JPS62196398A - スルーホールプリント基板の高速鍍金方法 - Google Patents
スルーホールプリント基板の高速鍍金方法Info
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0085—Apparatus for treatments of printed circuits with liquids not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46; conveyors and holding means therefor
- H05K3/0088—Apparatus for treatments of printed circuits with liquids not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46; conveyors and holding means therefor for treatment of holes
-
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-
- H—ELECTRICITY
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は被鍍金基板、とくに多数の細孔を有するスルー
ホール配線基板（以下Ｔ 、 Ｈ、Ｐ、と略称する）に
、低金属イオン濃度、高Ｉｖａ度の高力−電着性浴のみ
ならず、中程度の金属イオン濃度の鍍金浴によっても、
高陰極電流密度を用いて高速鍍金を行ない得る高速鍍金
方法に関するものである。
ホール配線基板（以下Ｔ 、 Ｈ、Ｐ、と略称する）に
、低金属イオン濃度、高Ｉｖａ度の高力−電着性浴のみ
ならず、中程度の金属イオン濃度の鍍金浴によっても、
高陰極電流密度を用いて高速鍍金を行ない得る高速鍍金
方法に関するものである。
（従来技術）
従来のＴ、Ｈ，Ｐ、に対する鍍金方法は、高均−電着姓
浴に各種の添加剤を加え、１〜３ Ａｍｐ ／ ｄｍ２
の陰極＋１ｉ流密度で行うものである。
浴に各種の添加剤を加え、１〜３ Ａｍｐ ／ ｄｍ２
の陰極＋１ｉ流密度で行うものである。
高力−電着性浴及び添加剤の使用目的は、ノミネル表面
の電着を添加剤によって制御して、孔部の１７さくＨｌ
と表面の厚さくＳ）との比が小さくなるのを防ぐためで
ある。
の電着を添加剤によって制御して、孔部の１７さくＨｌ
と表面の厚さくＳ）との比が小さくなるのを防ぐためで
ある。
また、 Ｔ、Ｈ，Ｐ、の如き形状ではなく、ＩＣのチッ
プキャリアー等の如く表面に高速鍍金を寵す場合には、
鍍金表面に高速の鍍金液流を加えることによって目的を
達成しているが、かかる従来の高速液流による方法は金
属イオン濃度が高く、酸濃度の低いｐＨ４前後の鍍金浴
以外では使用が不可能であり、 Ｔ、Ｈ，Ｐ、には使用
することができず、したがってＴ、Ｈ，Ｐ、の高速鍍金
は実現しえなかった。
プキャリアー等の如く表面に高速鍍金を寵す場合には、
鍍金表面に高速の鍍金液流を加えることによって目的を
達成しているが、かかる従来の高速液流による方法は金
属イオン濃度が高く、酸濃度の低いｐＨ４前後の鍍金浴
以外では使用が不可能であり、 Ｔ、Ｈ，Ｐ、には使用
することができず、したがってＴ、Ｈ，Ｐ、の高速鍍金
は実現しえなかった。
また、低金属イオン濃度、高酸濃度鍍金浴の場合、高速
液流が金、萬表面を流れるので甲滑な表面には層流が生
じ１表面に密着した薄層が流動せず。
液流が金、萬表面を流れるので甲滑な表面には層流が生
じ１表面に密着した薄層が流動せず。
そのため金属イオンの供給ができなくなる。さらに酸濃
度が高いので液流が連続して直接衝突するような部位は
１反対にエノチンゲされる場合がある。
