JPS62204602A - 強磁性薄膜フイルタ - Google Patents
強磁性薄膜フイルタInfo
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- JPS62204602A JPS62204602A JP4801386A JP4801386A JPS62204602A JP S62204602 A JPS62204602 A JP S62204602A JP 4801386 A JP4801386 A JP 4801386A JP 4801386 A JP4801386 A JP 4801386A JP S62204602 A JPS62204602 A JP S62204602A
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Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は膜面に垂直な磁界が与えられる強磁性薄膜を用
いたフィルタに関する。
いたフィルタに関する。
本発明は強磁性薄膜フィルタに関し、膜面に垂直な磁界
が与えられる第１及び第２の強磁性薄膜に、互いに逆向
きの第１及び第２の方向に延在し、且つ互いに平行に配
された、共に先端開放の入力及び出力線路並びに結合線
路を夫々結合させ、入力及び出力線路を、通過帯域の信
号の伝播波長の略１／２以下で、十分な大きさの電界結
合度が得られる間隔を以て配することにより、通過帯域
中心周波数を数ＧＨｚ以上の高周波数となし得、アイソ
レーション特性を良好ならしめたものである。
が与えられる第１及び第２の強磁性薄膜に、互いに逆向
きの第１及び第２の方向に延在し、且つ互いに平行に配
された、共に先端開放の入力及び出力線路並びに結合線
路を夫々結合させ、入力及び出力線路を、通過帯域の信
号の伝播波長の略１／２以下で、十分な大きさの電界結
合度が得られる間隔を以て配することにより、通過帯域
中心周波数を数ＧＨｚ以上の高周波数となし得、アイソ
レーション特性を良好ならしめたものである。
従来、ＹＩＧ薄膜とストリップラインとを用いた量産性
の高い薄膜化ＹＩＧフィルタ（強磁性薄膜フィルタ）が
提案されている（例えば、特開昭５９−１０３４０３号
公報）。本発明と比較すべき従来の強磁性薄膜フィルタ
の一例を第８図を参照して説明する。これは２段フィル
タである。（１１）は誘電体基板としての石英基板で、
その裏面には接地導電層（１２）が全面に亘り被着形成
されている。
の高い薄膜化ＹＩＧフィルタ（強磁性薄膜フィルタ）が
提案されている（例えば、特開昭５９−１０３４０３号
公報）。本発明と比較すべき従来の強磁性薄膜フィルタ
の一例を第８図を参照して説明する。これは２段フィル
タである。（１１）は誘電体基板としての石英基板で、
その裏面には接地導電層（１２）が全面に亘り被着形成
されている。
この石英基板（１１）の表面上の両側付近に、互いに平
行に入力及び出力側マイクロストリップライン（導電層
） （１３） 、 （１４）が被着形成され、その
互いに反対側の各一端は延長されて接地導電層（１２）
に接続（短絡）される。（１３ａ ） 、 （１４ａ
）はマイクロストリップライン（１３） 、 （１
４）の各短絡端部である。（１７）はＧＧＧ （ガドリ
ニウム・ガリウム・ガーネット）板で、その一方の主面
上に液相エピタキシャル法により成長させたＹＩＧ薄膜
により、フォトリソグラフィを用いて円板状のＹ Ｉ
Ｇ１１ｌＩ！（１５） 、 （１６）を形成し、各々
のＹＩＧ薄膜（１５） 、 （１６）を入力及び出力
側マイクロストリップライン（１３） 、 （１４）
の上の短絡端部（１３ａ ） 、 （１４ａ ）付近
に密着して置く、このＧＧＧ坂（１７）の他方の主面上
に、Ｙ Ｉ Ｇｆｆ膜（１５） 、 （１６）に対向
し、入力及び出力側マイクロストリップライン（１３）
、 （１４）と交叉する如く連結用マイクロストリ
ップライン（１８）を被着形成し、その両端は延長され
て接地導電層（１２）に接続（短絡）される。（１８ａ
） 、 （１８ｂ ）はマイクロストリップライン
（１８）の両短絡端部である。
行に入力及び出力側マイクロストリップライン（導電層
） （１３） 、 （１４）が被着形成され、その
互いに反対側の各一端は延長されて接地導電層（１２）
に接続（短絡）される。（１３ａ ） 、 （１４ａ
）はマイクロストリップライン（１３） 、 （１
４）の各短絡端部である。（１７）はＧＧＧ （ガドリ
ニウム・ガリウム・ガーネット）板で、その一方の主面
上に液相エピタキシャル法により成長させたＹＩＧ薄膜
により、フォトリソグラフィを用いて円板状のＹ Ｉ
Ｇ１１ｌＩ！（１５） 、 （１６）を形成し、各々
のＹＩＧ薄膜（１５） 、 （１６）を入力及び出力
側マイクロストリップライン（１３） 、 （１４）
の上の短絡端部（１３ａ ） 、 （１４ａ ）付近
に密着して置く、このＧＧＧ坂（１７）の他方の主面上
に、Ｙ Ｉ Ｇｆｆ膜（１５） 、 （１６）に対向
し、入力及び出力側マイクロストリップライン（１３）
、 （１４）と交叉する如く連結用マイクロストリ
ップライン（１８）を被着形成し、その両端は延長され
て接地導電層（１２）に接続（短絡）される。（１８ａ
） 、 （１８ｂ ）はマイクロストリップライン
（１８）の両短絡端部である。
そして第９図及び第１Ｏ図に示す如き、磁気装置の磁気
ヨークＹ内の対向する永久磁石（１９）。
ヨークＹ内の対向する永久磁石（１９）。
（２０）間のギャップＧＰ内に第８図のフィルタを第９
図に示すように配し、ＹＩＧ薄Ｉｍ！ （１５） 。
図に示すように配し、ＹＩＧ薄Ｉｍ！ （１５） 。
（１６）に、そのフェリ磁性共鳴のために、その膜面に
垂直で一様なバイアス直流磁界を与えることによって、
固定フィルタ装置を得ることができる。
垂直で一様なバイアス直流磁界を与えることによって、
固定フィルタ装置を得ることができる。
又、第１１図に示すように、磁気ヨークＹ内に、永久磁
石（１９） 、 （２０）と共に、発生磁界を可変で
きる電磁石（１９Ｂ） 、 （２０Ｅ）を配した磁気
装置のギャップＣＰ内に、第８図のフィルタを配するこ
とにより、狭帯域可変フィルタ装置を得ることもできる
。
石（１９） 、 （２０）と共に、発生磁界を可変で
きる電磁石（１９Ｂ） 、 （２０Ｅ）を配した磁気
装置のギャップＣＰ内に、第８図のフィルタを配するこ
とにより、狭帯域可変フィルタ装置を得ることもできる
。
かかる薄膜ＹＩＧフィルタは、マイクロ波帯で使用する
場合Ｑが高く、共振周波数がＹＩＧ強磁性体の体積に依
存せず、バイアス磁界の強さを可変することにより共振
周波数を広帯域に亘って直線的に可変でき、又、Ｙ Ｉ
Ｇｉ膜の形成にフォトリソグラフィ技術を採用できる
ところから、量産性が高く、特性のばらつきが少なく、
無調整化が可能で、しかも廉価であるという特長を有す
る。
場合Ｑが高く、共振周波数がＹＩＧ強磁性体の体積に依
存せず、バイアス磁界の強さを可変することにより共振
周波数を広帯域に亘って直線的に可変でき、又、Ｙ Ｉ
Ｇｉ膜の形成にフォトリソグラフィ技術を採用できる
ところから、量産性が高く、特性のばらつきが少なく、
無調整化が可能で、しかも廉価であるという特長を有す
る。
しかし、かかる強磁性ｉ膜フィルタには次のような問題
がある０円形の強磁性薄膜（Ｙ Ｉ ｃａｌｌ！Ｉ）を
強磁性球体と同体積にするには、その直径を１ｌＩＩＩ
ｌ１以上にしなければならない、誘電体基板及びＧＧＧ
板（ｔｒ−１３）の誘電率並びにマイクロストリップラ
インの形状により求められる実効誘電率をεｅｆｆと置
くと、伝播波長は自由空間波長のＬ／ ｉπに圧縮され
るので、数ＧＨｚ以上の周波数信号を扱う場合には、マ
イクロストリップラインの短絡端の極の近傍に強磁性薄
膜を置くという条件が成立しなくなる。このため、強磁
性薄膜及びマイクロストリップライン間の高周波結合効
率が下がり、フィルタの挿入損失が増加する。誘電体基
板及びＧＧＧ板上の各マイクロストリップライン間の高
周波電界による容量性結合度が大となって、アイソレー
ションが劣化するところから、特性の良いフィルタを得
ることができなかった。
がある０円形の強磁性薄膜（Ｙ Ｉ ｃａｌｌ！Ｉ）を
強磁性球体と同体積にするには、その直径を１ｌＩＩＩ
ｌ１以上にしなければならない、誘電体基板及びＧＧＧ
板（ｔｒ−１３）の誘電率並びにマイクロストリップラ
インの形状により求められる実効誘電率をεｅｆｆと置
くと、伝播波長は自由空間波長のＬ／ ｉπに圧縮され
るので、数ＧＨｚ以上の周波数信号を扱う場合には、マ
イクロストリップラインの短絡端の極の近傍に強磁性薄
膜を置くという条件が成立しなくなる。このため、強磁
性薄膜及びマイクロストリップライン間の高周波結合効
率が下がり、フィルタの挿入損失が増加する。誘電体基
板及びＧＧＧ板上の各マイクロストリップライン間の高
周波電界による容量性結合度が大となって、アイソレー
ションが劣化するところから、特性の良いフィルタを得
ることができなかった。
即ち、かかるフィルタでは、帯域外減衰量として４０−
１４５ｄＢが保証される帯域は、第１２図に示す如く、
高々θ〜３（又は４）ＧＨｚ程度までであり、それ以上
の帯域でのアイソレーションは、高々５〜７ｄＢまでで
あって、極端に悪く、この様な悪いアイソレーション帯
域の中で、磁気共鳴を用いて通過帯域を設定しても、良
好なフィルタを得ることはできない。
１４５ｄＢが保証される帯域は、第１２図に示す如く、
高々θ〜３（又は４）ＧＨｚ程度までであり、それ以上
の帯域でのアイソレーションは、高々５〜７ｄＢまでで
あって、極端に悪く、この様な悪いアイソレーション帯
域の中で、磁気共鳴を用いて通過帯域を設定しても、良
好なフィルタを得ることはできない。
かかる点に鑑み本発明は、通過帯域中心周波数を数ＧＨ
ｚ以上の高周波数となし得、アイソレーションを良好と
なし得、自由度を増大し得、しかも製造の容易な強磁性
薄膜フィルタを提案しようとするものである。
ｚ以上の高周波数となし得、アイソレーションを良好と
なし得、自由度を増大し得、しかも製造の容易な強磁性
薄膜フィルタを提案しようとするものである。
本発明による強磁性薄膜フィルタは、膜面に垂直な磁界
が与えられる第１及び第２の強磁性薄膜（１５） 、
（１６）と、第１及び第２の強磁性薄膜（１５） 、
（１６）に結合され、互いに逆向きの第１及び第２
の方向に延在し、且つ互いに平行に配された、共に先端
開放の入力及び出力線路（１３） 。
が与えられる第１及び第２の強磁性薄膜（１５） 、
（１６）と、第１及び第２の強磁性薄膜（１５） 、
（１６）に結合され、互いに逆向きの第１及び第２
の方向に延在し、且つ互いに平行に配された、共に先端
開放の入力及び出力線路（１３） 。
（１４）と、第１及び第２の強磁性薄膜（１５） 。
（１６）に結合され、入力及び出力線路（１３）。
（１４）に対し直交する如く配された結合線路（１８）
とを有し、入力及び出力線路（１３） 、 （１４）
は、通過帯域の信号の伝播波長の略１／２以下で、］分
な大きさの電界結合度が得られる間隔を以て配されて成
るものである。
とを有し、入力及び出力線路（１３） 、 （１４）
は、通過帯域の信号の伝播波長の略１／２以下で、］分
な大きさの電界結合度が得られる間隔を以て配されて成
るものである。
かかる本発明によれば、入力及び出力線路（１３）（１
４）は結合線路（１８）との間のアイソレーションが採
れ易く、第１及び第２の強磁性薄膜（１５）。
４）は結合線路（１８）との間のアイソレーションが採
れ易く、第１及び第２の強磁性薄膜（１５）。
（１６）との結合が強くなり、又、入力及び出力線路（
１３） 、 （１４）間の電界結合が強く成る。
１３） 、 （１４）間の電界結合が強く成る。
以下に、第１図及び第２図を参照して、本発明の一実施
例を詳細に説明するも、第１図及び第２図に於いて第８
図と対応する部分には同一符号を付して説明する。これ
は第８図と同様に２段フィルタであ、る。（１１）は誘
電体基板としての石英基板で、その裏面には接地導電層
（１２）が全面に亘り被着形成されている。この石英基
板（１１）の表面上の両側付近に互いに平行で、互いに
逆向きの第１及び第２の方向に延在する入力及び出力側
マイクロストリップライン（導電層”） （１３）
、 （１４）が被着形成され、その互いに反対向きの
各一端は開放される。（１３Ａ ） 、 （１４Ａ
）はマイクロストリップライン（１３） 、 （１４
）の各開放端部である。
例を詳細に説明するも、第１図及び第２図に於いて第８
図と対応する部分には同一符号を付して説明する。これ
は第８図と同様に２段フィルタであ、る。（１１）は誘
電体基板としての石英基板で、その裏面には接地導電層
（１２）が全面に亘り被着形成されている。この石英基
板（１１）の表面上の両側付近に互いに平行で、互いに
逆向きの第１及び第２の方向に延在する入力及び出力側
マイクロストリップライン（導電層”） （１３）
、 （１４）が被着形成され、その互いに反対向きの
各一端は開放される。（１３Ａ ） 、 （１４Ａ
）はマイクロストリップライン（１３） 、 （１４
）の各開放端部である。
（１７）はＧＧＧ （ガドリニウム・ガリウム・ガーネ
ット）板で、その上に液相エピタキシャル法により成長
させたＹＩＧ薄膜により、フォトリフグラフィを用いて
円板状のＹＩＧ薄膜（１５） 、 （１６）を形成し
、各々のＹＩＧ薄膜（１５） 、 （１６）を入力及
び出力側マイクロストリップライン（１３）。
ット）板で、その上に液相エピタキシャル法により成長
させたＹＩＧ薄膜により、フォトリフグラフィを用いて
円板状のＹＩＧ薄膜（１５） 、 （１６）を形成し
、各々のＹＩＧ薄膜（１５） 、 （１６）を入力及
び出力側マイクロストリップライン（１３）。
（１４）の上の開放端部（１３Ａ ） 、 （１４Ａ
）より後述する特性の距離だけ離れた位置に密着して
置く。
）より後述する特性の距離だけ離れた位置に密着して
置く。
このＧＧＧ板（１７）の他方の主面上に、ＹＩＧ薄ＩＩ
（１５） 、 （１６）に対向し、入力及び出力側
マイクロストリップライン（１３） 、 （１４）と
交叉する如く連結用マイクロストリップライン（１８）
を被着形成し、その両端は開放される。（１８Ａ）。
（１５） 、 （１６）に対向し、入力及び出力側
マイクロストリップライン（１３） 、 （１４）と
交叉する如く連結用マイクロストリップライン（１８）
を被着形成し、その両端は開放される。（１８Ａ）。
（１８Ｂ）はマイクロストリップライン（１８）の両開
放端部である。そして、第１図及び第２図に示すフィル
タを、第９図及び第１Ｏ図又は第１１図の磁気装置のギ
ャップＧＰ内に配し、ＹＩＧｉ膜（１５）（１６）に、
そのフェリ磁性共鳴のために、その膜面に垂直で一様な
バイアス直流磁界を与えて、固定又は可変フィルタ装置
を得るようにする。
放端部である。そして、第１図及び第２図に示すフィル
タを、第９図及び第１Ｏ図又は第１１図の磁気装置のギ
ャップＧＰ内に配し、ＹＩＧｉ膜（１５）（１６）に、
そのフェリ磁性共鳴のために、その膜面に垂直で一様な
バイアス直流磁界を与えて、固定又は可変フィルタ装置
を得るようにする。
そして、入力及び出力側マイクロストリップライン（１
３） 、 （１４）の互いに対向する部分の長さく物
理長）「を、通過帯域の信号の伝播波長λの略１／２の
整数倍、ここではλ／２に選定する。
３） 、 （１４）の互いに対向する部分の長さく物
理長）「を、通過帯域の信号の伝播波長λの略１／２の
整数倍、ここではλ／２に選定する。
更に、本例では、マイクロストリップライン（１３）（
１４）及び（１８）の各開放端部（１３八）、（１４Ａ
）及び（１８Ａ） 、 （１８Ｂ）の夫々円板状のＹ
ＩＧ薄膜（１５） 、 （１６）の中心からの長さく
物理長）ａ。
１４）及び（１８）の各開放端部（１３八）、（１４Ａ
）及び（１８Ａ） 、 （１８Ｂ）の夫々円板状のＹ
ＩＧ薄膜（１５） 、 （１６）の中心からの長さく
物理長）ａ。
ｂ、 ｃ、 ｄを、共に通過帯域の信号の伝播波長
λの略１／４の奇数倍、ここではλ／４に選定する。
λの略１／４の奇数倍、ここではλ／４に選定する。
更に、入力及び出力側マイクロストリップライン（１３
） 、 （１４）間の距Ｍｅ （円板状ＹＩＧ薄膜（
１５） 、 （１６）の中心間距離と実質的に等しい
〕を通過帯域の信号の伝播波長λの略１／２以下（望ま
しくは略λ／４以下）、ここでは略λ／４に選定する。
） 、 （１４）間の距Ｍｅ （円板状ＹＩＧ薄膜（
１５） 、 （１６）の中心間距離と実質的に等しい
〕を通過帯域の信号の伝播波長λの略１／２以下（望ま
しくは略λ／４以下）、ここでは略λ／４に選定する。
この場合、両ＹＩＧｉ膜（１５）。
（１６）間の直接結合が生じない限りに於いて、距離ｅ
は短い方が望ましい。
は短い方が望ましい。
次に、かかるフィルタの動作を説明する。入力側マイク
ロストリップライン（１３）に伝播波長λの高周波信号
を供給すると、その高周波信号はその開放端部（１３Ａ
）に伝播するが、その開放端では、電圧最大、電流最小
（零）、磁界最小（零）となる。一方、開放端部（１３
Ａ）からＹＩＧ薄膜（１５）までの長さは上述のように
選定されているので、ＹＩＧ薄膜（１５）の中心位置で
は逆に、電圧最小（零）、電流最大、磁界最大となる。
ロストリップライン（１３）に伝播波長λの高周波信号
を供給すると、その高周波信号はその開放端部（１３Ａ
）に伝播するが、その開放端では、電圧最大、電流最小
（零）、磁界最小（零）となる。一方、開放端部（１３
Ａ）からＹＩＧ薄膜（１５）までの長さは上述のように
選定されているので、ＹＩＧ薄膜（１５）の中心位置で
は逆に、電圧最小（零）、電流最大、磁界最大となる。
従って、このＹｒＧ薄膜（１５）の中心位置では、マイ
クロストリップライン（１３）とＹ Ｉ Ｇ薄膜（１５
）との間の磁界による高周波結合効率は最大となり、入
力側マイクロストリップライン（１３）と連結用マイク
ロストリップライン（１８）との間の電圧分による容量
結合度は最小となり、アイソレーションが採られること
になる。
クロストリップライン（１３）とＹ Ｉ Ｇ薄膜（１５
）との間の磁界による高周波結合効率は最大となり、入
力側マイクロストリップライン（１３）と連結用マイク
ロストリップライン（１８）との間の電圧分による容量
結合度は最小となり、アイソレーションが採られること
になる。
又、入力側マイクロストリップライン（１３）に波長が
λとは異なる高周波信号が供給されたときは、マイクロ
ストリップライン（１３）と、ＹＩＧ薄膜（１５）及び
連結用マイクロストリップライン（１８）との間には共
にある値の磁気結合度及び容量結合度を有するので、ア
イソレーションは採られないことになる。
λとは異なる高周波信号が供給されたときは、マイクロ
ストリップライン（１３）と、ＹＩＧ薄膜（１５）及び
連結用マイクロストリップライン（１８）との間には共
にある値の磁気結合度及び容量結合度を有するので、ア
イソレーションは採られないことになる。
しかして、ＹＩＧ薄膜（■５）に、その薄部に垂直なバ
イアス直流磁界を与えれば、ある周波数でフェリ磁性共
鳴を起こし、この周波数がアイソレーションの採れてい
るとき、この周波数を帯域中心周波数とするバンドパス
フィルタが得られる。
イアス直流磁界を与えれば、ある周波数でフェリ磁性共
鳴を起こし、この周波数がアイソレーションの採れてい
るとき、この周波数を帯域中心周波数とするバンドパス
フィルタが得られる。
尚、マイクロストリップライン（１８）と、ＹＴＧ薄膜
（１８）及び出力側マイクロストリップライン（１４）
との間の関係についても、上述と同様のことが言える。
（１８）及び出力側マイクロストリップライン（１４）
との間の関係についても、上述と同様のことが言える。
次ぎに、本発明の更に具体的な実施例及びその特性につ
いて説明する。この例は、低域通過中心周波数が１３Ｇ
Ｈｚ、可変帯域が±２７０Ｍｌ１ｚの狭帯域可変フィル
タの場合である。先ず、第１図の各部の寸法の具体例を
示す。誘電体基板（石英板） （１１）の厚さが０．
３ｍｍ５Ｇ Ｇ Ｇ板（１７）の厚さが０．４ｍｍ、Ｙ
ＩＧ薄膜（１，５） 、 （１６）の直径及び厚さが
夫々１．５ｍｍ、１５μｍ、更に入力及び出力側マイク
ロストリップライン（１３） 、 （１４）間の間隔
ｅが２．２ｍｍである。
いて説明する。この例は、低域通過中心周波数が１３Ｇ
Ｈｚ、可変帯域が±２７０Ｍｌ１ｚの狭帯域可変フィル
タの場合である。先ず、第１図の各部の寸法の具体例を
示す。誘電体基板（石英板） （１１）の厚さが０．
３ｍｍ５Ｇ Ｇ Ｇ板（１７）の厚さが０．４ｍｍ、Ｙ
ＩＧ薄膜（１，５） 、 （１６）の直径及び厚さが
夫々１．５ｍｍ、１５μｍ、更に入力及び出力側マイク
ロストリップライン（１３） 、 （１４）間の間隔
ｅが２．２ｍｍである。
しかして、第１図及び第２図に示すフィルタにおいて、
ＹＩＧ薄膜フィルタ（１５） 、 （１６）に直流磁
界が与えられていない場合は、このフィルタはストリッ
プラインフィルタとして機能する。このストリップライ
ンフィルタは、第１図において、連結用マイクロストリ
ップライン（１８）がなく、入力及び出力側マイクロス
トリップライン（１３）（１４）が、その対向部の長さ
λ／２を以て平行に対向するフィルタ（λ／２フィルタ
）と、両側が入力及び出力側と成る直線状のマイクロス
トリップラインの中間に長さがλ／４のスタブが、全体
としてＴ字型となるように配された２つのフィルタ（λ
／４スタブフィルタ）とから構成されていることが分か
る。そして、このλ／２フィルタのアイソレーション特
性を第３図に示す。このアイソレーション特性は、λ／
２フィルタの特性インピーダンス、実効誘電率、対向部
の長さを与えて、計算により求めたものである。第３図
では、λ／２フィルタは１３ＧＨｚ付近に減衰極が在る
ことを示している。２・つのλ／４フィルタのアイソレ
ーション特性も第３図と略同様な特性を示す。
ＹＩＧ薄膜フィルタ（１５） 、 （１６）に直流磁
界が与えられていない場合は、このフィルタはストリッ
プラインフィルタとして機能する。このストリップライ
ンフィルタは、第１図において、連結用マイクロストリ
ップライン（１８）がなく、入力及び出力側マイクロス
トリップライン（１３）（１４）が、その対向部の長さ
λ／２を以て平行に対向するフィルタ（λ／２フィルタ
）と、両側が入力及び出力側と成る直線状のマイクロス
トリップラインの中間に長さがλ／４のスタブが、全体
としてＴ字型となるように配された２つのフィルタ（λ
／４スタブフィルタ）とから構成されていることが分か
る。そして、このλ／２フィルタのアイソレーション特
性を第３図に示す。このアイソレーション特性は、λ／
２フィルタの特性インピーダンス、実効誘電率、対向部
の長さを与えて、計算により求めたものである。第３図
では、λ／２フィルタは１３ＧＨｚ付近に減衰極が在る
ことを示している。２・つのλ／４フィルタのアイソレ
ーション特性も第３図と略同様な特性を示す。
尚、第６図に、λ／４スタブフィルタの減衰極特性、即
ちスタブの長さを変化させたときのＣ／Ｆ （ｃｍ）
（但し、Ｃは光速、′Ｆは減衰極の周波数〕の特性を
示す。又、第７図に、λ／２フィルタの減衰極特性、即
ち入力及び出力側マイクロストリップラインの対向部の
長さを変化させたときのｃ／Ｆ（ｃｍ）の特性を示す。
ちスタブの長さを変化させたときのＣ／Ｆ （ｃｍ）
（但し、Ｃは光速、′Ｆは減衰極の周波数〕の特性を
示す。又、第７図に、λ／２フィルタの減衰極特性、即
ち入力及び出力側マイクロストリップラインの対向部の
長さを変化させたときのｃ／Ｆ（ｃｍ）の特性を示す。
しかして、入力及び出力側マイクロストリップライン（
１３） 、 （１４）間の対向部分の長さｒを４．１
６ｍｍ、連結用マイクロストリップライン（１８）のス
タブ（端部） （１８Ａ） 、 （１８Ｂ）の長さ
Ｃ２ｄを共に１．５ｍｍにして、λ／２フィルタの減衰
極を１４．１Ｇ）Ｉｚに、λ／４フィルタの減衰極を１
２．４ＧＨｚに（この逆も可）と、 １３．０ＧＨｚの
前後の僅か異なる周波数に選定する。かくすると、第１
図及び第２図に示すストリップラインフィルタは、第４
図に示すような１．７ＧＨｚのアイソレーション帯域を
有するアイソレーション特性が得られる。このアイソレ
ーション帯域の中心周波数は、１３．２５ＧＨｚと成る
。
１３） 、 （１４）間の対向部分の長さｒを４．１
６ｍｍ、連結用マイクロストリップライン（１８）のス
タブ（端部） （１８Ａ） 、 （１８Ｂ）の長さ
Ｃ２ｄを共に１．５ｍｍにして、λ／２フィルタの減衰
極を１４．１Ｇ）Ｉｚに、λ／４フィルタの減衰極を１
２．４ＧＨｚに（この逆も可）と、 １３．０ＧＨｚの
前後の僅か異なる周波数に選定する。かくすると、第１
図及び第２図に示すストリップラインフィルタは、第４
図に示すような１．７ＧＨｚのアイソレーション帯域を
有するアイソレーション特性が得られる。このアイソレ
ーション帯域の中心周波数は、１３．２５ＧＨｚと成る
。
そこで、このアイソレーション帯域内で、ＹＩＧ薄膜（
１５） 、 （１６）により通過帯域を任意に設定す
ることにより、狭帯域青変フィルタが得られる。
１５） 、 （１６）により通過帯域を任意に設定す
ることにより、狭帯域青変フィルタが得られる。
第５図にかかるフィルタの透過特性を示す。
入力及び出力側マイクロストリップライン（１３）（１
４）間の間隔ｅは、ＹＩＧ薄膜（１５） 、 （１６
）間の直接結合が生じない限り狭い方が、入力及び出力
側マイクロストリップライン（１３） 、 （１４）
間の電界結合が大となって好ましい。この間隔ｅが広す
ぎると、第３図の減衰極の挿入損失が小さく成り、又、
第５図の透過特性のＱが低下して、フィルタ特性が劣化
する。
４）間の間隔ｅは、ＹＩＧ薄膜（１５） 、 （１６
）間の直接結合が生じない限り狭い方が、入力及び出力
側マイクロストリップライン（１３） 、 （１４）
間の電界結合が大となって好ましい。この間隔ｅが広す
ぎると、第３図の減衰極の挿入損失が小さく成り、又、
第５図の透過特性のＱが低下して、フィルタ特性が劣化
する。
上述せる本発明によれば、通過帯域中心周波数を数ＧＨ
ｚ以上の高周波数と成し得、アイソレーションを良好と
なし得、自由度を増大し得、しかも製造の容易な強磁性
ｉ膜フィルタを得ることができる。
ｚ以上の高周波数と成し得、アイソレーションを良好と
なし得、自由度を増大し得、しかも製造の容易な強磁性
ｉ膜フィルタを得ることができる。
第１図は本発明の一実施例の平面図、第２図はその■−
■線上の断面図、第３図及び第４図は夫々アイソレーシ
ョン特性曲線図、第５図は透過特性曲線図、第６図及び
第７図は夫々減衰極特性曲線図、第８図は従来例の斜視
図、第９図、第１０図及び１１図は夫々磁気装置の断面
図、第１２図はアイソレーション特性曲線図である。 （１１）は誘電体基板、（１２）は接地導電層、（１３
）は入力側マイクロストリップライン、（入力線路）、
（１４）は出力側マイクロストリップライン（出力線路
）、（１５） 、 （１６）は夫々ＹＩＧ薄膜（強磁
性薄膜）、（１８）は連結用マイクロストリップライン
（結合線路）、（１７）はＧＧＧ板である。
■線上の断面図、第３図及び第４図は夫々アイソレーシ
ョン特性曲線図、第５図は透過特性曲線図、第６図及び
第７図は夫々減衰極特性曲線図、第８図は従来例の斜視
図、第９図、第１０図及び１１図は夫々磁気装置の断面
図、第１２図はアイソレーション特性曲線図である。 （１１）は誘電体基板、（１２）は接地導電層、（１３
）は入力側マイクロストリップライン、（入力線路）、
（１４）は出力側マイクロストリップライン（出力線路
）、（１５） 、 （１６）は夫々ＹＩＧ薄膜（強磁
性薄膜）、（１８）は連結用マイクロストリップライン
（結合線路）、（１７）はＧＧＧ板である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 膜面に垂直な磁界が与えられる第１及び第２の強磁性
薄膜と、 該第１及び第２の強磁性薄膜に結合され、互いに逆向き
の第１及び第２の方向に延在し、且つ互いに平行に配さ
れた、共に先端開放の入力及び出力線路と、 上記第１及び第２の強磁性薄膜に結合され、上記入力及
び出力線路に対し直交する如く配された結合線路とを有
し、 上記入力及び出力線路は、通過帯域の信号の伝播波長の
略１／２以下で、十分な大きさの電界結合度が得られる
間隔を以て配されて成ることを特徴とする強磁性薄膜フ
ィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61048013A JPH07105646B2 (ja) | 1986-03-05 | 1986-03-05 | 強磁性薄膜フイルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61048013A JPH07105646B2 (ja) | 1986-03-05 | 1986-03-05 | 強磁性薄膜フイルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62204602A true JPS62204602A (ja) | 1987-09-09 |
| JPH07105646B2 JPH07105646B2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=12791420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61048013A Expired - Fee Related JPH07105646B2 (ja) | 1986-03-05 | 1986-03-05 | 強磁性薄膜フイルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07105646B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60257614A (ja) * | 1984-06-05 | 1985-12-19 | Sony Corp | 受信機 |
-
1986
- 1986-03-05 JP JP61048013A patent/JPH07105646B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60257614A (ja) * | 1984-06-05 | 1985-12-19 | Sony Corp | 受信機 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07105646B2 (ja) | 1995-11-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |