JPS62207574A - 加熱装置 - Google Patents
加熱装置Info
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- JPS62207574A JPS62207574A JP4834086A JP4834086A JPS62207574A JP S62207574 A JPS62207574 A JP S62207574A JP 4834086 A JP4834086 A JP 4834086A JP 4834086 A JP4834086 A JP 4834086A JP S62207574 A JPS62207574 A JP S62207574A
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title abstract description 22
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract description 19
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract description 13
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 20
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004323 axial length Effects 0.000 description 1
- 229910001179 chromel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Control Of Resistance Heating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、半導体の微小リードのはんだ付は等に使用す
る加熱装置に関する。
る加熱装置に関する。
半導体は、ますます高密度他、微細化の傾向にある。こ
れに伴って周辺技術の開発が必要である。
れに伴って周辺技術の開発が必要である。
この周辺技術の中でも、はんだ付は技術は、重要である
。
。
即ち、はんだ付けを行なう為には、はんだを溶融する温
度にまで、当該部分を加熱する必要がある。そのために
、高密度にかつ微細化された半導体にあっては、上記加
熱によって発生する熱応力に対する強度が問題となる。
度にまで、当該部分を加熱する必要がある。そのために
、高密度にかつ微細化された半導体にあっては、上記加
熱によって発生する熱応力に対する強度が問題となる。
このような理由で、半導体のはんだ付は用加熱装置は、
所定の場所を短時間に、はんだ溶融温度にまで昇温でき
る機能が要求される。
所定の場所を短時間に、はんだ溶融温度にまで昇温でき
る機能が要求される。
従来の加熱装置は、いずれも、光線と光学系とを組合せ
たものが多い。
たものが多い。
例えば、特開昭47−12709号に示されているもの
は、水平形赤外線ランプに楕円弧状の反射鏡を取付け、
その集光を特別な制御手段を用いることなく、主として
広い面積を加熱するようにしたものである。
は、水平形赤外線ランプに楕円弧状の反射鏡を取付け、
その集光を特別な制御手段を用いることなく、主として
広い面積を加熱するようにしたものである。
又特開昭47−17645号及び特開昭49−154号
に示されているものは、赤外線或いはキセノンランプか
ら発する光を、楕円反射鏡を用いて微小円状に集光して
極部的に加熱するようにしたものである。
に示されているものは、赤外線或いはキセノンランプか
ら発する光を、楕円反射鏡を用いて微小円状に集光して
極部的に加熱するようにしたものである。
又特開昭57−181789号に示されているものは、
レーザビームを利用して、高密度工ネルギを出すように
したものが実用化されている。
レーザビームを利用して、高密度工ネルギを出すように
したものが実用化されている。
然しながら、これら加熱装置を、フラットパック形部品
のリード列のはんだ付に使用した場合、次のような問題
がある。
のリード列のはんだ付に使用した場合、次のような問題
がある。
先ず、水平形赤外線ランプを用いて、広い面積を加熱す
るようにしたもの(特開昭47−12709号)は、い
わゆる赤外線炉として知られるように、パッケージ全体
を加熱することになり、はんだ付けをする部分のみを加
熱する装置としては適さない。
るようにしたもの(特開昭47−12709号)は、い
わゆる赤外線炉として知られるように、パッケージ全体
を加熱することになり、はんだ付けをする部分のみを加
熱する装置としては適さない。
即ち、パッケージ全体を加熱するフラットパック形レジ
ンモールドパッケージ半導体のはんだ付けにおいては、
レジンが薄形の傾向にあるため、その耐熱性が230°
C210秒程度しか保証されず、レジンその物或は著じ
るしい場合には、半導体シリコンチップにクラックが発
生することがしばしば起る。
ンモールドパッケージ半導体のはんだ付けにおいては、
レジンが薄形の傾向にあるため、その耐熱性が230°
C210秒程度しか保証されず、レジンその物或は著じ
るしい場合には、半導体シリコンチップにクラックが発
生することがしばしば起る。
又プリント板のはんだ付けを行なうための手段としては
、あらゆる部品の一括はんだ付けか、或は、半導体のみ
を炉内付けした後に、他の部品を再度はんだ付けする工
法が必要になる。
、あらゆる部品の一括はんだ付けか、或は、半導体のみ
を炉内付けした後に、他の部品を再度はんだ付けする工
法が必要になる。
このはんだ付は工法による場合は、パッケージクラック
を防止するために、部品毎に遮弊板を取付ける必要が生
じ、加熱装置の熱容量による加熱条件変動に合せて行な
う遮弊板の着脱作業が困難である。
を防止するために、部品毎に遮弊板を取付ける必要が生
じ、加熱装置の熱容量による加熱条件変動に合せて行な
う遮弊板の着脱作業が困難である。
次に微小円集光装置(特開昭47−17645号、特開
昭49−154号)は、エネルギ密度が高いという利点
があるが、次のような問題を有する。
昭49−154号)は、エネルギ密度が高いという利点
があるが、次のような問題を有する。
即ち、プリント板に部品を装着後に、一般にはプリント
板を高精度に位置合せし、かつはんだ付は部に集光され
るように高精度逐次搬送が必要である。更に、集光光線
の強度安定化に難点がある。
板を高精度に位置合せし、かつはんだ付は部に集光され
るように高精度逐次搬送が必要である。更に、集光光線
の強度安定化に難点がある。
例えば、加熱はじめのリードに合せて、集光光線の強度
を調整すると、後の方のリードでは、集光光線の強度に
過不足を生ずることが多い。
を調整すると、後の方のリードでは、集光光線の強度に
過不足を生ずることが多い。
又微細リードになると、プリント板の電極が、0.3〜
0.4mm程度のリード幅とほぼ同じになる傾向が生ず
る。
0.4mm程度のリード幅とほぼ同じになる傾向が生ず
る。
この場合において、本加熱方式は、本質的にリード頂面
→はんだ→電極へと熱伝導されてはんだ付けされるので
、電極幅が狭くなるとリードのみが異常加熱され、その
結果、はんだがリードに積極的にぬれ上り、リード底面
と電極間のはんだが欠乏し、接合不良を生ずる。
→はんだ→電極へと熱伝導されてはんだ付けされるので
、電極幅が狭くなるとリードのみが異常加熱され、その
結果、はんだがリードに積極的にぬれ上り、リード底面
と電極間のはんだが欠乏し、接合不良を生ずる。
この接合不良は、一般に発見し難く、この発見に多大な
労力を要するという問題がある。
労力を要するという問題がある。
発明者らは、上記問題を解決するために、矩形状集光を
可能にして微細リード部全体を加熱し、短時間にリード
列を一括はんだ付けできるように1本装置に対し検討を
加えた。
可能にして微細リード部全体を加熱し、短時間にリード
列を一括はんだ付けできるように1本装置に対し検討を
加えた。
先ず、微小円焦点集光方式の利点は、その集光面の温度
が、soo’cにも達し、発光源にキセノンランプを使
用した場合は、1200゜Cという高密度エネルギを有
することが確認できた。これは、微小熱電対(アルメル
−クロメル)により測定した。
が、soo’cにも達し、発光源にキセノンランプを使
用した場合は、1200゜Cという高密度エネルギを有
することが確認できた。これは、微小熱電対(アルメル
−クロメル)により測定した。
然しながら、このエネルギをはんだ付は用加熱装置とし
て使用するには、次のような技術的な問題がある。
て使用するには、次のような技術的な問題がある。
その第1の問題として、このエネルギは、原理的には、
専ら楕円反射鏡の焦点近傍における点状集光によって得
られるものであって、楕円反射鏡の中心軸上において、
その焦点をわずかでも外れると、その面内のエネルギ強
度は著しく低下し、一般には面積の2乗に反比例するこ
とがよく知られている。
専ら楕円反射鏡の焦点近傍における点状集光によって得
られるものであって、楕円反射鏡の中心軸上において、
その焦点をわずかでも外れると、その面内のエネルギ強
度は著しく低下し、一般には面積の2乗に反比例するこ
とがよく知られている。
その第2の問題として、実際のランプ光源は、ハロゲン
ランプのように、多くはタングステン系金属材料から成
るコイル状か、或は短冊状フラメントから成り、その発
光・発熱源は、有限長である。
ランプのように、多くはタングステン系金属材料から成
るコイル状か、或は短冊状フラメントから成り、その発
光・発熱源は、有限長である。
従って、理想的な点焦点は、楕円反射鏡を使用しても得
られないのであって、いわゆるその焦点は、楕円反射鏡
の軸方向に深度を有する擬似的焦点である。しかもこの
焦点は、楕円反射鏡の軸に直角な面状の拡がりを有する
。
られないのであって、いわゆるその焦点は、楕円反射鏡
の軸方向に深度を有する擬似的焦点である。しかもこの
焦点は、楕円反射鏡の軸に直角な面状の拡がりを有する
。
これについて、第2図を用い更に詳しく説明する。図に
おいて、この加熱装置は、長さ4を有するハロゲンラン
プコイルの軸2方向の深度5が、コイル長4の約7倍を
有するように楕円反射鏡1を形成したものである。
おいて、この加熱装置は、長さ4を有するハロゲンラン
プコイルの軸2方向の深度5が、コイル長4の約7倍を
有するように楕円反射鏡1を形成したものである。
この加熱装置において、理想的焦点の軸内波がりは、コ
イル長4に対して拡がり6となり、コイル幅方向の集光
との関係により、理想焦点位置に楕円像7が形成される
ことになる。
イル長4に対して拡がり6となり、コイル幅方向の集光
との関係により、理想焦点位置に楕円像7が形成される
ことになる。
この像7は、上述の微小円焦点を目的とした反射鏡系と
は異なり、一定の拡がりを有する集光像を目的としたも
のであることから、矩形状集光の可能性を秘めており、
この像の拡がりは。
は異なり、一定の拡がりを有する集光像を目的としたも
のであることから、矩形状集光の可能性を秘めており、
この像の拡がりは。
立体角8に影響される。
発明者らは、上述の擬似的焦点位置に形成された面像7
について次のことを確認した。
について次のことを確認した。
即ち、擬似的焦点位置に形成された面像7の単位面積当
りのエネルギ(密度)は、理想焦点から外れた分だけ低
下することは当然である。
りのエネルギ(密度)は、理想焦点から外れた分だけ低
下することは当然である。
従って、面像7のエネルギ密度は、はんだ付・ 7 ・
けに必要でかつ十分なものであるかどうかの確認が必要
である。
である。
そこで、プリント板のはんだ材用電極面上に、面像7を
形成した結果、その電極の温度上昇は、品 Pb−8n共lはんだの溶融温度(183°C)まで極
めて短時間に昇温することができ、又プリント板(ガラ
ス繊維入りエポキシ)表面を短時間で炭素化させて黒化
させることが確認された。
形成した結果、その電極の温度上昇は、品 Pb−8n共lはんだの溶融温度(183°C)まで極
めて短時間に昇温することができ、又プリント板(ガラ
ス繊維入りエポキシ)表面を短時間で炭素化させて黒化
させることが確認された。
この実験により、面像7のエネルギは、はんだ付に十分
使用可能であることが判った。
使用可能であることが判った。
更に、面像7の拡がりは、反射鏡とランプフィラメント
の組合せによって、面像7(楕円)の軸長とその長軸と
短軸の比並びに立体角8が選択され、面像7内のエネル
ギ密度の増減が可能であることも確認された。
の組合せによって、面像7(楕円)の軸長とその長軸と
短軸の比並びに立体角8が選択され、面像7内のエネル
ギ密度の増減が可能であることも確認された。
上記の検討結果をもとにして、フラットバック部品のリ
ード列を一辺同時加熱するためには、前記楕円像に代え
て矩形状焦点像が必要であること、かつはんだ付に十分
なエネルギが必要であることから、更に次の検討を行な
った。
ード列を一辺同時加熱するためには、前記楕円像に代え
て矩形状焦点像が必要であること、かつはんだ付に十分
なエネルギが必要であることから、更に次の検討を行な
った。
先ず第1に考えねばならないことは、第2図において、
楕円反射鏡1から反射される光の立体角8をできるだけ
狭くシ、光の拡がりを防止して、できる限り多くの反射
光を補足十分なエネルギを得ることである。
楕円反射鏡1から反射される光の立体角8をできるだけ
狭くシ、光の拡がりを防止して、できる限り多くの反射
光を補足十分なエネルギを得ることである。
これを実現するために、第3図に示す光学系を試みた。
即ち、集光用球面レンズ9を面像7(第2図参照ンの後
位に配置し、その光路にひきつづきフィールドレンズを
入れ、矩形化の第1手段として最後にシリンドリカルレ
ンズ3を配設した。
位に配置し、その光路にひきつづきフィールドレンズを
入れ、矩形化の第1手段として最後にシリンドリカルレ
ンズ3を配設した。
これによって、はんだ付すべき位置に矩形状の像が得ら
れたが、その光エネルギ密度は極端品 に減少し、そのエネルギは、Pb−8n共昌体はんだを
溶かすにはとうてい及ばないものであった・ その原因は、立体角8を小さくするために、光路が長く
なり過ぎたためである。
れたが、その光エネルギ密度は極端品 に減少し、そのエネルギは、Pb−8n共昌体はんだを
溶かすにはとうてい及ばないものであった・ その原因は、立体角8を小さくするために、光路が長く
なり過ぎたためである。
上記第3図に示した光学系の欠点を補うために、光路を
短くした光学系を試みた。
短くした光学系を試みた。
第4図において、集光レンズ9の前に、所定の矩形集光
面に相当する絞り11を設けた。このようにすることに
より、立体角8を大きくし、光路を短くした。又この絞
り11によって、光路12を制限し、矩形像を作ること
ができた。
面に相当する絞り11を設けた。このようにすることに
より、立体角8を大きくし、光路を短くした。又この絞
り11によって、光路12を制限し、矩形像を作ること
ができた。
然しながら、この絞り11の設置は、単に面積の縮少に
よる損失だけにとどまらず、光源からの反射光を遮断し
、実際上コイル(光源)の中心部からの反射光13のみ
しかエネルギとして利用できないことになる。
よる損失だけにとどまらず、光源からの反射光を遮断し
、実際上コイル(光源)の中心部からの反射光13のみ
しかエネルギとして利用できないことになる。
従って、光学系の如何なる組合せにおいても、絞り幅に
は、ある一定の制限があることになる。
は、ある一定の制限があることになる。
因みに、光源フィラメントコイルを使用し、面像10の
長軸を30mmとして、第4図に示す光学系を用いて実
験した結果を表1に示す。この表より、絞り幅を10m
mにしてもなおはんだの溶融時間が10秒以上必要であ
り、フラットパック部品のはんだ付けには、実際上パッ
ケージ加熱遮断の考慮が必要であった。
長軸を30mmとして、第4図に示す光学系を用いて実
験した結果を表1に示す。この表より、絞り幅を10m
mにしてもなおはんだの溶融時間が10秒以上必要であ
り、フラットパック部品のはんだ付けには、実際上パッ
ケージ加熱遮断の考慮が必要であった。
このはんだ溶融に要する時間は、生産に必要なはんだ付
は時間として実用に供し得るものであるが、パッケージ
加熱防止用遮断を要しない範囲の時間の短縮と絞り幅の
縮少が必要である。
は時間として実用に供し得るものであるが、パッケージ
加熱防止用遮断を要しない範囲の時間の短縮と絞り幅の
縮少が必要である。
又光学系以外の解決策として、ハロゲンランプのコイル
線1本当りの輝度を高めることが考えられるが、コイル
線径が巻きのピッチを制約類があり、コイル自体の個有
の問題が生じ実用的ではない。
線1本当りの輝度を高めることが考えられるが、コイル
線径が巻きのピッチを制約類があり、コイル自体の個有
の問題が生じ実用的ではない。
従って、コイルの輝度を高めるには、自ずと制約があり
、これによる解決は期待することができない。
、これによる解決は期待することができない。
このことから、矩形状焦点像を有しかつはんだ付けを短
時間に行なうためには、光学系によるしかないことを示
唆するものである。
時間に行なうためには、光学系によるしかないことを示
唆するものである。
以上の種々の検討により発明者らが得た結果は、次の通
りである。
りである。
即ち、本質的には、反射光の立体角を小さくし、かつ、
光路を短くすることが必要であり、従来の楕円反射鏡と
有限長フィラメントの組合せでは、これを同時に達成す
ることができないことである。従って、別の新らたな光
学系を考える必要がある。
光路を短くすることが必要であり、従来の楕円反射鏡と
有限長フィラメントの組合せでは、これを同時に達成す
ることができないことである。従って、別の新らたな光
学系を考える必要がある。
上記検討結果を踏えて、発明者らは更に検討を加えた結
果、従来の楕円反射鏡の代りに放物反射鏡を用いること
により、立体角を最小とし、かつ有限長のフィラメント
全体からの反射光を絞り体によってできる限り制限せず
に取り出せることを見出した。
果、従来の楕円反射鏡の代りに放物反射鏡を用いること
により、立体角を最小とし、かつ有限長のフィラメント
全体からの反射光を絞り体によってできる限り制限せず
に取り出せることを見出した。
〔発明の目的〕
本発明は、上記検討結果を基にして得られたものであり
、上記従来の問題点をことごとく解決し、リード列を一
括してはんだ付けすることができる矩形状集光可能な加
熱装置を提供せんとするものである。
、上記従来の問題点をことごとく解決し、リード列を一
括してはんだ付けすることができる矩形状集光可能な加
熱装置を提供せんとするものである。
即ち、本発明は、発光源として有限長のフィラメント発
光体を用い、この発光源からの光を放物反射鏡によって
反射し、この反射光を球面レンズ及びシリンドリカルレ
ンズによって集光するようにしたものである。
光体を用い、この発光源からの光を放物反射鏡によって
反射し、この反射光を球面レンズ及びシリンドリカルレ
ンズによって集光するようにしたものである。
以下本発明の一実施例について詳細に説明する。第1図
において、14は、有限長のコイル状フィラメントであ
る。15は、放物反射鏡であり、フィラメント14から
の光を最大限受光するように設置されている。11は絞
り体であり、フィールドレンズ9の直前に設けられてい
る。3はシリンドリカルレンズ、10は矩形状焦点像で
ある。16は、放物反射鏡15からの反射光を集光する
ための集光レンズである。
において、14は、有限長のコイル状フィラメントであ
る。15は、放物反射鏡であり、フィラメント14から
の光を最大限受光するように設置されている。11は絞
り体であり、フィールドレンズ9の直前に設けられてい
る。3はシリンドリカルレンズ、10は矩形状焦点像で
ある。16は、放物反射鏡15からの反射光を集光する
ための集光レンズである。
以上のように構成した本実施例において、フィラメント
14より発光する光は、放物反射鏡15によって反射さ
れ、この反射光は、はぼ平行光となる。この平行光は1
球面レンズである集光レンズ16により屈折され絞り体
11に至る光の立体角を小さくする。従って絞り体11
においては、放物反射鏡15から反射される反射光の大
部分を遮断することなく、フィールドレンズ9に入射し
、シリンドリカルレンズ3によって矩形状焦点像10を
得る。この矩形状焦点像10のエネルギ密度は、フィラ
メント14の光をほとんど受けること及び絞り体11に
よりその面積を縮少されることから、高いエネルギ密度
になる。
14より発光する光は、放物反射鏡15によって反射さ
れ、この反射光は、はぼ平行光となる。この平行光は1
球面レンズである集光レンズ16により屈折され絞り体
11に至る光の立体角を小さくする。従って絞り体11
においては、放物反射鏡15から反射される反射光の大
部分を遮断することなく、フィールドレンズ9に入射し
、シリンドリカルレンズ3によって矩形状焦点像10を
得る。この矩形状焦点像10のエネルギ密度は、フィラ
メント14の光をほとんど受けること及び絞り体11に
よりその面積を縮少されることから、高いエネルギ密度
になる。
表1は、絞り幅を変化させた場合の放物反射鏡の効果を
従来の楕円反射鏡と対比して示したものである。
従来の楕円反射鏡と対比して示したものである。
表1
この実験は、絞り体11から矩形状焦点像10までの光
路長を等しくして行なったものである。
路長を等しくして行なったものである。
表1から解ることは、絞り幅が小さいほど、楕円反射鏡
と放物反射鏡のはんだ溶融時間差が大きくなっており、
絞り幅が大きくなるほどその差が小さくなっている。
と放物反射鏡のはんだ溶融時間差が大きくなっており、
絞り幅が大きくなるほどその差が小さくなっている。
これは、放物反射鏡の方が、立体角が小さく。
かつ、矩形状焦点像におけるエネルギ密度が高いことを
示すものである。
示すものである。
以上詳述した通り、本発明による加熱装置は、発光源に
有限長のフィラメントを用い、この光を放物反射鏡によ
って平行光とし、これを集光レンズによって集光し、矩
形状焦点像を得るようにしたので、絞り体に入る光の立
体角を小さくして絞りによるエネルギ損失を大巾に減少
することができ、エネルギ密度の高い矩形状焦点像を得
ることができた。
有限長のフィラメントを用い、この光を放物反射鏡によ
って平行光とし、これを集光レンズによって集光し、矩
形状焦点像を得るようにしたので、絞り体に入る光の立
体角を小さくして絞りによるエネルギ損失を大巾に減少
することができ、エネルギ密度の高い矩形状焦点像を得
ることができた。
その結果、微小範囲の加熱が可能となって、高密度化及
び微細化された半導体のフラットパックリードの一括は
んだ付けが可能となり、加熱によるチップの割れやはん
だ不足による接続、15゜ 不良もなく、当該産業における効果は多大なものがある
。
び微細化された半導体のフラットパックリードの一括は
んだ付けが可能となり、加熱によるチップの割れやはん
だ不足による接続、15゜ 不良もなく、当該産業における効果は多大なものがある
。
第1図は、本発明の一実施例であり、加熱装置の概略構
成を示す図である。第2図は、従来の加熱装置の原理を
示す図である。第3図及び第4図は、実験に供した加熱
装置でいずれも楕円反射鏡を使用したものであり、第3
図は、立体角を小さくした場合の概略構成図、第4図は
立体角を大きくして光路長を短くした場合の概略構成図
である。 3・・・シリンドリカルレンズ、9・・・フィールドレ
ンズ、10・・・矩形状焦点像、11・・・絞り体。 14・・・フィラメント、15・・・放物反射fi、1
6・・・集光レンズ(球面レンズ)。 、16゜
成を示す図である。第2図は、従来の加熱装置の原理を
示す図である。第3図及び第4図は、実験に供した加熱
装置でいずれも楕円反射鏡を使用したものであり、第3
図は、立体角を小さくした場合の概略構成図、第4図は
立体角を大きくして光路長を短くした場合の概略構成図
である。 3・・・シリンドリカルレンズ、9・・・フィールドレ
ンズ、10・・・矩形状焦点像、11・・・絞り体。 14・・・フィラメント、15・・・放物反射fi、1
6・・・集光レンズ(球面レンズ)。 、16゜
Claims (1)
- 有限長のフィラメントを発光体とするランプを用いた
発光源と、該発光源からの光を反射するための放物反射
鏡と、該放物反射鏡の反射光を集光するための球面レン
ズ及びシリンドリカルレンズとから成る加熱装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4834086A JPS62207574A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | 加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4834086A JPS62207574A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | 加熱装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62207574A true JPS62207574A (ja) | 1987-09-11 |
Family
ID=12800670
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4834086A Pending JPS62207574A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | 加熱装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62207574A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101850450A (zh) * | 2010-05-28 | 2010-10-06 | 淮阴工学院 | 以凸透镜焦点为焊接热源的方法及其焊接装置 |
RU2608113C2 (ru) * | 2014-11-19 | 2017-01-13 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пензенский государственный технологический университет" | Способ использования излучения инфракрасных, зеркальных электрических ламп типа ИКЗ |
CN106457457A (zh) * | 2014-06-27 | 2017-02-22 | Oci有限公司 | 使用多晶硅碎片的多晶硅长丝结合装置 |
-
1986
- 1986-03-07 JP JP4834086A patent/JPS62207574A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101850450A (zh) * | 2010-05-28 | 2010-10-06 | 淮阴工学院 | 以凸透镜焦点为焊接热源的方法及其焊接装置 |
CN106457457A (zh) * | 2014-06-27 | 2017-02-22 | Oci有限公司 | 使用多晶硅碎片的多晶硅长丝结合装置 |
EP3162487A4 (en) * | 2014-06-27 | 2017-11-15 | OCI Company Ltd. | Polysilicon filament binding device using polysilicon fragments |
RU2608113C2 (ru) * | 2014-11-19 | 2017-01-13 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пензенский государственный технологический университет" | Способ использования излучения инфракрасных, зеркальных электрических ламп типа ИКЗ |
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