JP2007084932A - 電解メッキ法 - Google Patents
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- 238000009713 electroplating Methods 0.000 title claims abstract description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 56
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 claims abstract description 27
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 8
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 107
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 21
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 16
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000032683 aging Effects 0.000 abstract 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 25
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 9
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 8
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005066 MHD (magnetohydrodynamics) Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004067 bulking agent Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
- H05K3/241—Reinforcing the conductive pattern characterised by the electroplating method; means therefor, e.g. baths or apparatus
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/007—Electroplating using magnetic fields, e.g. magnets
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/10—Using electric, magnetic and electromagnetic fields; Using laser light
- H05K2203/104—Using magnetic force, e.g. to align particles or for a temporary connection during processing
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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Abstract
【課題】外部液体流動装置を別途に導入しなくても、メッキ液の劣化とイオン濃度の不均一現象を防ぐことができ、基板を均一にメッキすることのできる電解メッキ法を提供する。
【解決手段】本発明の電解メッキ法は、被メッキ部材であるプリント回路基板104を電解質溶液103に浸漬する段階と、電解質溶液103に電磁石105aから磁場を印加すると同時にプリント回路基板104と電解質溶液103との間に陽極102から電圧を印加する段階とを含んでおり、磁場は電流方向に対して略垂直方向に印加され、その方向を電流パルス変復調器106aで正方向と逆方向に周期的に変化させることを特徴とする。
【選択図】図4
【解決手段】本発明の電解メッキ法は、被メッキ部材であるプリント回路基板104を電解質溶液103に浸漬する段階と、電解質溶液103に電磁石105aから磁場を印加すると同時にプリント回路基板104と電解質溶液103との間に陽極102から電圧を印加する段階とを含んでおり、磁場は電流方向に対して略垂直方向に印加され、その方向を電流パルス変復調器106aで正方向と逆方向に周期的に変化させることを特徴とする。
【選択図】図4
Description
本発明は、磁場を用いてプリント回路基板などにメッキを施す電解メッキ法に係り、特に電流方向に対して実質的に垂直な方向に印加された磁場を周期的に変化させることによって、外部液体流動装置を別途導入する必要もなく、メッキ液の劣化を防止して均一なメッキを達成することが可能な電解メッキ法に関する。
電子製品を駆動させるプリント回路基板の製造は、数多くの工程の集合体であり、その工程も非常に複雑である。その中でも、電子素子に電流と電圧を提供するために重要な役割をする工程がメッキ工程、すなわち金属化過程である。しかも、最近ではプリント回路基板が小型、微細化の傾向にあることに伴い、金属配線と電子素子を接続するビアホールの大きさが徐々に小さくなっているため、さらに均一で微細なメッキが求められている。
プリント回路基板のメッキ工程において、回路の形成またはビアホールのメッキには、無電解化学メッキ法を用いてシード層を形成した後に、電解メッキによって金属層を形成する方法が一般に用いられている。この方法は、比較的コストが低く、金属配線と絶縁層間の距離が60μm以下、ビアホール径が100μm以上の大口径ビアホールに対しては均一なメッキ層が得られる方法である。
これと関連し、図1は従来のプリント回路基板の電解メッキに用いられる電解メッキ装置の一例を概略的に示す図である。
図1を参照すると、メッキ槽1内に電解質溶液3が充填されており、メッキイオンを伝達する陽極2をメッキ層1内に設置し、配線が形成される基板4(陰極)をメッキ層1に浸漬する。そして、ファラデー(Faraday)の法則に基づいて電源6から電圧を印加して電流を流し、基板4にメッキする。
ところが、最近、電子製品の小型化、高機能化に伴い、プリント回路基板の大きさは大幅に小さくなり、これによって電子素子の実装密度が高くなっている。したがって、従来のメッキ技術では、アスペクト比の大きいビアホールの充填メッキ、または微細パターンの金属配線を形成するための均一なメッキが難しくなっているのが実情である。この問題を解決するために提案された方法が、一般的な磁場印加電解メッキ法である。
この磁場印加電解メッキ法の従来例として、例えば特開平7−169714号公報(特許文献1)及び特開平5−78885号公報(特許文献2)が開示されている。
しかしながら、ここで開示されている一般的な磁場印加電解メッキ法では、磁場を印加する方向が一定なので、メッキ液の劣化やイオン濃度の不均一現象が生じて均一なメッキを達成することが出来ないという問題点がある。
図2は従来の磁場印加電解メッキ法に用いられる電解メッキ装置の一例を例示的に示す図である。図2に示すように、従来の磁場印加電解メッキ法では、電源6から電圧を印加すると、陽極2からメッキイオンが脱着する。このメッキイオンはメッキ槽1内の電解質溶液3を介して基板4上に析出する。この際、磁場発生器5(電磁石または永久磁石)から電流方向に対して垂直な方向に磁場が印加されると、ローレンツ力によってメッキイオンの流動が活性化される。もし、図2において磁場発生器が存在しなければ、図1に示したような電解メッキ装置と同様になる。
ところが、図2の電解メッキ装置を用いた磁場印加電解メッキ法の場合、発生する磁場の方向が一定であり、これにより電解メッキ装置に現われるローレンツ力が単一方向となってイオンの流動方向が一定となり、イオンの濃度勾配に悪影響を及ぼす恐れがある(図3参照)。
そこで、このような問題を解決するための対策として、例えばエアブロワー(air blower)やE−ドクタ(E-ductor)などの外部液体流動装置を導入して電解質溶液に外部からイオン流動を発生させることが行われている。しかし、外部からイオン流動を発生させると均一なメッキを行うためには悪影響を及ぼす恐れがあるため、プリント回路基板などの微細金属配線板の製造では外部液体流動装置を導入することは問題となる。
したがって、外部液流動装置を別途導入することなく、メッキ液内に存在するメッキイオンの流動方向と密度を制御してメッキ液の劣化を遅延させると共に、基板を均一にメッキすることが可能な電解メッキ法が切実に求められている実状がある。
特開平7−169714号公報
特開平5−78885号公報
そこで、本発明者らは、このような問題点を解決するために広範囲な研究を重ねたところ、磁場印加電解メッキ法において、周期的に磁場方向を変化させてメッキイオンの流動方向と密度を制御することにより、電解質溶液内における流動の増大とメッキのバラツキを減らして均一なメッキ層を形成することができることを見出し、本発明を完成するに至った。
本発明の目的は、外部液体流動装置を別途導入しなくても、メッキ液の劣化とイオン濃度の不均一現象を防ぐことが可能な電解メッキ法を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、プリント回路基板上に均一なメッキ層を形成することが可能な電解メッキ法を提供することにある。
上述した目的を達成するために、本発明の電解メッキ法は、被メッキ部材を電解質溶液に浸漬する段階と、前記電解質溶液に磁場を印加すると同時に前記被メッキ部材と前記電解質溶液との間に電圧を印加する段階とを含む電解メッキ法であって、前記磁場は電流方向に対して略垂直方向に印加され、その方向を正方向と逆方向に周期的に変化させることを特徴とする。
ここで、前記磁場は、永久磁石によって印加することができ、好ましくは永久磁石対の回転によって磁場を周期的に変化させるようにする。
また、前記磁場は、電磁石によって印加することもできる。本発明の一具体例によれば、前記磁場は、電磁石対とこれに連結されたパルス変復調器を用いた電流波形の変化によって周期的に変化させるようにする。さらに、本発明の他の具体例によれば、前記磁場は電磁石対とこれに連結された逆パルス整流器を用いた電流波形の変化によって周期的に変化させるようにしてもよい。
一方、前記電解質溶液は、銅イオンを含有することができる。
前述したように、本発明の電解メッキ法によれば、周期的に変化する磁場を適用することにより、MHD(Magneto Hydrodynamics)対流による金属イオンの微細な運動軌跡が既存の単方向磁気メッキ装置よりさらに活発になって、外部液体流動装置がなくても大きいアスペクト比のビアホールのメッキや微細パターンの均一なメッキが可能となる。
また、従来の単方向の磁場印加では、メッキ液の劣化が速く進んだり、メッキ液中のイオン濃度が単方向のローレンツ力によって片寄ったりする現象が発生するが、本発明によれば、パルス変復調器または逆パルス整流器などを用いた電流波形の変化または永久磁石の回転によって多様な磁場波形を作ることができるため、メッキ液の劣化とイオン濃度の不均一現象を防ぐことができる。
以下、添付した図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。
本発明は、磁場を用いてプリント回路基板上に均一なメッキ層を形成することが可能な方法に関するものである。これを実現するために、メッキ液内に磁場を印加してメッキイオンの流動方向と密度を制御することを特徴とする。電解質溶液内に磁場が印加されると、電場と磁場が、ローレンツ力によって巨大な対流流動を誘発し、メッキが施される陰極近くでは微小なMHD(Magneto Hydrodynamics)流動を発生させてメッキを均一化させる作用をする。また、印加された磁場がメッキ面の近くでイオンの平均自由経路を増加させることにより、電荷量が増大する。これにより、電流量が増加し、これはメッキ速度の増加につながる。
本発明によれば、周期的に磁場の方向を変化させて電解質溶液内のイオン流動の増大とメッキのバラツキを減らすことを特徴とする。この技術を適用すると、プリント回路基板におけるメッキ過程で優秀な特性を実現させることができる。
ただし、本実施形態ではメッキが施される被メッキ部材として、プリント回路基板を一例として示しているが、その他の部材、例えば精密部品であっても同様にメッキすることが可能である。
図4〜図6はそれぞれ本発明に係る電解メッキ法に用いられる電解メッキ装置の好適な実施例の概略を示す図である。
図4を参照すると、メッキ槽101内にはメッキするための金属イオン、好ましくは銅イオンを含有した電解質溶液103が充填されており、メッキにより回路が形成されるプリント回路基板104(陰極)が支持部材によって支持されて電解質溶液103内に浸漬されている。
そして、電解質溶液103に対して磁場発生器105a、すなわち電磁石105aから磁場を印加すると同時に、陽極102と陰極となる基板104との間に電解質溶液103を介して電源107から電圧を印加して電流を流す。この過程において、メッキイオンが電解質溶液103から基板104上に析出してメッキ層が形成される。
ここで、電磁石105aからは電流方向に対して略垂直方向に磁場が印加されてローレンツ力によってメッキイオンの流動が活性化される。これと同時に、電磁石105aには電流パルス変復調器106aが連結され、図7(a)〜(d)に示すように、時間によって電流の位相を変化させる。これにより、磁場の方向を正方向と逆方向に周期的に変化させることができ、ローレンツ力の方向が変化する。これは、図8(a)及び図8(b)に示すように、ローレンツ力の方向が周期的に変化することを意味している。
次に、図7(a)〜(d)に示したそれぞれの電流波形について具体的に説明する。
図7(a)の場合、電流波形が単純な位相変化となるので、大きなメッキイオンの流動が要求される直径100μm以上の大口径ビアホールを有する基板のメッキに適している。
図7(b)の場合、電流の休止時間が存在し、この休止時間を調節すると、水力学的境界層の厚さを調節することができるため、複雑なパターンを持つ基板のメッキに有用である。
図7(c)の場合、細かな電流変化によって微小流動を発生させることが可能なので、ビアホールとパターンが同時に存在するような基板に対してメッキの均一電着性(throwing power)を高めることができる。したがって、このような波形は、パターンとビアホールが内在している基板のメッキに適している。
図7(d)の場合、同一の微細波形を短い周期で印加し、微細な均一電着性を集中的に高めるために寄与するので、直径50μm以下の微小ビアホールが存在する基板のメッキに適している。
このように電流波形を変化させて磁場の方向を周期的に変化させることにより、ローレンツ力の方向が周期的に変化し、これによって電解イオンの濃度勾配が生じないようにすることができる。
これに反し、図1に示すような従来の電解メッキ法に用いられる電解メッキ装置の場合には、外部からの影響によるイオンの流動が存在しないので、メッキしている途中で基板(陰極)近くのメッキイオンの濃度が0になってしまう。これを限界電流密度といい、この際にはそれ以上メッキが行われることはなくなり、電流密度が急激に低下する。
このような問題点を解決するための対策として、従来ではエアブロワー(air blower)やE−ドクタ(E-ductor)などの外部液体流動装置を導入して電解質溶液に外部からイオン流動を発生させることが行われている。しかし、外部からイオン流動を発生させると均一なメッキを行うためには悪影響を及ぼす恐れがあるため、プリント回路基板などの微細金属配線板の製造では外部液体流動装置を導入することは問題となる。
本発明によれば、図4に示したような電流パルス変復調器106aによって電流の方向を図7(a)〜(d)に示すように変化させ、電磁石のN極とS極を図8(a)及び図8(b)のように交互に変化させることができる。これは、ローレンツ力の周期的変化を誘発してメッキ液の濃度勾配が均一になることに寄与し、尚且つ、基板104近くのMHD対流を誘発させて均一なメッキを可能にする。したがって、均一なメッキに悪影響を及ぼすエアブロワーやE−ドクタなどの装置を別途導入する必要がなくなる。
一方、本発明で適用される磁場の場合、磁場の周期と間隔は、図7(a)〜(d)に示すように変化し、磁場の大きさはローレンツ力の法則に基づいて磁場を誘導する電流の強さに比例して大きくなる。
ここで、磁場の大きさは、次式に基づいて電流の大きさに比例する。
こうして得られた磁場は、次に示すローレンツ力の法則に基づいて電荷が移動する方向と垂直な方向に力が伝達される。
したがって、メッキ槽101内のイオン流動の大きさを調節するためには、磁場を誘導する電流の強さを調節すればよい。本発明における基板のメッキに有益な磁場の大きさは、好ましくは0.1T〜10Tの範囲である。磁場の大きさが前記範囲から外れる場合には、それぞれ影響がないか、或いはイオンの移動に悪影響を及ぼす恐れがある。
また、メッキの厚さは、ファラデーの法則に基づいてメッキ時間と電流密度に比例する。
すなわち、メッキ時間と電流密度を増やすと、メッキ厚さを増やすことができる。本発明では、磁場を用いて同一の時間内にメッキのための電流密度を増加させてメッキの速度を向上させる方法を提案する。
図5は、図4におけるパルス変復調器106aと電源107との代わりに逆パルス整流器106bを用いた場合のメッキ装置の一例を示す図である。このようなメッキ装置を用いる場合でも図7(a)〜(d)のような電流波形を適用することができる。これにより、図8(a)又は図8(b)に示すような磁場方向の変化を周期的に誘発することができ、これによって均一なメッキを可能にする。
また、図6は永久磁石105bの回転を用いて周期的な磁場を印加する電解メッキ装置の一例を示す図である。永久磁石105bを回転させるための手段としては、当業界で公知の技術を使用可能である。その一例として、図6では回転モータ108に連結されたファンベルト109が移動するにしたがって両側の永久磁石105bが回転し、これによって図8(a)又は図8(b)に示すような磁場方向の変化を周期的に誘発して均一なメッキを可能にする。
参考として、実際の銅メッキ工程に適用される基板の大きさを例示すると、横40.5cm、縦51cmであり、メッキ槽は基板を1〜4個まで収容可能な容積とすることが一般的である。このような基板には、一般に50〜120μmのビアホールとサイズ100μmのパターンが存在する。
前述したように、本発明によれば、周期的に変化する磁場を適用することにより、MHD対流による金属イオンの微細な運動軌跡が既存の単方向磁気メッキ装置よりもさらに活発になる。これにより、エアブロワーやE−ドクタなどの別途の外部液体流動装置がなくても、従来の技術に比べて約1〜2倍大きいアスペクト比のビアホールやビアホール径約20〜60μmの微細パターンであっても均一なメッキを施すことができる。
また、従来技術に係る単方向から継続的に磁場を印加する方法において、例えば、電磁石を用いる場合、メッキ液の劣化速度が早く進行したり、メッキ液中のイオン濃度が単方向のローレンツ力によって片寄ったりする現象が生ずるという欠点がある。ところが、本発明によれば、パルス変復調器または逆パルス整流器などを用いて電流波形を変化させたり、永久磁石の回転によって様々な磁気波形を作ったりできるので、メッキ液の劣化とイオン濃度の不均一現象を防ぐことができるという利点がある。
以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明の技術的範囲はこれらの実施例に限定されるわけではない。
実施例1
図4に示したような電解メッキ装置において、硫酸50g/L、硫酸銅200g/L、塩素50ppm、添加剤、すなわち増量剤(carrier)100mg、光沢剤2.5mg及びレベリング剤7.5mgを含む銅メッキ溶液を電解質溶液として、表1に示した条件でプリント回路基板上に電解メッキ層を形成した。
図4に示したような電解メッキ装置において、硫酸50g/L、硫酸銅200g/L、塩素50ppm、添加剤、すなわち増量剤(carrier)100mg、光沢剤2.5mg及びレベリング剤7.5mgを含む銅メッキ溶液を電解質溶液として、表1に示した条件でプリント回路基板上に電解メッキ層を形成した。
ここで、プリント回路基板としては、直径50μmのビアホールとサイズ40μmのパターンが存在する横6cm、縦6cmのテストクーポンを使用した。このテストクーポンは、電気銅メッキの前に5分間超音波洗浄によって基板内の有機物を除去し、メッキ液との親和力を高めるために、30秒間0.1Nの硫酸に酸洗、及び蒸留水を用いた水洗を施した。このような前処理過程は、当業界で一般に知られているメッキ前処理方法と同様である。
比較例1
図1に示した磁場が印加されない通常の電解メッキ装置で電解メッキを行ったこと以外は、実施例1と同様にしてプリント回路基板上に電解メッキ層を形成した。電解メッキ条件は、表1に示す。
図1に示した磁場が印加されない通常の電解メッキ装置で電解メッキを行ったこと以外は、実施例1と同様にしてプリント回路基板上に電解メッキ層を形成した。電解メッキ条件は、表1に示す。
比較例2
図2に示した通常の磁場印加電解メッキ装置において、単方向の磁場を印加したこと以外は、実施例1と同様にしてプリント回路基板上に電解メッキ層を形成した。電解メッキ条件は、表1に示す。
図2に示した通常の磁場印加電解メッキ装置において、単方向の磁場を印加したこと以外は、実施例1と同様にしてプリント回路基板上に電解メッキ層を形成した。電解メッキ条件は、表1に示す。
表1に示したような実験条件で電解銅メッキ層が形成されたプリント回路基板サンプルの断面のSEM写真を図9(a)〜(c)に、表面のSEM写真を図10(a)〜(c)にそれぞれ示した。
図9(a)〜(c)を参照すると、実施例1によって形成されたメッキ層(図9(a)参照)の厚さは26μmと最も厚く、比較例1及び比較例2によって形成されたメッキ層(それぞれ図9(b)及び図9(c)参照)の厚さはそれぞれ21μmと15μmであった。図9(c)に示す比較例2では、磁場を印加したにも拘わらず、厚さが最も薄くなった理由としては、磁場を単方向に印加したことによってメッキ液の濃度が不均一になり、かつ、電磁石による熱の放出が液温を高めてメッキ液の劣化を促進させたためであると判断される。
次に、図10(a)〜(c)を参照すると、実施例1によって形成されたメッキ層(図10(a)参照)の組織が最も緻密であるが、これに対して比較例2によって形成されたメッキ層(図10(c)参照)の組織の場合には比較例1によって形成されたメッキ層(図10(b)参照)よりもさらに粗大であって、最も粗大であることが明らかになった。この結果は、メッキの後、肉眼でも光沢の有無を用いて確認することができる。
一方、外部からの液流動が与えられない状態で電解液(メッキ液)に電流が印加されると、ある時点までは基板(陰極)に銅イオンが析出してメッキが施される。ところが、ある瞬間、基板近くに析出可能な銅イオンの濃度が0となり、これを限界電流という。限界電流に到達すると、それ以上メッキが施されない。
表1では、本発明で提案する実施例1が、磁場のない比較例1より約60%長い時間さらにメッキを施すことが可能であることを示す。また、実施例1では、単方向の磁場が印加された比較例2よりも25%程度長い時間さらにメッキを施すことが可能である。したがって、本発明の電解メッキ法では、外部からの液流動が与えられなくても、多様な厚さの金属配線基板や高いアスペクト比のビアホールに対して均一なメッキを施すことが可能であることを意味する。
上述したように、本発明によって周期的方向性を持つ磁場を用いてプリント回路基板を電解メッキする場合、メッキの速度を増加させることができるとともに、磁気波形の変化を与えて液流動を増大させることにより、既存の電磁気メッキで発生する銅イオンの不均一現象を防ぐことができる。
また、従来の技術によって一定の電磁気場を適用する場合、液濃度の不均一と熱発生によりメッキ液の成分が劣化し易いが、本発明の電解メッキ法によれば、多様な電流波形または永久磁石などを用いることにより液流動を活発にし、電磁石を使用した際に発生する熱を減らしてメッキ液の劣化を遅延させることができる。これにより、均一なメッキを実現させて基板上に微細回路を形成することが可能となる。
以上、本発明を具体的な実施例によって詳細に説明したが、これら実施例は本発明を具体的に説明するためのものに過ぎない。本発明に係る周期的方向性を持つ磁場を用いたプリント回路基板の電解メッキ法は、これらの実施例に限定されるものではなく、当分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想内において種々変更または改良を加え得ることは勿論である
本発明の単純な変形ないし変更はいずれも本発明の領域に属するもので、本発明の具体的な保護範囲は特許請求の範囲によって明確になるであろう。
本発明の単純な変形ないし変更はいずれも本発明の領域に属するもので、本発明の具体的な保護範囲は特許請求の範囲によって明確になるであろう。
1 メッキ槽
2 陽極
3 電解質溶液
4 基板(陰極)
5 磁場発生器
6 電源
101 メッキ槽
102 陽極
103 電解質溶液
104 基板(陰極)
105a 電磁石
105b 永久磁石
106a 電流パルス変復調器
106b 逆パルス整流器
107 電源
108 回転モータ
109 ファンベルト
2 陽極
3 電解質溶液
4 基板(陰極)
5 磁場発生器
6 電源
101 メッキ槽
102 陽極
103 電解質溶液
104 基板(陰極)
105a 電磁石
105b 永久磁石
106a 電流パルス変復調器
106b 逆パルス整流器
107 電源
108 回転モータ
109 ファンベルト
Claims (7)
- 被メッキ部材を電解質溶液に浸漬する段階と、前記電解質溶液に磁場を印加すると同時に前記被メッキ部材と前記電解質溶液との間に電圧を印加する段階とを含む電解メッキ法であって、
前記磁場は電流方向に対して略垂直方向に印加され、その方向を正方向と逆方向に周期的に変化させることを特徴とする電解メッキ法。 - 前記磁場は、永久磁石によって印加されることを特徴とする請求項1に記載の電解メッキ法。
- 前記磁場は、永久磁石対を回転させることによって周期的に変化させることを特徴とする請求項2に記載の電解メッキ法。
- 前記磁場は、電磁石によって印加されることを特徴とする請求項1に記載の電解メッキ法。
- 前記磁場は、電磁石対とこれに連結されたパルス変復調器を用いた電流波形の変化によって周期的に変化することを特徴とする請求項4に記載の電解メッキ法。
- 前記磁場は、電磁石対とこれに連結された逆パルス整流器を用いた電流波形の変化によって周期的に変化することを特徴とする請求項4に記載の電解メッキ法。
- 前記電解質溶液は、銅イオンを含有することを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の電解メッキ法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050086812A KR100645630B1 (ko) | 2005-09-16 | 2005-09-16 | 주기적 방향성을 갖는 자기장을 이용한 인쇄회로기판의전해 도금방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007084932A true JP2007084932A (ja) | 2007-04-05 |
Family
ID=37654525
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006250646A Pending JP2007084932A (ja) | 2005-09-16 | 2006-09-15 | 電解メッキ法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070062816A1 (ja) |
JP (1) | JP2007084932A (ja) |
KR (1) | KR100645630B1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009060072A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Top Engineering Co Ltd | 薄膜金属導電線、およびその製造方法 |
JP2013502513A (ja) * | 2009-08-24 | 2013-01-24 | エンパイア テクノロジー ディベロップメント エルエルシー | 磁性電気メッキ |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7964081B2 (en) * | 2007-08-24 | 2011-06-21 | International Business Machines Corporation | Enhanced magnetic plating method |
TWI410531B (zh) * | 2010-05-07 | 2013-10-01 | Taiwan Semiconductor Mfg | 直立式電鍍設備及其電鍍方法 |
US10526719B2 (en) | 2013-08-21 | 2020-01-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Magnetic structure for metal plating control |
CN112695351A (zh) * | 2020-12-18 | 2021-04-23 | 苏州天承化工有限公司 | 一种印刷电路板的通孔电镀方法 |
US12054846B2 (en) | 2021-09-15 | 2024-08-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electroplating apparatus and electroplating method |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4904362A (en) * | 1987-07-24 | 1990-02-27 | Miba Gleitlager Aktiengesellschaft | Bar-shaped magnetron or sputter cathode arrangement |
JPH02135795A (ja) * | 1988-11-17 | 1990-05-24 | Mitsubishi Electric Corp | プリント回路用基板のレジスト塗布装置 |
JPH0799201A (ja) * | 1993-09-28 | 1995-04-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 電極の接続方法 |
US5883762A (en) * | 1997-03-13 | 1999-03-16 | Calhoun; Robert B. | Electroplating apparatus and process for reducing oxidation of oxidizable plating anions and cations |
US20050258044A1 (en) * | 2004-05-21 | 2005-11-24 | Berman Michael J | Magnetic focus rings for improved copper plating |
-
2005
- 2005-09-16 KR KR1020050086812A patent/KR100645630B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-09-07 US US11/516,772 patent/US20070062816A1/en not_active Abandoned
- 2006-09-15 JP JP2006250646A patent/JP2007084932A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100645630B1 (ko) | 2006-11-14 |
US20070062816A1 (en) | 2007-03-22 |
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|
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|
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