JPS62195028A - チユ−ブの内面プラズマ処理方法 - Google Patents
チユ−ブの内面プラズマ処理方法Info
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- JPS62195028A JPS62195028A JP3621186A JP3621186A JPS62195028A JP S62195028 A JPS62195028 A JP S62195028A JP 3621186 A JP3621186 A JP 3621186A JP 3621186 A JP3621186 A JP 3621186A JP S62195028 A JPS62195028 A JP S62195028A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/14—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by plasma treatment
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の目的
「産業上の利用分野」
本発明は、絶縁性材料よりなるチューブの内面をグロー
放電によるプラズマを利用して表面改質する方法に関す
る。
放電によるプラズマを利用して表面改質する方法に関す
る。
「従来の技術」
近来プラズマ励起反応を利用した表面改質が盛んに行な
われている。例えば親水性の付与や接着性の改善あるい
は、可塑剤の溶出防止の目的で、アルゴン、ヘリウム、
酸素、窒素、水素、アンモニア、−酸化炭素などの非重
合性ガスによるプラズマ処理が行なわれている。また重
合性の有機ガスを用いて、優れた物質選択透過性や電気
的特性。
われている。例えば親水性の付与や接着性の改善あるい
は、可塑剤の溶出防止の目的で、アルゴン、ヘリウム、
酸素、窒素、水素、アンモニア、−酸化炭素などの非重
合性ガスによるプラズマ処理が行なわれている。また重
合性の有機ガスを用いて、優れた物質選択透過性や電気
的特性。
機械的特性をもつ薄膜を表面に堆積させることを目的と
したプラズマ重合も行なわれている。これらの反応は、
主にグロー放電により減圧空間で行なわれるためかなシ
複雑な形状をもつ基材の表面処理にも利用することがで
きるが、しかしながら −チューブ内面などの狭い細長
い空間では、安定な放電の制御が難しく、その適用は極
めて限定されていた。
したプラズマ重合も行なわれている。これらの反応は、
主にグロー放電により減圧空間で行なわれるためかなシ
複雑な形状をもつ基材の表面処理にも利用することがで
きるが、しかしながら −チューブ内面などの狭い細長
い空間では、安定な放電の制御が難しく、その適用は極
めて限定されていた。
［発明が解決しようとする問題点」
本発明の目的は、チューブ内面、特に内径の細いチュ−
ブ内面に均質なプラズマ処理を行うことのできる方法を
提供することにある。
ブ内面に均質なプラズマ処理を行うことのできる方法を
提供することにある。
チューブ内面のように細長い空間に放電を発生。
維持するには、高い放電出方が必要となる。放電の発生
、維持に必要な出方は、ガスの種類、圧力。
、維持に必要な出方は、ガスの種類、圧力。
電極の位置などで変わるが、一般にチューブの内径が細
く、長さが長くなるほど、高い出力が必要となる。しか
るに高い放電出方の印加は、プラズマ密度の増大となり
、基材チューブの温度上昇と過度の分解を誘起すること
になり、均質かつ適切なプラズマ反応を行うことができ
なかった。
く、長さが長くなるほど、高い出力が必要となる。しか
るに高い放電出方の印加は、プラズマ密度の増大となり
、基材チューブの温度上昇と過度の分解を誘起すること
になり、均質かつ適切なプラズマ反応を行うことができ
なかった。
発明の構成
１問題点を解決するための手段」
本発明は、絶縁性材料よりなるチューブを円筒状反応器
中にほぼ内接して置き、減圧下で処理ガスを導入後、外
部電源よシパルス化した高周波出力を印加して、チュー
ブ内面をプラズマ化することを特徴とするチューブの内
面プラズマ処理方法である。処理されるチューブは、そ
の外径よりわずかに大きい円筒状反応器中に置かれる。
中にほぼ内接して置き、減圧下で処理ガスを導入後、外
部電源よシパルス化した高周波出力を印加して、チュー
ブ内面をプラズマ化することを特徴とするチューブの内
面プラズマ処理方法である。処理されるチューブは、そ
の外径よりわずかに大きい円筒状反応器中に置かれる。
これはチューブと円筒状反応器とのすき間が広いと、放
電は、チューブの内空にではなく、専らそのすき間に発
生するからである。反応器は、絶縁性。
電は、チューブの内空にではなく、専らそのすき間に発
生するからである。反応器は、絶縁性。
耐熱性を考慮して、石英あるいはパイレックス製が好適
に用いられる。処理されるチューブを反応器中に設置後
、県内を真空引きし、ついで処理ガスを導入する。処理
