JPS60128684A - 金属イオンレ−ザ− - Google Patents
金属イオンレ−ザ−Info
- Publication number
- JPS60128684A JPS60128684A JP23606083A JP23606083A JPS60128684A JP S60128684 A JPS60128684 A JP S60128684A JP 23606083 A JP23606083 A JP 23606083A JP 23606083 A JP23606083 A JP 23606083A JP S60128684 A JPS60128684 A JP S60128684A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cathode
- hollow cathode
- laser
- inner end
- anode
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/038—Electrodes, e.g. special shape, configuration or composition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/031—Metal vapour lasers, e.g. metal vapour generation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は金属イオン発生材料および陰極物質の付着によ
る陽極と陰極の短絡を防止し、出力の安定化並びに長寿
命化を可能にした金属イオンレーザ−に関する。
る陽極と陰極の短絡を防止し、出力の安定化並びに長寿
命化を可能にした金属イオンレーザ−に関する。
近年、ホロー陰極放電を用いた金属イオンレーザ−が種
々提案されている。この種のレーザーはその励起の強さ
から多色発振が可能で、現在のところＨ８−Ｃｄイオン
レーザ−では１２本の発振線が観（Ｈ（］きれており、
その中には光３原色の赤、存。
々提案されている。この種のレーザーはその励起の強さ
から多色発振が可能で、現在のところＨ８−Ｃｄイオン
レーザ−では１２本の発振線が観（Ｈ（］きれており、
その中には光３原色の赤、存。
緑が含まれ、液体レーザーおよび固体レーザーにみられ
ないすぐれた特色を有しているが、今だ実用の域に達し
ていないのが実情である。その原因としては種々老先ら
れるが、その一つとしてレーザー活性領域内で金属蒸気
を扱うため、ｉｉ制御し難く、陰極表面にＣｄ蒸気が付
Ｍ凝固し、陰極表面を絶えず初期状態に保つことができ
ず、動作時１生に経年変化が起るためと思われる。この
問題を解決する手段としてはプラズマの端がｃｄ金金属
触れないようにしてＣｄ蒸気が過多になるのを防ぐと共
に陽極ビン間隔を狭めＨ８イオンで絶えず陰極表面をス
パッタリングし、表面状態をきれいに゛すればよいわけ
でおるが、その場合スパッタリングにより・飛び出した
陰極物質が陽極に刺着凝固して劣化させたり両電極間の
絶縁体に付着凝固して電極同士を短絡させるなどの不都
合が生じる。
ないすぐれた特色を有しているが、今だ実用の域に達し
ていないのが実情である。その原因としては種々老先ら
れるが、その一つとしてレーザー活性領域内で金属蒸気
を扱うため、ｉｉ制御し難く、陰極表面にＣｄ蒸気が付
Ｍ凝固し、陰極表面を絶えず初期状態に保つことができ
ず、動作時１生に経年変化が起るためと思われる。この
問題を解決する手段としてはプラズマの端がｃｄ金金属
