JPS62195129A - 半導体装置の洗浄方法 - Google Patents
半導体装置の洗浄方法Info
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- JPS62195129A JPS62195129A JP3793486A JP3793486A JPS62195129A JP S62195129 A JPS62195129 A JP S62195129A JP 3793486 A JP3793486 A JP 3793486A JP 3793486 A JP3793486 A JP 3793486A JP S62195129 A JPS62195129 A JP S62195129A
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- Japan
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- wafer
- temperature
- groove
- semiconductor
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置の洗浄方法に関するものである。
従来の技術
従来の半導体表面の水洗は、オーバーフロー水洗や、ダ
ンプ水洗が主流となっている。水洗の目的は、水洗前の
薬液処理後の薬液を取り除き、かつ、半導体表面の付着
物を洗い流すことである。
ンプ水洗が主流となっている。水洗の目的は、水洗前の
薬液処理後の薬液を取り除き、かつ、半導体表面の付着
物を洗い流すことである。
し７かし、これには大量の超純水と時間が必要であ２
／・−２ る。このため、できるだけ早く水を置換するために前述
のオーバーフロー水洗や、ダンプ水洗がおこなわれてい
る。
／・−２ る。このため、できるだけ早く水を置換するために前述
のオーバーフロー水洗や、ダンプ水洗がおこなわれてい
る。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら近年集積回路の微細化が進み、幅が狭く深
い溝を含むような半導体表面を水洗して清浄化する必要
が生じてきた。高集積のダイナミックＲＡＭの場合、そ
のキャパシタ面積を広げるために幅０．５μｍ、深さ５
μｍという狭く、深い溝にキャパシタをつくる必要があ
る。このキャパシタ作製前の洗浄工程は非常に重要なプ
ロセスである。しかし、溝が狭く深いので、溝の中の水
を外部の水と置換することが難しく、水洗効果を上げる
ことは難しい。
い溝を含むような半導体表面を水洗して清浄化する必要
が生じてきた。高集積のダイナミックＲＡＭの場合、そ
のキャパシタ面積を広げるために幅０．５μｍ、深さ５
μｍという狭く、深い溝にキャパシタをつくる必要があ
る。このキャパシタ作製前の洗浄工程は非常に重要なプ
ロセスである。しかし、溝が狭く深いので、溝の中の水
を外部の水と置換することが難しく、水洗効果を上げる
ことは難しい。
本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、狭く深い溝
の水洗効果を上げることを目的としている。
の水洗効果を上げることを目的としている。
問題点を解決するだめの手段
本発明は上記問題を解決するために、水中の半導体を水
温と異なる温度とすることにより、半導３ ベーン 体の溝の中と外部の水とに対流をおこすことによって水
の置換をするものである。
温と異なる温度とすることにより、半導３ ベーン 体の溝の中と外部の水とに対流をおこすことによって水
の置換をするものである。
また、半導体に高温期と低温期の熱サイクルを与えるも
のである。
のである。
作用
本発明はこのような構成であるので、半導体の溝の中と
外部の水との間に温度差がつき、それにより溝の中と外
部の水との間に対流がおこり、もって溝の中の水が外部
の水と置換され、半導体表面の深い溝の水洗効果が上が
るものである。また半導体に熱サイクルを与えた場合、
深い溝での対流効率は上がシ水洗効果が上がるものであ
る。
外部の水との間に温度差がつき、それにより溝の中と外
部の水との間に対流がおこり、もって溝の中の水が外部
の水と置換され、半導体表面の深い溝の水洗効果が上が
るものである。また半導体に熱サイクルを与えた場合、
深い溝での対流効率は上がシ水洗効果が上がるものであ
る。
実施例
第１図は本発明の水洗装置の一実施例である。
１はウェハ（半導体基板）、２はヒータ、３は給水口、
４は排水口、５は水である。
４は排水口、５は水である。
ウェハ１をヒータ２上に設置した後、給水口３より２５
℃の超純水を流す。水は排水口４と糟の上部より排水さ
れる。その後ヒータ２によりウェハ１の温度を６０’Ｃ
にする。この時、たとえば、ウェハ１表面と第２図に示
すような溝８が設けられているどすると、このウェハ表
面の幅が狭く深い溝の中の温度はウェハとともに６０℃
になるが、ウェハ表面の水温は、給水口３より２５℃の
水が供給されているのでほぼ２５℃となっている。この
ため、溝の中の水と表面の水で６０°Ｃ−２６°Ｃ＝３
５℃の温度差が生じるので水の対流がおこり、溝の中の
水と外部の水との置換がおこなわれる。
℃の超純水を流す。水は排水口４と糟の上部より排水さ
れる。その後ヒータ２によりウェハ１の温度を６０’Ｃ
にする。この時、たとえば、ウェハ１表面と第２図に示
すような溝８が設けられているどすると、このウェハ表
面の幅が狭く深い溝の中の温度はウェハとともに６０℃