ガスは、表面処理の目的に応じて、無機ガスあるいは、
有機ガスを適宜選ぶことができる。例えば濡れ性の改善
には酸素、窒素。
に用いられる。処理されるチューブを反応器中に設置後
、県内を真空引きし、ついで処理ガスを導入する。処理
ガスは、表面処理の目的に応じて、無機ガスあるいは、
有機ガスを適宜選ぶことができる。例えば濡れ性の改善
には酸素、窒素。
アンモニアなどの無機ガスが、疎水性表面の形成には、
テトラフルオロエチレンや有機シラン化合物が、親水性
表面の形成には、アリルアミンやピリジンなどの含窒素
化合物が好適に用いられる。
テトラフルオロエチレンや有機シラン化合物が、親水性
表面の形成には、アリルアミンやピリジンなどの含窒素
化合物が好適に用いられる。
処理ガス導入後の系内圧力は、好ましくは、０．０５Ｔ
ｏｒｒ から５ Ｔｏｒｒ の範囲に維持される。こ
れより低くても、また高くても放電は不安定になる。
ｏｒｒ から５ Ｔｏｒｒ の範囲に維持される。こ
れより低くても、また高くても放電は不安定になる。
プラズマ励起手段はパルス化した高周波出力が用いられ
る。これは放電出力の異なる二つの状態が繰シ返される
ことを意味する。その一方の状態は、放電が停止するか
、あるいは他方の放電よシ低い出力の放電が行なわれる
。第１図は、本発明で用いられるパルス化した高周波放
電の出力波形の例をいくつか示した図である。縦軸は放
電出力Ｗ（ワット）、横軸は時間ｔをあられす。（ａ）
の場合は、放電と放電停止が同じ間隔で繰シ返されてい
る。（ｂ）の場合は、高い出力の放電と低い出力の放電
が同じ間隔で繰シ返されている。（Ｃ）の場合は、放電
停止時間が、放電時間の２倍で繰シ返されている。この
ように処理目的によシ放電出力と放電時間を適宜選ぶこ
とができる。放電出力は、処理ガスの種類、系内の圧力
、電極の位置等の条件も考慮して選択する。また放電時
間、放電間隔は、被処理物で６るチューブの発熱９分解
状態や放電中に生成される活性権の寿命の問題などを考
慮して選択する。その間隔は好ましくは、０．’ｌ Ｅ
ＩＪ秒から１０秒の間にある。これより短い間隔は、
連続放電に近すき、本発明の有用性が減じる。またこれ
よシ長いと処理に要する時間が長くなり、経済性が失わ
れる。パルス化した高周波出力は円筒状反応器の外部よ
り印加される。円筒状反応器の外部に１対の平板電極、
又は円環状電極あるいはコイル電極を設置し、整合器を
介して高周波電源に接続する。第２図は、本発明におけ
るプラズマによるチューブ内面処理のための装置の１例
を示す概略図である。円筒状反応器２に被処理物として
のチューブ１を挿入し、継手６を介して、装置に設置す
る。排気口１０よシ系内を１０−２Ｔｏｒｒ以下に減圧
した後、導入口９よ多処理ガスを装置内に流し込む。処
理ガスの流量は、マスフローコントローラー８によシ適
切な値に調整する。また系内の圧力は、バルブ１１を用
い、圧力計７をみながら、適切な値に設定する。放電は
、電極３に高周波電源５から整合器４を介して、パルス
化した高周波出力を供給し、発生させる。
る。これは放電出力の異なる二つの状態が繰シ返される
ことを意味する。その一方の状態は、放電が停止するか
、あるいは他方の放電よシ低い出力の放電が行なわれる
。第１図は、本発明で用いられるパルス化した高周波放
電の出力波形の例をいくつか示した図である。縦軸は放
電出力Ｗ（ワット）、横軸は時間ｔをあられす。（ａ）
の場合は、放電と放電停止が同じ間隔で繰シ返されてい
る。（ｂ）の場合は、高い出力の放電と低い出力の放電
が同じ間隔で繰シ返されている。（Ｃ）の場合は、放電
停止時間が、放電時間の２倍で繰シ返されている。この
ように処理目的によシ放電出力と放電時間を適宜選ぶこ
とができる。放電出力は、処理ガスの種類、系内の圧力
、電極の位置等の条件も考慮して選択する。また放電時
間、放電間隔は、被処理物で６るチューブの発熱９分解
状態や放電中に生成される活性権の寿命の問題などを考
慮して選択する。その間隔は好ましくは、０．’ｌ Ｅ
ＩＪ秒から１０秒の間にある。これより短い間隔は、
連続放電に近すき、本発明の有用性が減じる。またこれ
よシ長いと処理に要する時間が長くなり、経済性が失わ
れる。パルス化した高周波出力は円筒状反応器の外部よ
り印加される。円筒状反応器の外部に１対の平板電極、
又は円環状電極あるいはコイル電極を設置し、整合器を
介して高周波電源に接続する。第２図は、本発明におけ
るプラズマによるチューブ内面処理のための装置の１例
を示す概略図である。円筒状反応器２に被処理物として
のチューブ１を挿入し、継手６を介して、装置に設置す
る。排気口１０よシ系内を１０−２Ｔｏｒｒ以下に減圧
した後、導入口９よ多処理ガスを装置内に流し込む。処
理ガスの流量は、マスフローコントローラー８によシ適
切な値に調整する。また系内の圧力は、バルブ１１を用
い、圧力計７をみながら、適切な値に設定する。放電は
、電極３に高周波電源５から整合器４を介して、パルス
化した高周波出力を供給し、発生させる。
「作用」
デユープ内側、特に内径が細く、長さの長いチューブ内
側に、放電を起し維持するには、大きな放電出力が必要
である。しかしながら大きな放電出力の印加で、細長い
空間に閉じこめられた高密度のプラズマエネルギーは、
チューブを発熱させ、過度の分解を引き起こす。また重
合性有機ガスを用いて、プラズマ重合膜を堆積させる場
合でも、プラズマエネルギーは、ガスや重合膜に過剰に
作用し、適度の重合膜を得ることが困難となる。
側に、放電を起し維持するには、大きな放電出力が必要
である。しかしながら大きな放電出力の印加で、細長い
空間に閉じこめられた高密度のプラズマエネルギーは、
チューブを発熱させ、過度の分解を引き起こす。また重
合性有機ガスを用いて、プラズマ重合膜を堆積させる場
合でも、プラズマエネルギーは、ガスや重合膜に過剰に
作用し、適度の重合膜を得ることが困難となる。
これに対し本発明は、パルス化した高周波放電を印加す
ることで、放電の発生、維持を行いながら、かつ適切な
プラズマ処理を行うことを可能にしている。すなわち放
電に必要な高い出力を印加するとともに過度な分解を押
さえる、あるいは適度の重合膜を生成させるための放電
の停止あるいは、より低い出力の放電をパルス的に加え
ることで均質かつ適度なチューブ内面へのプラズマ処理
を可能にしている。このように本発明は、チューブの内
径が細くなるほど、また長さが長くなるほど有効であシ
、チューブ内径が６朋φ 以下、長さが１１００ｆｆ
以上であれば、本発明の効果は一層明確になる。以下
本発明を実施例によシ説明する。
ることで、放電の発生、維持を行いながら、かつ適切な
プラズマ処理を行うことを可能にしている。すなわち放
電に必要な高い出力を印加するとともに過度な分解を押
さえる、あるいは適度の重合膜を生成させるための放電
の停止あるいは、より低い出力の放電をパルス的に加え
ることで均質かつ適度なチューブ内面へのプラズマ処理
を可能にしている。このように本発明は、チューブの内
径が細くなるほど、また長さが長くなるほど有効であシ
、チューブ内径が６朋φ 以下、長さが１１００ｆｆ
以上であれば、本発明の効果は一層明確になる。以下
本発明を実施例によシ説明する。
実施例１゜
可塑剤ＤＥＨＰ（フタル酸ジー２−エチルヘキシル）を
５０重量部含む塩化ビニル樹脂配合品から内径８ｍｍ、
外径８．５門のチューブを成形した。このチューブをａ
ｏ ｏ ｍｍ 長に裁断した後、ペルジャー型プラズ
マ処理装置内に設置し、−酸化炭素９．３Ｔｏｒｒの雰
囲気で、１＆５６ＭＨｚ。
５０重量部含む塩化ビニル樹脂配合品から内径８ｍｍ、
外径８．５門のチューブを成形した。このチューブをａ
ｏ ｏ ｍｍ 長に裁断した後、ペルジャー型プラズ
マ処理装置内に設置し、−酸化炭素９．３Ｔｏｒｒの雰
囲気で、１＆５６ＭＨｚ。
１００Ｗの高周波放電を与えて、５分間チューブ外表面
をプラズマ処理した。処理后のチューブを長さ方向に２
等分し、その一方を第２図で示したチューブ内面プラズ
マ処理装置内に設置し、−酸化炭素０．３Ｔｏｒｒの雰
囲気で、放電出力１００Ｗ。
をプラズマ処理した。処理后のチューブを長さ方向に２
等分し、その一方を第２図で示したチューブ内面プラズ
マ処理装置内に設置し、−酸化炭素０．３Ｔｏｒｒの雰
囲気で、放電出力１００Ｗ。
放電時間１００ ミリ秒、放電停止時間２００ ミ
リ秒のパルス化した高周波放電（周波数１８．５６ＭＨ
２）を１０分間印加し、プラズマ処理した。
リ秒のパルス化した高周波放電（周波数１８．５６ＭＨ
２）を１０分間印加し、プラズマ処理した。
処理したチューブの外観に異常は認められ女かつた。こ
の内面処理も行ったチューブと、先の外表面処理のみの
チューブとの可塑剤溶出量をｎ−ヘキサン抽出法によシ
比較した。この結果内面処理も行なったチューブは０．
１ ｍり、内面処理を行なわないチューブは１４３ｍり
の可塑剤溶出量があった。
の内面処理も行ったチューブと、先の外表面処理のみの
チューブとの可塑剤溶出量をｎ−ヘキサン抽出法によシ
比較した。この結果内面処理も行なったチューブは０．
１ ｍり、内面処理を行なわないチューブは１４３ｍり
の可塑剤溶出量があった。
ｎ−へキサン抽出量測定法：
１００ｍＪの円筒形抽出容器に試料チューブを入れ、５
０ｍ１のｎ−ヘキサンと接触させ、３７℃で２時間振と
う後、ｎ−ヘキサン中に移行した可塑剤の量をガスクロ
マトグラフィにより定量分析した。
０ｍ１のｎ−ヘキサンと接触させ、３７℃で２時間振と
う後、ｎ−ヘキサン中に移行した可塑剤の量をガスクロ
マトグラフィにより定量分析した。
比較例１゜
実施例１で用いたのと同一のチューブを１、同一条件で
チューブ外表面をプラズマ処理した後、第２図に示した
チューブ内面プラズマ処理装置内に設置した（試料長１
５０ｆｆｆｆ）。−酸化炭素０．３Ｔｏｒｒの雰囲気で
、放電出力１００Ｗ の連続した高周波放電を印加し
、プラズマ処理した。
チューブ外表面をプラズマ処理した後、第２図に示した
チューブ内面プラズマ処理装置内に設置した（試料長１