度が高いので液流が連続して直接衝突するような部位は
１反対にエノチンゲされる場合がある。
上記に関する顕著な例は、ノズルによる噴流が直接被前
余体にあたる場合、ノズルの位置に対向が発生する。
余体にあたる場合、ノズルの位置に対向が発生する。
（発明の目的）
本発明は上記の欠点を排１余した高速鍵α８法であり、
被鍍金基板を、該板面を包含する平面内でγ行回転せし
めるとともに、さらにヒ下方同友ｌ又はｔ右Ｊｊ向に於
て回転方向に対して所定の角度をｔｉ、えて振動せしめ
て健全する方法であり、とくに多数の細孔を存するＴ、
Ｈ，Ｐ、に低金属イオン濃度。
被鍍金基板を、該板面を包含する平面内でγ行回転せし
めるとともに、さらにヒ下方同友ｌ又はｔ右Ｊｊ向に於
て回転方向に対して所定の角度をｔｉ、えて振動せしめ
て健全する方法であり、とくに多数の細孔を存するＴ、
Ｈ，Ｐ、に低金属イオン濃度。
高酸濃度の高均−電着性浴のみならず、中程度の余（・
チイオン濃度の鍍金屑によっても、高陰極電流密度を用
いて高速鍍金を行い得る高速ｉ全方法である。
チイオン濃度の鍍金屑によっても、高陰極電流密度を用
いて高速鍍金を行い得る高速ｉ全方法である。
（発明の構成）
本発明方法は、被Ｊ金ｐ板に所定の回転径と回転散及び
回転角によるｉ■動を与え。
回転角によるｉ■動を与え。
（１）孔内壁がその周辺の鍍金液に生ずる応力による乱
流によって、均等に急激な金属イオンの供給と陰極電流
の供給をうけ。
流によって、均等に急激な金属イオンの供給と陰極電流
の供給をうけ。
（，２）基板表面は１回転角によって陽ｔＪｉｉ間にｔ
、ｌ：板ｑ）直角方向の振動が発生するので、ｐ金屑の
乱ｉ！ｌｅが発生し、金）４イオンの供給が確保され。
、ｌ：板ｑ）直角方向の振動が発生するので、ｐ金屑の
乱ｉ！ｌｅが発生し、金）４イオンの供給が確保され。
かくして孔内壁及び表面の高速鍍金が可能となる。
以下に添附図面により本発明による方法を具体的に詳述
する。
する。
添附図面中、第１［岡は本発明方法を実１１寵するため
の鍍金装置：ｔの一実施態様を示す正面略示図であり、
（１）は所定の回転半径を有し、駆動部材（図示せず）
により回転せしめられる一対の回転板であり、２個の該
回転数（１）のそれぞれの中心より一定距離はなれた位
置に於てブスバー（２）の両端部が相対的に固定されて
いる。
の鍍金装置：ｔの一実施態様を示す正面略示図であり、
（１）は所定の回転半径を有し、駆動部材（図示せず）
により回転せしめられる一対の回転板であり、２個の該
回転数（１）のそれぞれの中心より一定距離はなれた位
置に於てブスバー（２）の両端部が相対的に固定されて
いる。
ブスバー（２）には一対の引掛は治具（３）が図示のよ
うに楚吊され、この引掛は治具（３）の間に被鍵金１１
（板、たとえばＴ、Ｈ，Ｐ、（４）が一対の該治具（３
）により保持される。
うに楚吊され、この引掛は治具（３）の間に被鍵金１１
（板、たとえばＴ、Ｈ，Ｐ、（４）が一対の該治具（３
）により保持される。
上記の如くに保持されたＴ、Ｈ，Ｐ、（４）を鍍金浴中
に浸漬し、駆動装置により一対の回転板（１）を回転せ
しめれば、その回転がブスバー（２）及び引掛は治具（
す （３）を介してＴ 、 Ｈ、Ｐ 、天を回転せしめ、し
たがってＴ、Ｈ，Ｐ、（４１面に設けられた孔（５）も
同様に回転する。
に浸漬し、駆動装置により一対の回転板（１）を回転せ
しめれば、その回転がブスバー（２）及び引掛は治具（
す （３）を介してＴ 、 Ｈ、Ｐ 、天を回転せしめ、し
たがってＴ、Ｈ，Ｐ、（４１面に設けられた孔（５）も
同様に回転する。
本発明方法に於ては、被鍍金基板、すなわちＴ、Ｈ，Ｐ
、（４）の板面を包よする平面内で平行回転するととも
に、さらに第２図及び第３図に示す如く上下方向（第２
図）及つタは左右方向（第３図）に於て回転方向に対し
て所定の角度（α；β）を与えて振動せしめて鍍金する
ことを特徴とするものである。
、（４）の板面を包よする平面内で平行回転するととも
に、さらに第２図及び第３図に示す如く上下方向（第２
図）及つタは左右方向（第３図）に於て回転方向に対し
て所定の角度（α；β）を与えて振動せしめて鍍金する
ことを特徴とするものである。
第２図は第１図の装：１−ｔの側面略示図であり、ブス
バー（２）に引掛は治具（３）が上下方向に対して角α
だけ傾斜して懸Ｌ１１されている。したがってＴ、Ｈ，
Ｐ。
バー（２）に引掛は治具（３）が上下方向に対して角α
だけ傾斜して懸Ｌ１１されている。したがってＴ、Ｈ，
Ｐ。
（４）は垂１ｒ（方向に対して角αだけ傾斜している。
第３図は第１図の装置１ｔの上方より見た平面略示図で
あり、ブスバー（２）に対してＴ、Ｈ，Ｐ、（４）が左
右方向に対して角βだけ傾斜するように引掛は治具（３
）が懸吊されている。したがって回転直径Ｘ ｓｊｎθ
の値だけＴ、！（、Ｐ、（４）の表面に対し直角に振幅
を有することになる。しかもその頻度は回転数に等しい
。
あり、ブスバー（２）に対してＴ、Ｈ，Ｐ、（４）が左
右方向に対して角βだけ傾斜するように引掛は治具（３
）が懸吊されている。したがって回転直径Ｘ ｓｊｎθ
の値だけＴ、！（、Ｐ、（４）の表面に対し直角に振幅
を有することになる。しかもその頻度は回転数に等しい
。
上述の装置により本発明方法を実施すれば。
Ｔ、Ｈ，Ｐ、 孔内壁は孔部周辺の鍍金液に生ずる応
力による乱流によって、均等に急激な金属イオンの供給
と陰極電流の供給ができ、■っパネル表面は回転角によ
って陽極間にパネルの直角方向の振動（実施例） 以下に実施例を示し本発明を詳述する。
力による乱流によって、均等に急激な金属イオンの供給
と陰極電流の供給ができ、■っパネル表面は回転角によ
って陽極間にパネルの直角方向の振動（実施例） 以下に実施例を示し本発明を詳述する。
実施例／
硫酸３１ｉ １８０ ｇ 、、／ ｌ 、硫９２００
ｇ／ ｌ！ 、浴温２８°Ｃの鍍金浴中に於て、第１図
に示す’ＡＩ ＜ １００ ｘ １００Ｘ１．６ａｍ、
孔数８１個の基板について１回転ぜｉの回転径２０ｍ、
回転数毎秒２回７回転角度（α） ｋｌｏで６Ａｍｐ
／ ｄｍ” 、 １０分間の鍍金を５回行った。
ｇ／ ｌ！ 、浴温２８°Ｃの鍍金浴中に於て、第１図
に示す’ＡＩ ＜ １００ ｘ １００Ｘ１．６ａｍ、
孔数８１個の基板について１回転ぜｉの回転径２０ｍ、
回転数毎秒２回７回転角度（α） ｋｌｏで６Ａｍｐ
／ ｄｍ” 、 １０分間の鍍金を５回行った。
その結県、やけのない表面を有する厚さ］２．３μの銅
鍍金ＪＩｔ＋板が得られた。１ 本実施例に於ては硫酸銅浴用の添ＩＪＩＩ剤を使用しな
かったが、孔檀部の鍍金１ワさくＨ）と表面の鍍金１ワ
さくＳ）との比、すなわちＨ／Ｓ比は６６％であった。
鍍金ＪＩｔ＋板が得られた。１ 本実施例に於ては硫酸銅浴用の添ＩＪＩＩ剤を使用しな
かったが、孔檀部の鍍金１ワさくＨ）と表面の鍍金１ワ
さくＳ）との比、すなわちＨ／Ｓ比は６６％であった。
実嘩例２
硫酸洞１ａｏｇ／ｄ、硫酸２００ ｇ ／ ｌ 、浴温
２８°Ｃの、鍍金浴中に於て、 ｌＯＱ Ｘ １００
Ｘ Ｌ６層１孔暫８１個の基板について１回転板の回
転径２０ａｍ、回転数毎秒２回１回転角度φ）Ｙノ０で
８ Ａｍｐ ／ｄｍ’ 、 １０分間の鍍金を５個行っ
た。
２８°Ｃの、鍍金浴中に於て、 ｌＯＱ Ｘ １００
Ｘ Ｌ６層１孔暫８１個の基板について１回転板の回
転径２０ａｍ、回転数毎秒２回１回転角度φ）Ｙノ０で
８ Ａｍｐ ／ｄｍ’ 、 １０分間の鍍金を５個行っ
た。
その結東やけのない表面を有する厚さ１６μの銅鎚金基
板が得られた。
板が得られた。
本実施例に於ては硫酸銅浴用の添加剤を添加しなかった
が、Ｈ／Ｓ比は９０％であった。
が、Ｈ／Ｓ比は９０％であった。
実、嘩例３
硫酸銅ｌｚｏｇ／ｌ、硫階２ｏｏｇ／ｌ、八−シヨウ村
田製硫ｉｖ鋼浴添加剤ａｘ −Ｂ ２０ ｇ ／ ７！
、浴温２８℃の鍍金浴中に於て１回転板の回転径８０
ｍ 。
田製硫ｉｖ鋼浴添加剤ａｘ −Ｂ ２０ ｇ ／ ７！
、浴温２８℃の鍍金浴中に於て１回転板の回転径８０
ｍ 。
回転数１１１秒２回１回転角度（α）１°、 １２
Ａｍｐ ／ ｄｍ”。
Ａｍｐ ／ ｄｍ”。
１０分間の条件で、 ３３０ Ｘ ４００ Ｘ １．６
ｍ 、孔数約２、５００個の基板２０個についてそれ
ぞれ鍍金を施した０ その紡毛１表面厚さ約２５μ、Ｈ／Ｓ比が７５％の美し
い銅貧金基板が得られた。
ｍ 、孔数約２、５００個の基板２０個についてそれ
ぞれ鍍金を施した０ その紡毛１表面厚さ約２５μ、Ｈ／Ｓ比が７５％の美し
い銅貧金基板が得られた。
実施例ｔ
％４１４ ｇ／ｌ 、鉛９ ｇ ／ １．硼弗化水泰酸
５００ ｇ／ｌからなる浴１品２８℃の半ＥＥ鍍余浴巾
に於て１回転板の回転径４０＋ｍ＋、回転数毎秒２回９
回転角（α及びβ）各１０． １５ Ａｍｐ ／ ａｍ
２． ３分間の条件で。
５００ ｇ／ｌからなる浴１品２８℃の半ＥＥ鍍余浴巾
に於て１回転板の回転径４０＋ｍ＋、回転数毎秒２回９
回転角（α及びβ）各１０． １５ Ａｍｐ ／ ａｍ
２． ３分間の条件で。
３３０ Ｘ ４００ Ｘ １．６ ａｍ 、孔数約２．
５００個の基板２０個についてそれぞれ鍍金を施した。
５００個の基板２０個についてそれぞれ鍍金を施した。
その結果１表面厚さ約１８／４．Ｈ／Ｓ比がほぼ１００
％の美しい半田鍍金Ｊｔ板が得られた。
％の美しい半田鍍金Ｊｔ板が得られた。
実施例よ
硫ｌ￥？銅１２ｏｇ／ｌ、硫酸２ｏｏｇ／ｌ、バーショ
ウ行田製ＯＸ −Ｂ ２０ ｇ、／ｌからなる浴Ｚ品２
８℃の鍍金浴中に於て１回転板の回転径２０ｍ１回伝数
毎秒２回１回転角（α） １’、 １６ Ａｍｐ ／
ｄ、ｍ” 、 １０分間の条件で、 １００ Ｘ
２００ Ｘ １．６ ｗｍ 、孔数１００個の基板ｌ。
ウ行田製ＯＸ −Ｂ ２０ ｇ、／ｌからなる浴Ｚ品２
８℃の鍍金浴中に於て１回転板の回転径２０ｍ１回伝数
毎秒２回１回転角（α） １’、 １６ Ａｍｐ ／
ｄ、ｍ” 、 １０分間の条件で、 １００ Ｘ
２００ Ｘ １．６ ｗｍ 、孔数１００個の基板ｌ。
個についてそれぞれ鍍金を韮した。
その結果１表面厚さ約３２μ、Ｈ，／Ｓ比が９０％の美
しい銅鍍金基板が得られた。
しい銅鍍金基板が得られた。
実施例乙
硫酸銅１８０ ｇ ／ ｌ 、硫Ｎ？２ｏｏ ｇ７１．
ハ、ヨウ村田製ａｘ −Ｅ ２０ ｇ ／ ｌ！から
なる浴温２８℃の鍍金浴中に於て１回転板の回転径２０
■１回転数毎秒２回９回転角（Ｉ３） １°、 １８
Ａｍｐ／ｄｒｎ” 、 ａ分間の条件で、 １．０
０ Ｘ ２００ Ｘ １．６ ｗｍ 、孔数１００個の
基板１０個についてそれぞれに鍍金を怖した。
ハ、ヨウ村田製ａｘ −Ｅ ２０ ｇ ／ ｌ！から
なる浴温２８℃の鍍金浴中に於て１回転板の回転径２０
■１回転数毎秒２回９回転角（Ｉ３） １°、 １８
Ａｍｐ／ｄｒｎ” 、 ａ分間の条件で、 １．０
０ Ｘ ２００ Ｘ １．６ ｗｍ 、孔数１００個の
基板１０個についてそれぞれに鍍金を怖した。
その結果１表面厚さ約２５μ、Ｈ／Ｓ比が９０％の銅鍍
金基板が得られた。
金基板が得られた。
（発明の効果）
従来の方法に於ては陰極電流密度は２ Ａｍｐ ／ｄｎ
Ｆ程度であり、Ｈ／Ｓは１０〜２０％である。また、従
来の方法に於ては添加剤を加えない場合は１８０ ｇ、
／ ｌの硫酸銅濃度ではＨ、／ Ｓ比がやはり１０〜２
０％程度である。
Ｆ程度であり、Ｈ／Ｓは１０〜２０％である。また、従
来の方法に於ては添加剤を加えない場合は１８０ ｇ、
／ ｌの硫酸銅濃度ではＨ、／ Ｓ比がやはり１０〜２
０％程度である。
これに対し本発明方法によれば、添加剤の防用なくして
