JPH0575202B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0575202B2 JPH0575202B2 JP60065874A JP6587485A JPH0575202B2 JP H0575202 B2 JPH0575202 B2 JP H0575202B2 JP 60065874 A JP60065874 A JP 60065874A JP 6587485 A JP6587485 A JP 6587485A JP H0575202 B2 JPH0575202 B2 JP H0575202B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- yig
- substrate
- film element
- ggg
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 52
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 51
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 24
- 230000005293 ferrimagnetic effect Effects 0.000 claims description 11
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 14
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 14
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 14
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 230000005350 ferromagnetic resonance Effects 0.000 description 7
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 6
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 4
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/215—Frequency-selective devices, e.g. filters using ferromagnetic material
- H01P1/218—Frequency-selective devices, e.g. filters using ferromagnetic material the ferromagnetic material acting as a frequency selective coupling element, e.g. YIG-filters
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、強磁性共鳴装置、特にフエリ磁性薄
膜の磁気共鳴を利用した例えばマイクロ波集積回
路（以下MICという）のフイルタ装置に関する。
膜の磁気共鳴を利用した例えばマイクロ波集積回
路（以下MICという）のフイルタ装置に関する。
本発明は、非磁性基板上に形成されたフエリ磁
性薄膜素子と電磁気的に結合するストリツプライ
ンに対して所定の空間を介して対向し、且つこの
ストリツプラインの一端を接地する導体壁を設け
る構成となしてラインの実効誘電率を小さくする
ことによつて、中心周波数の高周波化と広帯域化
を実現する。
性薄膜素子と電磁気的に結合するストリツプライ
ンに対して所定の空間を介して対向し、且つこの
ストリツプラインの一端を接地する導体壁を設け
る構成となしてラインの実効誘電率を小さくする
ことによつて、中心周波数の高周波化と広帯域化
を実現する。
ガトリウム・ガリウム・ガーネツト（以下
GGGという）基板上に、フエリ磁性のイツトリ
ウム・鉄・ガーネツト（以下YIGという）薄膜を
液相エピタキシヤル成長法（以下LPE法という）
によつて成長させ、その後、この薄膜を選択的に
所要のパターンにエツチングして、YIG薄膜素子
を形成し、これのフエリ磁性共鳴を利用したフイ
ルタ装置が提案さた。この種のフイルタ装置は、
例えば特開昭59−103403号公報にも開示されてい
るところである。
GGGという）基板上に、フエリ磁性のイツトリ
ウム・鉄・ガーネツト（以下YIGという）薄膜を
液相エピタキシヤル成長法（以下LPE法という）
によつて成長させ、その後、この薄膜を選択的に
所要のパターンにエツチングして、YIG薄膜素子
を形成し、これのフエリ磁性共鳴を利用したフイ
ルタ装置が提案さた。この種のフイルタ装置は、
例えば特開昭59−103403号公報にも開示されてい
るところである。
この種のYIG薄膜素子を用いたフイルタ装置
は、マイクロ波帯で共振特性のＱが高いこと、小
型に構成できること、LPE及びリソグラフイー
による選択的エツチングによつて量産的に製造で
きることなどの利点からMICフイルタ装置とし
て注目されている。
は、マイクロ波帯で共振特性のＱが高いこと、小
型に構成できること、LPE及びリソグラフイー
による選択的エツチングによつて量産的に製造で
きることなどの利点からMICフイルタ装置とし
て注目されている。
このYIG薄膜によるMIC帯域通過フイルタ装
置は、例えば第１０図に示すように、アルミナ等
の誘電体基板１の第１の主面に接地導体２が被着
形成されると共に、他方の第２の主面に、互に平
行な第１及び第２のマイクロストリツプライン、
すなわち入力及び出力伝送線路３及び４が被着形
成され、両ストリツプライン３及び４の夫々の端
部が接地導体２に夫々第１及び第２の接続導体５
及び６によつて接続される。そして基板１の第２
の主面上に、この主面上の第１及び第２のマイク
ロストリツプライン３及び４と夫々電磁的に結合
して第１及び第２の磁気共鳴素子、すなわちYIG
薄膜素子７及び８が配置される。
置は、例えば第１０図に示すように、アルミナ等
の誘電体基板１の第１の主面に接地導体２が被着
形成されると共に、他方の第２の主面に、互に平
行な第１及び第２のマイクロストリツプライン、
すなわち入力及び出力伝送線路３及び４が被着形