５０ｆｆｆｆ）。−酸化炭素０．３Ｔｏｒｒの雰囲気で
、放電出力１００Ｗ の連続した高周波放電を印加し
、プラズマ処理した。
処理時間５分間の場合、可塑剤溶出量は０．７ ｍクあ
った。処理時間１５分間の場合、チューブが部分的に熱
変形を起こし、またその端部に樹脂の分解したあとがみ
られ、変色していた。
った。処理時間１５分間の場合、チューブが部分的に熱
変形を起こし、またその端部に樹脂の分解したあとがみ
られ、変色していた。
実施例２゜
厚さ０．２５ ｍｍ 、内径２ｍｍ、長さ１５０ ｍｙ
ｎ のポリエチレンチューブを第２図に示したチュー
ブ内面プラズマ処理装置内に設置し、０．０１Ｔｏｒｒ
まで減圧後、アリルアミン５ ｄ ／ ｍｉｎ 、 窒
素５ ｃｌ／ｍ ｉ ｎを流し、系内を０．２５Ｔｏｒ
ｒに維持し、ＳＯＷの出力を１秒、１５Ｗの出力を３秒
の間隔で高周波放電を印加した。１０分間処理後、試料
をとり出し、内面を切シ開いて観察したところ、うす茶
色の硬質な重合膜が均質に堆積されていた。水滴を置き
接触角を測定したところ、約４２度となりチューブ内面
が親水性表面に改質されていることが確認された。また
処理面にセロテープを貼り、はがしたが、テープへの重
合膜の移行はなくチューブ内面と重合膜の密着性の優れ
ていることがわかった。
ｎ のポリエチレンチューブを第２図に示したチュー
ブ内面プラズマ処理装置内に設置し、０．０１Ｔｏｒｒ
まで減圧後、アリルアミン５ ｄ ／ ｍｉｎ 、 窒
素５ ｃｌ／ｍ ｉ ｎを流し、系内を０．２５Ｔｏｒ
ｒに維持し、ＳＯＷの出力を１秒、１５Ｗの出力を３秒
の間隔で高周波放電を印加した。１０分間処理後、試料
をとり出し、内面を切シ開いて観察したところ、うす茶
色の硬質な重合膜が均質に堆積されていた。水滴を置き
接触角を測定したところ、約４２度となりチューブ内面
が親水性表面に改質されていることが確認された。また
処理面にセロテープを貼り、はがしたが、テープへの重
合膜の移行はなくチューブ内面と重合膜の密着性の優れ
ていることがわかった。
比較例２゜
連続放電を用いた以外は、実施例２と同じ手順に従い、
チューブの内面処理を行なった。
チューブの内面処理を行なった。
８０Ｗの連続放電を１０分間行なった場合、チューブ内
面は、濃い茶色とうす茶色の重合膜が不均質に分布して
いた。また１５Ｗで１０分間の連続放電を行なった場合
、うす黄色の重合膜が生成し、セロテープと接触させる
と、重合膜がテープに接着し、チューブからはく離した
。
面は、濃い茶色とうす茶色の重合膜が不均質に分布して
いた。また１５Ｗで１０分間の連続放電を行なった場合
、うす黄色の重合膜が生成し、セロテープと接触させる
と、重合膜がテープに接着し、チューブからはく離した
。
「発明の効果」
本発明は、従来困難であった絶縁性材料よりなるチュー
ブ内面のプラズマ処理方法に関し、チューブとほぼ内接
する円筒状反応器を用い、パルス化した高周波放電を印
加することで、多孔質性チューブを含む、チューブ内面
の均質なプラズマ処理を可能にした。特に内径の細い、
長さの長いチューブにもパルスによる放電制御で適切な
プラズマ処理を行うことが可能となった。
ブ内面のプラズマ処理方法に関し、チューブとほぼ内接
する円筒状反応器を用い、パルス化した高周波放電を印
加することで、多孔質性チューブを含む、チューブ内面
の均質なプラズマ処理を可能にした。特に内径の細い、
長さの長いチューブにもパルスによる放電制御で適切な
プラズマ処理を行うことが可能となった。
生菌面の簡単な説明
第１図（ａ） 、 （ｂ） 、（Ｃ）は、本発明で用い
られるパルス化した高周波放電の出力波形の例を示して
いる。
られるパルス化した高周波放電の出力波形の例を示して
いる。
縦軸に放電出力、横軸に時間をとっている。第２図は、
本発明で用いられるチューブ内面プラズマ処理のための
装置の１例を示す概略図である。１は試料チューブ、２
は円筒状反応器、３は電極。
本発明で用いられるチューブ内面プラズマ処理のための
装置の１例を示す概略図である。１は試料チューブ、２
は円筒状反応器、３は電極。
４は整合器、５は高周波電源を示している。
Claims (4)
- （１）絶縁性材料よりなるチューブを円筒状反応器中に
、ほぼ内接して置き、減圧下で処理ガス導入後、外部電
源よりパルス化した高周波出力を印加してチューブ内部
をプラズマ化することを特徴とするチューブの内面プラ
ズマ処理方法。 - （２）パルス化した高周波出力が、放電と放電停止より
なり、かつ放電時間と放電停止時間がいずれも０．１ミ
リ秒から１０秒の間にあることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載のチューブの内面プラズマ処理方法。 - （３）パルス化した高周波出力が高い放電出力と低い放
電出力よりなり、かつ高い放電出力時間と低い放電出力
時間がいずれも０．１ミリ秒から１０秒の間にあること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のチューブの内