触れないようにしてＣｄ蒸気が過多になるのを防ぐと共
に陽極ビン間隔を狭めＨ８イオンで絶えず陰極表面をス
パッタリングし、表面状態をきれいに゛すればよいわけ
でおるが、その場合スパッタリングにより・飛び出した
陰極物質が陽極に刺着凝固して劣化させたり両電極間の
絶縁体に付着凝固して電極同士を短絡させるなどの不都
合が生じる。
そこで従来の電極構造としては第１図に示す如く絶縁ス
ペーサ８２を介してホロー陰極８０に挿入配置される主
陽極８３の内端部をさらに別の絶縁スペーサ８４で保護
したり（特公昭５５−．５１３４９号公報）あるいは第
２図に示すように主陽極８３がぼ通装置されるキャップ
状の絶縁スペーサ８５をホロー陰極８０の陽極取付用孔
８６に嵌合固定したものが知られている。しかし、前者
においては２つの絶縁スペーサ８２．８４を必要とする
ため構造が複雑化し、また環状の絶縁スペーサ８４を用
いているため溜部８Ｔの空間がそれだけ狭くなり、広く
すべく内パイプ８０Ａの間ｐｔ。を広げると、レーザー
管自体の全長が長くなり大型化するという欠点を有して
いる。
ペーサ８２を介してホロー陰極８０に挿入配置される主
陽極８３の内端部をさらに別の絶縁スペーサ８４で保護
したり（特公昭５５−．５１３４９号公報）あるいは第
２図に示すように主陽極８３がぼ通装置されるキャップ
状の絶縁スペーサ８５をホロー陰極８０の陽極取付用孔
８６に嵌合固定したものが知られている。しかし、前者
においては２つの絶縁スペーサ８２．８４を必要とする
ため構造が複雑化し、また環状の絶縁スペーサ８４を用
いているため溜部８Ｔの空間がそれだけ狭くなり、広く
すべく内パイプ８０Ａの間ｐｔ。を広げると、レーザー
管自体の全長が長くなり大型化するという欠点を有して
いる。
一方、後者のものにおいては構造的に陽極取付用孔８６
の端縁Ｍ点と主陽極８３の内端Ｎ点との間で放電が起こ
り易く、スパッタリング作用により依然として陰極物質
が飛び出して絶縁スペーサ８５の内側面および主陽極８
３に付着し、ひいては短絡を招く等の欠点を有する。
の端縁Ｍ点と主陽極８３の内端Ｎ点との間で放電が起こ
り易く、スパッタリング作用により依然として陰極物質
が飛び出して絶縁スペーサ８５の内側面および主陽極８
３に付着し、ひいては短絡を招く等の欠点を有する。
本発明は上述したような点に鑑みてなされたもので、内
端面がホロー陰極の陰極面とはｙ面一でかつ内端面中央
に拡開した凹部を有する絶縁体を介して陽極を前記ボロ
ー陰極丙挿入配置するに際し、前記陽極の内端を前記凹
部内に位置、されて陰極面から引込めた構造とすること
により、絶縁体表面を放′亀熱で焼くと同時にＨ８イオ
ンでスパッタリングし、前述した陰極物質の付着凝固を
防止し、長期間に亘って安定なレーザ動作を確保し更に
は小型化が可能な金属イオンレーザ−を提供するもので
ある。
端面がホロー陰極の陰極面とはｙ面一でかつ内端面中央
に拡開した凹部を有する絶縁体を介して陽極を前記ボロ
ー陰極丙挿入配置するに際し、前記陽極の内端を前記凹
部内に位置、されて陰極面から引込めた構造とすること
により、絶縁体表面を放′亀熱で焼くと同時にＨ８イオ
ンでスパッタリングし、前述した陰極物質の付着凝固を
防止し、長期間に亘って安定なレーザ動作を確保し更に
は小型化が可能な金属イオンレーザ−を提供するもので
ある。
（実施例Ｊ
以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明
する。
する。
第３図は本発明に係る金属イオンレーザ−の一実施例を
示す断面図、第４図は同レーザーの要部拡大断面図であ
る。これらの図において、１は４ガスを封入したレーザ
ー管、２，３はブリュースター窓、４はホロー陰極、５
ａ、５ｂ、５ｃは主陽極、ｅａ、ｅｂは補助陽極、７は
絶縁体、８Ａ、 ８Ｂは金属イオン発生材料９の溜部、
１０は陽光柱放電通路、１１はグロー領域、１２は陰極
暗部である。
示す断面図、第４図は同レーザーの要部拡大断面図であ
る。これらの図において、１は４ガスを封入したレーザ
ー管、２，３はブリュースター窓、４はホロー陰極、５
ａ、５ｂ、５ｃは主陽極、ｅａ、ｅｂは補助陽極、７は
絶縁体、８Ａ、 ８Ｂは金属イオン発生材料９の溜部、
１０は陽光柱放電通路、１１はグロー領域、１２は陰極
暗部である。
前記ホロー陰極４は、例えばステンレス等からなる導電
性の肉厚パイプで形成されて、その中心孔が前記グロー
領域１１の発生する陰極ボア１３′を構成し、周面に前
記３本の主陽極５ａ、５ｂ、５ｃが該陰極４の軸線方向
に等間隔をおいて配設されている。これら主陽極５ａ、
５ｂ、５ｃの間隔は比較的狭く、例えば活性長３０Ｃ１
ｎ、ボア径（Ｄ）３．５ｃ１ｎの場合、２ｃ１ｎ程度に
設定される。前記溜部８Ａ、 ８Ｂは前記ホロー陰極４
の外周面に中央部の主陽＋ｆ５ｂの両側に位置して形成
された環状溝からなり、これら溜部８Ａ、８Ｂに前記金
属イオン発生材料９がそれぞれ収容されている。また、
前記各溜部８Ａ、８Ｂは前記ホロー陰極４の陰極ボア１
３′の表面１３に形成された周方向のスリン） １４Ａ
、１４Ｂにより前記グロー領域１１と連通されている。
性の肉厚パイプで形成されて、その中心孔が前記グロー
領域１１の発生する陰極ボア１３′を構成し、周面に前
記３本の主陽極５ａ、５ｂ、５ｃが該陰極４の軸線方向
に等間隔をおいて配設されている。これら主陽極５ａ、
５ｂ、５ｃの間隔は比較的狭く、例えば活性長３０Ｃ１
ｎ、ボア径（Ｄ）３．５ｃ１ｎの場合、２ｃ１ｎ程度に
設定される。前記溜部８Ａ、 ８Ｂは前記ホロー陰極４
の外周面に中央部の主陽＋ｆ５ｂの両側に位置して形成
された環状溝からなり、これら溜部８Ａ、８Ｂに前記金
属イオン発生材料９がそれぞれ収容されている。また、
前記各溜部８Ａ、８Ｂは前記ホロー陰極４の陰極ボア１
３′の表面１３に形成された周方向のスリン） １４Ａ
、１４Ｂにより前記グロー領域１１と連通されている。
このようにすると各溜部８Ａ、８Ｂを前記グロー領域１
１から実質的に離すことができ、プラズマの侵入を防止
することかできる。なお、４′はホロー陰極４の外管で
ある。
１から実質的に離すことができ、プラズマの侵入を防止
することかできる。なお、４′はホロー陰極４の外管で
ある。
前記補助陽極５ａ、５ｂは前記ブリュースター窓２．３
を保護するためのもので、前記ホロー陰極４の両端にこ
れと同軸接合された絶縁キャップ１５ａ、１５ｂに前記
絶縁体７を介してそれぞれ配設され、各陽極６ａ 、
６ｂは両側の前記主陽極５ａ、５ｃと離して設けられて
いる。そして、前記各絶縁キャップ１５ａ、１５ｂの中
心孔１６の径ｄ１は前記ボア径りから陰極暗部１２の厚
み分を引いた値とはソ等しい寸法に設定されている。
を保護するためのもので、前記ホロー陰極４の両端にこ
れと同軸接合された絶縁キャップ１５ａ、１５ｂに前記
絶縁体７を介してそれぞれ配設され、各陽極６ａ 、
６ｂは両側の前記主陽極５ａ、５ｃと離して設けられて
いる。そして、前記各絶縁キャップ１５ａ、１５ｂの中
心孔１６の径ｄ１は前記ボア径りから陰極暗部１２の厚
み分を引いた値とはソ等しい寸法に設定されている。
前記主陽極５ａ、５ｂ、５ｃの絶縁体γは、セラミック
等で形成されてその内端が前記ホロー陰極４の陰極面と
はソ面一になるように該陰極４の陽極取付用孔（図示せ
