JPS62206830A - レジスト液塗布方法 - Google Patents
レジスト液塗布方法Info
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- JPS62206830A JPS62206830A JP4823686A JP4823686A JPS62206830A JP S62206830 A JPS62206830 A JP S62206830A JP 4823686 A JP4823686 A JP 4823686A JP 4823686 A JP4823686 A JP 4823686A JP S62206830 A JPS62206830 A JP S62206830A
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- Japan
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- resist liquid
- resist
- vessel
- resist solution
- liquid
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- Pending
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title abstract description 42
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 abstract description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 abstract 2
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 abstract 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 abstract 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 9
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 230000001795 light effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011085 pressure filtration Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は、レジスト液塗布方法の改良に関1−る。
(従来の技術)
一般に、レジスト液の製造過程には、加圧ろ過工程のよ
うに空気や窒素がレジスト液中粘度が高く、その取り扱
い中に周囲の気体を取り込み易いという特性がある。そ
のため、レジスト液中には、かなりの■の溶存ガスが含
まれていることがある。
うに空気や窒素がレジスト液中粘度が高く、その取り扱
い中に周囲の気体を取り込み易いという特性がある。そ
のため、レジスト液中には、かなりの■の溶存ガスが含
まれていることがある。
(発明が解決しようとする問題点)
ところで、従来のレジスト液塗布方法にあっては、この
溶存ガスを含むレジスト液をそのままレジスト液供給装
置によりつ1ハ上に供給してスピンコードしていた。そ
のため、レジスト液供給装置内やレジスト液配管内での
圧力変動やかくはん作用によって容易に気泡が生じCし
まい、この気泡の発生がレジスト液塗布時(スピンコ−
ト時)の塗布むらの大きな原因となり、このため、均一
な膜厚のレジスト膜を得ることが困難であっIこ。
溶存ガスを含むレジスト液をそのままレジスト液供給装
置によりつ1ハ上に供給してスピンコードしていた。そ
のため、レジスト液供給装置内やレジスト液配管内での
圧力変動やかくはん作用によって容易に気泡が生じCし
まい、この気泡の発生がレジスト液塗布時(スピンコ−
ト時)の塗布むらの大きな原因となり、このため、均一
な膜厚のレジスト膜を得ることが困難であっIこ。
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので塗布むら
がなく、均一な膜厚のレジスト膜を得ることのできるレ
ジメi〜液塗イ1i方法を提供する事を目的とする。
がなく、均一な膜厚のレジスト膜を得ることのできるレ
ジメi〜液塗イ1i方法を提供する事を目的とする。
(問題点を解決するための手段)
本発明によるレジスト液塗布方法は、レジスト液を塗布
する前に気泡の核を形成しなからレジスト液中脱気して
レジスト液中の溶存ガスを除去し。
する前に気泡の核を形成しなからレジスト液中脱気して
レジスト液中の溶存ガスを除去し。
ておくことにより、溶存ガスに起因する気泡の発生を防
止することを特徴とする。
止することを特徴とする。
(作 用)
本発明のレジスト液塗布方法によれば気泡の核を形成し
ながらレジスト液を脱気するためレジスト液中の溶存ガ
スをほぼ完全に除去でき、塗布むらをなくずことができ
る。
ながらレジスト液を脱気するためレジスト液中の溶存ガ
スをほぼ完全に除去でき、塗布むらをなくずことができ
る。
(発明の実施例)
以下、本発明を図示する実施例に基づいて詳述づる。
第1図に本発明によるレジスト液塗布方法の一実施例が
適用されるレジスト液脱気装置10を示す。第1図にお
いて、脱気用レジスト液2中1にはレジスト液2が収容
さ゛れている。この脱気用レジスト液容器1を密閉する
蓋3には管4が取り付けられ、この管4の一端側は脱気
用レジスト液容器1内の気相部にて間口し、他端側はバ
キュームライン等の減圧源5に接続されている。また、
管4の途中には]−ラップ6が設けられている。
適用されるレジスト液脱気装置10を示す。第1図にお
いて、脱気用レジスト液2中1にはレジスト液2が収容
さ゛れている。この脱気用レジスト液容器1を密閉する
蓋3には管4が取り付けられ、この管4の一端側は脱気
用レジスト液容器1内の気相部にて間口し、他端側はバ
キュームライン等の減圧源5に接続されている。また、
管4の途中には]−ラップ6が設けられている。
このようなレジスト液脱気装置10を用いて、レジスト
液容器1内の気相部を溶液の沸騰が起らない程度ででき
るだけ低圧、例えば60m11gに減圧することにより
、レジスト液2中の溶存ガスが常温下でも活発に気化し
てレジスト液2の脱気が行、!Dれる。この際、レジス
ト液容器1を矢印で示すように振ることによって空気を
巻き込むようにし、気泡形成の際の核を形成しやすくし
で、溶存ガスの脱気を一層促進させている。
液容器1内の気相部を溶液の沸騰が起らない程度ででき
るだけ低圧、例えば60m11gに減圧することにより
、レジスト液2中の溶存ガスが常温下でも活発に気化し
てレジスト液2の脱気が行、!Dれる。この際、レジス
ト液容器1を矢印で示すように振ることによって空気を
巻き込むようにし、気泡形成の際の核を形成しやすくし
で、溶存ガスの脱気を一層促進させている。
また、この容器の内面は表面を粗面化しであることが気
泡形成の核を形成しやすいため望ましい。
泡形成の核を形成しやすいため望ましい。
第2図に、このようにして脱気されたレジスト液2が用
いられるレジスト液供給装置20を示す。
いられるレジスト液供給装置20を示す。
第2図において、供給用レジスト液容器11内には脱気
済のレジスト液2が収容され、このレジス]・液2はデ
ィスベンザ−12によって管路13の先端の吐出口14
からウェハ15上に供給されるようになっている。供給
後、ウェハ15はスピンチャック16に固定された状態
でスピンモータ17により回転され、レジスト液2のウ
ェハ15へのスピンコード(塗布)が行われる。
済のレジスト液2が収容され、このレジス]・液2はデ
ィスベンザ−12によって管路13の先端の吐出口14
からウェハ15上に供給されるようになっている。供給
後、ウェハ15はスピンチャック16に固定された状態
でスピンモータ17により回転され、レジスト液2のウ
ェハ15へのスピンコード(塗布)が行われる。
このような本実施例によれば、ウェハ15ヘレジスト液
2を供給する際のレジスト液2の発泡を防止することが
できる。またスピンコード時に塗布むらが発生せず、均
一な膜厚のレジスト膜を得ることができる。
2を供給する際のレジスト液2の発泡を防止することが
できる。またスピンコード時に塗布むらが発生せず、均
一な膜厚のレジスト膜を得ることができる。
例えば、同一のレジスト供給装置20を用いながら、レ
ジスト液2を予め脱気しないで用いるとぎ(従来方法)
とレジスト液を予め脱気して用いるとき(本実施例)と
を比較した実験例によれば、レジスト液2がポジ型の場
合には、塗布むらの発生率が従来方法では5.5%であ
ったのが本実施例では0%であった。また、レジスト液
2がネガ型の場合には、同発生率が従来方法では2.1
%であったのが本実施例では0%になった。
ジスト液2を予め脱気しないで用いるとぎ(従来方法)
とレジスト液を予め脱気して用いるとき(本実施例)と
を比較した実験例によれば、レジスト液2がポジ型の場
合には、塗布むらの発生率が従来方法では5.5%であ
ったのが本実施例では0%であった。また、レジスト液
2がネガ型の場合には、同発生率が従来方法では2.1
%であったのが本実施例では0%になった。
また、レジスト液2を予め、脱気しない場合にはディス
ベンザ−12や管路13内で目視により確認できる程の
気泡が発生していたが、レジスト液2を予め脱気した場
合には気泡の発生を確認することはできない。
ベンザ−12や管路13内で目視により確認できる程の
気泡が発生していたが、レジスト液2を予め脱気した場
合には気泡の発生を確認することはできない。
なお、レジスト液の脱気方法は前記実施例の方法に限ら
れず、容器を振るかわりに適当な振動を加える方法等で
もよく、この際周囲温度を高めたりする等、脱泡を容易
にするための種々の工夫を併用するようにしてもよい。
れず、容器を振るかわりに適当な振動を加える方法等で
もよく、この際周囲温度を高めたりする等、脱泡を容易
にするための種々の工夫を併用するようにしてもよい。
(5′!!明の効果〕
以上の通り、本発明によれば、塗布前にレジスト液を脱
気しているため塗布むらがなく、均一な膜厚のレジスト
膜を得ることかできる。
気しているため塗布むらがなく、均一な膜厚のレジスト
膜を得ることかできる。
第1図は本発明によるレジスト液塗布方法の一実施例が
適用されるレジスト液脱気装置を示す正面図、第2図は
そのレジスト液脱気装置により脱気されたレジスト液が
用いられるレジスト液供給装置を示ず正面図である。 1・・・脱気用レジスト液容器、2・・・レジスト液、
5・・・減圧源5.6・・・1−ラップ、10・・・レ
ジスト液脱気装置、11・・・供給用レジスト液容器、
12・・・Yイスベンサー、15・・・つ1ハ、20・
・・レジスト液供給装置。 出願人代理人 佐 藤 −雄 も 1 区 も2 凹
適用されるレジスト液脱気装置を示す正面図、第2図は
そのレジスト液脱気装置により脱気されたレジスト液が
用いられるレジスト液供給装置を示ず正面図である。 1・・・脱気用レジスト液容器、2・・・レジスト液、
5・・・減圧源5.6・・・1−ラップ、10・・・レ
ジスト液脱気装置、11・・・供給用レジスト液容器、
12・・・Yイスベンサー、15・・・つ1ハ、20・
・・レジスト液供給装置。 出願人代理人 佐 藤 −雄 も 1 区 も2 凹
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、レジスト液を塗布する前に気泡の核を形成しながら
前記レジスト液を脱気しておくことを特徴とするレジス
ト液塗布方法。 2、核を形成する方法がレジスト液容器を揺動させるも
のである特許請求の範囲第1項記載のレジスト液塗布方
法。 3、核を形成する方法が内面の表面を粗面化したレジス
ト液容器を用いるものである特許請求の範囲第1項記載
のレジスト液塗布方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4823686A JPS62206830A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | レジスト液塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4823686A JPS62206830A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | レジスト液塗布方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62206830A true JPS62206830A (ja) | 1987-09-11 |
Family
ID=12797807
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4823686A Pending JPS62206830A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | レジスト液塗布方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62206830A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0294517A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-05 | Tokyo Electron Ltd | レジスト処理装置 |
WO2012147537A1 (ja) * | 2011-04-28 | 2012-11-01 | 日立造船株式会社 | 袋状容器内における酸素濃度の非破壊検査装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52152454A (en) * | 1976-06-11 | 1977-12-17 | Agfa Gevaert Nv | Degassing of liquid composition |
JPS56161539A (en) * | 1980-05-16 | 1981-12-11 | Fujitsu Ltd | Feeding method for photoresist solution |
-
1986
- 1986-03-07 JP JP4823686A patent/JPS62206830A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52152454A (en) * | 1976-06-11 | 1977-12-17 | Agfa Gevaert Nv | Degassing of liquid composition |
JPS56161539A (en) * | 1980-05-16 | 1981-12-11 | Fujitsu Ltd | Feeding method for photoresist solution |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0294517A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-05 | Tokyo Electron Ltd | レジスト処理装置 |
WO2012147537A1 (ja) * | 2011-04-28 | 2012-11-01 | 日立造船株式会社 | 袋状容器内における酸素濃度の非破壊検査装置 |
CN103460023A (zh) * | 2011-04-28 | 2013-12-18 | 日立造船株式会社 | 袋状容器内的氧浓度的非破坏检查装置 |
US8848193B2 (en) | 2011-04-28 | 2014-09-30 | Hitachi Zosen Corporation | Non-destructive inspection device for oxygen concentration in bag-shaped container |
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