JPS62211637A

JPS62211637A - 放射線画像読取方法

Info

Publication number: JPS62211637A
Application number: JP61055971A
Authority: JP
Inventors: Hisanori Tsuchino; 久憲土野; Akiko Kano; 加野　亜紀子; Kuniaki Nakano; 邦昭中野; Koji Amitani; 幸二網谷; Fumio Shimada; 文生島田
Original assignee: Konica Minolta Inc
Current assignee: Konica Minolta Inc
Priority date: 1986-03-13
Filing date: 1986-03-13
Publication date: 1987-09-17
Anticipated expiration: 2010-04-10
Also published as: JPH0731367B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕この発明は放射線画像変換パネルに蓄積された放射線画
像情報の読取方法に関し、更に詳しくは該放射線画像を
正確に再現する読取方法に関するものである。

〔発明の背景〕

放射線を輝尽性蛍光体に照射すると放射線エネルギーが
蓄積され、この蓄積エネルギーは可視光等で励起すると
輝尽発光を蓄積エネルギーに応じた強さで発光すること
が知られている。

前記輝尽性蛍光体の特性を活かして１人体等の放射線画
像情報を輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネル
（以後「変換パネル」と略称する）に潜像として蓄積記
録し、該変換パネルをレーザ光等の輝尽励起光で走査し
て輝尽発光させ、該輝尽発光を光電変換して画像信号と
し、これを可視化する方法が１例えば、米国特許第３，
８５９，５２７号、特開昭５５−１２１４４号に提案さ
れている。

次に、前記の如き変換パネルを用いた放射線画像情報読
取方法及び装置を第３図を用いて説明する。

レーザ光源３０２を発した輝尽励起光用レーザ光３０５
がカルバノメータミラ−３０４で一定振幅で振られなが
ら反射して放射線画像情報を潜像として蓄積されている
変換パネル３０１を照射する。

この際、変換パネル３０１は同時に振幅方向に直角に移
動させられる。即ち、前記変換パネル３０１は振幅方向
（Ｘ方向）に主走査されＹ方向に副走査され、変換パネ
ル３０１の全域が走査され、その走査線上に輝尽発光す
る。

一方、振幅面と変換パネル表面との交線に近接して平行
に受光面３０６ａを配置した集光体３０６が設置されて
おり、該集光体３０６は細長い平面切口をなす受光面３
０６ａから次第にしぼまり、その終端の伝達面３０６ｂ
においてはソ°円筒状となって光検出器（例えばフォト
マルチプライヤ−等）３０７に輝尽発光と励起用レーザ
光とを分離するためのフィルター３０８を介して臨接し
ている。

以上の構成によって走査線上に生じた輝尽発光は受光面
３０６ａから集光体３０６に入り。

終端の伝達面３０６ｂに到り光検出器３０７に入って光
電変換を受け２画像表示装置３１１に送られ、該画像表
示装置３１１において光電変換された画像情報が処理さ
れ、ＣＲＴ或いは磁気テープまたは写真感光材料等を用
いて可視像として観察される。

ここで注意すべきは、集光体３０６の受光面３０６ａに
は該受光面３０６ａに対して全反射角以内にある点から
の光は全て集光体３０６の中に入射されることであって
走査線上でレーザ光３０５によって励起された輝尽発光
のみならず、装置外からの迷光或いは変換パネル３０１
の表面からのレーザ光の反射光の一部若しくは残光等が
全て拾われ９画像情報を表示する輝尽発光に混和し、こ
れらが正確な画像情報を混乱させるノイズ光となる。。

前記ノイズ光のうち、装置外からの迷光や変換パネル３
０１の表面からのレーザ光の反射光は遮光、フィルター
等により排除できるから。

ノイズ光としては変換パネル３０１の表面からの残光が
問題となる。

前記残光には放射線が変換パネルの輝尽性蛍光体を刺激
することによって発生する蛍光の残光（以後「蛍光残光
」と称す）と、放射線によって輝尽性蛍光体が蓄積した
エネルギーをレーザ光等の輝尽励起光で励起するときに
発生するＨ原発光の残光（以後「輝尽残光」と称す）と
がある。

この前者の蛍光残光は一般に第４図に示すような指数関
数的減衰曲線を示す、即ち２時刻ｔ１からｔ２までのΔ
を時間放射線を照射してｔ２で停止したとすると１発光
強度ＬＯは直ちにＯに減衰することはない、その減衰状
況は蛍光体によって異なり１発光強度が１／ｅになる時
定数はタングステン酸塩では１０−６秒、希土類元素イ
オンやマンガンイオンを含む蛍光体では１０−３〜１０
−１秒に及ぶことがある。また、蛍光残光は第４図の曲
線ａで表される主の残光の他に、同図すで表されるよう
な従の残光が重なり合っている場合が多い、前記従の残
光は一般に発光強度は弱いが減衰の時定数が著しく大き
い。

輝尽発光は前記したように輝尽励起光がある時刻に照射
される極く小さな面積（画素相当）から発するのに対し
、蛍光残光は放射線が照射された全面から発光し、第３
図の集光体３０６の受光面３０６ａの全反射角以内にあ
る点からの光は全て集光される。

この場合、変換パネルの輝尽発光面積に比べて、集光体
３０６の集光面積が著しく大きいため、−画素当たりの
蛍光残光強度が輝尽発光強度と比較して無視できるほど
小さくなったとしても、光検出器に伝達される光量とし
て蛍光残光量は無視できなくなる０例えば集光体３０６
の集光面積を４００＋＋ｎ　Ｘ　２　寵とし２画素の大
きさを２００μｍＸ２００μｍとすると集光体に集光さ
れる画素数は２Ｘ１０’個であり、−画素当たりの蛍光
残光強度が輝尽発光強度の１０−４程度であったとして
も、光検出器に伝達される光量のうち蛍光残光量と輝尽
発光量との比は２：１となってしまう。

