JPS62202418A - 透明電極基板の製造法 - Google Patents
透明電極基板の製造法Info
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- JPS62202418A JPS62202418A JP4560286A JP4560286A JPS62202418A JP S62202418 A JPS62202418 A JP S62202418A JP 4560286 A JP4560286 A JP 4560286A JP 4560286 A JP4560286 A JP 4560286A JP S62202418 A JPS62202418 A JP S62202418A
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Landscapes
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- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
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- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は液晶ディスプレイ等の電極基板に用いられる透
明電極基板の製造法に関するものである。
明電極基板の製造法に関するものである。
（従来の技術とその問題点）
液晶ディスプレイ等の各種ディスプレイの実用化が一般
化し、さらにその応用分野が拡大するにつれ、これらデ
ィスプレイ基板となる透明電極基板の需髪が増大してい
る。
化し、さらにその応用分野が拡大するにつれ、これらデ
ィスプレイ基板となる透明電極基板の需髪が増大してい
る。
透明電極基板とは、合成樹脂、ガラス、石英等の透明基
材上にＩＴＯからなる透明導電膜を電極パターン形状に
配置したものである。
材上にＩＴＯからなる透明導電膜を電極パターン形状に
配置したものである。
第２図はｔａｌ〜げ）従来法による透明電極基板の接作
工程を示したものである。透明導電膜■を形成したガラ
ス等の透明基材■上に第２図１ｂ）に示すように７オト
レジスト■を塗布する。次に第２図１ｃｉに示すように
遮光膜［相］を有するフォトマスク■をフォトレジスト
■上に密着させ、高圧水銀燈等により露光する。しかる
後、現像を行ない第２図１ｄｌに示すようにフォトレジ
ストパターン■を形成する。さらに第２図１ｅｔに示す
ように化学エツチング法により透明導屯模■の露出部の
除去を行ない。
工程を示したものである。透明導電膜■を形成したガラ
ス等の透明基材■上に第２図１ｂ）に示すように７オト
レジスト■を塗布する。次に第２図１ｃｉに示すように
遮光膜［相］を有するフォトマスク■をフォトレジスト
■上に密着させ、高圧水銀燈等により露光する。しかる
後、現像を行ない第２図１ｄｌに示すようにフォトレジ
ストパターン■を形成する。さらに第２図１ｅｔに示す
ように化学エツチング法により透明導屯模■の露出部の
除去を行ない。
その後第２図Ｉｆｆに示すようにフォトレジストパター
ン■を剥離して透明電極パターン■を形成するものであ
る。
ン■を剥離して透明電極パターン■を形成するものであ
る。
この様な従来のフォトリングラフイ一工程に於て透明電
極基板を製造する際に次の様な問題点があった。すなわ
ち、 １、 フォトレジストパターンの形成、フォトレジスト
の剥離など工程が複雑で歩留りが悪い。
極基板を製造する際に次の様な問題点があった。すなわ
ち、 １、 フォトレジストパターンの形成、フォトレジスト
の剥離など工程が複雑で歩留りが悪い。
２、 高価なフォトレジストを使用する為、コストダウ
ンが困難である。
ンが困難である。
３、 透明電極上にフォトレジスト等の有機物を形成す
る為、フォトレジスト残滓による成極表面、基板表面上
の汚染が発生し易い。
る為、フォトレジスト残滓による成極表面、基板表面上
の汚染が発生し易い。
（発明の目的）
本発明は以上の様な従来法に存する欠点に鑑み、透明電
極基板製造工程の大巾な簡略化を図り、製品の歩留り向
上、コストダウンを達成する方法に関するものである。
極基板製造工程の大巾な簡略化を図り、製品の歩留り向
上、コストダウンを達成する方法に関するものである。
（問題点を解決する具体的手段）
本発明は基板温度１５０℃以下の低温で成膜する低温ス
パッタリング法により成膜されたインジウム−スズ酸化
物膜（以下単にＩＴＯ膜という）のレーザーアニールに
よる化学的性質の変化を利用し、フォトレジストを用い
るフォトリングラフイ一工程を行なう事なく容易に透明
電極パターンを形成する方法に関するものである。さら
に詳しく述べれば、低温スパッタリング法により成膜さ
れたＩＴＯ膜は化学的安定性（特に耐塩化水素性）に劣
り１通常成膜後に２５０〜３５０℃の温度に於いて大気
中加熱処理により所定の化学的安定性を得ている。本発
明はこの点に着目したものであり、大気中の加熱手段と
してレーザービームな用い。
パッタリング法により成膜されたインジウム−スズ酸化
物膜（以下単にＩＴＯ膜という）のレーザーアニールに
よる化学的性質の変化を利用し、フォトレジストを用い
るフォトリングラフイ一工程を行なう事なく容易に透明
電極パターンを形成する方法に関するものである。さら
に詳しく述べれば、低温スパッタリング法により成膜さ
れたＩＴＯ膜は化学的安定性（特に耐塩化水素性）に劣
り１通常成膜後に２５０〜３５０℃の温度に於いて大気
中加熱処理により所定の化学的安定性を得ている。本発
明はこの点に着目したものであり、大気中の加熱手段と
してレーザービームな用い。
さらに、レーザービームを走査すること又はレーザービ
ームを固定して、基材を走査する事により任意の部分の
みレーザー照射による加熱を行ない。
ームを固定して、基材を走査する事により任意の部分の
みレーザー照射による加熱を行ない。
非照射部と照射部の化学的安定性の差、￥なわちエツチ
ング容易性の差を利用して、希塩酸等の化学エツチング
液により非照射部を選択的にエツチング除去する事によ
り、フォトレジストを使用せずにＩＴＯ嘆のパターン化
を行ない透明電極基板を容易に得る方法に関するもので
ある。
ング容易性の差を利用して、希塩酸等の化学エツチング
液により非照射部を選択的にエツチング除去する事によ
り、フォトレジストを使用せずにＩＴＯ嘆のパターン化
を行ない透明電極基板を容易に得る方法に関するもので
ある。
（発明の詳細な
説明による工程を第１図を用いて詳細に説明する。
第１図＋ａ＋は石英、ガラス等の透明基材■上に低温ス
パッタリング法により低温形ＥＩＴＯ膜■を形成したも
のである。低温スパッタリング法とは、成膜時の基材温
間を１５０℃以下に保持してスパッタリングｇｌｌｉ（
を行なう方法を示し、この方法で得られた低温形成ＩＴ
Ｏ嘆■はエツチング性良好な即ち、加熱焼成膜に比較し
て化学エツチングされ易い特性を有する。成膜時の基材
■の温度は低い程望ましり１５０℃以上の場合、エツチ
ング容易性は損なわれるため１５０℃以下に設定する。
パッタリング法により低温形ＥＩＴＯ膜■を形成したも
のである。低温スパッタリング法とは、成膜時の基材温
間を１５０℃以下に保持してスパッタリングｇｌｌｉ（
を行なう方法を示し、この方法で得られた低温形成ＩＴ
Ｏ嘆■はエツチング性良好な即ち、加熱焼成膜に比較し
て化学エツチングされ易い特性を有する。成膜時の基材
■の温度は低い程望ましり１５０℃以上の場合、エツチ
ング容易性は損なわれるため１５０℃以下に設定する。
スパッタリング装置は基材温度上昇を避けるためマグネ
トロン方式スパッタリング装置が適しているが。
トロン方式スパッタリング装置が適しているが。
他のスパッタリング方式に於ても上記条件を満足すれば
この限りではない。またＩ ＴＯｉ漢の原材料つまりタ
ーゲットに関して述べれば、インジウム−スズ合金ター
ゲットを用いた酸素雰囲気による反応性スパッタリング
法又はＩＴＯターゲットによるスパッタリング法の両者
とも適用可能である。
この限りではない。またＩ ＴＯｉ漢の原材料つまりタ
ーゲットに関して述べれば、インジウム−スズ合金ター
ゲットを用いた酸素雰囲気による反応性スパッタリング
法又はＩＴＯターゲットによるスパッタリング法の両者
とも適用可能である。