面プラズマ処理方法。 - （４）絶縁性材料よりなるチューブが内径６ｍｍ以下で
あり、長さが１００ｍｍ以上であることを特徴とする特
許請求の範囲第２項および第３項記載のチューブの内面
プラズマ処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61036211A JPH0625271B2 (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | チユ−ブの内面プラズマ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61036211A JPH0625271B2 (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | チユ−ブの内面プラズマ処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62195028A true JPS62195028A (ja) | 1987-08-27 |
| JPH0625271B2 JPH0625271B2 (ja) | 1994-04-06 |
Family
ID=12463418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61036211A Expired - Lifetime JPH0625271B2 (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | チユ−ブの内面プラズマ処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0625271B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0321226A (ja) * | 1989-03-13 | 1991-01-30 | Becton Dickinson & Co | 血液採取アセンブリ |
| EP0603999A1 (en) * | 1992-10-02 | 1994-06-29 | Becton, Dickinson and Company | Tube having regions of different surface chemistry and method therefor |
| JP2008218369A (ja) * | 2007-02-09 | 2008-09-18 | Tokyo Institute Of Technology | 表面処理装置 |
| WO2011092186A1 (de) | 2010-01-26 | 2011-08-04 | Leibniz-Institut Für Plasmaforschung Und Technologie E. V. | Vorrichtung und verfahren zur erzeugung einer elektrischen entladung in hohlkörpern |
| WO2011091842A1 (de) | 2010-01-26 | 2011-08-04 | Leibniz-Institut Für Plasmaforschung Und Technologie E. V. | Vorrichtung und verfahren zur trockenen reinigung, aktivierung, beschichtung, modifikation und biologischen dekontamination der innenwände von schläuchen, rohren und anderen hohlkörpern |
| US8609200B2 (en) * | 2004-09-28 | 2013-12-17 | Tokai Rubber Industries, Ltd. | Hose with sealing layer, direct-connect assembly including the same and method of manufacturing the same |
| JP2015129310A (ja) * | 2013-11-26 | 2015-07-16 | 泉工業株式会社 | 容器の内壁処理方法及び容器の内壁処理装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55155034A (en) * | 1979-05-21 | 1980-12-03 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Plasma treatment of surface of polyvinyl chloride resin molded article |