このように、従来の放射線画像情報読取方法においては
放射線照射後、螢光残光強度が十分無視できる程度にな
るまで放射線画像情報の読取りまでの時間を待機する必
要があり、迅速。

大量に連続して画像情報を読取ることが困難であった。

特に、第４図の曲線ａに表される主の残光の時定数が大
きな場合、或いは主の残光の時定数は小さくても同図曲
線すで表される時定数の大きな従の大きな残光が存在す
る場合は致命的であった。

〔発明の目的〕

本発明は前述のような従来の放射線画像読取方法の欠点
に鑑みてなされたものであり９本発明の目的は蛍光残光
による影響が少なく、実際の画像に合った正確な画像信
号を得てＳＮ比のよい高品質の再生画像を得ることので
きる放射線画像情報読取方法を提供することにある。

また２本発明の他の目的は放射線の照射から画像の読取
りまでの時間を短縮して、装置のスループットを向上さ
せ、迅速、大量に連続して画像情報を読取ることのでき
る放射線画像情報読取方法を提供することにある。

〔発明の構成〕

上記目的を達成するため、この発明はｉ）被写体を透過した。或いは被検体から発せられた放
射線を下記一般式で表される輝尽性蛍光体を主成分とし
て含有する放射線画像変換パネルに吸収させる工程；一般式％式％：（但し　ｙｌＩ　はＬｉｌ　Ｎａ、　Ｋ、　Ｒｈ及びＣ
ｓから選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり。

Ｍ［はＢｅ、　Ｍｇ＋　Ｃａ、　Ｓｒ＋　Ｂａ、　Ｚｎ
＋　ＣｄＨＣｕ及びＮｉから選ばれる少なくとも一種の
二価金属である　ＭＩＩはＳｃ＋　ｙ、　Ｌａ、　Ｃｅ
、　Ｐｒ＋　Ｎｄ＋　Ｐｍ＋　Ｓｍ。

Ｅｕ、　Ｇｄ、　Ｔｂ、　Ｄｙ、　Ｈａ、　Ｅｒ、　Ｔ
ｍ、　Ｙｄ、　Ｌｕ、Ａｆ　、Ｇａ及びＩｎから選ばれ
る少なくとも一種の三価金属である。Ｘ，Ｘ′及びＸ″
はｐ、　（，１，Ｂｒ及びＩから選ばれるすくなくとも
一種のハロゲンである。ＡはＥｕ、　Ｔｂ、　Ｃｅ＋　
Ｔｍ＋　Ｄｙ＋　Ｐｒ、　Ｈｏ、　Ｎｄ。

Ｙｂ、　Ｅｒ、　Ｇｄ＋　Ｌｕ、　Ｓｍ、　Ｙ、　’Ｔ
ｌ、　Ｎａ、　Ａｇ、　Ｃｕ及びＭｇから選ばれる少な
くとも一種の金属であ７．。

また、ａは　Ｏ≦ａ＜０．５の範囲の数値ごあり、ｂは
　０ｆａｂく０．５の範囲の数値であり。

Ｃは　Ｑ　＜　ｃ　＜０．２の範囲の数値である。）ｉ
ｆ　）前記ｉ）の工程終了後、直ちに該放射線画像変換
パネルに５００〜９００ｎの波長領域の輝尽励起光を照
射することにより、該放射線画像変換パネルに蓄積・記
録されている放射線エネルギーを輝尽発光として放出さ
せる工程；１ｉｉ）該輝尽発光を検出する工程を含むこ
とを特徴とするものである。

即ち２本発明者らは蛍光残光量が著しく少なく、蛍光残
光による読取りまでの待機時間を設ける必要のない前記
一般式で表されるアルカリハライド輝尽性蛍光体を利用
することにより従来の方法に比較して高ＳＮ比で高品位
の画像を与えることができ、かつ、装置のスループット
を向上させ得るようにしたものである。

なお、前記ｉｉ）でいう「直ちに」とは放射線照射後、
長くとも１分以内、好ましくは３０秒以内、より好まし
くは１０秒以内を言う。

以下１本発明を第１図及び第２図に基づいて詳細に説明
する。

第１図は前述のような緒特性の向上した本発明の放射線
画像情報読取方法に用いる装置の一例を示す概略図であ
る８本発明に用いる装置はこれに限られることはなく、
第３図に示すような装置でもよいが２本発明の方法によ
る効果を充分発揮させるためにはビルド・インタイブの
装置であった方がより好ましい。

本図において、１０１は放射線源、１０２は被写体、１
０３は前記一般式で表されるアルカリハライド輝尽性蛍
光体層１０４を有する変換パネルである。変換パネル１
０３の輝尽性蛍光体層１０４側の表面に向き合う位置に
は２例えばレーザ光等の輝尽励起光を発する輝尽励起光
源１０５と、この輝尽励起光源１０５から発せられた輝
尽励起光１１１のみを透過させるフィルター１１０．該
輝尽励起光１１１を変換パネル１０３の幅方向に走査す
る例えばガルバノメーターミラー等の光偏光器１０６．
前記輝尽励起光により励起された輝尽性蛍光体層１０４
から発する輝尽発光を読み取る光検出器１０７及びこの
光検出器１０７に前記輝尽発光を導く集光体１０８が共
通の搬送ステージ１１２上に設けられている。前記光検
出器１０７は例えば光電子増倍管、光電子増幅用マイク
ロチャンネルプレート等であり、集光体１０８で導かれ
た輝尽発光は輝尽励起光と輝尽発光とを分離するための
フィルタ１０９で分離された後、該光検出器１０７で光
電的に検出される。