になるが、ウェハ表面の水温は、給水口３より２５℃の
水が供給されているのでほぼ２５℃となっている。この
ため、溝の中の水と表面の水で６０°Ｃ−２６°Ｃ＝３
５℃の温度差が生じるので水の対流がおこり、溝の中の
水と外部の水との置換がおこなわれる。
この実施例によれば、半導体表面の幅が狭く深い溝の中
の水を外部の水と置換でき、溝の内部を清浄化できる。
の水を外部の水と置換でき、溝の内部を清浄化できる。
第３図は本発明の水流装置の他の実施例である。
１はウェハ（半導体基板）、３は給水口、４は排水口、
５は水、６はウェハ台、７はウェハ昇温用ランプである
。
５は水、６はウェハ台、７はウェハ昇温用ランプである
。
ウェハ１をウェハ台θ上に設置した後、給水口３よシ２
５℃の超純水を流す。水は排水口４と槽の上部より排出
される。その後ウェハ昇温用ランプ７でウェハ１のみを
昇温する。この時水は昇温されない。
５℃の超純水を流す。水は排水口４と槽の上部より排出
される。その後ウェハ昇温用ランプ７でウェハ１のみを
昇温する。この時水は昇温されない。
５ ベーン
第２図に示すような表面に幅が狭く深い溝のあるウェハ
を水洗する場合、ウェハ昇温用ランプ７でウェハとウェ
ハ上の溝中の水も昇温される。しかしこの時ウェハ表面
の水は温度が上がらないので溝の中の水と外部の水との
間に温度差が生じるので水の対流がおこり、溝の中の水
と外部の水との置換がおこなわれる。
を水洗する場合、ウェハ昇温用ランプ７でウェハとウェ
ハ上の溝中の水も昇温される。しかしこの時ウェハ表面
の水は温度が上がらないので溝の中の水と外部の水との
間に温度差が生じるので水の対流がおこり、溝の中の水
と外部の水との置換がおこなわれる。
この実施例によれば、半導体表面の幅が狭く深い溝の中
の水を外部の水と置換でき、溝の内部を清浄化できる。
の水を外部の水と置換でき、溝の内部を清浄化できる。
発明の効果
以上述べてきたように、本発明によれば、半導体表面の
幅の狭い深い溝の水洗効果を上げることができる。
幅の狭い深い溝の水洗効果を上げることができる。
第１図は本発明の一実施例における水洗装置の概略構成
図、第２図は狭く深い溝の一例を示す断面図、第３図は
本発明の他の実施例における水洗装置の概略構成図であ
る。 １・・・・・・ウェハ（半導体基板）、２・・・・・・
ヒータ、６ ベーン ３・・・・・給水口、４・・・・・排水口、５・・・・
水、６・・・・・・ウェハ台、ア・・・・・・ウェハ昇
温用ランプ、８・・・・・・溝。
図、第２図は狭く深い溝の一例を示す断面図、第３図は
本発明の他の実施例における水洗装置の概略構成図であ
る。 １・・・・・・ウェハ（半導体基板）、２・・・・・・
ヒータ、６ ベーン ３・・・・・給水口、４・・・・・排水口、５・・・・
水、６・・・・・・ウェハ台、ア・・・・・・ウェハ昇
温用ランプ、８・・・・・・溝。
Claims (2)
- （１）半導体表面を水洗するに際し、水中の半導体を水
温と異なる温度にしてなる半導体装置の洗浄方法。 - （２）水中の半導体に高温期と低温期の熱サイクルを与
えてなる特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の洗浄
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3793486A JPS62195129A (ja) | 1986-02-21 | 1986-02-21 | 半導体装置の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3793486A JPS62195129A (ja) | 1986-02-21 | 1986-02-21 | 半導体装置の洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62195129A true JPS62195129A (ja) | 1987-08-27 |
Family
ID=12511386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3793486A Pending JPS62195129A (ja) | 1986-02-21 | 1986-02-21 | 半導体装置の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62195129A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4817652A (en) * | 1987-03-26 | 1989-04-04 | Regents Of The University Of Minnesota | System for surface and fluid cleaning |
-
1986
- 1986-02-21 JP JP3793486A patent/JPS62195129A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4817652A (en) * | 1987-03-26 | 1989-04-04 | Regents Of The University Of Minnesota | System for surface and fluid cleaning |
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