次に第１図＋ｂ）に示す様に低温形成ＩＴＯ模■上にレ
ーザービーム■を照！？１ｌ−ｊる。この時レーザービ
ーム■を固定して透明基材■をＸ−Ｙステージ等により
走査することと、レーザービーム■の照射のＯＮ、Ｏ’
ＦＦを組み合わせる事により低温形成ＩＴＯ膜■上の任
意の部分の照射を行なう。低温形成ＩＴＯ膜■中の被照
射部（８）は加熱により、耐化学薬品性（特に耐塩性）
の向上が生ずる。また、逆に基材■を固定してレーザー
ビーム■の方をＸ−Ｙミラー等を使用してＩＴＯ膜■上
の任意の部分に走査するこ、ととレーザービーム■の照
射のＯＮ、ＯＦＦを組み合わせる事により同様の効果が
得られることは言うまでもない。照射するレーザービー
ムの波長は、ＩＴＯ模■が吸収を生ずる波長（４００ｎ
ｍ以下）を用いろ。具体例を示せばＸｅＣ１（５０８ｎ
ｍ ）、ＸｅＦ （５５１ｎｍ）、ＸｅＢｒ（２８２ｎ
ｍ）、ＫｒＦ （２４９ｎｍ ）、ＫｒＣｔ（２２２ｎ
ｍ）等のエキシマレーザ−が望ましいが、特にこれだけ
に限定するものではない。また照射するレーザエネルギ
ーは、ＩＴＯ［のアニール即チエノチング選択性の生ず
る温度である１５０℃以上となる照射条件とする。−例
を示せば、ＫｒＦエキシマレーザ−を使用した場合、１
μｍの厚みを有するＩＴＯ模に対して６ｏｍＪ／ｄ以上
のエネルギーを照射することにより上記条件が達成され
る。
ーザービーム■を照！？１ｌ−ｊる。この時レーザービ
ーム■を固定して透明基材■をＸ−Ｙステージ等により
走査することと、レーザービーム■の照射のＯＮ、Ｏ’
ＦＦを組み合わせる事により低温形成ＩＴＯ膜■上の任
意の部分の照射を行なう。低温形成ＩＴＯ膜■中の被照
射部（８）は加熱により、耐化学薬品性（特に耐塩性）
の向上が生ずる。また、逆に基材■を固定してレーザー
ビーム■の方をＸ−Ｙミラー等を使用してＩＴＯ膜■上
の任意の部分に走査するこ、ととレーザービーム■の照
射のＯＮ、ＯＦＦを組み合わせる事により同様の効果が
得られることは言うまでもない。照射するレーザービー
ムの波長は、ＩＴＯ模■が吸収を生ずる波長（４００ｎ
ｍ以下）を用いろ。具体例を示せばＸｅＣ１（５０８ｎ
ｍ ）、ＸｅＦ （５５１ｎｍ）、ＸｅＢｒ（２８２ｎ
ｍ）、ＫｒＦ （２４９ｎｍ ）、ＫｒＣｔ（２２２ｎ
ｍ）等のエキシマレーザ−が望ましいが、特にこれだけ
に限定するものではない。また照射するレーザエネルギ
ーは、ＩＴＯ［のアニール即チエノチング選択性の生ず
る温度である１５０℃以上となる照射条件とする。−例
を示せば、ＫｒＦエキシマレーザ−を使用した場合、１
μｍの厚みを有するＩＴＯ模に対して６ｏｍＪ／ｄ以上
のエネルギーを照射することにより上記条件が達成され
る。
第１図１ｃｌはレーザービーム照射後の基板の状）原を
示すものである。レーザービーム照射によりアニールを
生じた照射部（りと非照射部■が示されている。レーザ
ービーム照射後の基板を化学エツチングを行ない非照射
部■のみを除去する。即ち、レーザービーム照射により
アニールを生じた照射部■は、非照射部■に比較して耐
化学薬品性（特に耐酸性）が向上しているため、希釈酸
による選択エツチングが可能となっているので、希釈酸
に浸漬するのみで容易に非照射部■のみを・層板的に除
去できる。ここで述べる希釈酸とは具体例を示せば、塩
酸、硝酸、硫酸、酢酸の水溶液であるが、特にこれらに
限定するものではない。
示すものである。レーザービーム照射によりアニールを
生じた照射部（りと非照射部■が示されている。レーザ
ービーム照射後の基板を化学エツチングを行ない非照射
部■のみを除去する。即ち、レーザービーム照射により
アニールを生じた照射部■は、非照射部■に比較して耐
化学薬品性（特に耐酸性）が向上しているため、希釈酸
による選択エツチングが可能となっているので、希釈酸
に浸漬するのみで容易に非照射部■のみを・層板的に除
去できる。ここで述べる希釈酸とは具体例を示せば、塩
酸、硝酸、硫酸、酢酸の水溶液であるが、特にこれらに
限定するものではない。
第１図１ｄ）に完成した透明電極基板を示す。
（発明の効果）
以上の様に従来透明電極基板を製造する際には、透明導
電膜のパターン化のため、フォトレジストを用いるフォ