また、前記輝尽励起光源１０５は５００〜９００ｎｗに
スペクトル分布をもつ光を放出する光源の他に＊　Ｈｅ
−Ｎｅ　レーザ、　　ＹＡＧレーザ、　　Ａｒレーザ。

半導体レーザ、　ＬＥＤ等が用いられるが、特に。

Ｈｅ−Ｎｅレーザや半導体レーザが好ましい。

１１４は検出された信号の増幅器、１１５は増幅器１１
４で増幅された信号を画像として再生するための画像再
生装置、１１６は画像表示装置である。

また、前記変換パネル１０３の輝尽性蛍光体層１０４側
の表面に対向する位置には、消去用光源１１３が設けら
れ、搬送ステージ１１２とともに矢印の方向に搬送され
る。・この消去用光源１１３は輝尽性蛍光体層１０４に
該蛍光体の励起波長領域を含む光を発する光源であり２
例えば特開昭５６−１１３９２号に示されているような
ハロゲンランプ、タングステンランプ、赤外線ランプ、
　ＬＥＤ或いはレーザ光源等が任意に選択使用され得る
。

前記構造を有する本実施態様の装置において。

被写体１０２が変換パネル１０３と、放射線源１０１と
の間に配された後、放射線源１０１が点灯されると、変
換パネル１０４の輝尽性蛍光体層１０４上に前記被写体
１０２の透過放射線画像情報が記録蓄積される。この放
射線の照射後直ちに５００ｎｍ〜９００ｎｍの波長領域
の輝尽励起光を照射することにより、前記変換パネル１
０３に蓄積・記録されている放射線エネルギーは輝尽発
光として放出される。この輝尽発光は光検出器１０７に
集光され光電変換された後１画像再生装置１１５によっ
て画像として再生され。

画像表示装置１１６によって可視画像として表示される
。

なお、前記輝尽励起光の照射において、該励起光の副走
査は搬送ステージ１１２の移動により行われ、変換パネ
ル１０３の画像記録部分の全域が走査される。また１画
像読取終了後、消去光源１１３により、残存画像情報が
消去されて初期状態に戻るようになる。

次に２本発明の放射線画像読取方法に用いられる輝尽性
蛍光体について説明する。

本発明に主成分として用いられる下記一般式で表わされ
るアルカリハライド輝尽性蛍光体は従来公知の輝尽性蛍
光体に比較して著しく蛍光残光の少ない及び／または蛍
光残光寿命の短いことが要求される。

一般式％式％：（但し９Ｍ工はＬｉ、　Ｎａ、　Ｋ＋　Ｒｈ及びＣｓか
ら選ばれる少な（とも一種のアルカリ金属であり。

。ＭＩＩＩはＢｅ、　Ｍｇ、　Ｃａ、　Ｓｒ、　Ｂａ、
　Ｚｎ、　Ｃｄ、　Ｃｕ及びＮｉから選ばれる少なくと
も一種の二価金属である０ＭＮはＳｃ、　Ｙ、　Ｌａ、
　Ｃｅ、　Ｐｒ＋　Ｎｄ、　Ｐｍ、　Ｓｍ。

Ｅｕ、　Ｇｄ、　Ｔｂ、　Ｄｙ、　Ｈａ、　Ｅｒ、　Ｔ
ｍ、　Ｙｄ、　Ｌｕ、Ａｊ！　、Ｇａ及びＩｎから選ば
れる少なくとも一種の三価金属である。Ｘ，Ｘ′及びＸ
″はＦ、ＣＩ、Ｂｒ及び■から選ばれるすくなくとも一
種のハロゲンである。ＡはＥｕ、　ｒｂ、　Ｃａｔ　Ｔ
ｍ＋　ｏｙ、　Ｐｒ＋　Ｈｏ＋　Ｎｄ＋Ｙｂ、　Ｅｒ、
　Ｇｄ、　Ｌｕ＋　ＳＬｌ、　Ｙ、　Ｔｌ、　Ｎａ、　
Ａｇ、　Ｃｕ及びＭｇから選ばれる少なくとも一種の金
属である。

また、ａは　０≦ａ＜０．５の範囲の数値であり、ｂは
　０≦ｂ＜０．５の範囲の数値であり。

Ｃは　０　＜　ｃ　＜０．２の範囲の数値である。）特
に、該アルカリハライド輝尽性蛍光体のうち　ＭＩはに
、　Ｒｈ、　Ｃｓから選ばれる少なくとも一種のアルカ
リ金属であり、ＡはＴＩｌ、Ｎａ　　から選ばれる少な
（とも一種の金属であるアルカリハライド輝尽性蛍光体
が、蛍光残光が少なく及び／または蛍光残光の寿命が短
（て優れている。

前記アルカリハライド輝尽性螢光体は単独で用いる必要
はなく、他の輝尽性螢光体と混合して用いてもよい、た
だし、アルカリハライド輝尽性螢光体を他の輝尽性螢光
体と混合して用いる場合には前記アルカリハライド蛍光
体の混合比は５０−ｔ％以上、更には７０ｗｔ％以上と
することが好ましい。

前記アルカリハライド蛍光体と混合して用いてもよい輝
尽性螢光体としては２例えば特開昭４８−８０４８７号
に記載されているＢａＳＯ４：　Ａｘ　（但し、ＡはＤ
ｙ、　Ｔｂ及びＴＩＩ＋のうちすくな（とも一種であり
、Ｘはｏ、ｏｏｉ≦ｘ＜１モル％である。）で表わされ
る蛍光体、特開昭４８−８０４８８号記載のＭｇＳＯ４
：　Ａｘ　（但し、ＡはＨｏ或いはＤＶのうちいずれか
であり、　　０．００１≦Ｘ≦１モル％である）で表わ
される蛍光体、特開昭４８−８０４８９号に記載されて
いる　５ｒＳ０４：ＡＸ（但し、Ａは［）ｙ、　Ｔｂ及
びＴｍのうち少なくとも一種であり、Ｘは０．００１≦
ｘ＜１モル％である。）で表わされている蛍光体、特開
昭５１−２９８８９号に記載されているＮａｔＳＯ＊＋
　Ｃａ５Ｏａ及びＢａ５Ｏ，等にＭｎ、　Ｄｙ及びＴｂ
のうち少な（とも一種を添加した蛍光体、特開昭５２−
３０４８７号に記載されているＢｅｄ、　ＬｉＦ、　Ｍ
ｇ５Ｏａ　　及びＣａＦ　ｚ等の蛍光体。

特開昭５３−３９２７７号に記載されているＬｉＪ＊（
ｌｒ　。

：Ｃｕ、Ａｇ等の蛍光体、特開昭５４−４７８８３号に
記載されている　ＬｉｚＯ・（ＢｔＯｚ）　ｘ　：　Ｃ
ｕ　（但しＸは２＜ｘ≦３）、及びＬｔｚＯ・（ＢｔＯ
ｔ）　ｘ　：Ｃｕ、　Ａｇ（但し、Ｘは２＜Ｘ≦３）等
の蛍光体。

米国特許第３．８５９．５２７号に記載されているＳｒ
Ｓ：　Ｃｅ、Ｓｍ　、　ＳｒＳ　：　Ｅｕ、Ｓａ＋　、
　ＬａｇＯｔＳ　：　Ｅｕ、Ｓｍ及び（Ｚｎ、　Ｃｄ）
Ｓ　：　Ｍｎ、　Ｘ　（但し、Ｘはハロゲン）で表わさ
れる蛍光体が挙げられる。また、特開昭５５−１２１４
２号に記載されているＺｎＳ　：　Ｃｕ、Ｐｂ蛍光体、
一般式がＢａＯ・ｘＡｊ！　、Ｏｓ　：　Ｅｕ　（但し
。

０．８≦Ｘ≦１０）で表わされるアルミン酸バリウム蛍
光体、及び一般式がＭπ０　・　ｘｓｉｏｚ　：　　Ａ
（但し１Ｍ■はＭｇ、　Ｃａ、　Ｓｒ、　Ｚｎ、　Ｃｄ
又はＢａであり、ＡはＣｅｔ　Ｔｂ、　Ｅｕ、　Ｔｍ、
　Ｐｂ＋　Ｔｉｔ、　Ｂｉ及びＭｎのうちの少なくとも
一種であり、　　Ｘは０．５≦Ｘ＜２．５である。）で
表わされるアルカリ土類金属珪酸系蛍光体が挙げられる
。また。

一般式が（Ｂａｔ−ｘ−ｙＭｇｘＣａｙ）　ＦＸ　：　ｅＥｕ”
（但し、ＸはＢｒ及びＣ１の中の少なくとも一つであり
、　　ｘ、　　ｙ及びｅはそれぞれＯ＜ｘ＋ｙ≦ｏ、６
．ｘｙ≠０及び１０−’≦ｅ≦５Ｘ１０−”なる条件を
満たす数である。）で表わされるアルカリ土類弗化ハロ
ゲン化物蛍光体、特開昭５５−１２１４４号に記載され
ている一般式がＬｎＯＸ　　：　　ｘＡ（但し、　Ｌｎ　　はＬａ、　Ｙ、　Ｇｄ　　及びＬｕ
の少なくとも一つを、ＸはＣ１及び／又はＢｒを、Ａは
Ｃｅ　　及び／又はＴｂを、ＸはＱ　＜　ｘ　＜０．１
を満足する数を表わす、）で表わされる蛍光体、特開昭
５５−１２１４５号に記載されている一般式が（Ｂａ、
−ｘＭＩ［ｘ）　　ＦＸ　：　ｙＡ（但し、　ＭＩ［は
Ｍｇ＋　Ｃａｔ　Ｓｒ、　Ｚｎ及びＣｄのうちの少なく
とも一つを、ＸはＣ１，Ｂｒ及び■のうち少なくとも一
つを、ＡはＥｕ、　Ｔｂ＋　Ｃｅ、　Ｔｍ＋Ｄｙ、　Ｐ
ｒ、　Ｈａ、　Ｎｄ、　Ｙｂ　　及びＥｒのうちの少な
くとも一つを、Ｘ及びｙはＯ≦Ｘ≦０．６及びＯ≦ｙ≦
０．２なる条件を満たす数を表わす、）で表わされる蛍
光体、特開昭５５−８４３８９号に記載されている一般
式がＢａＦＸ　　：　　ｘＣｅ、　ｙＡ　（但し、Ｘは
ＣＩ、Ｂｒ　　及び■のうち少なくとも一つを。

ＡはＩｎ、　Ｔｆｌ、　Ｇｄ、　Ｓｍ　　及びＺｒのう
ちのすくなくとも一つであり、Ｘ及びｙ　はそれぞれ０
〈Ｘ≦２Ｘ１０−’及びＱ＜ｙ≦５Ｘ１０−”である、
）で表わされる蛍光体、特開昭５５−１６００７８号に
記載されている一般式が門πＦＸ−ｘＡ　　：　　ｙＬｎ（但し　ｙｆｆ　はＭｇ、　Ｃａ＋　Ｂａ、　Ｓｒ、　
Ｚｎ及びＣｄのうちの少なくとも一種、ＡはＢｅｄ、　
ＭｇＯ，Ｃａｂ。

ＳｒＯ，Ｂａｄ、　ＺｎＯ，＾１２０３１　ＹＺＯ３＋
　ＬａｇＯ＋＋　ＩｎｚＯｓ＋Ｓｉｎｇ、　ＴｉＯ２，
ＺｒＯ２，Ｇｅｍ、　ＳｎＯ，Ｎｂ２Ｏ２，Ｔａｘｅｓ
及びＴｈＯ□のうちの少なくとも一種、　ＬｎはＥｕ。

Ｔｂ、　Ｃｅ、　Ｔｍ、　Ｄｙ、　Ｐｒ、　Ｈｏ、　Ｎ
ｄ、　Ｙｂ＋　Ｅｒ＋　Ｓｍ及びＧｄのうちの少なくと
も一種であり、ＸはＣａ。

Ｂｒ　　及び■のうちの少なくとも一種であり、Ｘ及び
ｙはそれぞれ５Ｘ１０−’≦Ｘ≦０．５及び０＜ｙ≦０
．２なる条件を満たす数である。）で表わされる希土類
元素付活２価金属フルオロハライド蛍光体、一般式がＺ
ｎＳ：Ａ　、　　ＣｄＳ：Ａ　。

（Ｚｎ、Ｃｄ　）Ｓ　　：Ａ　、　　ＺｎＳ：Ａ、　Ｘ
　　及びＣｄＳ：Ａ、Ｘ（但し、ＡはＣｕ、　Ａｇ、　
Ａｕ、　　又はＭｎであり。

Ｘはハロゲンである。）で表わされる蛍光体。

特開昭５７−１４８２８５号に記載されている下記いず
れかの一般式。

ＸＭ２　（ＰＯ４）ｚ　”　ＮＸｔ　　：　７４Ｍ３　
（Ｐｏ４）ｚ　：　ｙＡ（式中２Ｍ及びＮはそれぞれＭｇ、　Ｃａ、　Ｓｒ、　
Ｂａ＋Ｚｎ　　及びＣｄのうちの少なくとも一種、Ｘは
Ｆ。

（Ｊ！、Ｂｒ　　及びＩのうち少なくとも一種、ＡはＥ
ｕ＋　ｒｂ、　Ｃｅ、　Ｔｍ、　ｏｙ、　Ｐｒ＋　Ｈｏ
、　Ｎｄ、　Ｙｂ、　Ｅｒ、Ｓｂ。

Ｔｆｌ、Ｍｎ　　及びＳｎのうちの少なくとも一種を表
わす、また、Ｘ及びｙは０＜ｘ≦６．０≦ｙ≦１なる条
件を満たす数である。）で表わされる蛍光体、下記いず
れかの一般式％式％（式中、　ＲｅはＬａ、　Ｇｄ＋　Ｙ、　Ｌｕ　　のう
ち少なくとも一種、Ａはアルカリ土類金属、　Ｂａ、　
Ｓｒ、　Ｃａのうちの少なくとも一種、Ｘ及びＸ′はＦ
、ＣＩ２゜Ｂｒ　　のうちの少なくとも一種を表わす、
また。

Ｘ及びｙは１ｘｌＱ−’＜ｘ＜３Ｘ１０−’、ｌｘＩ　
Ｑ−’＜ｙ＜　Ｉ　Ｘ　１０−’なる条件を満たす数で
あり、　ｎ／ｍはＩ　Ｘ　１０−’＜ｎ／ｍ　＜　７　
Ｘ　１０−’なる条件を満たす、）で表わされる蛍光体
等が挙げられる。

本発明の放射線画像読取方法に用いられる輝尽性蛍光体
の一例として、タリウム付活臭化ルビジウム輝尽性蛍光
体（ＲｂＢｒ：Ｔｌ　　）はＸ線照射後第２図（ａ）に
示すような発光特性を示す。

第２図（ａ）の曲線は第１図の放射線画像情報読取装置
を用いて求めたもので、第１図における輝尽励起光源１
０５は２０ｍ−の半導体レーザ、集光体１０８の受光面
１０８ａの形状は幅４００ｍｍ。

厚さ５龍、変換パネルの大きさは幅３５０龍、長さ４２
０ｍｍであった。また、変換パネルに照射したＸ線量は
５ＱＯａ＋Ｒであった。更に、第２図（ａ）の曲線を求
めるに当たっては副走査は行わず、従って半導体レーザ
光による主走査も一ラインのみであった。

第２図（ａ）において、ａはＸ線照射による蛍光であり
、ｂは前記蛍光による残光の減衰曲線。

Ｃは輝尽発光強度である。また輝尽発光強度と蛍光残光
強度との比（ＳＮ比）は（Ｓ＋−ｈ）　／Ｓｔで求めら
れる。該ＳＮ比をＸ線照射後から輝尽発光を得るまでの
時間を種々変化させて求め。

第２図中）に示す。

本発明者らの検討によれば、前記ＳＮ比は高いことが好
ましいが、被写体のダイナミックレンジ等を考慮すると
、１０３以上あればよく。

１０４〜１０ｓ程度であることが好ましい、しかし、Ｓ
Ｎ比を５Ｘ１０’以上とすることは過剰品質である。よ
って、第２図（ａ）、　（ｂ）より明らかなように本発
明の放射線画像読取方法に用いられるタリウム付活臭化
ルビジウム輝尽性蛍光体（ＲｂＢｙ：Ｔｌ）は蛍光残光
が少なく、また。