成され、両ストリツプライン３及び４の夫々の端
部が接地導体２に夫々第１及び第２の接続導体５
及び６によつて接続される。そして基板１の第２
の主面上に、この主面上の第１及び第２のマイク
ロストリツプライン３及び４と夫々電磁的に結合
して第１及び第２の磁気共鳴素子、すなわちYIG
薄膜素子７及び８が配置される。
これらYIG薄膜素子７及び８は、例えばGGG
基板９の１主面に前述した薄膜形成技術によつて
YIG薄膜を形成し、これを例えば選択的エツチン
グ技術すなわちフオトリソグラフイーによつて円
形にパターン化することによつて構成する。
基板９の１主面に前述した薄膜形成技術によつて
YIG薄膜を形成し、これを例えば選択的エツチン
グ技術すなわちフオトリソグラフイーによつて円
形にパターン化することによつて構成する。
また基板１上の第１及び第２のYIG薄膜素子７
及び８間にはこれらを電磁的に結合する第３のマ
イクロストリツプライン、すなわち結合用伝送線
路１０が基板９の他の面に被着形成され、その両
端が接続導体１１及び１２によつて接地導体２が
接続される。
及び８間にはこれらを電磁的に結合する第３のマ
イクロストリツプライン、すなわち結合用伝送線
路１０が基板９の他の面に被着形成され、その両
端が接続導体１１及び１２によつて接地導体２が
接続される。
ところが、このような構成によるMICフイル
タ装置は、次に述べる２つの理由から数ＧHz以下
の低い中心周波数のフイルタとして実現できな
い。その第１の理由は、YIG薄膜素子は、各マイ
クロストリツプラインと磁界結合させるものであ
ることから、磁界の最大となる位置に配置させる
ことが必要であるにも拘わらず、この条件が満た
されないということである。すなわち磁界は、マ
イクロストリツプラインの接地端で最大となり、
これよりλg／４（λg：伝播波長）の位置で最小と
なるので、YIG薄膜素子は、マイクロストリツプ
ラインの接地端にできるだけ近く配置されること
が必要となる。ところが、伝播波長λgは、誘電
体基板１及びGGG基板９の誘電率と、マイクロ
ストリツプラインの形状から定る実効誘電率を
εeffとすると、 λg＝λo／√ …(1) となつて、λgは自由空間波長λoの１／√に
短縮され、一方、YIG薄膜素子はマイクロストリ
ツプラインと磁界結合させる上で有限の体積を必
要とし、その厚さが20〜30μmであれば、その直
径は２mm程度を必要とすることから、数ＧHzの高
周波では、YIG薄膜素子をマイクロストリツプラ
インの接地端側に配置してもこの接地端からYIG
薄膜素子の中心までの距離がλg／４程度に相当
し、実質的にYIG薄膜素子は、磁界の小さい位置
に配置されることになつて、YIG薄膜素子と、マ
イクロストリツプラインとの高周波結合効率が下
がり、フイルタの挿入損失が増大する。
タ装置は、次に述べる２つの理由から数ＧHz以下
の低い中心周波数のフイルタとして実現できな
い。その第１の理由は、YIG薄膜素子は、各マイ
クロストリツプラインと磁界結合させるものであ
ることから、磁界の最大となる位置に配置させる
ことが必要であるにも拘わらず、この条件が満た
されないということである。すなわち磁界は、マ
イクロストリツプラインの接地端で最大となり、
これよりλg／４（λg：伝播波長）の位置で最小と
なるので、YIG薄膜素子は、マイクロストリツプ
ラインの接地端にできるだけ近く配置されること
が必要となる。ところが、伝播波長λgは、誘電
体基板１及びGGG基板９の誘電率と、マイクロ
ストリツプラインの形状から定る実効誘電率を
εeffとすると、 λg＝λo／√ …(1) となつて、λgは自由空間波長λoの１／√に
短縮され、一方、YIG薄膜素子はマイクロストリ
ツプラインと磁界結合させる上で有限の体積を必
要とし、その厚さが20〜30μmであれば、その直
径は２mm程度を必要とすることから、数ＧHzの高
周波では、YIG薄膜素子をマイクロストリツプラ
インの接地端側に配置してもこの接地端からYIG
薄膜素子の中心までの距離がλg／４程度に相当
し、実質的にYIG薄膜素子は、磁界の小さい位置
に配置されることになつて、YIG薄膜素子と、マ
イクロストリツプラインとの高周波結合効率が下
がり、フイルタの挿入損失が増大する。
第２の理由は、入出力マイクロストリツプライ
ンと、YIG薄膜素子間を結合するマイクロストリ
ツプラインとの交差点が、電界が最小となる接地
端近傍とならず、上述したように高周波化に伴
い、実質的にこれらの交差点と接地端との距離が
電界が最大となるλg／４に近くなるために、容
量結合が大となつて、アイソレーシヨン特性が極
端に劣化することにある。第１１図及び第１２図
は、上述のフイルタ装置における各周波数域にお
ける挿入損失を示したもので、これより明らかな
ように4.5GHz以上でその挿入損失が大となつて
しまつている。つまり、YIG薄膜素子の共振とは
関係なく入力信号を通過させてしまつてフイルタ
の機能を示さなくなる。
ンと、YIG薄膜素子間を結合するマイクロストリ
ツプラインとの交差点が、電界が最小となる接地
端近傍とならず、上述したように高周波化に伴
い、実質的にこれらの交差点と接地端との距離が
電界が最大となるλg／４に近くなるために、容
量結合が大となつて、アイソレーシヨン特性が極
端に劣化することにある。第１１図及び第１２図
は、上述のフイルタ装置における各周波数域にお
ける挿入損失を示したもので、これより明らかな
ように4.5GHz以上でその挿入損失が大となつて
しまつている。つまり、YIG薄膜素子の共振とは
関係なく入力信号を通過させてしまつてフイルタ
の機能を示さなくなる。
そして、本出願人は、このような欠点を改善す
るものとしてマイクロストリツプラインの先端を
開放し、この開放端からλg／４の奇数倍の位置
にYIG薄膜素子を配置するようにしたフイルタ装
置を、特願昭59−187079号出願によつて提案し
た。この構成によるフイルタ装置は、第１２図に
示すように数ＧHz以上の高い中心周波数を持つフ
イルタを実現できるが、高周波結合効率及びアイ
ソレーシヨン特性が狭帯域であるため、固定ない
し狭帯域可変フイルタとしてのみ実現できるが広
帯域可変フイルタを実現することはできない。第
１３図は、このフイルタ装置の周波数−アイソレ
ーシヨンの測定結果を示したもので、40dB以上
のアイソレーシヨンを行うことができてフイルタ
