JPS62200704A

JPS62200704A - 薄膜チツプ抵抗体の製法

Info

Publication number: JPS62200704A
Application number: JP61043214A
Authority: JP
Inventors: 保元宇ノ木; 岡内　肇
Original assignee: Tama Electric Co Ltd
Current assignee: Tama Electric Co Ltd
Priority date: 1986-02-28
Filing date: 1986-02-28
Publication date: 1987-09-04

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、電子機器に使用することのできる薄膜チップ
抵抗体に関する。

〔発明の概要〕

本発明は、薄膜チップ抵抗体に関し、その抵抗膜に対す
る保護膜を、無機物の酸化膜をもって構成し、この場合
、その厚味を１０００Å〜１００００人になるように選
定することにより、安定性のよい薄膜チップ抵抗体を得
ることができる。

〔実施例〕

以下本発明による薄膜チップ抵抗体の製法を、図面を用
いて順次説明する。

先ず第１図に示すように、耐熱性及び電気的絶縁性を有
する基板（９６％アルミナ）（１）を設けてその下面に
縦横に延長してそれぞれ複数のＶ字状の溝（２ａ）及び
（２ｂ）を形成する。谷溝（２ａ）の間隔は抵抗体の長
手方向の長さとなるもので例えば３．２ｆｌであり、又
谷溝（２ｂ）の間隔は抵抗体の横幅となるもので例えば
１．６ｎである。

このような基板（１）の上面の全面に、ＮｉＣｒやＴａ
Ｎ等の抵抗膜（金属膜）（３）を蒸着又はスパッタ等に
より被着し、続いて電極となる金属膜（４）も被着する
。

次に第２図に示すように、谷溝（２ａ）と（２ａ）との
中間部に対応する部分の電極金属膜（４）を、溝（２ａ
）の延長方向に沿ってエツチング除去し、よって電極金
属膜（４）を、溝（２ａ）に対応した部分のみに、この
溝（２ａ）の延長方向に沿って延長するように、帯状に
残す。

その後、図示しないが抵抗膜（３）をエツチングして又
はトリミングによりこれを必要な形状に残す。

即ち必要な抵抗値となす。この工程としてはレーザー光
線を使用したトリミング法等が用いられる。

次に第３図に示すように電極金属膜（４）及び抵抗膜（
３）を含む基板（１）上にマスク（８）を当てかう。こ
のマスク（８）には電極金属膜（４）の除去された部分
と対向する部分に窓孔（９）を有する。

このようなマスク（８）を当てかった基板（１）をベル
ジャ（図示しない）内に入れ、従来周知の方法により、
抵抗膜（３）上に保護膜（５）を被着する（第４図参照
）。この被着方法としては従来周知の高周波信号電圧又
は直流電圧を使用したスパック法又は電子ビーム法等を
使用することができるが、以下述べる材質を保護膜（５
）として使用するときは、マグネトロン型高周波スパッ
タ法又は電子ビーム法を使用するのが好適である。

次に、基板（１）を、その１（２ａ）を利用して折り、
複数の短冊片（６）を得る。第５図はこのうちの１個の
短冊片（６）を示したものである。これより明らかなよ
うに、電極金属膜（４）が両端に対となって形成される
ことになり、第５図以下においてはこれを電極（４ａ）
及び（４ｂ）と称することにする。

上述した短冊片（６）の延長方向に沿う左右両端縁に対
して、第６図に示すように、Ｎｉ等の金属を短冊片（６
）の延長方向に沿って被着し、端子（７ａ）及び（７ｂ
）となす。これらの形成に際しては、かかる端子（７ａ
）及び（７ｂ）を形成する以外の部分を予めメツキレシ
ストを施して先ずＮｉの無電解メッキをなし、その上に
更に電気メッキによりＣｕやＮｉその他の金属を被着す
る。この工程は従来周知であるので、その詳細な説明を
省略する。これにより端子（７ａ）は電極（４ａ）と、
又端子（７ｂ）は電極（４ｂ）とそれぞれ電気的に接続
される。

このようにして端子（７ａ）及び（７ｂ）が形成された
後、これを、基板（１）の下面に予め形成されている溝
（２ｂ）に沿って折り曲げて切断し、個々の薄膜チップ
延抗体を得る。

このようにして製造された抵抗体の耐湿負荷寿命を、温
度４０℃、湿度９５％の試験槽中で、定格直流電圧を９
０分間加え、３０分間電流を切断する工程をくり返し行
ない乍ら、その抵抗値の変化を測定したところ、それぞ
れ第７図以下に示す結果を得た。各図においては横軸に
時間を目盛り、縦軸に抵抗値の変化率（ΔＲ／Ｒ）％を
目盛っており、上述した保護膜（５）の膜厚を種々に選
んでそれぞれテストをした。