その寿命も短いので、Ｘ線照射後２抄程度で充分ＳＮ比
が高い画像読取が可能となる。また。

得られる放射線画像の画質と読取りのスループットの両
方からＸ線照射後車くとも１分以内に読取りを開始する
ことが好ましく、３０秒以内であっても画質の劣化はほ
とんどなく、より好ましい、しかし、Ｘ線照射後１分以
上とすることは読取りのスループットが低下してしまい
経済的に不利となる。

一方、第５図（ａ）は従来公知の二価のユーロピウム付
活弗化臭化バリウム輝尽性蛍光体（ＢａＦＢｒ：　Ｅｕ
ｚ“）の発光特性を示し、ａはＸ線照射による蛍光であ
り、ｂは前記蛍光による残光の減衰曲線、Ｃは輝尽発光
である。第５図（ｂ）は輝尽励起光源として半導体レー
ザの代わりにＨｅ−Ｎｅレーザを用いた以外は前記第２
図（ｂ）と同様にして求めたＳＮ比である。

従来の二価ユーロピウム付活弗化臭化バリウム輝尽性蛍
光体は蛍光残光が多く、その寿命も長いので、ＳＮ比を
１０’以上にするためにはＸ線照射後少なくとも１分間
以上の後２画像読取を行う必要があり、読取りのスルー
プ７）が著しく低下する。

前記輝尽性蛍光体層は例えば次のような方法により支持
体上に形成することができる。

まず、前記の輝尽性蛍光体粒子と結着剤とを適当な溶剤
に加え、これを充分混合して結着剤溶液中に輝尽性蛍光
体粒子が均一に分散した塗布液を調整する。

輝尽性蛍光体層の結着剤の例としては、ゼラチン等のタ
ンパク質、デキストラン等のポリサッカライドまたはア
ラビアゴムのような天然高分子物質；及びポリビニルブ
チラール、ポリ酢酸ビニル、ニトロセルロース、エチル
セルロース、塩化ビニリデン・塩化ビニルコポリマー。

ポリメチルメタクリレート塩化ビニル・酢酸ビニルコポ
リマー、ポリウレタン、セルロースアセテートブチレー
ト、ポリビニルアルコール。

線状ポリエステルなどのような合成高分子物質などによ
り代表される結着剤を挙げることができる。

塗布液調整用の溶剤の例としては、メタノール、エタノ
ール、ｎ−プロパツール、ｎ−ブタノールなどの低級ア
ルコール；メチレンクロライド、エチレンクロライドな
どの塩素原子含有炭化水素；アセトン、メチルエチルケ
トン、メチルイソブチルケトンなどのケトン；酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどの低級脂肪酢と低級ア
ルコールとのエステル；ジオキサン。

エチレングリコールエチルエーテル、エチレングリコー
ルモノメチルエーテルなどのエーテル；そして、それら
の混合物を挙げることができる。

塗布液における結着剤と輝尽性蛍光体粒子との混合比は
目的とする変換パネルの特性、輝尽性蛍光体粒子の種類
などによって異なるが、一般には結着剤と輝尽性蛍光体
粒子との混合比は１：１ないし１　：　　１００　（重
量比）の範囲から選ばれ、そして、特に１：８乃至１１
０（重量比）の範囲から選ぶことが好ましい。

なお、前記塗布液には該塗布液中における輝尽性蛍光体
粒子の分散性を向上させるための分散剤、また、形成後
の輝尽性蛍光体層中における結着剤と輝尽性蛍光体粒子
との間の結合力を向上させるための可塑剤などの種々の
添加剤が混合されていてもよい、そのような目的に用い
られる分散剤の例としては、フタル酸、ステアリン酸、
カプロン酸、親油性界面活性剤などを挙げることができ
る。そして可塑剤の例としては、燐酸トリフェニル、燐
酸トリクレジル、燐酸ジフェニルなどの燐酸エステル；
フタル酸ジエチル、フタル酸ジメトキシエチルなどのフ
タル酸エステル；グリコール酸エチルフタリルエチル、
グリコール酸ブチルフタリルブチルなどのグリコール酸
エステル；そして、トリエチレングリコールとアジピン
酸とのポリエステル。

ジエチレングリコールとコハク酸とのポリエステルなど
のポリエチレングリコールと脂肪族二塩基酸とのポリエ
ステルなどを挙げることができる。

前記のようにして調整された輝尽性蛍光体粒子と結着剤
とを含有する塗布液を２次に支持体の表面に均一に塗布
することにより塗布液の塗膜を形成する。この塗布液の
塗布操作は通常の塗布手段２例えばドクターブレード、
ロールコータ−、ナイフコーターなどを用いることによ
り行うことができる。

塗膜形成後、塗膜を徐々に加熱することにより乾燥して
、支持体上への輝尽性蛍光体層の形成を完了する。輝尽
性蛍光体層の層厚は目的とする変換パネルの特性、輝尽
性蛍光体粒子の種類、結着剤と輝尽性蛍光体粒子との混
合比などによって異なるが１通常は２０μｍないしｌ　
ｍｍとする。但し、この層厚は５０乃至５００μｍとす
るのが好ましい６また、輝尽性蛍光体層は必ずしも前記のように支持体上
に塗布液を直接塗布して形成する必要はなく９例えば別
に保護層などのシー・層上に塗布液を塗布し、乾燥する
ことにより蛍光体層を形成した後、これを支持体上に押
着するか。

或いは接着剤を用いるなどして支持体と輝尽性蛍光体層
とを接合してもよい。

なお、輝尽性蛍光体層は一層だげで構成してもよいが、
二層以上積層してもよい。

輝尽性螢光体層の他の形成方法としては気相堆積法があ
る。該気相堆積法としては真空蒸着法、スパッタリング
法、ＣＶＤ法等を用いることができる。アルカリハライ
ド輝尽性螢光体は気相堆積法で前記輝尽性螢光体を形成
させ易く該方法の利用が好ましい。

本発明に係る変換パネルにおいて輝尽性蛍光体層に自己
支持能がない場合には、該輝尽性蛍光体層を支持するた
めの支持体が設けられる。

前記支持体としては各種高分子材料、ガラス。

金属等が用いられ、セルロースアセテートフィルム、ポ
リエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィ
ルム、ポリアミドフィルム。

ポリイミドフィルム、トリアセテートフィルム。

ポリカーボネートフィルム等のプラスチックフィルム、
アルミニウムシート、鉄シート、銅シート等の金属シー
ト或いは該金属酸化物の被覆層を有する金属シートが好
ましい。

これらの支持体の表面は滑面であってもよいし、輝尽性
蛍光体層との接着性を向上させる目的でマット面として
もよい、また、支持体の表面は凹凸面としてもよいし、
隔絶されたタイル状板を敷き詰めた構造でもよい、前者
の場合には輝尽性蛍光体層が凹凸面によって細分化され
るので１画像の鮮鋭性が一段と向上する。後者の場合に
は輝尽性蛍光体層が支持体のタイル状板の輪郭を維持し
ながら堆積するので、結果的には輝尽性蛍光体層は亀裂
によって隔絶された輝尽性蛍光体の柱状ブロックからな
るため１画像の鮮鋭性が一段と向上する。

さらにこれらの支持体は輝尽性蛍光体層との接着性を向
上させる目的で輝尽性蛍光体層が設けられる面に下引層
を設けてもよい、また、これら支持体の層厚は用いられ
る支持体の材質等によって異なるが、一般的には５０〜
２０００μｍであり、取り扱い上の点から更に好ましく
は８０〜１０００μｍである。

本発明に係る変換パネルにおいては一般的に前記輝尽性
蛍光体層が設けられる面とは反対側の面に、輝尽性蛍光
体層を物理的或いは化学的に保護するための保護層が設
けられてもよい。

この保護層は保護層用塗布液を輝尽性蛍光体層上に直接
塗布してもよいし、予め別途形成した保護層を輝尽性蛍
光体層上に接着してもよい。

或いは別途形成した保護層上に輝尽性蛍光体層を形成す
る手順をとってもよい、保護層の材料としては酢酸セル
ロース、ニトロセルロース。

ポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラール、ポ
リビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリエステル
、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリ塩
化ビニリデン、ナイロン、ポリ四フッ化エチレン、ポリ
三フッ化−塩化エチレン、四フフ化エチレン−六フッ化
プロピレン共重合体、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重
合体、塩化ビニリデンーアクリロニトル共重合体等の通
常の保護層用材料が用いられる。

また、この保護層は蒸着法、スパッタリング法等により
５ＩＣＩ　Ｓｔａｇ、　ＳｔＮ、　Ａｌ２Ｏ２などの無
機物質を積層して形成してもよい、これらの保護層の層
厚は一般には０．１μｍ〜１００μｍ程度が好ましい。

〔実施例〕

以下、実施例を用いて本発明を説明する。

実施例１変換パネルはＲｂＢｒ：Ｔｊ！＋からなる輝尽性蛍光体
１３重量部と、ポリビニルブチラール１重量部を溶剤（
シクロヘキサノン）を用いて分散させ、これをポリエチ
レンテレフタレート基板上に均一に塗布し、−昼夜放置
し、自然乾燥することによって約３００μｍの輝尽性蛍
光体層を形成して作製した。この変換パネルに管電圧８
０ＫＶのＸ線を５００ミリレントゲン照射し、　１０秒
後に２５＋ｍＷの半導体レーザで画像信号を読取った。

画像信号を読取る直前の螢光残光信号の大きさと前記画
像信号の大きさとの比（ＳＮ比）を求め、第１表に示す
。

比較例輝尽性蛍光体としてＲｂＢｒ：Ｔｌ”の代わりにＢａＦ
Ｂｒ　：　Ｅｕ”を用いる以外は実施例１と同様に変換
パネルを作製し、ｘ′４１Ａを照射し、１０秒後にＨｅ
−Ｎｅレーザで画像信号を読取った１画像信号を読取る
直前の螢光残光信号の大きさと前記画像信号の大きさと
の比（ＳＮ比）を求め。

第１表に示す。

実施例２実施例１と同様にＲｂＢｒ：　　Ｔｌ”輝尽性蛍光体６
０重量％、　ＢａＦＢｒ　：　Ｅｕ”４０重量％を用い
て変換パネルを作製した０次に、実施例１と同様に前記
変換パネルにＸｖＡを照射し、１０秒後に半導体レーザ
で画像信号を読取った９画像信号を読取る直前の螢光残
光信号の大きさと前記画像信号の大きさとの比（ＳＮ比
）を求め、第１表に示す。

第１表実施例１及び比較例より、輝尽性蛍光体としてアルカリ
ハライド輝尽性螢光体であるＲｂＢｒ：　Ｔ１゛蛍光体
を用いた場合、Ｘ線照射後直ちに画像読取を行っても高
ＳＮ比の画像が得られた。

また、実施例２よりアルカリハライド蛍光体を添加する
と、螢光残光が少なくなり、Ｘ線照射後直ちに画像読取
を行っても十分高いＳＮ比が得られた。

〔発明の効果〕

以上説明したように、この発明の放射線画像情報読取方
法はｉ）被写体を透過した。或いは被検体から発せられた放
射線を下記一般式で表される輝尽性蛍光体を主成分とし
て含有する放射線画像変換パネルに吸収させる工程；一般式％式％（但し　ＭＩ　はＬｉ＋　Ｎａ＋　Ｋ、　Ｒｂ及びＣｓ
から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり。

ＭｘはＢａｔ　Ｍｇ、　Ｃａ、　Ｓｒ、　Ｂａｔ　Ｚｎ
ｔ　Ｃｄ、　Ｃｕ及びＮｉから選ばれる少なくとも一種
の二価金属である０ＭｘはＳｃ＋　Ｙ、　Ｌａ、　Ｃｅ
、　Ｐｒ＋　Ｎｄ＋　Ｐｍ＋　Ｓｍ。

Ｅｕ、　Ｇｄ、　Ｔｂ、　ａｙ、　Ｈｏｔ　Ｅｒ、　Ｔ
ｍ＋　Ｙｄ、　Ｌｕ、Ａｊ２　、Ｇａ及びＩｎから選ば
れる少なくとも一種の三価金属である。ｘ、ｘ’及びＸ
“はＦ、　Ｃ１，Ｂｒ及びＩから選ばれるすくなくとも
一種の／’％ロゲンである。ＡはＥｕ、　Ｔｂ、　Ｃｅ
、　Ｔｍ＋　Ｄｙ＋　Ｐｒ、　Ｈｏｔ　Ｎｄ＋Ｙｂ、　
Ｅｒｒ　Ｇｄ＋　Ｌｕ、　Ｓｍ、　Ｙ＋　Ｔｌ、　Ｎａ
、　Ａｇ＋　Ｃｕ及びＭｇから選ばれる少なくとも一種
の金属である。

また、ａは　Ｏ≦ａ＜０．５の範囲の数値であり、ｂは
　０≦ｂ＜０．５の範囲の数値であり。

Ｃは　ｏ　＜　ｃ　＜０．２の範囲の数値である。）ｉ
ｉ　）前記ｉ）の工程終了後、直ちに該放射線画像変換
パネルに５００〜９００ｆｌの波長領域の輝尽励起光を
照射することにより、該放射線画像変換パネルに蓄積・
記録されている放射線エネルギーを輝尽発光として放出
させる工程；ｉｉｉ　）該輝尽発光を検出する工程；を
含むことを特徴としているから、蛍光残光による影響が
少なく、実際の画像に合った正確な画像信号を得てＳＮ
比のよい高品質の再生画像を得ることのできる。

また１本発明によれば蛍光残光量が著しく少なく５蛍光
残光による読取りまでの待機時間を設ける必要のない前
記一般式で表されるアルカリハライド輝尽性蛍光体を利
用しているから。

放射線の照射から画像の読取りまでの時間を短縮して、
装置のスルーブツトを向上させ得、迅速かつ大量に連続
して画像情報を読取ることのできるなど、各種の優れた
効果を奏するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の方法を実施する装置の一例を示す略示
的断面図、第２図は本発明の放射線画像読取方法に用い
られる輝尽性蛍光体の一例としてタリウム付活臭化ルビ
ジウム揮尽性蛍光体の発光特性を示す図、第３図は従来
の放射線画像情報読取方法を実施する装置の略示的斜視
図、第４図は蛍光残光の減衰曲線を示す図、第５図は従
来公知の二価のユーロピウム付活弗化臭化バリウム輝尽
性蛍光体の発光特性を示す図である。１０１−・放射線源１０２・−被写体１０３・−・変換パネル１０４−アルカリハライド輝尽性螢光体層１０５−・輝
尽励起光源１０８・・−・集光体第１図（ｂ）鋳Ｍ（鱒）第３図第４図ｔｌ　ｔ２ｔｓ　　　　　を第５図（０）８１間（岬〕

Claims

【特許請求の範囲】

（１）　ｉ）被写体を透過した，或いは被検体から発せ
られた放射線を下記一般式で表される輝尽性蛍光体を主
成分として含有する放射線画像変換パネルに吸収させる
工程；一般式　Ｍ＾ＩＸ・ａＭ＾IIＸ′＿２・ｂＭ＾IIIＸ″＿３：
ｃＡ（但し，Ｍ＾ I はＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ及びＣｓ
から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり，Ｍ
＾IIはＢｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｃ
ｕ及びＮｉから選ばれる少なくとも一種の二価金属であ
る。Ｍ＾IIIはＳｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐ
ｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ
，Ｙｄ，Ｌｕ，Ａｌ，Ｇａ及びＩｎから選ばれる少なく
とも一種の三価金属である。Ｘ，Ｘ′及びＸ″はＦ，Ｃ
ｌ，Ｂｒ及びＩから選ばれるすくなくとも一種のハロゲ
ンである。ＡはＥｕ，Ｔｂ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，
Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓｍ，Ｙ，Ｔｌ
，Ｎａ，Ａｇ，Ｃｕ及びＭｇから選ばれる少なくとも一
種の金属である。また，ａは　０≦ａ＜０．５の範囲の数値であり．ｂは
　０≦ｂ＜０．５の範囲の数値であり，ｃは　０＜ｃ＜
０．２の範囲の数値である。）ｉｉ）前記ｉ）の工程終
了後，直ちに該放射線画像変換パネルに５００〜９００
ｍｍの波長領域の輝尽励起光を照射することにより，該
放射線画像変換パネルに蓄積・記録されている放射線エ
ネルギーを輝尽発光として放出させる工程；ｉｉｉ）該輝尽発光を検出する工程；を含むことを特徴とする放射線画像変換方法。
（２）　前記輝尽励起光が，半導体レーザ光である特許
請求の範囲第１項記載の放射線画像変換方法。