として有効な部分は、11.75GHzから14.75GHzの
3GHz程度の狭帯域となつている。
るものとしてマイクロストリツプラインの先端を
開放し、この開放端からλg／４の奇数倍の位置
にYIG薄膜素子を配置するようにしたフイルタ装
置を、特願昭59−187079号出願によつて提案し
た。この構成によるフイルタ装置は、第１２図に
示すように数ＧHz以上の高い中心周波数を持つフ
イルタを実現できるが、高周波結合効率及びアイ
ソレーシヨン特性が狭帯域であるため、固定ない
し狭帯域可変フイルタとしてのみ実現できるが広
帯域可変フイルタを実現することはできない。第
１３図は、このフイルタ装置の周波数−アイソレ
ーシヨンの測定結果を示したもので、40dB以上
のアイソレーシヨンを行うことができてフイルタ
として有効な部分は、11.75GHzから14.75GHzの
3GHz程度の狭帯域となつている。
本発明は、上述した従来のYIG薄膜素子、すな
わちフエリ磁性薄膜素子による強磁性共鳴装置、
例えばフイルタ装置における諸問題を解消して、
高い中心周波数を有する固定ないしは、広帯域の
可変フイルタを実現できる強磁性共鳴装置を提供
するものである。
わちフエリ磁性薄膜素子による強磁性共鳴装置、
例えばフイルタ装置における諸問題を解消して、
高い中心周波数を有する固定ないしは、広帯域の
可変フイルタを実現できる強磁性共鳴装置を提供
するものである。
すなわち、本発明においては、上述した実効誘
電磁率を小さくして、強磁性共鳴装置における動
作周波数の高周波化、広帯域化をはかる。
電磁率を小さくして、強磁性共鳴装置における動
作周波数の高周波化、広帯域化をはかる。
〔発明の概要〕
本発明は、マイクロストリツプラインの端部を
接地するシヨート型構成をとり、その伝送系を、
いわゆるサスペンデイツド・サブストレイト・ス
トリツプライン、或いはインバーデイツド・マイ
クロストリツプラインとすることによつて伝送系
の実効誘電率εeffを下げてεeffを１に近づける。
接地するシヨート型構成をとり、その伝送系を、
いわゆるサスペンデイツド・サブストレイト・ス
トリツプライン、或いはインバーデイツド・マイ
クロストリツプラインとすることによつて伝送系
の実効誘電率εeffを下げてεeffを１に近づける。
すなわち、本発明においては、第１図に示すよ
うに、非磁性基板２１例えばGGG基板と、この
非磁性基板２１の１主面に形成されたフエリ磁性
薄膜素子２２例えばYIG磁性薄膜素子と、このフ
エリ磁性薄膜素子２２と電磁気的に結合するスト
リツプライン２３とを有する装置本体２５に対し
て、そのストリツプライン２３と所定の空間を介
して対向すると共に、このストリツプライン２３
の一端を接地する導体壁２４を設け、フエリ磁性
薄膜素子、すなわちYIG磁性薄膜素子２２に直流
バイアス磁界を印加する手段２６を設けて成る。
このようにしてその伝送線路をサスペンデイツ
ド・サブストレイト・マイクロストリツプライン
ないしはインバーデイツド・マイクロストリツプ
ライン構成とする。
うに、非磁性基板２１例えばGGG基板と、この
非磁性基板２１の１主面に形成されたフエリ磁性
薄膜素子２２例えばYIG磁性薄膜素子と、このフ
エリ磁性薄膜素子２２と電磁気的に結合するスト
リツプライン２３とを有する装置本体２５に対し
て、そのストリツプライン２３と所定の空間を介
して対向すると共に、このストリツプライン２３
の一端を接地する導体壁２４を設け、フエリ磁性
薄膜素子、すなわちYIG磁性薄膜素子２２に直流
バイアス磁界を印加する手段２６を設けて成る。
このようにしてその伝送線路をサスペンデイツ
ド・サブストレイト・マイクロストリツプライン
ないしはインバーデイツド・マイクロストリツプ
ライン構成とする。
本発明においては上述したように、例えばサス
ペンデイツド・サブストレイト・ストリツプライ
ン構成による伝送線路としたことによつて線路の
実効誘電率εeff１とすることができるものであ
り、これによつて高い周波数まで入出力線路と
YIG共振器との結合効率を保持することができ高
周波動作及び広帯域可変の例えばフイルタの実現
を可能にする。
ペンデイツド・サブストレイト・ストリツプライ
ン構成による伝送線路としたことによつて線路の
実効誘電率εeff１とすることができるものであ
り、これによつて高い周波数まで入出力線路と
YIG共振器との結合効率を保持することができ高
周波動作及び広帯域可変の例えばフイルタの実現
を可能にする。
更に第１図〜第３図を参照して、本発明装置の
一例のフイルタ装置の一例を説明する。第１図は
その断面図、第３図は要部の分解斜視図、第２図
はその装置本体２５の平面図を示し、この例にお
いては、サスペンデイツド・サブストレイトマイ
クロストリツプライン構成とした場合で、この場
合、導体壁２４は、装置本体２５の上下に亘つて
囲むように構成され、シールドケースを構成する
ようになされている。
一例のフイルタ装置の一例を説明する。第１図は
その断面図、第３図は要部の分解斜視図、第２図
はその装置本体２５の平面図を示し、この例にお
いては、サスペンデイツド・サブストレイトマイ
クロストリツプライン構成とした場合で、この場
合、導体壁２４は、装置本体２５の上下に亘つて
囲むように構成され、シールドケースを構成する
ようになされている。
装置本体２５は、GGG非磁性基板２１の一主
面に、所要の間隔を保持して第１及び第２のYIG
磁性薄膜素子２２Ａ及び２２Ｂと、両YIG素子２
２Ａ及び２２Ｂ間に、これら素子２２Ａ及び２２
Ｂを磁気的に結合させるための第３のYIG磁性薄
膜素子２２Ｃと被着形成して成る。また、GGG
非磁性基板２１の各YIG磁性薄膜素子２２Ａ，２
２Ｃ，２２Ｂが形成される主面とは反対側の主面
には導電パターン２７を被着形成する。この導電
パターン２７は第１及び第２のYIG磁性薄膜素子
２２Ａ及び２２Ｂを横切つて互いに平行の第１及
び第２のマイクロストリツプライン、すなわち入
力ストリツプライン２３Ａ及び出力ストリツプラ
イン２３Ｂと、これらの互いに反対側の端部と
夫々連結し且つ中央の第３のYIG磁性薄膜素子２
２Ｃと対向する部分を横切つて各ストリツプライ
ン２３Ａ及び２３Ｂの中央にこれらと平行に配さ
れた中央の接地パターン２３Ｃと、この中央の接
地パターン２３Ｃの両端と各ストリツプライン２
３Ａ及び２３Ｂの互いに反対側の端部とを連結接
地する接地端２７Ａ及び２７Ｂとを有して成る。