実施例１及びコの紡毛が示す如く、Ｈ／Ｓ比は６６％及
び９０％である。
実施例１及びコの紡毛が示す如く、Ｈ／Ｓ比は６６％及
び９０％である。
また、添加剤を添加した場合は、実施例３〜６が示ずご
と〈Ｈ／Ｓが７５〜１００％である。
と〈Ｈ／Ｓが７５〜１００％である。
本発明方法によれば、低金属イオン儂度、高市濃度の高
均−電右性浴のみならず、中程度の金属イオン濃度の鍍
金屑に於ても高陰極電流密度を用いて高速鍍金が実施さ
れる。
均−電右性浴のみならず、中程度の金属イオン濃度の鍍
金屑に於ても高陰極電流密度を用いて高速鍍金が実施さ
れる。
仏図面の簡単な説舅
添附図面中、第１図は本発明方法を実施するための鍍金
装置の一実権態様を示す正１ｍ略示図、第２図は第１図
に示す装置の側面略示図、第３図は第１図に示す装置の
上方より見た下面略示図である。
装置の一実権態様を示す正１ｍ略示図、第２図は第１図
に示す装置の側面略示図、第３図は第１図に示す装置の
上方より見た下面略示図である。
なお１図示された主要部と符号との対応は以下の通りで
ある。
ある。
Claims (1)
- 被鍍金基板を、該板面を包含する平面内で平行回転せし
めるとともに、さらに上下方向及び／又は左右方向に於
て回転方向に対して所定の角度を与えて振動せしめて、
鍍金することを特徴とする高速鍍金方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61034971A JPS62196398A (ja) | 1986-02-21 | 1986-02-21 | スルーホールプリント基板の高速鍍金方法 |
| KR1019870001314A KR900005846B1 (ko) | 1986-02-21 | 1987-02-18 | 고속도금방법 |
| US07/017,947 US4726884A (en) | 1986-02-21 | 1987-02-24 | Method of high speed plating |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61034971A JPS62196398A (ja) | 1986-02-21 | 1986-02-21 | スルーホールプリント基板の高速鍍金方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62196398A true JPS62196398A (ja) | 1987-08-29 |
| JPH0248640B2 JPH0248640B2 (ja) | 1990-10-25 |
Family
ID=12429024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61034971A Granted JPS62196398A (ja) | 1986-02-21 | 1986-02-21 | スルーホールプリント基板の高速鍍金方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4726884A (ja) |
| JP (1) | JPS62196398A (ja) |
| KR (1) | KR900005846B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01316498A (ja) * | 1988-06-15 | 1989-12-21 | Nec Corp | プリント基板のめっき治具 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3905100A1 (de) * | 1989-02-20 | 1990-08-23 | Hans Henig | Verfahren und vorrichtung zum elektrolytaustausch vornehmlich in engen vertiefungen grossflaechiger werkstuecke |
| CH683007A5 (de) * | 1990-08-17 | 1993-12-31 | Hans Henig | Verfahren zum kontinuierlichen Austausch der wässrigen Lösungen während einer Oberflächenbehandlung sowie eine Vorrichtung dazu. |
| DE4133561C2 (de) * | 1991-10-10 | 1994-02-03 | Reinhard Kissler Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Galvanisieren von Waren |
| US6001235A (en) * | 1997-06-23 | 1999-12-14 | International Business Machines Corporation | Rotary plater with radially distributed plating solution |
| DE10061226A1 (de) * | 2000-12-08 | 2002-06-20 | Emil Hepting | Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung von Waren in einem Tauchbad |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS501349A (ja) * | 1973-05-14 | 1975-01-08 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS563690A (en) * | 1979-06-20 | 1981-01-14 | Ibiden Co Ltd | High speed through-hole plating method |
-
1986
- 1986-02-21 JP JP61034971A patent/JPS62196398A/ja active Granted
-
1987
- 1987-02-18 KR KR1019870001314A patent/KR900005846B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1987-02-24 US US07/017,947 patent/US4726884A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS501349A (ja) * | 1973-05-14 | 1975-01-08 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01316498A (ja) * | 1988-06-15 | 1989-12-21 | Nec Corp | プリント基板のめっき治具 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4726884A (en) | 1988-02-23 |
| KR870008057A (ko) | 1987-09-24 |
| JPH0248640B2 (ja) | 1990-10-25 |
| KR900005846B1 (ko) | 1990-08-13 |
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