ず）に外部から嵌合されてアルゴン溶接等により固着さ
れており、内端面中央には内底部分が円錐形をなすこと
により拡開し前記各王ｉｓ％３ 極５ａ 、 ５ｂ 、
５ｃの挿入端部を収容する凹部１７が形成されている
。前記各主陽極５ａ、５ｂ、５ｃの内端は、前記絶縁体
７の内端縁、換言すればホロ−陰極４の陰極面１３より
剪言σ凹部１７内に所定寸法ｔだけ引込んでいる。なお
、補助陽極６ａ、６ｂの絶縁体７も同様に形成されてい
る。
等で形成されてその内端が前記ホロー陰極４の陰極面と
はソ面一になるように該陰極４の陽極取付用孔（図示せ
ず）に外部から嵌合されてアルゴン溶接等により固着さ
れており、内端面中央には内底部分が円錐形をなすこと
により拡開し前記各王ｉｓ％３ 極５ａ 、 ５ｂ 、
５ｃの挿入端部を収容する凹部１７が形成されている
。前記各主陽極５ａ、５ｂ、５ｃの内端は、前記絶縁体
７の内端縁、換言すればホロ−陰極４の陰極面１３より
剪言σ凹部１７内に所定寸法ｔだけ引込んでいる。なお
、補助陽極６ａ、６ｂの絶縁体７も同様に形成されてい
る。
前記主陽極５ａ、５ｂ、５ｃおよび補助陽極５ａ、６ｂ
の上端部は、下端が前記絶縁体７の上面に形成された凹
部に嵌合されたガラス管３０によってそれぞれ囲、魂さ
れている。このガラス管３０は前記各陽極とホロー陰極
４の表面との間での放電を防止するだめのもので、該ガ
ラス管３０と対応する陽極との距離は陽極の熱膨張によ
る屈曲に対して両者が接触しない範囲で適宜な寸法に設
定保持されて−いる。
の上端部は、下端が前記絶縁体７の上面に形成された凹
部に嵌合されたガラス管３０によってそれぞれ囲、魂さ
れている。このガラス管３０は前記各陽極とホロー陰極
４の表面との間での放電を防止するだめのもので、該ガ
ラス管３０と対応する陽極との距離は陽極の熱膨張によ
る屈曲に対して両者が接触しない範囲で適宜な寸法に設
定保持されて−いる。
次に、このような構成においてレーザー動作について説
明する。
明する。
主陽極５ａ、５ｂ、５ｃ、補助陽極５ａ 、 ［ｉｂお
よびホロー陰極４との間に所要の電圧を印加し、前記上
（匂４１ス５ａ、５ｂ、５ｃと前記ホロー陰極４間に負
グロー放電を発生させる。ここで、金属イオン発生材料
９としてＣ６を用いたＨ、−Ｃｄ レーザ７の場合につ
いて説明すると、上記負グロー放電の熱損によりＣｄ蒸
気が発生し、これがＩＩｅ イオンなどの励起粒子によ
って高いエネルギー準位へ遷移される。
よびホロー陰極４との間に所要の電圧を印加し、前記上
（匂４１ス５ａ、５ｂ、５ｃと前記ホロー陰極４間に負
グロー放電を発生させる。ここで、金属イオン発生材料
９としてＣ６を用いたＨ、−Ｃｄ レーザ７の場合につ
いて説明すると、上記負グロー放電の熱損によりＣｄ蒸
気が発生し、これがＩＩｅ イオンなどの励起粒子によ
って高いエネルギー準位へ遷移される。
この場合、前記ホロー陰極４は肉厚バイブで形成されて
いるため、熱伝導および熱容暇が大きく、レーザー管１
内の温度分布を均一にするので、異常グロー放電からア
ーク放電への移行は防止される。また、絶縁体７の内端
面に凹部１７を設け、との凹部７内に主陽極５ａ、５ｂ
、５Ｃの内端を位置させ、ホロー陰極４より引込めてい
るので、陰極物質の絶縁体７の凹部１７への付着凝固を
防止する。
いるため、熱伝導および熱容暇が大きく、レーザー管１
内の温度分布を均一にするので、異常グロー放電からア
ーク放電への移行は防止される。また、絶縁体７の内端
面に凹部１７を設け、との凹部７内に主陽極５ａ、５ｂ
、５Ｃの内端を位置させ、ホロー陰極４より引込めてい
るので、陰極物質の絶縁体７の凹部１７への付着凝固を
防止する。
