JPS61244081A - 金属イオンレ−ザ− - Google Patents
金属イオンレ−ザ−Info
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- JPS61244081A JPS61244081A JP60085362A JP8536285A JPS61244081A JP S61244081 A JPS61244081 A JP S61244081A JP 60085362 A JP60085362 A JP 60085362A JP 8536285 A JP8536285 A JP 8536285A JP S61244081 A JPS61244081 A JP S61244081A
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- Japan
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- laser tube
- cathode
- laser
- windows
- anodes
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/031—Metal vapour lasers, e.g. metal vapour generation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/034—Optical devices within, or forming part of, the tube, e.g. windows, mirrors
- H01S3/0346—Protection of windows or mirrors against deleterious effects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はブリュースター窓が金属蒸気の付着によって汚
れるのを防止し、出力の安定化並びにブリュースター窓
の長寿命化を可能にした金属イオンレーザ−に関する。
れるのを防止し、出力の安定化並びにブリュースター窓
の長寿命化を可能にした金属イオンレーザ−に関する。
近年、ホロー陰極放電を用いた金属イオンレーザ−が種
々提案されている。この種のレーザーはその励起の強さ
から多色発振が可能で、現在のところHe−caイオン
レーザ−では12本の発振線が観測されておシ、その中
には光三原色の赤、青、緑が含まれ、液体レーザーおよ
び固体レーザーにみられない優れた特色を有している。
々提案されている。この種のレーザーはその励起の強さ
から多色発振が可能で、現在のところHe−caイオン
レーザ−では12本の発振線が観測されておシ、その中
には光三原色の赤、青、緑が含まれ、液体レーザーおよ
び固体レーザーにみられない優れた特色を有している。
ところで、レーザー管のブリュースター窓が取付けられ
ている両端部は主陽極、補助陽極等が配設されている中
央部分に比べて温度が低く、そのためレーザー活性領域
内の金属蒸気が両端部に移動すると、両端部内周面およ
びブリュースター窓に付着し、特に該窓が金属蒸気の付
着凝固によシ汚れると発振出力が徐々に低下し、安定し
た性能が得られなくなるという不都合があった。
ている両端部は主陽極、補助陽極等が配設されている中
央部分に比べて温度が低く、そのためレーザー活性領域
内の金属蒸気が両端部に移動すると、両端部内周面およ
びブリュースター窓に付着し、特に該窓が金属蒸気の付
着凝固によシ汚れると発振出力が徐々に低下し、安定し
た性能が得られなくなるという不都合があった。
本発明に係る金属イオンレーザ−は上述したような不都
合を解決すべくなされたもので、ブリュースター窓に近
いレーザー管の端部に冷却装置を配設して構成したもの
である。
合を解決すべくなされたもので、ブリュースター窓に近
いレーザー管の端部に冷却装置を配設して構成したもの
である。
本発明においては、冷却装置によって金属蒸気を捕捉す
るため、金属蒸気がブリ1−スター窓まで到達せず、し
たがって該窓の汚れを防止する。
るため、金属蒸気がブリ1−スター窓まで到達せず、し
たがって該窓の汚れを防止する。
以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明
する。
する。
第1図は金属イオンレーザ−の一実施例を示すレーザー
管の縦断面図、第2図は同レーザーの一部破断斜視図、
第3図は第1図1−1線断面図である。これらの図にお
いて、1はH・ガスを封入したレーザー管、2,3はブ
リュースター窓、4はホロー陰極、5m、5b、5cは
主陽極、15m、(ibは補助陽極、7は陰極、am、
ab、acはCd金属等の金属イオン発生材料9の溜部
、10A、IOBはセラミック上−H但し第2図では省
略)、11は)lsiガス供給源、12はレーザー管1
内の不純物を取シ除くためのゲッター、13は陽光柱放
電通路、14はグロー領域、15は陰極暗部、16m。
管の縦断面図、第2図は同レーザーの一部破断斜視図、
第3図は第1図1−1線断面図である。これらの図にお
いて、1はH・ガスを封入したレーザー管、2,3はブ
リュースター窓、4はホロー陰極、5m、5b、5cは
主陽極、15m、(ibは補助陽極、7は陰極、am、
ab、acはCd金属等の金属イオン発生材料9の溜部
、10A、IOBはセラミック上−H但し第2図では省
略)、11は)lsiガス供給源、12はレーザー管1
内の不純物を取シ除くためのゲッター、13は陽光柱放
電通路、14はグロー領域、15は陰極暗部、16m。
16b*t6at16dはインバー、17は基台、18
は各インバー16m、16b、16c、16dに取付け
られレーザー管1を保持固定する調整ねじ、19はカバ
ーである。
は各インバー16m、16b、16c、16dに取付け
られレーザー管1を保持固定する調整ねじ、19はカバ
ーである。
前記ホロー陰極4は、例えばステンレス等からなる導電
性の肉厚パイプで形成されて、その中心孔が前記グロー
領域14の発生する陰極ボア21を構成し、該ホロー陰
極4の両端面にはセラミックス等からなる筒状の絶縁体
22m、22bが嵌合固定され、また前記各主陽極5m
、5b、5aに対応する周面には透孔がそれぞれ形成さ
れ、との透孔にはリング状の絶縁体23m、23b、2
3cがそれぞれ嵌合固定されている。このような絶縁体
22a。
性の肉厚パイプで形成されて、その中心孔が前記グロー
領域14の発生する陰極ボア21を構成し、該ホロー陰
極4の両端面にはセラミックス等からなる筒状の絶縁体
22m、22bが嵌合固定され、また前記各主陽極5m
、5b、5aに対応する周面には透孔がそれぞれ形成さ
れ、との透孔にはリング状の絶縁体23m、23b、2
3cがそれぞれ嵌合固定されている。このような絶縁体
22a。
22b、23m、23b、23cは、H・ イオンによ
るスパッタリングによりホロー陰極4の表面から飛び出
した陰極物質が主陽極5115b15OK付着凝固した
シ、この陰極物質によシホロー陰極4と主陽極5m、5
b、5cの短絡したシするのを防止する上で有効とされ
る。
るスパッタリングによりホロー陰極4の表面から飛び出
した陰極物質が主陽極5115b15OK付着凝固した
シ、この陰極物質によシホロー陰極4と主陽極5m、5
b、5cの短絡したシするのを防止する上で有効とされ
る。
前記各主陽極5m、5b、5aはタングステン、モリブ
デン等によって製作され、第4図に示すようにレーザー
管1に設けられた筒状の取付は部2Tに挿入されている
。この場合、主陽極5m、5b。
デン等によって製作され、第4図に示すようにレーザー
管1に設けられた筒状の取付は部2Tに挿入されている
。この場合、主陽極5m、5b。
5cは、その材質に応じた封着用ガラス28に封着され
、このガラス28が前記取付は部2Tの開口端に溶着さ
れている0また、各主陽極5m、5by5Cの先端部は
放電効果を高めると共に放電に伴う損耗を防止するため
略円錐状に形成され、前記絶縁体23 a v 23
b t 23 cの外側面との間に僅かな間隔d1が設
定されておシ、これKよってホロー陰極4をレーザー管
1内に嵌合する際、ホロー陰極4が主陽極5m、5b、
5cの先端部に当って破損するのを防止している。そし
て、主陽極5m、5b。
、このガラス28が前記取付は部2Tの開口端に溶着さ
れている0また、各主陽極5m、5by5Cの先端部は
放電効果を高めると共に放電に伴う損耗を防止するため
略円錐状に形成され、前記絶縁体23 a v 23
b t 23 cの外側面との間に僅かな間隔d1が設
定されておシ、これKよってホロー陰極4をレーザー管
1内に嵌合する際、ホロー陰極4が主陽極5m、5b、
5cの先端部に当って破損するのを防止している。そし
て、主陽極5m、5b。
5Cの間隔は比較的狭く、例えば活性長30cI&。
ボア径(D)3.5mの場合、2cIn程度に設定され
ている。
ている。
前記各溜部Qm、8b*8’は、レーザー管1を膨出さ
れることによシ形成され、前記ホロー陰極4に形成され
たスリット30 a e 30 b p 30 eによ
シ前記グロー領域14とそれぞれ連通している。まえ、
溜部8m、8b、、8cは、前記主陽極5m、5b、5
aの間隔ピッチとほぼ等しく、かつ主陽極5m、5b。
れることによシ形成され、前記ホロー陰極4に形成され
たスリット30 a e 30 b p 30 eによ
シ前記グロー領域14とそれぞれ連通している。まえ、
溜部8m、8b、、8cは、前記主陽極5m、5b、5
aの間隔ピッチとほぼ等しく、かつ主陽極5m、5b。
5cとは1ピツチだけずれて設けられている。
前記補助陽極La、6bは前記ブリュースター窓2.3
を保護するためのもので、前記主陽極5m。
を保護するためのもので、前記主陽極5m。
5b、5cと同様封着用ガラス35をレーザー管1に配
設され、前記ホロー陰極4の両側に位置している。
設され、前記ホロー陰極4の両側に位置している。
前記陰極7は前記主陽極5m、5b、5eおよび補助陽
極4と同様、レーザー管1に封着用ガラス36を介して
配設されているが、その内端は前記ホロー陰極4の外周
筒に直接接触している。
極4と同様、レーザー管1に封着用ガラス36を介して
配設されているが、その内端は前記ホロー陰極4の外周
筒に直接接触している。
前記レーザー管10両端部外周面には本発明を特徴づけ
る冷却装置40がそれぞれ配設されている。各冷却装置
40はサーモモジュールからなシ、第5図に示すように
前記レーザー管1の上下に対向する如く一対づつ設けら
れている。
る冷却装置40がそれぞれ配設されている。各冷却装置
40はサーモモジュールからなシ、第5図に示すように
前記レーザー管1の上下に対向する如く一対づつ設けら
れている。
このような構成において、主陽極5m、5b、5a補助
陽極6m、8b′s?よびホロー陰極4との間に所要の
電圧を印加すると、前記主陽極5m、5b、5cと前記
ホロー陰極4間に負グロー放電が発生する。
陽極6m、8b′s?よびホロー陰極4との間に所要の
電圧を印加すると、前記主陽極5m、5b、5cと前記
ホロー陰極4間に負グロー放電が発生する。
ここで、金属イオン発生材料9としてCdを用いたH・
−Cdレーザーの場合について説明すると、上記負グロ
放電の黒損によjDcd蒸気が発生し、これがH・イオ
ンなどの励起粒子によって高いエネルギー準位へ遷移さ
れる0この場合、前記ホロ−陰極4は肉厚パイプで形成
されているため、熱伝導および熱容量が大きく、グロー
領域13の温度分布を均一にするので、異常グロー放電
からアーク放電への移行は防止される。しかし、ブリュ
ースター窓2,3に近いレーザー管1の端部付近は、ホ
ロー陰極4が設けられている中央部に比べて温度が低く
、そのため、Cd蒸気およびH・イオンによシスバッタ
リングされた陰極物質は、レーザー管1の端部内局面お
よびブリュースター窓2.3の内面に付着凝固する。そ
こで、レーザー管1の端部に冷却装置40.41をそれ
ぞれ配設し、これによってレーザー管1の端部を冷却す
ると、中央部よシブリュースター窓2,3方向に向う前
記Cd蒸気および陰極物質43は、その手前でレーザー
管1の内周面に付着凝固し、前記プリ1−スター窓2,
31で到達することができず、したがって該窓2,3が
汚れず、安定したレーザー発振を行う。
−Cdレーザーの場合について説明すると、上記負グロ
放電の黒損によjDcd蒸気が発生し、これがH・イオ
ンなどの励起粒子によって高いエネルギー準位へ遷移さ
れる0この場合、前記ホロ−陰極4は肉厚パイプで形成
されているため、熱伝導および熱容量が大きく、グロー
領域13の温度分布を均一にするので、異常グロー放電
からアーク放電への移行は防止される。しかし、ブリュ
ースター窓2,3に近いレーザー管1の端部付近は、ホ
ロー陰極4が設けられている中央部に比べて温度が低く
、そのため、Cd蒸気およびH・イオンによシスバッタ
リングされた陰極物質は、レーザー管1の端部内局面お
よびブリュースター窓2.3の内面に付着凝固する。そ
こで、レーザー管1の端部に冷却装置40.41をそれ
ぞれ配設し、これによってレーザー管1の端部を冷却す
ると、中央部よシブリュースター窓2,3方向に向う前
記Cd蒸気および陰極物質43は、その手前でレーザー
管1の内周面に付着凝固し、前記プリ1−スター窓2,
31で到達することができず、したがって該窓2,3が
汚れず、安定したレーザー発振を行う。
また、各主陽極5m、5b、5cの内部をホロー陰極4
の外側に位置させておくと、該陰極4のレーザ管1内へ
の挿入を可能にするばかシか、陰極物質がレーザー管1
の取付は部27内に侵入し付着凝固するのを防止する。
の外側に位置させておくと、該陰極4のレーザ管1内へ
の挿入を可能にするばかシか、陰極物質がレーザー管1
の取付は部27内に侵入し付着凝固するのを防止する。
すなわち、主陽極5 a * 5 b * 5 eをホ
ロー陰極4の外側に位置させると、絶縁体23m、23
b、23aの中心孔に挿入しその内端を陰極面、すなわ
ち陰極ボア13と面一にした場合もしくは該ボア13内
に突出させた場合に比べて、放電熱で前記取付は部27
の内面全体を焼き、周囲の陰極温度よシ高くすると同時
にH・イオンでスパッタリングするため、Cd蒸気およ
び陰極物質の付着が殆んど起らず、また放電の背後(取
付は部27の奥側)に入シ込もうとするCd蒸気は、主
陽極5m、5b。
ロー陰極4の外側に位置させると、絶縁体23m、23
b、23aの中心孔に挿入しその内端を陰極面、すなわ
ち陰極ボア13と面一にした場合もしくは該ボア13内
に突出させた場合に比べて、放電熱で前記取付は部27
の内面全体を焼き、周囲の陰極温度よシ高くすると同時
にH・イオンでスパッタリングするため、Cd蒸気およ
び陰極物質の付着が殆んど起らず、また放電の背後(取
付は部27の奥側)に入シ込もうとするCd蒸気は、主
陽極5m、5b。
5cの真下にある陽光柱放電の電気泳動効果によって吹
き返し、前記絶縁体23m、23b、23c、前記取付
は部2Tおよび封着ガラス28への付着を防止する。し
たがって、主陽極5m、5b、5aとホロー陰極4とが
短絡して同電位になることがなく、初期状態を良好に維
持し、安定な放電を得ることができる。なお、補助陽極
6m、6bについても同様である。
き返し、前記絶縁体23m、23b、23c、前記取付
は部2Tおよび封着ガラス28への付着を防止する。し
たがって、主陽極5m、5b、5aとホロー陰極4とが
短絡して同電位になることがなく、初期状態を良好に維
持し、安定な放電を得ることができる。なお、補助陽極
6m、6bについても同様である。
また、主陽極5m、5b、Seaその間隔が狭く設定さ
れているので、ホロー陰極4の陰極面をH・イオンが絶
えずスパッタリングし、該陰極面21の状態をきれいに
する0 また、陰極ボア21と各溜部13m、8b、13cとを
スリン)30m、30b、30eで連通すると、該溜部
8m、8b、8cをグロー領域14から実質的に離すこ
とができるので、プラズマが各溜部8m、13b。
れているので、ホロー陰極4の陰極面をH・イオンが絶
えずスパッタリングし、該陰極面21の状態をきれいに
する0 また、陰極ボア21と各溜部13m、8b、13cとを
スリン)30m、30b、30eで連通すると、該溜部
8m、8b、8cをグロー領域14から実質的に離すこ
とができるので、プラズマが各溜部8m、13b。
8cK入シ込むのを防止する。したがって、Heイオン
のスパッタリングによってCd蒸気が過多になることが
なく、陰極温度のみによってCd蒸気圧を制御できる利
点を有している。
のスパッタリングによってCd蒸気が過多になることが
なく、陰極温度のみによってCd蒸気圧を制御できる利
点を有している。
ここで、冷却装置40としては種々の変更が可能で、例
えば第6図〜10図に示すものであってもよい。すなわ
ち、第6図は、レーザー管1に金属等の熱伝導度の高い
材料からなるブロック50を単に配設し、このブロック
50を外気で冷やし、冷却装置としたものである。第7
図および第8図はレーザー管1の端部外周に放熱板51
を介してファン52を配設したもの、第9図は前述した
冷却装置40に加えて、レーザー管1の内部にCd蒸気
および陰極物質を捕捉する金網54を配設したもの、そ
して第10図は金属棒55をレーザー管1内に挿入し、
その外端を外気で冷やすようにしたものである。
えば第6図〜10図に示すものであってもよい。すなわ
ち、第6図は、レーザー管1に金属等の熱伝導度の高い
材料からなるブロック50を単に配設し、このブロック
50を外気で冷やし、冷却装置としたものである。第7
図および第8図はレーザー管1の端部外周に放熱板51
を介してファン52を配設したもの、第9図は前述した
冷却装置40に加えて、レーザー管1の内部にCd蒸気
および陰極物質を捕捉する金網54を配設したもの、そ
して第10図は金属棒55をレーザー管1内に挿入し、
その外端を外気で冷やすようにしたものである。
さらに、前記レーザー管1は第2図鎖線で示す排気ファ
ン60によって強制風冷されている。排気77ン60は
カバー19の上面長手方向略中央部に配設されている。
ン60によって強制風冷されている。排気77ン60は
カバー19の上面長手方向略中央部に配設されている。
一方、基台1Tの中央にはその長手方向に延在し、両端
に大きな丸孔63を有するスリット孔62が形成されて
いる。排気フ7/80によってカバー19内の空気を排
出すると、スリット孔B2から外気が流入し、この空気
流によってレーザー管1を冷却するが、この時丸孔63
から流入する空気の量は、スリット孔62から流入する
空気量に比べて多く、これによってレーザー管1の端部
の冷却効果を高めている。
に大きな丸孔63を有するスリット孔62が形成されて
いる。排気フ7/80によってカバー19内の空気を排
出すると、スリット孔B2から外気が流入し、この空気
流によってレーザー管1を冷却するが、この時丸孔63
から流入する空気の量は、スリット孔62から流入する
空気量に比べて多く、これによってレーザー管1の端部
の冷却効果を高めている。
前記レーザー管1の材質としては通常パイレックスガラ
スが使用され、その取付は部2Tに第4図に示したよう
に封着用ガラス28を介して主陽極5m、5b、5e
(補助陽極6m、6bも同様)を配設したが、 Cd蒸
気による封着用ガラス2Bの破損、損傷を防止すべく、
取付部2Tおよび封着用ガラス28の内側面に第11図
に示す如くパイレックスガラスTOを固定し、保膿する
ようにしてもよい。この場合、このパイレックスガラス
によシ形成された凹部内にCd9を溜めることが可能と
なる。封着用ガラス28としてはレーザー管1の熱膨張
係数と略等しいガラスが使用され、パイレックスガラス
でレーザー管1を製作し陽極5m。
スが使用され、その取付は部2Tに第4図に示したよう
に封着用ガラス28を介して主陽極5m、5b、5e
(補助陽極6m、6bも同様)を配設したが、 Cd蒸
気による封着用ガラス2Bの破損、損傷を防止すべく、
取付部2Tおよび封着用ガラス28の内側面に第11図
に示す如くパイレックスガラスTOを固定し、保膿する
ようにしてもよい。この場合、このパイレックスガラス
によシ形成された凹部内にCd9を溜めることが可能と
なる。封着用ガラス28としてはレーザー管1の熱膨張
係数と略等しいガラスが使用され、パイレックスガラス
でレーザー管1を製作し陽極5m。
5b、5c、補助陽極6m、6bにタングステンを用い
た場合、タングステン溶封ガラスが用いられる。
た場合、タングステン溶封ガラスが用いられる。
また、封着用ガラス28は第4図に示す断面形状のもの
に限らず、第12図に示すような単なる円筒状とし、レ
ーザー管1の取付は部27t−#らかじめ鎖線で示す如
く筒状に形成し、これを加熱して先端開口部を前記封着
用ガラス28の外周面に圧着してもよい。さらに、第1
2図人に示すように封着用ガラス28をバイレツクスガ
ラスノ1/−ザー管1の側壁に直接溶着させてもよい。
に限らず、第12図に示すような単なる円筒状とし、レ
ーザー管1の取付は部27t−#らかじめ鎖線で示す如
く筒状に形成し、これを加熱して先端開口部を前記封着
用ガラス28の外周面に圧着してもよい。さらに、第1
2図人に示すように封着用ガラス28をバイレツクスガ
ラスノ1/−ザー管1の側壁に直接溶着させてもよい。
レーザー管1とホロー陰極4とは熱膨張係数が異なり、
ホロー陰極4の方が大であるため、i*s極4の膨張を
吸収すべく該レーザー管1の内周面との間に適宜な隙間
を設けるとよい。その場合、第13図に示すように、レ
ーザー管1の一部分、す表わちホロー陰極4の湖に嵌合
された絶縁体22m、22bに対応する部分に小径部7
5を形成し、この小径部75によυ前記絶縁体22m、
22bを固定保持するようにするとよい。i九、ホロー
陰極4の軸方向の膨張は、ホロー陰極4と絶縁体22&
、22bとを軸方向に相対移動自在に嵌合し、これら両
者間の隙間rr、raで吸収するようにするとよい。な
お、レーザー管1とホロー陰極4との間に形成された隙
間T9は、その両端が前記小径部75と絶縁体22m、
22bとで寒がれているので、該隙間79を通ってCd
蒸気がブリ1−スター窓方向に行くことはない0 なお、本実施例において社3本の主陽極5&。
ホロー陰極4の方が大であるため、i*s極4の膨張を
吸収すべく該レーザー管1の内周面との間に適宜な隙間
を設けるとよい。その場合、第13図に示すように、レ
ーザー管1の一部分、す表わちホロー陰極4の湖に嵌合
された絶縁体22m、22bに対応する部分に小径部7
5を形成し、この小径部75によυ前記絶縁体22m、
22bを固定保持するようにするとよい。i九、ホロー
陰極4の軸方向の膨張は、ホロー陰極4と絶縁体22&
、22bとを軸方向に相対移動自在に嵌合し、これら両
者間の隙間rr、raで吸収するようにするとよい。な
お、レーザー管1とホロー陰極4との間に形成された隙
間T9は、その両端が前記小径部75と絶縁体22m、
22bとで寒がれているので、該隙間79を通ってCd
蒸気がブリ1−スター窓方向に行くことはない0 なお、本実施例において社3本の主陽極5&。
5b、5’cをレーザー管1の上面に横−例に配設した
が、その数に何ら特定されるものではなく、第14図に
示すように上面よシ左右にずらし、横二列に配設し丸も
のであってもよい0その場合、左右の主陽極は、千鳥状
に配列され、またこのような配列においては、主陽極間
の間隔を一層狭めることができ、レーザー管1の小型化
と高出力が得られる。
が、その数に何ら特定されるものではなく、第14図に
示すように上面よシ左右にずらし、横二列に配設し丸も
のであってもよい0その場合、左右の主陽極は、千鳥状
に配列され、またこのような配列においては、主陽極間
の間隔を一層狭めることができ、レーザー管1の小型化
と高出力が得られる。
以上述べたように本発明に係る金属イオンレーザ−は、
レーザー管の端部付近に冷却装置を配設したので、該レ
ーザー管内の金属蒸気がブリュースター窓に到達するま
でに前記冷却装置の処で凝固し、ブリュースター窓を汚
すことがなく、シたがって長期に亘って安定したレーザ
ー出力を得ることができる。
レーザー管の端部付近に冷却装置を配設したので、該レ
ーザー管内の金属蒸気がブリュースター窓に到達するま
でに前記冷却装置の処で凝固し、ブリュースター窓を汚
すことがなく、シたがって長期に亘って安定したレーザ
ー出力を得ることができる。
第1図は本発明に係る金属イオンレーザ−の一実施例を
示すレーザー管の縦断面図、第2図は同レーザーの一部
破断斜視図、第3図は第1図夏−1!断面図、第4図は
レーザー管の要部拡大断面図、第5図は第1図■−v線
断面図、第6図〜第1G図はそれぞれ冷却装置の他の実
施例を示す断面図で、特に第8図は第7図Vl−■線断
面図、第11図、第12図および第12図人はそれぞれ
主陽極の他の取付は構造を示す断面図、第13図はホロ
ー陰極の他の取付は構造を示す断面図、第14図はレー
ザー管の他の実施例を示す断面図である。 1・・・レーザー管、2・・・ブリュースター窓、40
・・・冷却装置。
示すレーザー管の縦断面図、第2図は同レーザーの一部
破断斜視図、第3図は第1図夏−1!断面図、第4図は
レーザー管の要部拡大断面図、第5図は第1図■−v線
断面図、第6図〜第1G図はそれぞれ冷却装置の他の実
施例を示す断面図で、特に第8図は第7図Vl−■線断
面図、第11図、第12図および第12図人はそれぞれ
主陽極の他の取付は構造を示す断面図、第13図はホロ
ー陰極の他の取付は構造を示す断面図、第14図はレー
ザー管の他の実施例を示す断面図である。 1・・・レーザー管、2・・・ブリュースター窓、40
・・・冷却装置。
Claims (1)
- レーザー管のブリュースター窓に近い部分に冷却装置を
配置したことを特徴とする金属イオンレーザー。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60085362A JPS61244081A (ja) | 1985-04-23 | 1985-04-23 | 金属イオンレ−ザ− |
US07/166,822 US4794612A (en) | 1985-04-23 | 1988-03-04 | Metal ion laser |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60085362A JPS61244081A (ja) | 1985-04-23 | 1985-04-23 | 金属イオンレ−ザ− |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61063031A Division JPH06101599B2 (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | 金属イオンレ−ザ− |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61244081A true JPS61244081A (ja) | 1986-10-30 |
Family
ID=13856600
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60085362A Pending JPS61244081A (ja) | 1985-04-23 | 1985-04-23 | 金属イオンレ−ザ− |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4794612A (ja) |
JP (1) | JPS61244081A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB8627928D0 (en) * | 1986-11-21 | 1986-12-31 | English Electric Valve Co Ltd | Laser apparatus |
DE3832930A1 (de) * | 1988-09-28 | 1990-03-29 | Lambda Physik Forschung | Zuendstift fuer die vorionisierung eines gasentladungslasers |
US5150375A (en) * | 1989-06-14 | 1992-09-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Substance vaporizing apparatus |
GB2233814B (en) * | 1989-07-10 | 1994-06-22 | Toshiba Kk | Laser apparatus |
JPH03293786A (ja) * | 1990-04-12 | 1991-12-25 | Koito Mfg Co Ltd | ホロー陰極型金属蒸気レーザー |
DE19744060C2 (de) * | 1997-10-06 | 1999-08-12 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren und Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von Substraten |
KR100490048B1 (ko) * | 2001-06-19 | 2005-05-17 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 제조용 인라인 시스템 및 이를 이용하는 액정 표시 장치의 제조 방법 |
US10276999B1 (en) * | 2018-01-17 | 2019-04-30 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Flowing gas, laser pumped, alkali metal laser with thermal confinement of alkali metal |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS54151394A (en) * | 1978-02-15 | 1979-11-28 | Liconix | Method of and device for maintaining gas laser buffer gas pressure constant |
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US3624548A (en) * | 1969-04-09 | 1971-11-30 | Bell Telephone Labor Inc | Discharge tube configuration of metal-vapor ion laser |
US3719899A (en) * | 1971-04-11 | 1973-03-06 | O Breaux | Stabilized, optimizable, gaseous electrical discharge |
US3868593A (en) * | 1972-10-17 | 1975-02-25 | Nippon Electric Co | Hollow-cathode laser tube |
JPS5413356B2 (ja) * | 1975-03-13 | 1979-05-30 | ||
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US4052680A (en) * | 1976-07-01 | 1977-10-04 | Xerox Corporation | Metal vapor laser having cataphoresis means |
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JPS60128685A (ja) * | 1983-12-16 | 1985-07-09 | Koito Mfg Co Ltd | 金属イオンレ−ザ− |
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JPH06101605B2 (ja) * | 1985-07-22 | 1994-12-12 | 株式会社小糸製作所 | 金属イオンレ−ザ− |
-
1985
- 1985-04-23 JP JP60085362A patent/JPS61244081A/ja active Pending
-
1988
- 1988-03-04 US US07/166,822 patent/US4794612A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54151394A (en) * | 1978-02-15 | 1979-11-28 | Liconix | Method of and device for maintaining gas laser buffer gas pressure constant |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4794612A (en) | 1988-12-27 |
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