面に、所要の間隔を保持して第１及び第２のYIG
磁性薄膜素子２２Ａ及び２２Ｂと、両YIG素子２
２Ａ及び２２Ｂ間に、これら素子２２Ａ及び２２
Ｂを磁気的に結合させるための第３のYIG磁性薄
膜素子２２Ｃと被着形成して成る。また、GGG
非磁性基板２１の各YIG磁性薄膜素子２２Ａ，２
２Ｃ，２２Ｂが形成される主面とは反対側の主面
には導電パターン２７を被着形成する。この導電
パターン２７は第１及び第２のYIG磁性薄膜素子
２２Ａ及び２２Ｂを横切つて互いに平行の第１及
び第２のマイクロストリツプライン、すなわち入
力ストリツプライン２３Ａ及び出力ストリツプラ
イン２３Ｂと、これらの互いに反対側の端部と
夫々連結し且つ中央の第３のYIG磁性薄膜素子２
２Ｃと対向する部分を横切つて各ストリツプライ
ン２３Ａ及び２３Ｂの中央にこれらと平行に配さ
れた中央の接地パターン２３Ｃと、この中央の接
地パターン２３Ｃの両端と各ストリツプライン２
３Ａ及び２３Ｂの互いに反対側の端部とを連結接
地する接地端２７Ａ及び２７Ｂとを有して成る。
一方、接地導体壁２４は、第３図にその分解斜
視図を示すように、第１の導体壁部２４Ａと第２
の導体壁部２４Ｂとよりなる。第１の導体壁部２
４ＡにはGGGの非磁性基板２１を、その各YIG
磁性薄膜素子２２Ａ，２２Ｃ，２２Ｂの配列方向
に関する両外側端部を受ける段部２８Ａ及び２８
Ｂが設けられ、これら段部２８Ａ及び２８Ｂ間に
は凹部２９が設けられて成る。そして、これら段
部２８Ａ及び２８Ｂ間に差し渡つてGGG非磁性
基板２１を載置した状態で、凹部２９によつて
GGG非磁性基板２１と所要の間隔d1すなわち空
間を保持して導体壁部２４Ａの内面が対向するよ
うになす。
視図を示すように、第１の導体壁部２４Ａと第２
の導体壁部２４Ｂとよりなる。第１の導体壁部２
４ＡにはGGGの非磁性基板２１を、その各YIG
磁性薄膜素子２２Ａ，２２Ｃ，２２Ｂの配列方向
に関する両外側端部を受ける段部２８Ａ及び２８
Ｂが設けられ、これら段部２８Ａ及び２８Ｂ間に
は凹部２９が設けられて成る。そして、これら段
部２８Ａ及び２８Ｂ間に差し渡つてGGG非磁性
基板２１を載置した状態で、凹部２９によつて
GGG非磁性基板２１と所要の間隔d1すなわち空
間を保持して導体壁部２４Ａの内面が対向するよ
うになす。
他方の導体壁部２４Ｂは、第１及び第２のマイ
クロストリツプライン２３Ａ及び２３Ｂと対向す
る部分、従つて第１及び第２のYIG磁性薄膜素子
２２Ａ及び２２Ｂ（第３図には図示せず）と対向
する部分に凹部３０Ａ及び３０Ｂが設けられてい
る。そして、両導体壁部２４Ｂ及び２４Ａを、基
板２１を挟み込んで合致させた状態で、凹部３０
Ａ及び３０Ｂ間の突起部３１が、丁度導電パター
ン２７の中央接地パターン２３Ｃに接触してこれ
と電気的に連結するようになされる。このように
して突起部３１と中央接地パターン２３Ｃとによ
つて入出力両ライン２３Ａ及び２３Ｂ間の分離を
行うと共に凹部３０Ａ及び３０ＢによつてGGG
非磁性基板２１と導体壁２４Ａの内面との間に所
要の間隔d2が生じるようにする。
クロストリツプライン２３Ａ及び２３Ｂと対向す
る部分、従つて第１及び第２のYIG磁性薄膜素子
２２Ａ及び２２Ｂ（第３図には図示せず）と対向
する部分に凹部３０Ａ及び３０Ｂが設けられてい
る。そして、両導体壁部２４Ｂ及び２４Ａを、基
板２１を挟み込んで合致させた状態で、凹部３０
Ａ及び３０Ｂ間の突起部３１が、丁度導電パター
ン２７の中央接地パターン２３Ｃに接触してこれ
と電気的に連結するようになされる。このように
して突起部３１と中央接地パターン２３Ｃとによ
つて入出力両ライン２３Ａ及び２３Ｂ間の分離を
行うと共に凹部３０Ａ及び３０ＢによつてGGG
非磁性基板２１と導体壁２４Ａの内面との間に所
要の間隔d2が生じるようにする。
また、直流バイアス磁界印加手段２６は、例え
ば装置本体２５を挾んで相対向する中央磁極３２
a1及び３２b1を有する対のコア３２ａ，３２ｂが
合致され、例えば中央磁極３２a1及び３２b1に
夫々線軸４３が巻装されて両中央磁極３２a1及び
３２b1間に直流バイアス磁界が生じるような構成
となし得る。
ば装置本体２５を挾んで相対向する中央磁極３２
a1及び３２b1を有する対のコア３２ａ，３２ｂが
合致され、例えば中央磁極３２a1及び３２b1に
夫々線軸４３が巻装されて両中央磁極３２a1及び
３２b1間に直流バイアス磁界が生じるような構成
となし得る。
上述の本発明構成による場合は、その伝送線路
がいわゆるサスペンデイツド・サブストレイト・
ストリツプライン構成とされるものであり、これ
によりGGG非磁性基板２１を用いるにも拘らず
線路の実効誘電率εeffを小さく抑えることができ
る。具体的な数値例をあげると、非磁性基板２１
として0.4mmの厚さのGGG基板を用い、このGGG
基板２１の表面と導体壁２４との間隔d1及びd2を
夫々上下共に0.6mmとした場合、50Ωストリツプ
ラインにおいてその線路幅は1.25mm、実効誘電率
εeffは2.2となる。そして今、各ストリツプライ
ン２３Ａ及び２３Ｂの各接地端２７Ａ及び２７Ｂ
と各YIG磁性薄膜素子２２Ａ及び２２Ｂの中心ま
での距離をＬとしYIG磁性薄膜素子２１Ａ及び２
１Ｂが各ライン２３Ａ及び２３Ｂの接地端近傍に
おかれる条件をＬλg／８とすると、各YIG磁
性薄膜素子２２の直径を２mmとした場合、25GHz
という高い周波数までこの条件が成立する。
がいわゆるサスペンデイツド・サブストレイト・
ストリツプライン構成とされるものであり、これ
によりGGG非磁性基板２１を用いるにも拘らず
線路の実効誘電率εeffを小さく抑えることができ
る。具体的な数値例をあげると、非磁性基板２１
として0.4mmの厚さのGGG基板を用い、このGGG
基板２１の表面と導体壁２４との間隔d1及びd2を
夫々上下共に0.6mmとした場合、50Ωストリツプ
ラインにおいてその線路幅は1.25mm、実効誘電率
εeffは2.2となる。そして今、各ストリツプライ
ン２３Ａ及び２３Ｂの各接地端２７Ａ及び２７Ｂ
と各YIG磁性薄膜素子２２Ａ及び２２Ｂの中心ま
での距離をＬとしYIG磁性薄膜素子２１Ａ及び２
１Ｂが各ライン２３Ａ及び２３Ｂの接地端近傍に
おかれる条件をＬλg／８とすると、各YIG磁
性薄膜素子２２の直径を２mmとした場合、25GHz
という高い周波数までこの条件が成立する。
従つてこの構成によれば、このように高い周波