| JPS5940850A (ja) * | 1982-08-30 | 1984-03-06 | 株式会社島津製作所 | 管状体内面のプラズマ処理装置 |
| JPS60258234A (ja) * | 1984-06-06 | 1985-12-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | プラスチック管内面のプラズマ処理装置及び方法 |
| JPS62143939A (ja) * | 1985-12-19 | 1987-06-27 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | プラスチツク管内面のプラズマ処理方法 |
-
1986
- 1986-02-20 JP JP61036211A patent/JPH0625271B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55155034A (en) * | 1979-05-21 | 1980-12-03 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Plasma treatment of surface of polyvinyl chloride resin molded article |
| JPS5940850A (ja) * | 1982-08-30 | 1984-03-06 | 株式会社島津製作所 | 管状体内面のプラズマ処理装置 |
| JPS60258234A (ja) * | 1984-06-06 | 1985-12-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | プラスチック管内面のプラズマ処理装置及び方法 |
| JPS62143939A (ja) * | 1985-12-19 | 1987-06-27 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | プラスチツク管内面のプラズマ処理方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0321226A (ja) * | 1989-03-13 | 1991-01-30 | Becton Dickinson & Co | 血液採取アセンブリ |
| EP0603999A1 (en) * | 1992-10-02 | 1994-06-29 | Becton, Dickinson and Company | Tube having regions of different surface chemistry and method therefor |
| US8609200B2 (en) * | 2004-09-28 | 2013-12-17 | Tokai Rubber Industries, Ltd. | Hose with sealing layer, direct-connect assembly including the same and method of manufacturing the same |
| JP2008218369A (ja) * | 2007-02-09 | 2008-09-18 | Tokyo Institute Of Technology | 表面処理装置 |
| WO2011092186A1 (de) | 2010-01-26 | 2011-08-04 | Leibniz-Institut Für Plasmaforschung Und Technologie E. V. | Vorrichtung und verfahren zur erzeugung einer elektrischen entladung in hohlkörpern |
| WO2011091842A1 (de) | 2010-01-26 | 2011-08-04 | Leibniz-Institut Für Plasmaforschung Und Technologie E. V. | Vorrichtung und verfahren zur trockenen reinigung, aktivierung, beschichtung, modifikation und biologischen dekontamination der innenwände von schläuchen, rohren und anderen hohlkörpern |
| JP2015129310A (ja) * | 2013-11-26 | 2015-07-16 | 泉工業株式会社 | 容器の内壁処理方法及び容器の内壁処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0625271B2 (ja) | 1994-04-06 |
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