トリソグラフィ一工程が不可欠であり、そのため製造工
程の煩雑化及びそれに伴う歩留りの低下、さらには、高
価な感光性レジストを使用するだめのコスト高、等の間
頓が有り、コスト上昇の犬ぎな原因となっていたが、本
発明によればフォトレジストを用いるフォトリソグラフ
ィ一工程は一切不安となり工程の大巾な簡略化、信頼性
、生産性、歩留りの向上が可能となり大巾なコストダウ
ンが可能となるものである。
電膜のパターン化のため、フォトレジストを用いるフォ
トリソグラフィ一工程が不可欠であり、そのため製造工
程の煩雑化及びそれに伴う歩留りの低下、さらには、高
価な感光性レジストを使用するだめのコスト高、等の間
頓が有り、コスト上昇の犬ぎな原因となっていたが、本
発明によればフォトレジストを用いるフォトリソグラフ
ィ一工程は一切不安となり工程の大巾な簡略化、信頼性
、生産性、歩留りの向上が可能となり大巾なコストダウ
ンが可能となるものである。
また、本発明の透明゛電極基板の製造方法は、少量生産
においても従来のリングラフイ一工程を用いる方法より
も特に有利である。すなわち、通常のフォトリングラフ
イ一工程ではフォトマスクのような遮光パターン板を作
成する手間があるが、本発明では移動ステージやレーザ
ービームの走査により直接的に透明導電膜上にパターン
ニングできるのであり、フォトマスク等の遮光パターン
板を別個に作成する手間がない。
においても従来のリングラフイ一工程を用いる方法より
も特に有利である。すなわち、通常のフォトリングラフ
イ一工程ではフォトマスクのような遮光パターン板を作
成する手間があるが、本発明では移動ステージやレーザ
ービームの走査により直接的に透明導電膜上にパターン
ニングできるのであり、フォトマスク等の遮光パターン
板を別個に作成する手間がない。
以下に、本発明による実施例を述べる。
（実施例１）
バリウム硼珪酸ガラス（コーニング社製７０５９）基材
にＩＴＯｌｆｉをＩＴＯターゲット（酸化スズ５モル％
）を使用してマグネトロン方式の高同波スパッタリング
装置で成膜を行なった。この時の成膜雰囲気は３ Ｘ
１０−５Ｔｏｒｒのアルゴンガスであった。また基材温
度は７０℃であった。この時成１＠すしたＩＴＯ模の膜
厚は１ｓｏｏｉであった。
にＩＴＯｌｆｉをＩＴＯターゲット（酸化スズ５モル％
）を使用してマグネトロン方式の高同波スパッタリング
装置で成膜を行なった。この時の成膜雰囲気は３ Ｘ
１０−５Ｔｏｒｒのアルゴンガスであった。また基材温
度は７０℃であった。この時成１＠すしたＩＴＯ模の膜
厚は１ｓｏｏｉであった。
次に、ＸｅＣｔエキシマレーザ−？使用してＩＴＯ模に
レーザービームを照射した。この時、レーザービームは
固定して、基材をＸ−Ｙステージを用いてＩＴＯ膜上の
所定の部分のみを照射した。照射したレーザービームの
エネルギー密度は１ｏｒｒＬＪ／ｃｎＥであった。また
、レーザービームのビーム径は直径１間であった。その
後レーザー照射した基板を３体積％の塩酸水溶液に浸漬
して化学エツチングを行なったところ、レーザー照射部
のみを残してＩ Ｔ ＯＩｇが容解除去され、所望の成
極パターンを形成することにより透明電極基板を完成し
た。
レーザービームを照射した。この時、レーザービームは
固定して、基材をＸ−Ｙステージを用いてＩＴＯ膜上の
所定の部分のみを照射した。照射したレーザービームの
エネルギー密度は１ｏｒｒＬＪ／ｃｎＥであった。また
、レーザービームのビーム径は直径１間であった。その
後レーザー照射した基板を３体積％の塩酸水溶液に浸漬
して化学エツチングを行なったところ、レーザー照射部
のみを残してＩ Ｔ ＯＩｇが容解除去され、所望の成
極パターンを形成することにより透明電極基板を完成し
た。
（実施例２）
石英ガラス基材上にＩ ’ｒｏ：漢をＩｎ −Ｓｎ合金
（Ｓｎ９＆量％ンをターゲットに庚１刊してマグネトロ
ン方式直流スパッタリング装ａｔ使用して酸化雰囲気下
の反Ｃ，性スパッタリングにより成膜を行なった。基板
加熱は行なわす成膜時の基板温度は６゜℃であった。成
膜雰囲気は、酸素分圧が４．０Ｘ１０−５Ｔｏｒｒ
、アルゴン分圧が５．ＯＸ １０ Ｔｏｒｒであり、
またＩＴＯ膜の膜厚は１μｍであった。
（Ｓｎ９＆量％ンをターゲットに庚１刊してマグネトロ
ン方式直流スパッタリング装ａｔ使用して酸化雰囲気下
の反Ｃ，性スパッタリングにより成膜を行なった。基板
加熱は行なわす成膜時の基板温度は６゜℃であった。成
膜雰囲気は、酸素分圧が４．０Ｘ１０−５Ｔｏｒｒ
、アルゴン分圧が５．ＯＸ １０ Ｔｏｒｒであり、
またＩＴＯ膜の膜厚は１μｍであった。
次にＸｅＦエキシマレーザ−を１吏用し−ＣＩＴＯｄに
レーザービームを照射した。この時レーザービ−ムの走
査は、光路中に設定したＸ−Ｙミラーを用いて行ない、
ＩＴＯ膜上の所定の部分のみを照射してレーザーアニー
ルを行なった。照射レーザービームのエネルギー密度は
６５ｍＪ／ｃｒｄであった。
レーザービームを照射した。この時レーザービ−ムの走
査は、光路中に設定したＸ−Ｙミラーを用いて行ない、
ＩＴＯ膜上の所定の部分のみを照射してレーザーアニー
ルを行なった。照射レーザービームのエネルギー密度は
６５ｍＪ／ｃｒｄであった。
その後レーザービームを照射した基板を２体積％の塩酸
水溶液により化学エツチング２行ないレーザー照射部即
ち、レーザー照射部のみを残してＩＴＯ模を溶解除去し
、所望の電極パターンを形成することにより透明電極基
板を完成した。
水溶液により化学エツチング２行ないレーザー照射部即
ち、レーザー照射部のみを残してＩＴＯ模を溶解除去し
、所望の電極パターンを形成することにより透明電極基
板を完成した。
第１図ｔａｌ〜ｔｄｌは本発明の透明１極基板の製造法
の一寿！布例を工程順に示す説明斜視図であり、第２図
１ａｌ〜ｌｆｌは、従来法による透明電極基板の製造方
法の一例を工程順に示す説明図である。 （１）・・・透明基材 （２）・・・透明導電膜 １３）・・・フォトレジスト （４）・・・フォトマスク （５）・・・フォトレジストパターン （６）・・・透明成極パターン （７）・・・ＩＴＯ模（非照射部） （８）・・・照射部 （９）・・・レーザービーム
の一寿！布例を工程順に示す説明斜視図であり、第２図
１ａｌ〜ｌｆｌは、従来法による透明電極基板の製造方
法の一例を工程順に示す説明図である。 （１）・・・透明基材 （２）・・・透明導電膜 １３）・・・フォトレジスト （４）・・・フォトマスク （５）・・・フォトレジストパターン （６）・・・透明成極パターン （７）・・・ＩＴＯ模（非照射部） （８）・・・照射部 （９）・・・レーザービーム
Claims (2)
- （１）透明基材上にＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）
を材料とする透明電極パターンを有する透明電極基板の
製造方法において、 （ｉ）スパッタリング成膜時の基材温度１５０℃以下で
行なう低温スパッタリング法により透明基材上にＩＴＯ
透明導電膜を形成する工程 （ｉｉ）上記透明導電膜面にレーザービームの照射によ
り、レーザーアニールを行なう際に、基材の移動又はレ
ーザービームの走査を行ない部分的にレーザーアニール
を行ない、照射部と非照射部の化学的エッチング容易性
の差を生じさせる工程（ｉｉｉ）上記化学的エッチング
容易性の差を利用して、非照射部のみを化学エッチング
液を用いた選択エッチングにより除去して透明電極パタ
ーンを形成する工程 以上の５つの工程を具備する事を特徴とする透明電極基
板の製造法。 - （２）レーザービームの波長を４００ｎｍ以下の波長と
する事を特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の透
明電極基板の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4560286A JPS62202418A (ja) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | 透明電極基板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4560286A JPS62202418A (ja) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | 透明電極基板の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62202418A true JPS62202418A (ja) | 1987-09-07 |
| JPH0464123B2 JPH0464123B2 (ja) | 1992-10-14 |
Family
ID=12723899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4560286A Granted JPS62202418A (ja) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | 透明電極基板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62202418A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0238587A (ja) * | 1988-07-27 | 1990-02-07 | Toshiba Corp | レーザ加工とウエットエッチングを併用した加工方法 |
| JPH0254755A (ja) * | 1988-08-19 | 1990-02-23 | Ulvac Corp | 透明導電膜の製造方法 |
| JPH02163363A (ja) * | 1988-03-09 | 1990-06-22 | Ulvac Corp | 透明導電膜の製造方法 |
| WO2007135874A1 (ja) * | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Asahi Glass Company, Limited | 透明電極付きガラス基板とその製造方法 |
| WO2019102836A1 (ja) * | 2017-11-24 | 2019-05-31 | 日本電気硝子株式会社 | 透明導電膜付きガラスシート、透明導電膜付きガラスロール、及びその製造方法 |
-
1986
- 1986-03-03 JP JP4560286A patent/JPS62202418A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02163363A (ja) * | 1988-03-09 | 1990-06-22 | Ulvac Corp | 透明導電膜の製造方法 |
| JPH0238587A (ja) * | 1988-07-27 | 1990-02-07 | Toshiba Corp | レーザ加工とウエットエッチングを併用した加工方法 |
| JPH0453952B2 (ja) * | 1988-07-27 | 1992-08-28 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| JPH0254755A (ja) * | 1988-08-19 | 1990-02-23 | Ulvac Corp | 透明導電膜の製造方法 |
| WO2007135874A1 (ja) * | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Asahi Glass Company, Limited | 透明電極付きガラス基板とその製造方法 |
| US7776229B2 (en) | 2006-05-18 | 2010-08-17 | Asahi Glass Company, Limited | Glass substrate provided with transparent electrodes and process for its production |
| WO2019102836A1 (ja) * | 2017-11-24 | 2019-05-31 | 日本電気硝子株式会社 | 透明導電膜付きガラスシート、透明導電膜付きガラスロール、及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0464123B2 (ja) | 1992-10-14 |
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