ボル
ト高い３１０〜３２０ボルトの電圧音出力する。放電全
開始して数分間経過してＣｄの蒸気がホロー陰極４に入
９、発振を行なうようになると、主陽極５ａ、５ｂ、５
ｃの対地電圧は３５０〜３６０ボルトになるので、陽極
用可変電圧源１０γはこれエフ５ｏボルト程度高い４０
０〜４１０ボルトの電圧を送出する工うになる。この工
うに、発振初期と安定発振時とで陽極用可変電圧源１０
７の出力電圧？変えることによって、発振初期における
消費電力（定電流回路１０１〜１０３の損失分）を低く
抑えることができる。また、陽極用可変電圧源１０７は
出力電圧によってそれほど効率が変らないようになって
いる。
発振状態に達してもＣｄの蒸気圧の変化は放電インピー
ダンスの変動音も之ら丁。陽極電流は定電流回路１０１
〜１０３を介して供給されるｔめ、この放電インピーダ
ンスの変化は定電流回路１０１〜１０３の出力電圧の変
化として現われる。このことにより抵抗１０７〜１１２
によって得られる陽極電圧全分圧した電圧、すなわちヒ
ータ制御回路１０６の入力′電圧が変動する。ここでヒ
ータ制御回路１０６ にこの入力電圧全基準電圧Ｖｓ
と比較して一定になるようにＣｄ金属溜ヒ〜りＩＯＢ
へノミ力全制御しＣｄ蒸蒸気圧金遣適化る。この工う
にして放電の電圧・電流はともに一定となム安定し次元
出力が得らｎることとなる。
ダンスの変動音も之ら丁。陽極電流は定電流回路１０１
〜１０３を介して供給されるｔめ、この放電インピーダ
ンスの変化は定電流回路１０１〜１０３の出力電圧の変
化として現われる。このことにより抵抗１０７〜１１２
によって得られる陽極電圧全分圧した電圧、すなわちヒ
ータ制御回路１０６の入力′電圧が変動する。ここでヒ
ータ制御回路１０６ にこの入力電圧全基準電圧Ｖｓ
と比較して一定になるようにＣｄ金属溜ヒ〜りＩＯＢ
へノミ力全制御しＣｄ蒸蒸気圧金遣適化る。この工う
にして放電の電圧・電流はともに一定となム安定し次元
出力が得らｎることとなる。
なお、第１図の実ｔＭ例においてヒータ匍ｊ御回路１０
６は入力電圧の平均値に基づいてヒータに供給する電流
上制御しており、各金属溜めはヒータ制御回路号共用し
ているが、ヒータ制御回路を個々に設けることに：つて
更に精密な制御が行なえる。
６は入力電圧の平均値に基づいてヒータに供給する電流
上制御しており、各金属溜めはヒータ制御回路号共用し
ているが、ヒータ制御回路を個々に設けることに：つて
更に精密な制御が行なえる。
以上説明し之よ５にこの発明は、複数の陽極に対応する
定電流回路から、陽極を加金供給するとともに陽極電圧
全分圧し比電圧に基づいて金属溜のヒータに供給する電
流全制御して、ホロー陰極４内のＣｄ蒸蒸気圧分布一定
（最適化）にすることで放電の電圧、電流はともに一定
となジ安定々元出力が得られるという効果全音する。
定電流回路から、陽極を加金供給するとともに陽極電圧
全分圧し比電圧に基づいて金属溜のヒータに供給する電
流全制御して、ホロー陰極４内のＣｄ蒸蒸気圧分布一定
（最適化）にすることで放電の電圧、電流はともに一定
となジ安定々元出力が得られるという効果全音する。
第１図はこの発明の一冥流側金示すブロック図、第２図
は第１図に示すレーザー管の■−■断面図でるる。 １・・・φレーザー管、５ ａ 、 ５ｂ 、 ５ｃ・
・・・主陽極、１０Ａ、１０Ｂ ・・・φヒータ、１
０１〜１０５・・Φ・定電流回路、１０６−φ・・ヒー
タ制御回路、１０７・・嗜・陽極用可変電圧源。
は第１図に示すレーザー管の■−■断面図でるる。 １・・・φレーザー管、５ ａ 、 ５ｂ 、 ５ｃ・
・・・主陽極、１０Ａ、１０Ｂ ・・・φヒータ、１
０１〜１０５・・Φ・定電流回路、１０６−φ・・ヒー
タ制御回路、１０７・・嗜・陽極用可変電圧源。
Claims (1)
- 複数の陽極と、この陽極に対応する金属溜めと、金属溜
めを加熱するヒータとを有する金属イオンレーザーにお
いて、それぞれの陽極の電流を一定値に制御する定電流
回路と、定電流回路の出力電圧があらかじめ決められた
所定値となるようにヒータを加熱するヒータ制御回路と
を備えたことを特徴とする金属イオンレーザ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60160079A JPH06101605B2 (ja) | 1985-07-22 | 1985-07-22 | 金属イオンレ−ザ− |
| US06/888,452 US4701925A (en) | 1985-07-22 | 1986-07-21 | Electric control system for a metal ion laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60160079A JPH06101605B2 (ja) | 1985-07-22 | 1985-07-22 | 金属イオンレ−ザ− |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6221284A true JPS6221284A (ja) | 1987-01-29 |
| JPH06101605B2 JPH06101605B2 (ja) | 1994-12-12 |
Family
ID=15707415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60160079A Expired - Lifetime JPH06101605B2 (ja) | 1985-07-22 | 1985-07-22 | 金属イオンレ−ザ− |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4701925A (ja) |
| JP (1) | JPH06101605B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08181366A (ja) * | 1994-12-22 | 1996-07-12 | Nec Corp | イオンレーザ |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61244081A (ja) * | 1985-04-23 | 1986-10-30 | Koito Mfg Co Ltd | 金属イオンレ−ザ− |
| GB2179488B (en) * | 1985-08-22 | 1989-08-23 | English Electric Valve Co Ltd | Laser apparatus |
| JPS63281484A (ja) * | 1987-05-13 | 1988-11-17 | Ushio Inc | ホロ−カソ−ド型金属蒸気レ−ザ管 |
| US4799231A (en) * | 1987-09-24 | 1989-01-17 | Coherent General | Laser gas orifice injection system |
| JPH01243596A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-28 | Ushio Inc | 金属蒸気レーザ装置 |
| US5150375A (en) * | 1989-06-14 | 1992-09-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Substance vaporizing apparatus |
| JPH03293786A (ja) * | 1990-04-12 | 1991-12-25 | Koito Mfg Co Ltd | ホロー陰極型金属蒸気レーザー |
| FR2672163A1 (fr) * | 1991-01-30 | 1992-07-31 | Commissariat Energie Atomique | Source d'alimentation electrique pour laser. |
| US5283800A (en) * | 1991-03-27 | 1994-02-01 | Kabushiki Kaishatoshiba | Metal vapor laser apparatus and method |
| US5401973A (en) * | 1992-12-04 | 1995-03-28 | Atomic Energy Of Canada Limited | Industrial material processing electron linear accelerator |
| JP5172996B2 (ja) * | 2011-07-15 | 2013-03-27 | ファナック株式会社 | 高速、高精度に指令が可能なガスレーザ発振器における指令装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54154990U (ja) * | 1978-04-17 | 1979-10-27 | ||
| JPS5551349A (en) * | 1978-10-11 | 1980-04-15 | Hitachi Ltd | Sodium ionization detector |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3868593A (en) * | 1972-10-17 | 1975-02-25 | Nippon Electric Co | Hollow-cathode laser tube |
| US4021845A (en) * | 1975-10-16 | 1977-05-03 | Xerox Corporation | Laser for generating white light |
| US4193042A (en) * | 1976-07-01 | 1980-03-11 | Xerox Corporation | Self-confined hollow cathode laser |
| US4105954A (en) * | 1976-07-01 | 1978-08-08 | Xerox Corporation | Double-confined multiple anode hollow cathode laser |
| US4052680A (en) * | 1976-07-01 | 1977-10-04 | Xerox Corporation | Metal vapor laser having cataphoresis means |
| US4224579A (en) * | 1978-03-13 | 1980-09-23 | Xerox Corporation | Metal vapor laser discharge tube |
| US4232274A (en) * | 1978-05-30 | 1980-11-04 | Kimmon Electric Co., Ltd. | Metal vapor laser system |
| JPS5550678A (en) * | 1978-10-06 | 1980-04-12 | Kimmon Electric Co Ltd | Laser discharge tube |
| DE3263782D1 (en) * | 1981-11-04 | 1985-06-27 | Kimmon Electric Co | Laser discharge tube |
| JPS5878484A (ja) * | 1981-11-04 | 1983-05-12 | Kimmon Electric Co Ltd | レ−ザ− |
| DE3581779D1 (de) * | 1984-10-12 | 1991-03-28 | Hiromi Kawase | Metallionenlaser vom hohlkathodentyp. |
-
1985
- 1985-07-22 JP JP60160079A patent/JPH06101605B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1986
- 1986-07-21 US US06/888,452 patent/US4701925A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54154990U (ja) * | 1978-04-17 | 1979-10-27 | ||
| JPS5551349A (en) * | 1978-10-11 | 1980-04-15 | Hitachi Ltd | Sodium ionization detector |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08181366A (ja) * | 1994-12-22 | 1996-07-12 | Nec Corp | イオンレーザ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06101605B2 (ja) | 1994-12-12 |
| US4701925A (en) | 1987-10-20 |
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