次に保護膜（５）の材料及び製造条件について説明する
。尚保護膜（５）の被着には、特に説明のあるもの以外
は、いずれも電子ビーム法を使用した。

第１例保護膜（５）の材料としてＡｊ２２（ｈを使用し、ベル
ジャ内をＩ　Ｘ　１０”５Ｔｏｒｒ、基板温度を１５０
℃、酸素分圧を５．５Ｘ　１Ｏ−５Ｔｏｒｒに選んだ（
第７図参照）。

第２例保護膜（５）の材料としてＺｒＯ２とＳｉＯ２とを使用
し、ベルジャ内を３　Ｘ　１Ｏ−５Ｔｏｒｒｓ基板温度
を１５０℃に選定し、先ずＺｒＯ２を抵抗膜（３）上に
被着し、次にその上に５ｉ０２を重ねて被着した（第８
図参照）。

第３例保護膜（５）の材料としてＴｉＯ２とＳｉＯ２とを使用
し、ベルジャ内を３　Ｘ　ＩＰ５Ｔｏｒｒ、基板温度を
１５０℃、酸素分圧を６　Ｘ　１Ｏ−５Ｔｏｒｒに選定
し、ＴｉＯ２とＳｉＯ２とを交互に多層化させて抵抗膜
（３）上に被着した（第９図参照）。

第４例保護膜（５）の材料としてＳｉＯを使用し、ベルジャ内
を３　Ｘ　１Ｏ−５Ｔｏｒｒ、基板温度を１２０℃に選
定した（第１０図参照）。

第５−１例保護膜（５）の材料として５ｉ０２を使用し、ベルジャ
内を３　Ｘ　１Ｏ−５Ｔｏｒｒ、基板温度を１５０℃、
酸素分圧を５　Ｘ　ＩＰ５Ｔｏｒｒに選定した（第１１
図参照）。

第５−２例尚、この場合、スパッタ法も試みており、この条件とし
ては入射波２　ｋＷ、反射波５Ｗであり、ベルジャ内に
は６０ｃｃ　／　ｍｉｎの量のＡｒガスを流入させた（
第１２図参照）。

第６例保護膜（５）の材料として基板＜１１と同一物質の材料
を使用した場合であり、３つの例について実験した。

第６−１例９６％のアルミナを使用し、ベルジャ内を３　Ｘ　１Ｏ
−５Ｔｏｒｒ、基板温度を１５０℃、酸素分圧を６　Ｘ
　１Ｏ−５Ｔｏｒｒに選んだ（第１３図参照）。

第６−２例フォルステライトを使用し、ベルジャ内をｌ　Ｘ　１Ｏ
−５Ｔｏｒｒ、基板温度を１５０℃、酸素分圧を４．５
〜５　Ｘ　１Ｏ−５Ｔｏｒｒに選んだ（第１４図参照）
。

第６−３例８０％のアルミナを使用し、ベルジャ内を３　Ｘ　１Ｏ
−５Ｔｏｒｒ、基板温度を１５０℃、酸素分圧を６　ｘ
　１Ｏ−５Ｔｏｒｒに選んだ（第１５図参照）。

尚、この他にムライト系又はステアタイト系のセラミッ
クも考えられる。

これらの測定の結果、保護膜（５）の膜厚が１０００Å
以下のものでは比較的大きな経時変化が見られたが、１
０００Å〜１００００人のものでは、はとんど経時変化
が見られず、又抵抗値もほとんど変化せず、きわめて安
定していることが確かめられた。尚、１００００Å以上
になると、第１図に示す広い基板より溝（２ａ）及び（
２ｂ）に沿って分割するとき、クランクが発生し易（な
り、防湿効果が劣化することが確認された。

〔発明の効果〕

以上説明した本発明によれば、抵抗値及び抵抗値の変化
率のそれぞれについて、きわめて安定した薄膜チップ抵
抗体を得ることができる特徴を有するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第６図は本発明による薄膜チップ抵抗体の製造
工程の一例を示すもので、第１図は基板に抵抗膜及び電
極金属膜を被着した状態の一部分の斜視図、第２図は電
極金属膜の一部分を除去した状態の断面図、第３図は全
面にマスクを被せた状態の断面図、第４図は保護膜を被
着した状態の断面図、第５図は溝（２ａ）に沿って折っ
て得られた短冊片の一例を示す斜視図、第６図は完成さ
れた抵抗体の断面図、第７図〜第１５図はかくして得ら
れた抵抗体の耐湿負荷寿命テストの特性図である。（１）は基板、（３）は抵抗膜、（５）は保護膜、（７
ａ）（７ｂ）は端子である。

Claims

【特許請求の範囲】

　絶縁基板上に、抵抗膜を付着させ、該抵抗膜を所定の
形状となるようにエッチング又はトリミングした後、抵
抗値及び温度特性の安定化のための熱処理をなし、その
後、上記抵抗膜上を含み上記絶縁基板上に、無機物の酸
化膜を１０００Å〜１００００Åの厚みに生成させるよ
うにした薄膜チップ抵抗体の製法。