すなわち、主陽極５ａ、５ｂ、５ｃを引込めると、陰極
面１３と面一にした場合もしくは陰極面１３より陽光柱
放電通路１０内に突出させた場合に比べて、放電熱で凹
部１７の内面全体を周囲の陰極温度より高くなるように
焼くと同時にＨ８イオンでスパッタリングするため、Ｃ
ｄ蒸気および陰極物質の付着が殆んど起らず、また放電
の背後（凹部１７の奥側）に入り込もうとするＣｄ蒸気
は、主陽極５ａ、５ｂ、５ｃの真下におる陽光柱放電の
電気泳動効果によって吹き返し、凹部奥壁への付着を防
止する。したがって、主唱’＋ ５ａ 、 ５ｂ 、
５ｃとホロー陰極４とが短絡して同電位になることがな
く、切間状態を良好に維持し、安定な放電を得ることが
できる。なお、補助ｌ’ａ％ ６ａ 、 ｅｂについて
も同様の作用効果を有する。
面１３と面一にした場合もしくは陰極面１３より陽光柱
放電通路１０内に突出させた場合に比べて、放電熱で凹
部１７の内面全体を周囲の陰極温度より高くなるように
焼くと同時にＨ８イオンでスパッタリングするため、Ｃ
ｄ蒸気および陰極物質の付着が殆んど起らず、また放電
の背後（凹部１７の奥側）に入り込もうとするＣｄ蒸気
は、主陽極５ａ、５ｂ、５ｃの真下におる陽光柱放電の
電気泳動効果によって吹き返し、凹部奥壁への付着を防
止する。したがって、主唱’＋ ５ａ 、 ５ｂ 、
５ｃとホロー陰極４とが短絡して同電位になることがな
く、切間状態を良好に維持し、安定な放電を得ることが
できる。なお、補助ｌ’ａ％ ６ａ 、 ｅｂについて
も同様の作用効果を有する。
また、前記主唱（Ｍ ５ａ、５ｂ、５ｃ、６ａ、６ｂ
の引込み寸法ｔをあまり大きくすると、陽光柱放電の領
域内に移動縞が発生し、陰極ボア内のグロー放′眠に、
そのゆらぎを伝え、レーザー領域が雑音性の多いものと
なる。一方、ｔを小さくし過ぎると、Ｃｄ蒸気の吹き返
しが悪くなる。しだがって、引込み寸法りとしては２ｍ
ｍ程度示最適である。
の引込み寸法ｔをあまり大きくすると、陽光柱放電の領
域内に移動縞が発生し、陰極ボア内のグロー放′眠に、
そのゆらぎを伝え、レーザー領域が雑音性の多いものと
なる。一方、ｔを小さくし過ぎると、Ｃｄ蒸気の吹き返
しが悪くなる。しだがって、引込み寸法りとしては２ｍ
ｍ程度示最適である。
前記主１易極５ａ、５ｂ、５ｃはその間隔が狭く設定き
れているので、ホロー陰極４の陰極面１３をＨ８イオン
が絶えずスパッタリングし、該陰極面１３の状態をきれ
いにする。また、スリット１４Ａ、１４Ｂを介して陰極
ボア１３′と各溜部８Ａ、８Ｂを連通し、前記溜部８Ａ
、８Ｂをグロー領域１１から実質的に１ｌｉ６シている
ので、プラズマが各溜部８Ａ、、８’Ｂに入り込むのを
防止することができる。したがって、Ｈｅ イオンのス
パッタリングによってＣｄ蒸気が過多になることがなく
、陰極温度のみによってＣｄ蒸気圧を制御できる利点を
有している。
れているので、ホロー陰極４の陰極面１３をＨ８イオン
が絶えずスパッタリングし、該陰極面１３の状態をきれ
いにする。また、スリット１４Ａ、１４Ｂを介して陰極
ボア１３′と各溜部８Ａ、８Ｂを連通し、前記溜部８Ａ
、８Ｂをグロー領域１１から実質的に１ｌｉ６シている
ので、プラズマが各溜部８Ａ、、８’Ｂに入り込むのを
防止することができる。したがって、Ｈｅ イオンのス
パッタリングによってＣｄ蒸気が過多になることがなく
、陰極温度のみによってＣｄ蒸気圧を制御できる利点を
有している。
第５図は本発明の他の実施例を示す四部拡大断面図で、
主陽極５の絶縁体７内に薄膜抵抗２０を埋設し、その発
熱を利用して主陽極５を加熱するようにした点が上記実
施例と異なっている。このようにするとＣｄ蒸気が多過
ぎる場合、前記主陽極５の内端部にＣｄ蒸気が付着する
のを防止する上で極めて有効とされる。
主陽極５の絶縁体７内に薄膜抵抗２０を埋設し、その発
熱を利用して主陽極５を加熱するようにした点が上記実
施例と異なっている。このようにするとＣｄ蒸気が多過
ぎる場合、前記主陽極５の内端部にＣｄ蒸気が付着する
のを防止する上で極めて有効とされる。
第６図は本発明のさらに他の実施例を示す四部拡大断面
図で、主陽極５の真下の陰極面１３に→くア径より大き
な径で凹部２５を形成し、前記主陽極５の真下の空間を
広くしたものである１、このように主陽極５の真下の空
間を広くすると、プラズマ電位の競合緩衝空間として働
くため数的′を上流を低くして＋衾（１ｉ物質のスパッ
タリングを減らすことができ、また封入ガス圧の低い鴫
合でも放電開始電圧をホロー効果によって低くすること
ができ、これによって封入ガス圧力を変えたときホロー
効果によって生じたプラズマの位置が連続的に変わり、
レーザー増幅媒体の領域の大きさが不連続に変わらない
ため、低雑音レーザー出力が得られる。
図で、主陽極５の真下の陰極面１３に→くア径より大き
な径で凹部２５を形成し、前記主陽極５の真下の空間を
広くしたものである１、このように主陽極５の真下の空
間を広くすると、プラズマ電位の競合緩衝空間として働
くため数的′を上流を低くして＋衾（１ｉ物質のスパッ
タリングを減らすことができ、また封入ガス圧の低い鴫
合でも放電開始電圧をホロー効果によって低くすること
ができ、これによって封入ガス圧力を変えたときホロー
効果によって生じたプラズマの位置が連続的に変わり、
レーザー増幅媒体の領域の大きさが不連続に変わらない
ため、低雑音レーザー出力が得られる。
以上説明したように本発明に係る金属イオンレーザーは
、ホロー陰極内に絶縁体を介して挿入配置〃される陽極
の内端を陰極面よりも引込めて前記絶縁体の内端面に形
成されている拡開した凹部内に位置させたａ ４Ｍ構造
を採用したので、前記凹部内面を放電熱で焼くと同時に
封入ガスでスパッタリングし、金属蒸気および陰極物質
の絶縁体への付着を防電することができる。したがって
、初期状態を良好に維持して陽極とホロー陰極とが短絡
したりすることがなく、安定１〜だレーザー光を長期に
暇って発振する金属イオンレーザ−が得られ、しかも構
造簡易且つ小型にして製作も容易である。
、ホロー陰極内に絶縁体を介して挿入配置〃される陽極
の内端を陰極面よりも引込めて前記絶縁体の内端面に形
成されている拡開した凹部内に位置させたａ ４Ｍ構造
を採用したので、前記凹部内面を放電熱で焼くと同時に
封入ガスでスパッタリングし、金属蒸気および陰極物質
の絶縁体への付着を防電することができる。したがって
、初期状態を良好に維持して陽極とホロー陰極とが短絡
したりすることがなく、安定１〜だレーザー光を長期に
暇って発振する金属イオンレーザ−が得られ、しかも構
造簡易且つ小型にして製作も容易である。
第１図計よび第２図はそれぞれ従来の電極構造を示す断
面図、第３図は本発明に係る金属イオンレーザ−の−実
施例を示す断面図、第４図は同レーザーの要部拡大断面
図、第５図および第６図はそれぞれ本発明の他の実施例
を示す要部拡大断面図である。 １・・・・レーザー管、２，３・・・・ブリュースター
窓、４・・・・ホロー陰極、５ 、５ａ、５ｂ。 ５ｃ ・・・・主陽極、６ａ、６ｂ ・・・・補助陽極
、７・・・・絶縁体、８Ａ、８Ｂ ・・・・溜部、９・
・・・金属イオン発生材料、１ｏ・・・・陽光柱放電通
路、１１・・・・グロー領域、１２・・・・陰極暗部。 特許出願人 株式我社小糸製作所 代理人 山川政樹（ｅジ・１名） 第１図 第２図 第６図
面図、第３図は本発明に係る金属イオンレーザ−の−実
施例を示す断面図、第４図は同レーザーの要部拡大断面
図、第５図および第６図はそれぞれ本発明の他の実施例
を示す要部拡大断面図である。 １・・・・レーザー管、２，３・・・・ブリュースター
窓、４・・・・ホロー陰極、５ 、５ａ、５ｂ。 ５ｃ ・・・・主陽極、６ａ、６ｂ ・・・・補助陽極
、７・・・・絶縁体、８Ａ、８Ｂ ・・・・溜部、９・
・・・金属イオン発生材料、１ｏ・・・・陽光柱放電通
路、１１・・・・グロー領域、１２・・・・陰極暗部。 特許出願人 株式我社小糸製作所 代理人 山川政樹（ｅジ・１名） 第１図 第２図 第６図
Claims (1)
- 負グロー放電を用いてレーザー光を発生させる金属イオ
ンレーザ−において、導電性のパイプからなるホロー陰
極の局面より陽極を絶縁体を介して該陰極内に挿入配置
してなり、前記絶縁体の内端面は前記ホロー陰極の陰極
面とはソ面一でかつ中央に拡開した凹部を有し、前記陽
極はその内端が前記絶縁体の内端縁より前記凹部内にひ
っこんでいることを特徴とする金属イオンレーザ−０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23606083A JPS60128684A (ja) | 1983-12-16 | 1983-12-16 | 金属イオンレ−ザ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23606083A JPS60128684A (ja) | 1983-12-16 | 1983-12-16 | 金属イオンレ−ザ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60128684A true JPS60128684A (ja) | 1985-07-09 |
Family
ID=16995136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23606083A Pending JPS60128684A (ja) | 1983-12-16 | 1983-12-16 | 金属イオンレ−ザ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60128684A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5551349A (en) * | 1978-10-11 | 1980-04-15 | Hitachi Ltd | Sodium ionization detector |
| JPS5878483A (ja) * | 1981-11-04 | 1983-05-12 | Kimmon Electric Co Ltd | レ−ザ− |
-
1983
- 1983-12-16 JP JP23606083A patent/JPS60128684A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5551349A (en) * | 1978-10-11 | 1980-04-15 | Hitachi Ltd | Sodium ionization detector |
| JPS5878483A (ja) * | 1981-11-04 | 1983-05-12 | Kimmon Electric Co Ltd | レ−ザ− |
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