数まで入出力線路とYIG磁性薄膜素子、すなわち
YIG共振器との結合効率が保持され高周波動作及
び広帯域可変のフイルタが実現可能になる。
数まで入出力線路とYIG磁性薄膜素子、すなわち
YIG共振器との結合効率が保持され高周波動作及
び広帯域可変のフイルタが実現可能になる。
因みに第１０図で説明した従来のフイルタ装置
においては、そのGGG基板９の誘電率εrは、εr
＝13という高い値を有するため、GGG基板９と
共に用いる誘電体基板１として誘電率の小さいも
のを用いたとしても線路の実効誘電率εeffを十分
小さくすることができない。例えば誘電体基板１
として厚さ1.27mmのアルミナ（誘電率εr＝10）と
0.4mmの厚さのGGG基板９を用いた場合、その特
性インピーダンス50Ωのマイクロストリツプライ
ンの実効誘電率εeffは、アルミナの誘電体基板１
のラインで8.6、GGG基板９上のラインで7.3、ま
た別の例として誘電体基板１として0.5mmの厚さ
の石英（誘電率εrf＝3.8）と0.4mmの厚さのGGG
基板９を用いた場合、その特性インピーダンス50
Ωのマイクロストリツプラインの実効誘電率εeff
は誘電体基板上の、即ち石英基板上のラインで
4.9、GGG基板上のラインで5.1となる。
においては、そのGGG基板９の誘電率εrは、εr
＝13という高い値を有するため、GGG基板９と
共に用いる誘電体基板１として誘電率の小さいも
のを用いたとしても線路の実効誘電率εeffを十分
小さくすることができない。例えば誘電体基板１
として厚さ1.27mmのアルミナ（誘電率εr＝10）と
0.4mmの厚さのGGG基板９を用いた場合、その特
性インピーダンス50Ωのマイクロストリツプライ
ンの実効誘電率εeffは、アルミナの誘電体基板１
のラインで8.6、GGG基板９上のラインで7.3、ま
た別の例として誘電体基板１として0.5mmの厚さ
の石英（誘電率εrf＝3.8）と0.4mmの厚さのGGG
基板９を用いた場合、その特性インピーダンス50
Ωのマイクロストリツプラインの実効誘電率εeff
は誘電体基板上の、即ち石英基板上のラインで
4.9、GGG基板上のラインで5.1となる。
更にまたこの構成によれば、YIG共振器、即ち
YIG磁性薄膜素子の直接結合を用いるフイルタで
あるため、これら共振器間を結合するためのスト
リツプラインが存在しないこと、また入出力のス
トリツプライン間を高周波的に導体壁２４の両凹
部３０Ａ，３０Ｂ間の突起部３１と導電パターン
２７の中央接地パターン２３Ｃによつて高周波的
に分離しているため、また導体壁２４によつて周
囲が囲まれていることによつて極めて高い周波数
までアイソレーシヨンを大きくとることが可能と
なる。
YIG磁性薄膜素子の直接結合を用いるフイルタで
あるため、これら共振器間を結合するためのスト
リツプラインが存在しないこと、また入出力のス
トリツプライン間を高周波的に導体壁２４の両凹
部３０Ａ，３０Ｂ間の突起部３１と導電パターン
２７の中央接地パターン２３Ｃによつて高周波的
に分離しているため、また導体壁２４によつて周
囲が囲まれていることによつて極めて高い周波数
までアイソレーシヨンを大きくとることが可能と
なる。
第４図は第１図〜第３図で説明した構成による
フイルタ装置における挿入損失の周波数特性を測
定したもので、これによれば、17GHzという高周
波まで40dB以上のアイソレーシヨンがとれてい
ることが分かる。
フイルタ装置における挿入損失の周波数特性を測
定したもので、これによれば、17GHzという高周
波まで40dB以上のアイソレーシヨンがとれてい
ることが分かる。
また第５図は、中心周波数が3GHzになるよう
に直流バイアス磁界を印加したときのフイルタ特
性を示す。そしてこの中心周波数は直流バイアス
の印加磁界を調整することによつて可変し得るも
のである。
に直流バイアス磁界を印加したときのフイルタ特
性を示す。そしてこの中心周波数は直流バイアス
の印加磁界を調整することによつて可変し得るも
のである。
上述した例においては、YIG共振器の直接結合
型構成をとつた場合であるが、この構成に限られ
るものではなく、例えば第６図及び第７図に示す
ようにGGG基板２１の一主面に第１及び第２の
YIG磁性薄膜素子２２Ａ及び２２Ｂを形成し、こ
れら間を第１図で説明したと同様に第３のマイク
ロストリツプライン３３によつて結合することが
できる。この例においては、第３のマイクロスト
リツプライン３３を例えばポリエステルフイルム
のベース３４上に形成し、このポリエステルフイ
ルムをGGG非磁性基板２１の各YIG磁性薄膜素
子２２を有する側に対向してその第３のマイクロ
ストリツプライン３３が第１及び第２のYIG磁性
薄膜素子２２Ａ及び２２Ｂに対向して差し渡るよ
うになし得る。この第３のマイクロストリツプラ
イン３３の両端には接地端３３Ａ及び３３Ｂを設
け、これらが導体壁２４の第１の導体壁部２４Ａ
に接触するように非磁性基板２１と共に第１及び
第２の導体壁部２４Ａ及び２４Ｂ間に挟み込まれ
るようになし得る。尚、第６図及び第７図におい
て、第１図及び第２図と対応する部分には同一符
号を付して重複説明を省略する。
型構成をとつた場合であるが、この構成に限られ
るものではなく、例えば第６図及び第７図に示す
ようにGGG基板２１の一主面に第１及び第２の
YIG磁性薄膜素子２２Ａ及び２２Ｂを形成し、こ
れら間を第１図で説明したと同様に第３のマイク
ロストリツプライン３３によつて結合することが
できる。この例においては、第３のマイクロスト
リツプライン３３を例えばポリエステルフイルム
のベース３４上に形成し、このポリエステルフイ
ルムをGGG非磁性基板２１の各YIG磁性薄膜素
子２２を有する側に対向してその第３のマイクロ
ストリツプライン３３が第１及び第２のYIG磁性
薄膜素子２２Ａ及び２２Ｂに対向して差し渡るよ
うになし得る。この第３のマイクロストリツプラ
イン３３の両端には接地端３３Ａ及び３３Ｂを設
け、これらが導体壁２４の第１の導体壁部２４Ａ
に接触するように非磁性基板２１と共に第１及び
第２の導体壁部２４Ａ及び２４Ｂ間に挟み込まれ
るようになし得る。尚、第６図及び第７図におい
て、第１図及び第２図と対応する部分には同一符
号を付して重複説明を省略する。
このような構成による場合においても、前述し
た実施例と同様に25GHzという高い周波数まで
YIG磁性薄膜素子が各ストリツプラインの接地端
