JPS61281565A - 金属イオンレ−ザ− - Google Patents
金属イオンレ−ザ−Info
- Publication number
- JPS61281565A JPS61281565A JP12282185A JP12282185A JPS61281565A JP S61281565 A JPS61281565 A JP S61281565A JP 12282185 A JP12282185 A JP 12282185A JP 12282185 A JP12282185 A JP 12282185A JP S61281565 A JPS61281565 A JP S61281565A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cathode
- vapor
- hollow
- tube
- brewster
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/034—Optical devices within, or forming part of, the tube, e.g. windows, mirrors
- H01S3/0346—Protection of windows or mirrors against deleterious effects
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/031—Metal vapour lasers, e.g. metal vapour generation
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は金属蒸気によるブリュースター窓の汚染を防止
し、出力の安定化針よびブリュースター窓の長寿命化奪
回能にした金属イオンレーザ−に、関する。
し、出力の安定化針よびブリュースター窓の長寿命化奪
回能にした金属イオンレーザ−に、関する。
近年、ホロー陰極放電を用いた金属イオンレーザ−が種
々提案されている。この種のレーザーはその励起の強さ
から多色発振が可能で、現在のところＨｅ−Ｃｄイオン
レーザ−では１２本の発振線が観測されてセリ、その中
には光三原色の赤、青。
々提案されている。この種のレーザーはその励起の強さ
から多色発振が可能で、現在のところＨｅ−Ｃｄイオン
レーザ−では１２本の発振線が観測されてセリ、その中
には光三原色の赤、青。
緑が含まれ、液体レーザーおよび固体レーザーにみられ
ない優れた特色を有している。
ない優れた特色を有している。
ところで、レーザー箸のブリュースター窓が取付けられ
ている両端部は、主陽極、補助陽極、金属イオン発生材
料を加熱するだめの加熱手段等が配設されている中央部
分に比べて温度が低く、そのためレーザー活性領域内の
金属蒸気は両端部に向って移動し、両端部内周面および
ブリュースター窓の内面に付着する。この場合、萄にブ
リュースター窓が金属蒸気の付着凝固によって汚染され
る゛と一発振出力が徐々に低１下し、安定した性能が得
られなくなるという問題があった。 ｌ〔問題点を
解決するための手段〕 ・本発明に係る金属
・イオンレーザ−は上述した・ような問題を解決すべく
なきれたもので、レーザ・−管の内部で補助陽極とブリ
ュースター窓との間に小径部を設け、該小径部と、ホロ
ー陰極の端縁に取付けられた絶縁体表の間に金属蒸気溜
め用空室を形成したものである。
ている両端部は、主陽極、補助陽極、金属イオン発生材
料を加熱するだめの加熱手段等が配設されている中央部
分に比べて温度が低く、そのためレーザー活性領域内の
金属蒸気は両端部に向って移動し、両端部内周面および
ブリュースター窓の内面に付着する。この場合、萄にブ
リュースター窓が金属蒸気の付着凝固によって汚染され
る゛と一発振出力が徐々に低１下し、安定した性能が得
られなくなるという問題があった。 ｌ〔問題点を
解決するための手段〕 ・本発明に係る金属
・イオンレーザ−は上述した・ような問題を解決すべく
なきれたもので、レーザ・−管の内部で補助陽極とブリ
ュースター窓との間に小径部を設け、該小径部と、ホロ
ー陰極の端縁に取付けられた絶縁体表の間に金属蒸気溜
め用空室を形成したものである。
本発明においては、レーザー管の温度勾配による金属蒸
気の移動通路中に小径部を設け、該通路を絞っているの
で、金属蒸気の移動量が減少し、ブリュースター窓の汚
染を防止する。
気の移動通路中に小径部を設け、該通路を絞っているの
で、金属蒸気の移動量が減少し、ブリュースター窓の汚
染を防止する。
ｒ実施例〕
以下、本発明を図面に示す実姉例に基づいて詳細に説明
する。
する。
第１図は本発明に係る金属イオンレーザ−の一実施例を
示す縦断面図、第２図は第１図■−■線断面図である。
示す縦断面図、第２図は第１図■−■線断面図である。
これらの図において、１はＨｅ ガスを封入したレーザ
ー管、２．３はブリュースター管、４はホロー陰極、５
ｍ ＋ ５ｂ 、５ ｃは主陽極、６ａ。
ー管、２．３はブリュースター管、４はホロー陰極、５
ｍ ＋ ５ｂ 、５ ｃは主陽極、６ａ。
６ｂは主陽極５ｍ 、 ５ｂ 、 ５ｃの両側に配役さ
れた補助陽極、１は陰極、１３ ａ 、８ｂ ＋ ８
ｃ ＶｉＣｄ全Ｃｄの金属イオン発生材料９の溜部、１
０Ａ、１０Ｂはセラミックヒータ−１１１はＨｅ ガス
供給源、１２はレーザー管１内の不純物を取り除くため
のゲッター、１３は陽光柱放電通路、１４はグロー領域
、１５は陰極暗部である。
れた補助陽極、１は陰極、１３ ａ 、８ｂ ＋ ８
ｃ ＶｉＣｄ全Ｃｄの金属イオン発生材料９の溜部、１
０Ａ、１０Ｂはセラミックヒータ−１１１はＨｅ ガス
供給源、１２はレーザー管１内の不純物を取り除くため
のゲッター、１３は陽光柱放電通路、１４はグロー領域
、１５は陰極暗部である。
前記ホロー陰極４は、例えばステンレス等からなる導電
性の肉厚パイプで形成でれ、その中心孔が前記グロー領
域１４の発生する陰極ボア２１を構成し、該ホロー陰極
４の両端にはセラミックス等からなる筒状の絶縁体２２
ａ、 ２２ｂがそれぞれ嵌合固定され、また前記各主陽
極５ａ、５ｂ、５ｃに対応する周面には透孔がそれぞれ
形成され、との透孔にもセラミックス等からなるリング
状の絶縁体２３ａ。
性の肉厚パイプで形成でれ、その中心孔が前記グロー領
域１４の発生する陰極ボア２１を構成し、該ホロー陰極
４の両端にはセラミックス等からなる筒状の絶縁体２２
ａ、 ２２ｂがそれぞれ嵌合固定され、また前記各主陽
極５ａ、５ｂ、５ｃに対応する周面には透孔がそれぞれ
形成され、との透孔にもセラミックス等からなるリング
状の絶縁体２３ａ。
２３ｂ、２３ａがそれぞれ嵌合固定されている。このよ
うな絶縁体２２ｍ、２２ｂ、２３ａ、２３ｂ、２３ｃは
、Ｈｅ イオンによるスパッタリングによりホロー陰極
４の表面から飛び出した陰極物質が主陽極５ａ、５ｂ、
５ｃに付着凝固したり、この陰極物質によりホロー陰極
４と主陽極５ａ、５ｂ、５ｃが短絡したりするのを防ｒ
ｋ＝する上で有効とされる。
うな絶縁体２２ｍ、２２ｂ、２３ａ、２３ｂ、２３ｃは
、Ｈｅ イオンによるスパッタリングによりホロー陰極
４の表面から飛び出した陰極物質が主陽極５ａ、５ｂ、
５ｃに付着凝固したり、この陰極物質によりホロー陰極
４と主陽極５ａ、５ｂ、５ｃが短絡したりするのを防ｒ
ｋ＝する上で有効とされる。
前記主陽極５ｍ 、 ５ｂ 、 ５ｃはタングステン、
モリブデン等によって製作きれ、第３図に示すようにレ
ーザー管１に設けられた筒状の取付は部２７に封着用ガ
ラス２８を介して取付けられている。また、各主陽極５
ＪＬ Ｔ ５ ｂ Ｔ ５ ｃの挿入端は放電効果を
高めると共に放電に伴う焼損を防止するため略円錐形状
もしくは截頭円錐形状に形成されて前記絶縁体２３ａ
、 ２３ｂ 、 ２３ｃの外周面との間に僅か々間隔ｄ
０が設定されており、これによってホロー陰極４をレー
ザー管１内に嵌合する際、ホロー陰極４が主陽極５ｍ
、 ５ｂ 、 ５ｃに当って破損するのを防止している
。
モリブデン等によって製作きれ、第３図に示すようにレ
ーザー管１に設けられた筒状の取付は部２７に封着用ガ
ラス２８を介して取付けられている。また、各主陽極５
ＪＬ Ｔ ５ ｂ Ｔ ５ ｃの挿入端は放電効果を
高めると共に放電に伴う焼損を防止するため略円錐形状
もしくは截頭円錐形状に形成されて前記絶縁体２３ａ
、 ２３ｂ 、 ２３ｃの外周面との間に僅か々間隔ｄ
０が設定されており、これによってホロー陰極４をレー
ザー管１内に嵌合する際、ホロー陰極４が主陽極５ｍ
、 ５ｂ 、 ５ｃに当って破損するのを防止している
。
そして、主陽＋Ｉｉ’５ｍ、５ｂ、５ｅ間の間隔は比較
的小さく、例えば活性長３ Ｑ ｃｍ 、ボア径（（２
）０．４副の場合、２ｃ′Ｉｎ程度に設定式れている。
的小さく、例えば活性長３ Ｑ ｃｍ 、ボア径（（２
）０．４副の場合、２ｃ′Ｉｎ程度に設定式れている。
前記各溜部８ａ、８ｂ、８ｃは、レーザー管１を略半楕
円形状に膨出きせることにより、該レーザー管１に一体
に設けられ、前記ホロー陰ｆｄｉｉ４に形成された軸方
向のスリット３０ａ、３０ｂ、３０ｃによって前記グロ
ー領域１４とそれぞれ連通している。また、各溜部８ａ
、 ８ｂ 、 ８ａは、前記主陽極５ａ 、 ５ｂ
、 ５ｃの間隔ピンチとほぼ等しく、かつ半ピンチだけ
ずれて設けられている。
円形状に膨出きせることにより、該レーザー管１に一体
に設けられ、前記ホロー陰ｆｄｉｉ４に形成された軸方
向のスリット３０ａ、３０ｂ、３０ｃによって前記グロ
ー領域１４とそれぞれ連通している。また、各溜部８ａ
、 ８ｂ 、 ８ａは、前記主陽極５ａ 、 ５ｂ
、 ５ｃの間隔ピンチとほぼ等しく、かつ半ピンチだけ
ずれて設けられている。
前記補助陽極６ａ、６ｂは前記ノリユースター窓２゜３
を保膿するためのもので、前記主陽極５ｍ 、 ５ｂ
ｒ５Ｃと同様、封着用ガラス３５を介してレーザー管１
に配設され、前記ホロー陰極４の両側に位置している。
を保膿するためのもので、前記主陽極５ｍ 、 ５ｂ
ｒ５Ｃと同様、封着用ガラス３５を介してレーザー管１
に配設され、前記ホロー陰極４の両側に位置している。
前記陰極７は前記主陽極５ａ、５ｂ、５ｃおよび補助陽
極６ａ、６ｂと同様、レーザー管１に封着ガラス３６を
介して配設され、これに前記ホロー陰極４が導通されて
いる。 ゛ 前記レーザー管１の両端部には本発明を萄徴づける小径
部４０．４１が設けられている。これらの小径部４０．
４１は、セラミックス、放熱特性が大きい金属等によっ
て形成された管体４２．４３をレーザー管１内に嵌合す
ることによシ形成きれ、これによって該管体４２．４３
と前記ホロー陰極４の絶縁体２２ｍ 、 ２２ｂとの間
に金属蒸気溜め用空室４４．４５を形成している。前記
各小径部４０，４１、換言すれば管体４２，４３の内径
Ｄ１は前記ボア径りとほぼ等しいかもしくは若干小さく
設定されている。
極６ａ、６ｂと同様、レーザー管１に封着ガラス３６を
介して配設され、これに前記ホロー陰極４が導通されて
いる。 ゛ 前記レーザー管１の両端部には本発明を萄徴づける小径
部４０．４１が設けられている。これらの小径部４０．
４１は、セラミックス、放熱特性が大きい金属等によっ
て形成された管体４２．４３をレーザー管１内に嵌合す
ることによシ形成きれ、これによって該管体４２．４３
と前記ホロー陰極４の絶縁体２２ｍ 、 ２２ｂとの間
に金属蒸気溜め用空室４４．４５を形成している。前記
各小径部４０，４１、換言すれば管体４２，４３の内径
Ｄ１は前記ボア径りとほぼ等しいかもしくは若干小さく
設定されている。
そして、各管体４２．４３はレーザー管１に設けた保持
部４８．４９によって軸方向の移動を防止きれている。
部４８．４９によって軸方向の移動を防止きれている。
保持部４８．４９の形成に際しては、外周に周溝４６．
４７が形成された管体４２゜４３をレーザー管１の内周
に嵌合し、しかる後、該レーザー管１の前記周溝４６．
４７に対応する部分を加熱溶融し、周溝４６，４７に溶
し込むようにすれば簡単に形成することができる。
４７が形成された管体４２゜４３をレーザー管１の内周
に嵌合し、しかる後、該レーザー管１の前記周溝４６．
４７に対応する部分を加熱溶融し、周溝４６，４７に溶
し込むようにすれば簡単に形成することができる。
このような構成からなる金属イオンレーザ−において、
主陽極５ａ、５ｂ、５ｃ、補助陽極６ｍ 、 ６ｂおよ
びホロー陰極４との間に所要の電圧を印加すると、主陽
極５ａ 、 ｓｂ 、 ５ｃとホロー陰極４間に負グロ
ー放電が発生する。ここで、金属イオン発生材料９とし
てＣｄを用いたＨｅ−Ｃｄレーザーの場合について説明
すると、上記負グロー放電の熱損によりＣｄ蒸気が発生
し、これがＨｅイオンなどの励起粒子によって高いエネ
ルギー準位へ遷移される。この場合、ホロー陰極４を肉
厚パイプで形成しておくと、熱伝導および熱容量が大き
く、グロー領域１４の温度分布を均一化するので、異常
グロー放電からアーク放電への移行を防止することがで
きる。
主陽極５ａ、５ｂ、５ｃ、補助陽極６ｍ 、 ６ｂおよ
びホロー陰極４との間に所要の電圧を印加すると、主陽
極５ａ 、 ｓｂ 、 ５ｃとホロー陰極４間に負グロ
ー放電が発生する。ここで、金属イオン発生材料９とし
てＣｄを用いたＨｅ−Ｃｄレーザーの場合について説明
すると、上記負グロー放電の熱損によりＣｄ蒸気が発生
し、これがＨｅイオンなどの励起粒子によって高いエネ
ルギー準位へ遷移される。この場合、ホロー陰極４を肉
厚パイプで形成しておくと、熱伝導および熱容量が大き
く、グロー領域１４の温度分布を均一化するので、異常
グロー放電からアーク放電への移行を防止することがで
きる。
しかし、ブリュースター窓２，３に近いレーザー管１の
端部付近は、ホロー陰極４が設けられている中央部に比
べて温度が低く、そのためＣｄ蒸気およびＨｅ イオン
によりスパッタリングされた陰極物質は、レーザー管１
の管端方向に移動し、該管１の端部内局面およびブリュ
ースター窓の内面に付着凝固する。そこで、このような
Ｃｄ蒸気および陰極物質の移動通路中に管体４２，４３
による小径部４０．４１を設けて該通路を絞ると、Ｃｄ
蒸気および陰極物質５５は一部管体４２．４３を通過す
るが、残りは金属蒸気溜め用空室４４．４５に溜ってそ
の内周壁および管体４２，４３のホロー陰極４側端面に
付着凝固する。また、管体４２゜４３を通過する途中で
一部が該管体４２．４３の内周面に付着し、管体４２，
４３を無事通過したものはレーザー管１と管体４２，４
３の内径差により膨張するため、レーザー管１の内周面
に付着する量が増え、結果としてブリュースター窓２゜
３まで到達して付着凝固するＣｄ蒸気および陰極物質の
量が激減する。したがって、ブリュースター窓２．３は
汚染されず、初期状態を良好に維持し、安定したレーザ
ー発振を行う。
端部付近は、ホロー陰極４が設けられている中央部に比
べて温度が低く、そのためＣｄ蒸気およびＨｅ イオン
によりスパッタリングされた陰極物質は、レーザー管１
の管端方向に移動し、該管１の端部内局面およびブリュ
ースター窓の内面に付着凝固する。そこで、このような
Ｃｄ蒸気および陰極物質の移動通路中に管体４２，４３
による小径部４０．４１を設けて該通路を絞ると、Ｃｄ
蒸気および陰極物質５５は一部管体４２．４３を通過す
るが、残りは金属蒸気溜め用空室４４．４５に溜ってそ
の内周壁および管体４２，４３のホロー陰極４側端面に
付着凝固する。また、管体４２゜４３を通過する途中で
一部が該管体４２．４３の内周面に付着し、管体４２，
４３を無事通過したものはレーザー管１と管体４２，４
３の内径差により膨張するため、レーザー管１の内周面
に付着する量が増え、結果としてブリュースター窓２゜
３まで到達して付着凝固するＣｄ蒸気および陰極物質の
量が激減する。したがって、ブリュースター窓２．３は
汚染されず、初期状態を良好に維持し、安定したレーザ
ー発振を行う。
ここで、レーザー管１の小径部４０．４１としては種々
の変更が可能で、例えば第４図〜第８図に示すものであ
ってもよい。すなわち、第４図は、第１図実施例と同様
、管体６０をレーザー管１内に嵌合して七〇内孔を小径
部４０としたもので漬るが、管体６０のホロー陰極側端
面を斜めに切削して先細テーバ状に形成し、”とあテー
パ部６．１で金属蒸気溜め用空室４４の容積を大きくす
ると共に該テーパ一部６１とレーザー管１の内周面とで
囲まれた空間６３にＣｄ蒸気および陰極物質５５を溜め
るようにしたものである。第５図は、レーザー管１自体
の一部を絞って小径部４０を設けたもの、第６図は螺旋
体６５をレーザー管１内に嵌合し小径部４０を形成した
ものでおる。この場合、螺旋体６５をばね材で製作し、
レーザー管１の内周面に圧接すれば、保持部４８が不要
である。第７図は内径が等しい３つのリング６８ｍ、６
８ｂ、６ａｃをレーザー管１の内周に適宜間隔を°おい
て嵌合し、これらリングによって小径′部４０を形成し
たもの、第８図は第５図の変形例とも云うべきもので、
小径部４０をブリュースター窓２が取付けられているレ
ーザー管１の側端まで延長形成したものである。
の変更が可能で、例えば第４図〜第８図に示すものであ
ってもよい。すなわち、第４図は、第１図実施例と同様
、管体６０をレーザー管１内に嵌合して七〇内孔を小径
部４０としたもので漬るが、管体６０のホロー陰極側端
面を斜めに切削して先細テーバ状に形成し、”とあテー
パ部６．１で金属蒸気溜め用空室４４の容積を大きくす
ると共に該テーパ一部６１とレーザー管１の内周面とで
囲まれた空間６３にＣｄ蒸気および陰極物質５５を溜め
るようにしたものである。第５図は、レーザー管１自体
の一部を絞って小径部４０を設けたもの、第６図は螺旋
体６５をレーザー管１内に嵌合し小径部４０を形成した
ものでおる。この場合、螺旋体６５をばね材で製作し、
レーザー管１の内周面に圧接すれば、保持部４８が不要
である。第７図は内径が等しい３つのリング６８ｍ、６
８ｂ、６ａｃをレーザー管１の内周に適宜間隔を°おい
て嵌合し、これらリングによって小径′部４０を形成し
たもの、第８図は第５図の変形例とも云うべきもので、
小径部４０をブリュースター窓２が取付けられているレ
ーザー管１の側端まで延長形成したものである。
（発明の効果〕
以上説明したように本発明に係る金属イオンレーザ−は
、レーザー管の端部付近に小径部を設け、この小径部と
ホロー陰極の端縁に取付けられた絶縁体との間に金属蒸
気溜め用空室を形成したので、□レーザー管内を！動し
、ブリュースター窓に到達する金属蒸気の量を大幅に減
少させることができる。したがって、ブリュースター窓
が金属蒸気によって汚染されず、長期に亘って安定した
レーザー出力を得ることができる。
、レーザー管の端部付近に小径部を設け、この小径部と
ホロー陰極の端縁に取付けられた絶縁体との間に金属蒸
気溜め用空室を形成したので、□レーザー管内を！動し
、ブリュースター窓に到達する金属蒸気の量を大幅に減
少させることができる。したがって、ブリュースター窓
が金属蒸気によって汚染されず、長期に亘って安定した
レーザー出力を得ることができる。
第１図は本発明に係る金属イオンレーザ−の一実施例を
示す断面図、第２図は第１図ｎ−ｎ１断面図、第３図は
レーザー管の要部拡大断面図、第４図〜第８図はそれぞ
れ小径部の他の実施例を示す断面図である。 １・・・・レーザー管、２，３・・・・プリユニスター
窓、４・・・・ホロー陰極、５ａ、５ｂ；５ｃ・・・・
主陽極、６ａ、６ｂ・・・・補助陽極、２２ａ。 ２２ｂ・・・・絶縁体、４０．４１・・・・小径部、４
４．４５・・・・金属蒸気溜め用空室。
示す断面図、第２図は第１図ｎ−ｎ１断面図、第３図は
レーザー管の要部拡大断面図、第４図〜第８図はそれぞ
れ小径部の他の実施例を示す断面図である。 １・・・・レーザー管、２，３・・・・プリユニスター
窓、４・・・・ホロー陰極、５ａ、５ｂ；５ｃ・・・・
主陽極、６ａ、６ｂ・・・・補助陽極、２２ａ。 ２２ｂ・・・・絶縁体、４０．４１・・・・小径部、４
４．４５・・・・金属蒸気溜め用空室。
Claims (1)
- レーザー管の内部で補助陽極とブリュースター窓との間
に小径部を設け、該小径部と、ホロー陰極の端縁に取付
けられた絶縁体との間に金属蒸気溜め用空室を形成した
ことを特徴とする金属イオンレーザー。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12282185A JPS61281565A (ja) | 1985-06-07 | 1985-06-07 | 金属イオンレ−ザ− |
| US06/873,155 US4710938A (en) | 1985-06-07 | 1986-06-06 | Metal ion laser protected against the deposition of metal vapor on brewster windows |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12282185A JPS61281565A (ja) | 1985-06-07 | 1985-06-07 | 金属イオンレ−ザ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61281565A true JPS61281565A (ja) | 1986-12-11 |
Family
ID=14845467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12282185A Pending JPS61281565A (ja) | 1985-06-07 | 1985-06-07 | 金属イオンレ−ザ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61281565A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0456359U (ja) * | 1990-09-25 | 1992-05-14 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5313869A (en) * | 1976-07-23 | 1978-02-07 | Mitsubishi Electric Corp | Cathode ray tube |
-
1985
- 1985-06-07 JP JP12282185A patent/JPS61281565A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5313869A (en) * | 1976-07-23 | 1978-02-07 | Mitsubishi Electric Corp | Cathode ray tube |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0456359U (ja) * | 1990-09-25 | 1992-05-14 |
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