JPS62212625A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPS62212625A JPS62212625A JP5612686A JP5612686A JPS62212625A JP S62212625 A JPS62212625 A JP S62212625A JP 5612686 A JP5612686 A JP 5612686A JP 5612686 A JP5612686 A JP 5612686A JP S62212625 A JPS62212625 A JP S62212625A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は液晶表示装置およびその製法に関する〔発明の
概要〕 この発明は液晶表示装置の配向処理層としてＬＢ膜を用
いて、配向処理層物質の分子を傾けることによって、液
晶分子を斜めに配向させるものである。
概要〕 この発明は液晶表示装置の配向処理層としてＬＢ膜を用
いて、配向処理層物質の分子を傾けることによって、液
晶分子を斜めに配向させるものである。
液晶表示装置は少なくとも基体、電極、配向処堆層、封
入液晶、スペーサーで構成されている。
入液晶、スペーサーで構成されている。
（第１図）配向処理層は封入液晶の初期配向を制御する
うえで、必要不可欠な構成蜜累である。特に、１９ＢＫ
−３ＴＨなどの複屈折効果を利用するものでは、液晶が
基体に対して平行から若干立ち上がった斜めの配向にな
っていなければならず、そのための特殊な配向処理層が
必要である。
うえで、必要不可欠な構成蜜累である。特に、１９ＢＫ
−３ＴＨなどの複屈折効果を利用するものでは、液晶が
基体に対して平行から若干立ち上がった斜めの配向にな
っていなければならず、そのための特殊な配向処理層が
必要である。
従来は、このような配向処理層を得るのに８１０、など
の斜め蒸着や、高分子塗布／ソフトラビングなどによっ
ていた。
の斜め蒸着や、高分子塗布／ソフトラビングなどによっ
ていた。
しかし、蒸着による配向処理層形成では作業が繁雑にな
り、また大きな真空系を必要とすることから量産に適し
ていな−、さらに、膜形成に大きなエネルギーを必要と
するためにランニングコストも高くなる。
り、また大きな真空系を必要とすることから量産に適し
ていな−、さらに、膜形成に大きなエネルギーを必要と
するためにランニングコストも高くなる。
また、ソフトラビングによる配向処理層形成は、ただで
さえ不安定な高分子塗布／ラビングによる方法をさらに
不安定にするため、品質の劣化や歩留りの低下をまねき
、均一で安定な配向処理層？得にくい欠点を持つ。
さえ不安定な高分子塗布／ラビングによる方法をさらに
不安定にするため、品質の劣化や歩留りの低下をまねき
、均一で安定な配向処理層？得にくい欠点を持つ。
本発明では、液晶の斜め配向のための液晶配向処理層を
ｒｍ易な作業によって常温常圧のもとで得ることにより
、質の高いものを安価に提供することを目的として解決
するものである。
ｒｍ易な作業によって常温常圧のもとで得ることにより
、質の高いものを安価に提供することを目的として解決
するものである。
本発明の液晶表示装置では、配向処理層としてＬＢｂＱ
’ｆ：用い、ＬＢ膜原料としてチルト角を持つ物質（ジ
アセチレン誘導体、トリアセチレン誘導体そのほか）を
含むことを特徴とするものである、さらに、必要に応じ
てＬＥ膜に対してラビングを行なうことにより、配向処
理層を得ることを特徴とする。
’ｆ：用い、ＬＢ膜原料としてチルト角を持つ物質（ジ
アセチレン誘導体、トリアセチレン誘導体そのほか）を
含むことを特徴とするものである、さらに、必要に応じ
てＬＥ膜に対してラビングを行なうことにより、配向処
理層を得ることを特徴とする。
〔実施例１〕
２回逆浸透、２回イオン交換水をさらに蒸留して得られ
た純水に約１０″″４Ｍとなるように塩化カドミウムを
加えたうえでＰ Ｈ７，５に調節し、水温を２０℃に保
った。これにジアセチレン誘４体として ＣＨ＋ ＯＨ、＋％！−１１１１÷ＯＨ，−）、、０Ｏ
ＯＨ（ただしｓ−０〜１０ 、ｍ＋ｓ＝１０４２７ ）
の構造式で表わされるものをへ午サン又はクロロホルム
などの溶媒に溶かし、約１０−３ Ｍの溶液を作り、こ
れを水面に静かに滴下した。′ｍ媒除夫とカルボン酸を
カドミウム塩にするためにしばらく放置した後、垂直お
よび傾斜浸せき法により基体への配向処理層の付着を行
なった１表面圧８〜３０ｍ Ｎ ／ 寓で配向処理層膜
を安定して作ることができ、異方性がＩＦＴ−工Ｒによ
る赤外線の吸収によって確認された。
た純水に約１０″″４Ｍとなるように塩化カドミウムを
加えたうえでＰ Ｈ７，５に調節し、水温を２０℃に保
った。これにジアセチレン誘４体として ＣＨ＋ ＯＨ、＋％！−１１１１÷ＯＨ，−）、、０Ｏ
ＯＨ（ただしｓ−０〜１０ 、ｍ＋ｓ＝１０４２７ ）
の構造式で表わされるものをへ午サン又はクロロホルム
などの溶媒に溶かし、約１０−３ Ｍの溶液を作り、こ
れを水面に静かに滴下した。′ｍ媒除夫とカルボン酸を
カドミウム塩にするためにしばらく放置した後、垂直お
よび傾斜浸せき法により基体への配向処理層の付着を行
なった１表面圧８〜３０ｍ Ｎ ／ 寓で配向処理層膜
を安定して作ることができ、異方性がＩＦＴ−工Ｒによ
る赤外線の吸収によって確認された。
この方法で得られた配向処理層を持つセルに各種液晶を
封入し、磁場による容量変化（？ｒｅ−ｅｄｒｉｃｋｓ
ｚ転移による）や空セルとの各社比、光学的な測定によ
って液晶に５°〜６０°のチルト角がみられた。このチ
ルト角は水面の展開膜物質や膜の表面圧、基体の浸せき
速度を一定の範囲に制御することによって安定した角度
で得られるほか、これらの条件を変化させることにより
てかなりの範囲で変化させられた。
封入し、磁場による容量変化（？ｒｅ−ｅｄｒｉｃｋｓ
ｚ転移による）や空セルとの各社比、光学的な測定によ
って液晶に５°〜６０°のチルト角がみられた。このチ
ルト角は水面の展開膜物質や膜の表面圧、基体の浸せき
速度を一定の範囲に制御することによって安定した角度
で得られるほか、これらの条件を変化させることにより
てかなりの範囲で変化させられた。
との配向膜を用いて液晶を配向させ、複屈折性液晶ディ
スプレイを作ったところ非常にコントラスト比に擾れ、
応答も他の複屈折性液晶ディスプレイにまさるとも劣ら
ないものが得られた。また、強誘電性液晶の配向膜とし
て用いたところ、液晶の配向も良く、コントラストやメ
モリー性に優れた配向となることも確認された。
スプレイを作ったところ非常にコントラスト比に擾れ、
応答も他の複屈折性液晶ディスプレイにまさるとも劣ら
ないものが得られた。また、強誘電性液晶の配向膜とし
て用いたところ、液晶の配向も良く、コントラストやメ
モリー性に優れた配向となることも確認された。
〔実施例２〕
実施例１と同様の水層にジアセチレン誘導体として
（ただしＲ，Ｒ’はＨ＋、およびアルキル基、ｗ＋＝１
〜９）の構造式で表わされるものをクロロホルムなどの
溶媒に溶かし、約１０−３ Ｍの溶液を作った。これを
水面に静かに滴下し、溶媒除去とカルボン酸をカドミウ
ム塩にするためにしばらく゛ 放置した後、垂直および
傾斜浸せき法により基体への配向処理層の付着を行なっ
た。表面圧７〜３５ｍ Ｎ ／ ｍで配向処理層膜を安
定して作ることができた。
〜９）の構造式で表わされるものをクロロホルムなどの
溶媒に溶かし、約１０−３ Ｍの溶液を作った。これを
水面に静かに滴下し、溶媒除去とカルボン酸をカドミウ
ム塩にするためにしばらく゛ 放置した後、垂直および
傾斜浸せき法により基体への配向処理層の付着を行なっ
た。表面圧７〜３５ｍ Ｎ ／ ｍで配向処理層膜を安
定して作ることができた。
この方法で得られた配向処理層を持つセルにも実施例１
と同様に各種液晶を封入し、磁場による容量変化や空セ
ルとの容量比、光学的な測定によって、液晶に３″１〜
８０°のチルト角が得られた。この物質でも同様に条件
を変化させることによってかなりの範囲でチルト角を変
化させることができた。
と同様に各種液晶を封入し、磁場による容量変化や空セ
ルとの容量比、光学的な測定によって、液晶に３″１〜
８０°のチルト角が得られた。この物質でも同様に条件
を変化させることによってかなりの範囲でチルト角を変
化させることができた。
〔実施例３〕
実施例１．２と同様にして、
ＯＨ＋ＯＨ！＋％ｍ−ａｍ−ｔｍ÷ＯＨ，九Ｃ００Ｈ（
ただし鴨＝０〜１０．賜＋５＝１０〜２６）の構造式で
表わされるものを用いて配向処理層膜を作った。これを
用いてセルを組み、実施例１と同様に各種液晶を封入し
た。磁場による容量変化や空セルとの容量比、光学的な
測定によって、液晶に５°〜８７°のチルト角を持つ配
向が得られた〔実施例４〕 実施例１．２と同様にして、 （ただしＲ，Ｒ’はＨ−１およびアルキル基で溝１〜９
）の構造式で表わされるものを用いて配向処理層膜を得
た。これを用いてセルを組み、実施例１と同様に各種液
晶を封入し、磁場による容量変化や空セルとの容量比、
光学的な測定によって、液晶に６°〜７２°のチルト角
が得られた。
ただし鴨＝０〜１０．賜＋５＝１０〜２６）の構造式で
表わされるものを用いて配向処理層膜を作った。これを
用いてセルを組み、実施例１と同様に各種液晶を封入し
た。磁場による容量変化や空セルとの容量比、光学的な
測定によって、液晶に５°〜８７°のチルト角を持つ配
向が得られた〔実施例４〕 実施例１．２と同様にして、 （ただしＲ，Ｒ’はＨ−１およびアルキル基で溝１〜９
）の構造式で表わされるものを用いて配向処理層膜を得
た。これを用いてセルを組み、実施例１と同様に各種液
晶を封入し、磁場による容量変化や空セルとの容量比、
光学的な測定によって、液晶に６°〜７２°のチルト角
が得られた。
以上述べたように本発明によれば、液晶表示装置の電極
を有する基体表面に配向処理層としてＬＢ膜を用い、か
つ膜物質の分子を傾けることによりて、液晶あ斜め配向
処理層を得ることができ、斜め蒸着や、高分子塗布／ソ
フトラビングを用いる方法に比べて安定した良質の斜め
配向膜を歩留りよく安定して作ることができ、生産性を
高めることができる。
を有する基体表面に配向処理層としてＬＢ膜を用い、か
つ膜物質の分子を傾けることによりて、液晶あ斜め配向
処理層を得ることができ、斜め蒸着や、高分子塗布／ソ
フトラビングを用いる方法に比べて安定した良質の斜め
配向膜を歩留りよく安定して作ることができ、生産性を
高めることができる。
第１図は液晶表示装置の断面図の一例である。
（１）・・・・・・基 体
（２）・・・・・・電極
（５）・・・・・・配向処理層
（４）・・・・・・封入液晶
（５］・・・・・・スペーサー
以 上
出願人 セイコーエプソン株式会社
第１図
Claims (5)
- （１）電極を有する基体表面に、配向処理層としてＬａ
ｎｇｍｕｉｒ−Ｂｌｏｄｇｅｔｔ膜（以下ＬＢ膜と呼ぶ
）を用い、かつ膜物質の分子を傾けることを特徴とする
液晶表示装置。 - （２）前記ＬＢ膜がジアセチレン誘導体を含むことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の液晶表示装置。 - （３）前記ジアセチレン誘導体が▲数式、化学式、表等
があります▼ （ただしＲ、Ｒ′はＨ−、およびアルキル基でｍ＝２〜
９）を含むことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載
の液晶表示装置。 - （４）前記ＬＢがトリアセチレン誘導体を含むことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の液晶表示装置。 - （５）前記トリアセチレン誘導体が▲数式、化学式、表
等があります▼ （ただしＲ、Ｒ′はＨ−、およびアルキル基でｍ＝２〜
９）を含むことを特徴とする特許請求の範囲第４項記載
の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5612686A JPS62212625A (ja) | 1986-03-14 | 1986-03-14 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5612686A JPS62212625A (ja) | 1986-03-14 | 1986-03-14 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62212625A true JPS62212625A (ja) | 1987-09-18 |
Family
ID=13018377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5612686A Pending JPS62212625A (ja) | 1986-03-14 | 1986-03-14 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62212625A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62237431A (ja) * | 1986-04-08 | 1987-10-17 | Canon Inc | 液晶素子 |
| US5357357A (en) * | 1989-09-20 | 1994-10-18 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display devices with organic thin film formed by compressing molecules on liquid surface and transferring to substrate by horizontal lifting |
| WO2001059514A1 (fr) * | 2000-02-10 | 2001-08-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Element d'affichage a cristaux liquides et procede de fabrication dudit element |
-
1986
- 1986-03-14 JP JP5612686A patent/JPS62212625A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62237431A (ja) * | 1986-04-08 | 1987-10-17 | Canon Inc | 液晶素子 |
| US5357357A (en) * | 1989-09-20 | 1994-10-18 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display devices with organic thin film formed by compressing molecules on liquid surface and transferring to substrate by horizontal lifting |
| WO2001059514A1 (fr) * | 2000-02-10 | 2001-08-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Element d'affichage a cristaux liquides et procede de fabrication dudit element |
| EP1172685A1 (en) * | 2000-02-10 | 2002-01-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Liquid crystal display element and method for fabricating the same |
| EP1172685A4 (en) * | 2000-02-10 | 2005-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME |
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