近傍におかれるという条件が成立し、各ストリツ
プラインとYIG磁性薄膜素子との結合効率が高く
保たれる。またアイソレーシヨンについては直交
する２つの第１及び第２のマイクロストリツプラ
イン２２Ａ及び２２Ｂとこれと直交する第３のマ
イクロストリツプライン３３の２つの交差点から
接地端までの距離がλg／４に等しくなる周波数
が12.5GHzとなり、充分なアイソレーシヨンがと
れる周波数は、先の第１図〜第３図で説明した構
成のものほどには高くはならないが、従来のフイ
ルタ装置に比べれば格段に改善することができ
る。
た実施例と同様に25GHzという高い周波数まで
YIG磁性薄膜素子が各ストリツプラインの接地端
近傍におかれるという条件が成立し、各ストリツ
プラインとYIG磁性薄膜素子との結合効率が高く
保たれる。またアイソレーシヨンについては直交
する２つの第１及び第２のマイクロストリツプラ
イン２２Ａ及び２２Ｂとこれと直交する第３のマ
イクロストリツプライン３３の２つの交差点から
接地端までの距離がλg／４に等しくなる周波数
が12.5GHzとなり、充分なアイソレーシヨンがと
れる周波数は、先の第１図〜第３図で説明した構
成のものほどには高くはならないが、従来のフイ
ルタ装置に比べれば格段に改善することができ
る。
また上述した例においてはGGG非磁性基板２
１の一方の面にYIG磁性薄膜素子２２（２２Ａ，
２２Ｂ）を形成し、他方の面に第１及び第２のス
トリツプライン等の導電パターン２７を形成する
ようにした場合であるが、或る場合は例えば導電
パターン２７を非磁性基板２１とは別体のポリエ
ステル等のフイルム上に形成し、これをGGG非
磁性基板２１に重ね合わせて配置するようになす
こともできる。
１の一方の面にYIG磁性薄膜素子２２（２２Ａ，
２２Ｂ）を形成し、他方の面に第１及び第２のス
トリツプライン等の導電パターン２７を形成する
ようにした場合であるが、或る場合は例えば導電
パターン２７を非磁性基板２１とは別体のポリエ
ステル等のフイルム上に形成し、これをGGG非
磁性基板２１に重ね合わせて配置するようになす
こともできる。
尚、上述した各例においてはサスペンデイツ
ド・サブストレイト・ストリツプライン構成とし
た場合であるが他の例としては、インバーデイツ
ド・マイクロストリツプライン構成とすることも
できる。第８図にその断面図、第９図にその装置
本体の平面図を示す。第８図及び第９図において
第１図及び第２図と対応する部分には同一符号を
付して重複説明を省略するが、この場合、導体壁
２４は、その一方の導体壁部２４Ａが省略されて
開放された構成とされている。
ド・サブストレイト・ストリツプライン構成とし
た場合であるが他の例としては、インバーデイツ
ド・マイクロストリツプライン構成とすることも
できる。第８図にその断面図、第９図にその装置
本体の平面図を示す。第８図及び第９図において
第１図及び第２図と対応する部分には同一符号を
付して重複説明を省略するが、この場合、導体壁
２４は、その一方の導体壁部２４Ａが省略されて
開放された構成とされている。
この構成において、今マイクロストリツプライ
ン側のGGG非磁性基板２１の表面と導体壁２４
の凹部３０Ａ及び３０Ｂの存在によつて生じる間
隔を0.4mmとしたとき50Ωラインの線路幅は1.26
mm、実効誘電率εeffは1.9となる。このよに実効
誘電率εeffを小さくできる。
ン側のGGG非磁性基板２１の表面と導体壁２４
の凹部３０Ａ及び３０Ｂの存在によつて生じる間
隔を0.4mmとしたとき50Ωラインの線路幅は1.26
mm、実効誘電率εeffは1.9となる。このよに実効
誘電率εeffを小さくできる。
しかしながら、この例においても、バイアス磁
界印加手段のコア３２ａ及び３２ｂが、シールド
効果を有する材料によつて構成される場合は、実
質的にサスペンデイツド・サブストレイト・マイ
クロストリツプライン構成と同等となる。
界印加手段のコア３２ａ及び３２ｂが、シールド
効果を有する材料によつて構成される場合は、実
質的にサスペンデイツド・サブストレイト・マイ
クロストリツプライン構成と同等となる。
尚、本発明装置におけるGGG非磁性基板の一
主面上に形成する各YIG磁性薄膜素子２２Ａ，２
２Ｂ，２２Ｃは、この主面上に全面的にYIG薄膜
をエピタキシヤル成長させ、その後、フオトリソ
グラフイーによつて所定のパターンにすることに
よつて全YIG薄膜素子２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃを
同時に形成することができるものであり、このよ
うにすることによつて、これらYIG薄膜素子の形
成は、量産的に確実に行うことができる。
主面上に形成する各YIG磁性薄膜素子２２Ａ，２
２Ｂ，２２Ｃは、この主面上に全面的にYIG薄膜
をエピタキシヤル成長させ、その後、フオトリソ
グラフイーによつて所定のパターンにすることに
よつて全YIG薄膜素子２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃを
同時に形成することができるものであり、このよ
うにすることによつて、これらYIG薄膜素子の形
成は、量産的に確実に行うことができる。
上述したように本発明によれば線路系における
実効誘電率εeffを充分小さくすることができるこ
とから、動作周波数の高周波化、広帯域化を実現
できる。
実効誘電率εeffを充分小さくすることができるこ
とから、動作周波数の高周波化、広帯域化を実現
できる。
したがつて、フイルタに適用するときシヨート
型構成としたにも拘らず数ＧHz以上の高い中心周
波広帯域を持つフイルタを得ることができる。
型構成としたにも拘らず数ＧHz以上の高い中心周
波広帯域を持つフイルタを得ることができる。
またバイアス磁界を可変することによつて低周
波から数ＧHz以上の高周波までの中心周波数が変
化する広帯域可変フイルタを構成することができ
る。
波から数ＧHz以上の高周波までの中心周波数が変
化する広帯域可変フイルタを構成することができ
る。
第１図は本発明にらる強磁性共鳴装置の一例の
断面図、第２図はその装置本体の平面図、第３図
は本発明装置の要部の分解斜視図、第４図はその
挿入損失の周波数特性測定曲線図、第５図はバイ
アス磁界を与えたときのフイルタ特性曲線図、第
６図は本発明による強磁性共鳴装置の他の例の断
面図、第７図はその装置本体の平面図、第８図は
本発明装置の更に他の例の拡大断面図、第９図は
その装置本体の平面図、第１０図は従来のフイル
タ装置の斜視図、第１１図ないし第１３図はその
説明に供する特性曲線図である。 ２５は強磁性共鳴装置の装置本体、２６は直流
バイアス磁界印加手段、２１は非磁性基板、２
２、２２Ａ、２２Ｂ、２２ＣはYIG磁性薄膜素
子、２３、２３Ａ、２３Ｂ、２３Ｃはマイクロス
トリツプライン、２４は導体壁である。
断面図、第２図はその装置本体の平面図、第３図
は本発明装置の要部の分解斜視図、第４図はその
挿入損失の周波数特性測定曲線図、第５図はバイ
アス磁界を与えたときのフイルタ特性曲線図、第
６図は本発明による強磁性共鳴装置の他の例の断
面図、第７図はその装置本体の平面図、第８図は
本発明装置の更に他の例の拡大断面図、第９図は
その装置本体の平面図、第１０図は従来のフイル
タ装置の斜視図、第１１図ないし第１３図はその
説明に供する特性曲線図である。 ２５は強磁性共鳴装置の装置本体、２６は直流
バイアス磁界印加手段、２１は非磁性基板、２
２、２２Ａ、２２Ｂ、２２ＣはYIG磁性薄膜素
子、２３、２３Ａ、２３Ｂ、２３Ｃはマイクロス
トリツプライン、２４は導体壁である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ (a) 非磁性基板と、 (b) 該非磁性基板の一の主面に形成されたフエリ
磁性薄膜素子と、 (c) 前記非磁性基板の他の主面に形成され、前記
フエリ磁性薄膜素子と電磁気的に結合するスト
リツプラインと、 (d) 該ストリツプラインと所定の空間を介して対
向すると共に、該ストリツプラインの一端を接
地する導体壁と、 (e) 上記フエリ磁性薄膜素子に直流バイアス磁界
を印加する手段とを具備する強磁性共鳴装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60065874A JPS61224702A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 強磁性共鳴装置 |
| US06/844,984 US4679015A (en) | 1985-03-29 | 1986-03-27 | Ferromagnetic resonator |
| CA000505320A CA1248187A (en) | 1985-03-29 | 1986-03-27 | Ferromagnetic resonator |
| EP86302421A EP0196918B1 (en) | 1985-03-29 | 1986-04-01 | Ferromagnetic resonators |
| DE8686302421T DE3683387D1 (de) | 1985-03-29 | 1986-04-01 | Ferromagnetische resonatoren. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60065874A JPS61224702A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 強磁性共鳴装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61224702A JPS61224702A (ja) | 1986-10-06 |
| JPH0575202B2 true JPH0575202B2 (ja) | 1993-10-20 |
Family
ID=13299558
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60065874A Granted JPS61224702A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 強磁性共鳴装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4679015A (ja) |
| EP (1) | EP0196918B1 (ja) |
| JP (1) | JPS61224702A (ja) |
| CA (1) | CA1248187A (ja) |
| DE (1) | DE3683387D1 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4983936A (en) * | 1986-07-02 | 1991-01-08 | Sony Corporation | Ferromagnetic resonance device |
| JPS63103501A (ja) * | 1986-10-20 | 1988-05-09 | Sony Corp | 強磁性共鳴装置 |
| GB2198006B (en) * | 1986-11-28 | 1991-04-17 | Sony Corp | Thin film ferromagnetic resonance tuned filters |
| JPS6392403U (ja) * | 1986-12-05 | 1988-06-15 | ||
| JPH0812966B2 (ja) * | 1987-11-17 | 1996-02-07 | 三菱電機株式会社 | フエリ磁性体薄膜共振器 |
| JPH0230208A (ja) * | 1988-07-20 | 1990-01-31 | Hitachi Ltd | 静磁波帯域通過濾波器 |
| US4998080A (en) * | 1989-06-02 | 1991-03-05 | Polytechnic University | Microwave channelizer based on coupled YIG resonators |
| US5424698A (en) * | 1993-12-06 | 1995-06-13 | Motorola, Inc. | Ferrite-semiconductor resonator and filter |
| US5677652A (en) * | 1996-04-24 | 1997-10-14 | Verticom, Inc. | Microwave ferrite resonator with parallel permanent magnet bias |
| CN1123946C (zh) * | 1997-07-24 | 2003-10-08 | Tdk株式会社 | 静磁波器件 |
| AU2001296738A1 (en) * | 2000-10-09 | 2002-04-22 | Regents Of The University Of Minnesota | Method and apparatus for magnetic resonance imaging and spectroscopy using microstrip transmission line coils |
| CN114914647B (zh) * | 2022-05-17 | 2023-04-28 | 电子科技大学 | 一种基于铁氧体材料的可调谐宽带带阻滤波器 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4197517A (en) * | 1978-11-03 | 1980-04-08 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | High speed frequency tunable microwave filter |
| CA1204181A (en) * | 1982-12-06 | 1986-05-06 | Yoshikazu Murakami | Ferromagnetic resonator |
-
1985
- 1985-03-29 JP JP60065874A patent/JPS61224702A/ja active Granted
-
1986
- 1986-03-27 US US06/844,984 patent/US4679015A/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-03-27 CA CA000505320A patent/CA1248187A/en not_active Expired
- 1986-04-01 EP EP86302421A patent/EP0196918B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-04-01 DE DE8686302421T patent/DE3683387D1/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0196918B1 (en) | 1992-01-15 |
| JPS61224702A (ja) | 1986-10-06 |
| EP0196918A3 (en) | 1988-08-17 |
| US4679015A (en) | 1987-07-07 |
| CA1248187A (en) | 1989-01-03 |
| EP0196918A2 (en) | 1986-10-08 |
| DE3683387D1 (de) | 1992-02-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2589247B2 (ja) | 小型デュアルモードプレーナフィルター | |
| US6144268A (en) | High-frequency transmission line, dielectric resonator, filter, duplexer, and communication device, with an electrode having gaps in an edge portion | |
| JPH0575202B2 (ja) | ||
| US4543543A (en) | Magnetically tuned resonant circuit | |
| US4005375A (en) | Device including ferrimagnetic coupling element | |
| US3946339A (en) | Slot line/microstrip hybrid | |
| US3448409A (en) | Integrated microwave circulator and filter | |
| US4980657A (en) | Coplanar waveguide frequency selective limiter | |
| US3760304A (en) | Slot line | |
| US7183874B2 (en) | Casing contained filter | |
| US4521753A (en) | Tuned resonant circuit utilizing a ferromagnetically coupled interstage line | |
| JP2909363B2 (ja) | 静磁波マイクロ波装置 | |
| US3831114A (en) | Encapsulated microstrip circulator with mode elimination means | |
| US4789844A (en) | Broad-band non-reciprocal microwave devices | |
| CN210272629U (zh) | 一种新型的基于双脊集成基片间隙波导的定向耦合器 | |
| CN209747701U (zh) | 一种新型的基于封装型集成基片间隙波导的定向耦合器 | |
| JP4105017B2 (ja) | 導波管型誘電体フィルタ | |
| JPH0465562B2 (ja) | ||
| JPH07105646B2 (ja) | 強磁性薄膜フイルタ | |
| JPS62224101A (ja) | 静磁波フイルタバンク | |
| JPH0217961B2 (ja) | ||
| EP0211958A1 (en) | Magnetostatic wave circulator | |
| JP2004289352A (ja) | 導波管型誘電体フィルタ | |
| JPH0258401A (ja) | フェリ磁性体薄膜フィルタ | |
| Poirer | An Integrated Microstrip Circulator (Correspondence) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |