JPS62191441A - 窒素および空気焼成誘電体組成物 - Google Patents

窒素および空気焼成誘電体組成物

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JPS62191441A JP62029950A JP2995087A JPS62191441A JP S62191441 A JPS62191441 A JP S62191441A JP 62029950 A JP62029950 A JP 62029950A JP 2995087 A JP2995087 A JP 2995087A JP S62191441 A JPS62191441 A JP S62191441A
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WC Heraus GmbH and Co KG
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、プリント回路で使用される誘電体組成物に関
する。
更に詳しくは、本発明は使用する基体に適合した熱膨張
率を有する、空気焼成用および窒素焼成用の厚膜多層誘
電体系に間する。
［従来の技術］ 厚膜の誘電体および導体材料は、何年間もセラミック多
層パッケージングを製造するのに使用されてきた。半導
体業界における最近の技術的進歩および表面取付は技術
の出現は、より大きな基体上で厚膜回路を高密度化する
ことを必要としている。このように高密度化するには、
電導体に対するライン分解能を高くし且つ誘電体に対す
る分解能により良好にしなければならない０回路の位置
合わせは、面積が増加するにつれてより困難となった。
広い面積をプリントするのに適したレオロジーは、位置
合わせにより極めて重要となる。組織的設計およびプリ
ント特性の管理は、回路の歩留まりおよび長期間の信頼
性に大きな影響をもつ。
多層厚膜技術は、マイクロエレクトロニクス業界でより
一般に使用されてきたので原材料の選択および調製およ
びそれらの処理を最適にする必要がある。このようなこ
とは、初期設計で目標とする性能を得るのに役立つ。有
機ビヒクルの焼却除去は多層厚膜製造プロセス中の最も
重要な工程の一つである。この点で空気焼成可能な厚膜
系は、問題が最も少ない、しかしながら、銅の導電部が
酸化しないようこれを保護するのに窒素雰囲気を使用す
ると、状況が多少より複雑となる。銅系における有機バ
インダを除去するために窒素または他の種々のガスを組
合せた、制御された雰囲気がこれまでに研究されている
。
一つの金属化層を他の金属化層の上に直接配置すること
により空間を保護できることはプリント回路を製造する
上で有益である。当然ながら、短絡および容量結合を防
止するには、かがる金属化層を誘電体で分離しなければ
ならない。
かかる多層構造体を製造するには２つの方法がある。第
１の方法は、単一の基体上のプリントされた導電体の層
の間に「クロスオーバ」層をプリントし、焼成し、時折
「マルチレベル」プリント配線基板と呼ばれる構造体を
形成する方法である。
第２の方法は、粒状アルミナの有機剤で結合された薄い
テープ上に導電体のパターンをプリントし、次にかかる
複数板のプリント済みテープをラミネートし、この結果
生じるラミネートされた構造体を高温で焼成し、自己の
基体として働く多層が間隔をおいて一体となった多層構
造体を形成することから成る。
クロスオーバ誘電体組成物は、本質的にはアセンブリを
後に焼成することにより２つの導電体パターンを分離で
きる誘電率の小さい絶縁体である。
これまでは、誘電体の軟化が生じる温度よりも低い温度
で頂部の導電体ラインの焼成を実施できるよう誘電体と
して融点および粘性の高いガラスが使用されてきた。ク
ロスオーバ誘電体の溶融すなわち軟化は２つの導電体パ
ターンが互いに短絡することを伴うが、このような短絡
は後に電気回路の故障となる。よってクロスオーバ誘電
体のための主な要件は、頂部導電体の焼成工程における
再軟化すなわち熱可塑性を制御することである。
他の特性要件としては、（ａ）クロスオーバ誘電体によ
り絶縁される回路間での＾、Ｃ１容量結合を防止するた
め誘電率が少ないこと、（ｂ）誘電体の加熱を防止する
ため誘電損失が少ないこと　（Ｑ値が高い）こと、（ｃ
）ピンホールを生じる性質が小さく、焼成中にガスを発
生する性質が小さいこと、（ｄ）初期焼成がスクリーン
プリントプロセスに適するようガラスプリカーサの軟化
温度が適当であること、（ｅ）熱衝撃によるひび割れに
対する耐久力が大きいこと、（ｆ）水蒸気およびその後
の疑似的電気損失による影響を受けにくいこと、（ｇ）
応力で誘導される多層回路上での割れを防止するため基
体、例えばアルミナ基体に対する熱膨張係数が良好に合
致していることである。
米国特許第３，８４８，０７９号では、クロスオーバ誘
電体をプリントするのに使用されるガラスは、ガラス母
材中に結晶を形成するように部分的に結晶可能となって
いる０部分的に結晶可能な誘電体を焼成する初期段階で
はあたがも単相のガラスのように挙動し、焼結、軟化お
よび合体の通常のプロセスを通過する。しかしながら初
期の焼成期間が完了すると、結晶が発生し、粘性が大き
く増加する。その後の焼成では、熱可塑性はほとんどま
たは全く生じなく、過度にプリントされた金属化層また
は絶縁層はあたかも熱可塑性ガラスでなくてセラミック
基体に支持されているかのように挙動できる。
米国特許第３，８４８，０７９号は、誘電体の基体上に
設けられた２つの導電体パターンの間に介在した密な無
鉛クロスオーバ誘電体を開示している。このクロスオー
バ誘電体は、ガラス状母材中に本質的Ｋ２Ｏ〜４８重量
％の結晶を含む、この結晶は、より少量のチタン石（Ｃ
ａＴｉＳｉＯｓ）および亜鉛オルトシリゲート［（Ｚｎ
Ｏ）２ｓｉ０２　］の他に主相としてセルシアン（Ｂａ
Ａ１２Ｓｉ２０Ｂ）から本質的に成る。クロスオーバ誘
電体は、はぼ次の組成から本質的に成る無鉛の結晶可能
なガラス組成物の焼成品である。
すなわち ＳｉＯ２　　　２０〜１５重量％ ＴｉＯ２５〜１５重量％ 重量％八ツ２０３７〜１２ ［１ａ０　　　５〜４０重量％ ＺｎＯ　　１０〜２６重量％ ＣａＯ　　　　２〜ｌＯ重量％ Ｂ２Ｏ３２〜８　重量％ ＭｇＯＯ〜２　重量％ Ｂｉ２Ｏ３０〜４　重量％ で、ＢａＯの合計はガラス組成物の３０〜４０％である
。
米国特許第３，８３７，８６９号は、誘電体の基体上に
プリントされた導電体パターンの間にセルシアン含有誘
電体層を製造するための微粉状ガラス組成物に関する。
かかる誘電体層は、クロスオーバ点導電パターンの間に
ある。米国特許第３，８３７，８６９号の組成物は、ガ
ラスの他に、焼成されたクロスオーバ誘電体の誘電率を
低下するのに有効な予備成形された所定量のセルシアン
結晶、ＢａＯＡｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ□を含む。
米国特許第４，１５２，２８２号は、ガラス相として、
短期に非自発的に失透可能なタイプのガラスを含み、セ
ラミック相として酸化アルミニウムを含む誘電体組成物
を開示している。これら混合物は、有機ビヒクル中に分
散した後にスクリーン印刷ペーストとして使用される。
多層沈着の場合、窒素雰囲気内で続けて焼成作業をして
も望ましくない流れ、すなわち層の電気的特性を劣化す
るものではない。
米国特許第４，３２３，６５２号は、本質的に８５〜６
０体積％のガラス相と、１５〜４０体積％のセラミック
相とからなる誘電体組成物を形成するのに適した組成物
を開示している。この場合、セラミック相は本質的には
酸化亜鉛または酸化亜鉛と酸化コバルトとの混合物から
成り、゛ガラス相は次の組成すなわち３０〜５０モル％
のＳｉＯ２．２０〜４０モル％のＺｎＯ１０〜２０モル
％のＢ２Ｏ３．０〜１０モル％のＡｌ２Ｏ３．５〜４０
モル％のＣａＯ＋　ＳｒＯ＋　ＢａＯおよび着色酸化物
として０〜１０モル％のＣａＯを有する。
英国特許第１，５７６．８９２号明細書はアルミナ基体
上に設けられた導電体および誘電体の層の多層電子構造
体における誘電体層を形成するのに有用な微粉状無機粉
末の組成物に関し、この組成物は相補的な重量％の関係
にある、 （ａ）７００℃よりも高い軟化点およびアルミナの熱膨
張係数よりも小さい熱膨張係数を有する１種以上のガラ
ス６５〜９０重量％と、 （ｂ）１０〜３５重量％の結晶状の増量剤から本質的に
成り、上記増量剤は、組成物の全重量を基準にすると、 （１〉０〜２５重量％のＭｇＴｉ０＋および／または（
２）　ＭｇＴｉＯ３を形成できる０〜３５重量％の先駆
物質である結晶状酸化物ＭｇＯおよびＴｉＯ２の０〜３
５重量％の混合物であるが、組成物中のＭｇＴｉＯ３の
重量が１０重量％より少ない場合、先駆物質である結晶
状の酸化物（２）の相対的比率は、多層電子構造体中で
本組成物から形成される誘電体の層を焼成するとき、焼
成された誘電体中のＭｇＴｉＯ３の合計値が少なくとも
１０重量％より少なくなるような値であることを条件と
し、更に先駆物質である結晶状の酸化物（２）の相対的
比率は、多層電子構造体中で本組成物から形成される誘
電体の層を焼成するときｔ４ｇＴｉ０３は２５重量％以
下となるような値であることを条件とする。
カメハラ外に対する米国特許第４，５０４，３３９号は
、銅系導電体を備えた多層ガラス−セラミック構造体を
製造する方法に関する。この明細書の実施例で、カメハ
ラ外は、次の組成を示している。
ガラス−セラミック粉　　　　　　　　　５７．８バイ
ンダ　ポリメチル　メタクリレート　　８．７可塑剤　
　ジブチル　フタレート４．６溶　剤　　メチル　エチ
ルケトン　　　　１６．１メチル　アルコール　　　　
　８．７ プ　ル　アルコール　　　　　　２，９＾β２０３　　
　　　　　　５０．５ Ｓｉ０２　　　　　　　　　３５．０ Ｂ２０３１３．０ Ｎａ２０　　　　　　　　　０．７５ Ｋ２Ｏ　　　　　　　　　　０．７０ Ｌｉ２０　　　　　　　　　０．１５ ＣａＯＯ，１５ アクセ外に対する米国特許第４，５１１，８０１号は、
誘電体材料上で銅による金属化を行う方法に関する。
上記米国特許第４，５１１，６０１号においては適当な
フリットとして次のものがリストアツブされている。
すなわち、例えば５〜６５重量％のＢａＯ，０〜３５重
量％のＡｌ２Ｏ３および２５〜８５重１％のＢ２Ｏ３か
ら成る非還元性ＢａＯＢ２０３−＾！２０３系であり、
この場合ＢａＯは５重量％までのＮａ２ＯまたはＫ２Ｏ
で置換でき、ＢａＯは１５重量％までのＭｇＯ１ＣａＯ
またはＳｒＯで置換でき、Ｂ２Ｏ３は５０重量％までの
ＳｉＯ２で置換でき、ＢａＯは５重量％までのＺｎＯ１
ＮｉＯまたはＣｕＯで置換できる。この系における好ま
しいガラスフリットは、本質的には６０重量％のＢａＯ
１３３，５重量％のＢ２Ｏ３．５重量％のＡｌ２Ｏ３お
よび１．５　重量％のＮａ２Ｏから成る。
上記非還元性系として適当な別の系は、例えば２５〜５
５重量％のＢ２Ｏ３．０〜１０重量％のＮａ２Ｏおよび
３５〜７５重量％のＳｉＯ２から成るＮａ２Ｏ−Ｂ２０
３−ＳｉＯ２系であり、Ｎａ２（ｌは５重量％までのＫ
２Ｏで置換できる。この系における好ましいフリットは
、本質的には３８．３　重量％のＢ２Ｏ３．７，７重量
％のＮａ２Ｏおよび５４重量％の５ｉＯ９から成ると述
べられている。
米国特許第４．５１１，６０１号で使用に適すると述べ
られている耐還元性ガラス系は、例えば５０〜８０重量
％のＰｂＯ，１５〜２５重量％のＳｉＯ２．１５重量％
の６２０３．０〜５重量％の八ｂａ３．０〜５重量％の
Ｎａ２Ｏ、および０〜４重量％のＴｉＯ２から成るガラ
スを含むＰｂＯＢ２Ｏ３ＳｉＯ□系である。系内におけ
る好ましい組成は、本質的には６３重量％のＰｂＯ，１
５，４重量％の５ｉＯｚ、１５重量％のＢ２Ｏ３．０〜
６重量％のＡｌ２Ｏ３．２重量％のＮａ２Ｏおよび４重
量％のＴｉＯ２がら成ると述べられている。
厚膜技術は、しばらくの間に貴金属系がら卑金属系へと
進歩した。卑金属の使用は、コストの理由から促進され
ただけでなく、性能の点からも促進された０例えば銅の
導体は、導電率およびハンダ受容性の点から金の導電体
よりも優れている。
銅はより高い回路バラゲージング密度を可能とするため
のより細かいライン設計およびより高速の作業を可能と
する。またチップキャリア、チップコンデンサ、チップ
抵抗器等の取付のための表面取付は技術の使用も可能に
する。銅は、銀よりも優れ且つ銀とパラジウムまたは白
金との合金に匹敵する電気移動および拡散特性を有する
。これらの特性は、回路の信頼性の上で極めて重要であ
る。
熱力学的に、銅は高温で酸化を受けやすい、銅を処理す
るための最も一般的に使用されている不活性雰囲気であ
る窒素ガスは銅のペーストおよび誘電体のペースト中の
有機ビヒクルを除去するのに極めて効果的であるわけで
はない。窒素ガスは、空気焼成雰囲気と異なり、有機ビ
ヒクルを酸化せず、むしろ有機ビヒクルを熱分解し、厚
膜のペースト系内で使用される金属酸化物に対する還元
剤として作用できる炭素を生成する。この還元作用は電
気的性能を劣化−しかつ回路の短絡さえも生じ得る。か
かる部品の過度の焼成は、蒸発−凝縮プロセスを介して
炉を容易に汚染し得る。このことは、基体の寸法が大き
くなり、層の数が増加するにつれて極めて重要となる。
不充分な有機物除去により生じる残留炭素は銅酸化物を
反応し、銅／誘電体多層回路にふくれを発生し得る。［
シー、エム、パル（Ｃ，Ｍ、Ｖａｌ）、ディー、ブリバ
ット（Ｄ４ｒ−ｉｂａＬ）　、およびディー、コツト（
Ｄ−Ｃｏｔｔｏ）によるマイクロエレクトロニクスに関
する１９８０年国際シンポジウムの議事録３７〜４８頁
の論文「銅と誘電体の相互作用：包括的研究（Ｃｏｐｐ
ｅｒ　ＤｉｅｌｅｃｔｒｉｃＩｎｔｅｒａｃｔｉｏｎｓ
：　＾Ｃｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅ　５ｔｕｄｙ）、１
　　；ディー・イー・ビッカネン（Ｄ、Ｅ、Ｐｉｔｋａ
ｎｅｎ）およびシー・ジェイ・スピールシュナイダ−（
Ｃ，Ｊ、５ｐｅｅｒｓｃｈ−ｎｅｉｄｅｒ）によるコン
ポーネント、ハイブリッドおよび製造技術に関するアイ
・イー　イー・イー・トランザクション（ＩＥＥＥ　Ｔ
ｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ）　ＣＩＩＭＴ　−４巻第３号
２５０〜２５６頁１９８１年９月の論文「銅製の厚膜マ
イクロサーキットに対する環境上の効果（Ｅｎｖｉｒｏ
ｍｅｎｔａｌ　Ｅｆｆｅｃｔｓ　ｏｎ　Ｃｏｐｐｅｒ　
Ｔｉｃｋ　ＦｉｌｍＭｉｃｒｏｃｉｒｃｕｉＬ）」］。
窒素焼成後に銅の性能を改善するために焼成プロセス、
炉の設計および焼成雰囲気を改善する試みがこれまでに
なされてきたしティー・ニス　ウー（Ｔ、Ｓ、Ｗｕ）、
ティー・シラマツ（Ｔ、Ｓｈｉｒａｍａｔｓｕ）および
ニスーエヌ・チェノ（Ｓ、Ｎ。
Ｃｈｅｎ）による１９７９年第２９回電子コンポーネン
トの会議のＭｌ事録１１〜１６頁の「厚膜の銅導電体ペ
ーストにおける焼成プロセスの改良（ｌｎｐｒｏｖｅｍ
−ｃｎＬ　ｏｆ　ＦｉｒｉｎＦＩＰｒｏｃｅｓｓ　ｉｎ
　Ｔｈ１ｃｋ　Ｆｉｌｍ　ＣｏｐｐｅｒＣｏｎｄｕｃｔ
ｏｒ　Ｐａ５ｔｅ）Ｊ　：　シー・ワイ・クオ（Ｃ，Ｙ
、Ｋｕｏ）による　「厚膜の銅導電体回路（Ｔｈｉｃｋ
　Ｆｉｌｍ　ＣｏｐｐｅｒＣｏｎｄｕｃＬｏｒ　Ｃ１ｒ
ｃｕｉｔ）」、米国特許第４，３１６，９４２号；ビイ
−・ティー・キタノ（Ｐ、Ｔ、ＫｉＬａｎｏ）およびデ
ィー・イー・リーマ−（Ｄ、Ｅ、Ｒｉｅｍｅｒ）による
論文「大容積の厚膜製造における窒素炉（Ｔｈｅ　Ｎｉ
ｃｔｒｏ−ｇｃｎ　Ｆｕｒｎａｃｅ　ｉｎ　Ｌａｒｇｅ
−Ｖｏｌｕｍｅ　Ｔｉｃｋ−Ｆｉｌｍ　Ｐｒｏｄｕ−ｃ
Ｌｉｏｎ）」マイクロエレクトロニクスに関する１９８
５年国際的シンポジウムの議事録５６８〜５７３頁、ジ
ェイ　ビー・ブラッドリー（Ｊ、Ｉ’、Ｂｒａｄｌｅｙ
）による論文「銅製厚膜窒素雰囲気炉の設計および焼成
プロセスの考察（Ｃｏｐｐｅｒ　Ｔｉｃｋ　Ｆｉｌｍ　
Ｎｉｔｒｏｇｅｎ＾ｔ＋ｎｏｓｐｈｅ−ｒｅ　Ｆｕｒｎ
ａｃｅ　Ｄｅｓｉｇｎ　ａｎｄ　ＦｉｒｉｎｇＰｒｏｃ
ｅｓｓＣｏｎｓｉｄ−ｅｒａｔｉｏｎ）　ｊマイクロエ
レクトロニクスに関する１９８５年国際シンポジウムの
議事録４３５〜４４０頁；ダブリュー　エクト（Ｗ、Ｙ
ｅｘｔ）、イー・エイ　へイデューク・ジュニア（Ｅ、
ΔＨａｙｄｕｋ　Ｊｒ、）およびシー・ケイ・フィッシ
ャ（Ｃ，に、Ｆｉｓｌ＋ｅｒ）による論文「種々の窒素
系炉雰囲気および銅製厚膜導電体および誘電体に対する
それらの効果の研究（八５ｔｕｄｙ　ｏｆ　Ｖａｒｉｏ
ｕｓ　Ｎｉｔｒｏｇｅｎ−Ｂａｒｅｄ　Ｆｕｒｎａｃｅ
　Ａｔ−ＩＩＩａｓｐｈｅｒｅ　ａｎｄ　Ｔｈｅｉｒ　
Ｅｆｒｅｃｔ　ｏｎ　Ｃｏｐｐｅｒ　Ｔｉｃｋ　Ｆｉ−
Ｉｍ　Ｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ　ａｎｄ　Ｄｉｅｌｅｃｔ
ｒｉｃｓ　）Ｊマイクロエレクトロニクスに関する１９
８５年国際的シンポジウムの議事録５８３〜５９１頁）
。
コストが要因でなくて、高信頼性が必要となっているあ
る用途では、金糸およびパラジウム／銀系が引き続き使
用されている。最近の研究によれば、市場で大部分の入
手可能な窒素のクロスオーバー系はパラジウム／銀およ
び金糸はど信頼性がないことが判った（アール・アール
・サザーランド（Ｉｌ、Ｒ，５ｕｔｈｅｒｌａｎｄ）お
よびアイ・ディー・イー・ビデ口（１，Ｄ、Ｅ、Ｖｉｄ
ｅｌｏ）による論文「銅とパラジウム−銀厚膜クロスオ
ーバーの信頼性の比較（＾Ｃｏ−ｍｐａｒｉｓｏｎ　ｏ
ｆ　ｔｈｅ　Ｒｅ１ｉａｂｉｌｅｔｙ　ｏｆ　Ｃｏｐｐ
ｅｒ　ａｎｄＰａｌｌａｄｉｕｍ−Ｓｉｌｖｅｒ　Ｔｂ
ｉｃｋ−Ｆｉｌｍ　Ｃｒｏｓｓｏｖｅｒ）」１９８５年
第３５回電子コンポーネントに関する会議の議事録第４
９８〜５０４頁）。
基体の寸法が大きくなり、且つ層の数が増加すると、誘
電体ペーストの熱膨張係数（ＴＣＥ）は極めて重要とな
る。ガラスの組成は、最終的ＴＣＥ特性のかぎどなる。
しかしながら、ＴＣＥを良好に合致させたガラス組成で
も厚膜多層回路用に必要な適当な誘電的・電気的および
気密性を常に与えるものではない。従って、はとんどの
場合、ガラス特性を改善するのに無機充填材が使用され
る。ビー・ニス・ターナ−（Ｐ、Ｓ、Ｔｕｒｎｅｒ）は
、「補強プラスチックにおける熱ＭＧｊ　’Ｊ長ひずみ
（Ｔｈｅｒａ＋ａｌ　Ｅｘｐａｎ−ｓｉｏｎ　５ｔｒｅ
ｓｓ　ｉｎ　Ｒｅ１ｎｆｏｒｃｅｄ　Ｐｌａｓｔｉｃｓ
）　Ｊ　Ｊ、Ｒｅｓ。
ＮＢ５３７　２３９〜２５０　（１９４８年）で、次の
ような複合体の熱膨張係数と成分の関係を提案した。
ここでＣｒは平均体膨張係数、Ｃ１は組成物１の体膨張
係数、ｋ、は組成物１の体積弾性係数、ｄｌは密度、Ｐ
ｌは重量分率である。
これまでの誘電体組成物の多くは、鉛、ビスマスまたは
亜鉛を使用していた。しかしながら鉛、ビスマスまたは
亜鉛は、焼成、特に窒素の焼成に悪影響を与える。
厚膜多層回路を処理する場合、鉛、ビスマスまたは亜鉛
酸化物を使用すると、トンネルキルン（炉）内での汚染
が生じ得る。これは、かかる酸化物の高い蒸気圧の性質
によるものである。更に、ＺｎＳｉＯ４の形成は、アル
ミナの熱膨張係数と比較してＺｎＳｉＯ４の熱膨張係数
が低いためにアルミナの基体に有害な反りを生じ得る。
従って、鉛および／またはビスマスを全くまたはほとん
ど有しない誘電体組成にすると有利である。
［発明が解決しようとする問題点コ 本発明の目的は、反りを防止するよう熱膨張を基体に合
わせた誘電体を提供することにある。
本発明の別の目的は、回路の信顆性を保証するよう最適
なプリント性および優れた密封性を有する誘電体を提供
することにある。
本発明の更に別の目的は、多層楕遺体における曲げが最
小の誘電体を提供することにある。
本発明の更に別の目的は、良好な電気的性能、ハンダ付
性および付着相容性および抵抗器互換性を与える誘電体
を提供することにある。
これらおよびそれ以上の目的は本発明により達成される
。
［問題点を解決するための手段］ 本発明は、（ａ）ガラスと、（ｂ）酸化物配合物と、（
ｃ）有機ビヒクルとを含有してなる窒素および空気焼成
可能な誘電体組成物に関する。
窒素焼成用誘電体組成物は、 （イ）ガラスの重量を基準として１０〜５５重量％のＢ
ａＯと、 （ロ）ガラスの重量を基準として０〜２０重量％のＡｌ
２Ｏ３と、 （ハ）ガラスの重量を基準として３５〜６５重量％のＳ
ｉＯ２と、 （ニ）ガラスの重量を基準として０〜１０重量％のＰｂ
Ｏと、 （ホ）ガラスの重量を基準として０〜１０重量％のＢ２
Ｏと、 （へ）ガラスの重量を基準として０〜２０重量％のＣａ
Ｏと、 （ト）ガラスの重量を基準として０〜２０重量％のＭｇ
Ｏと、 （チ）ガラスの重量を基準として０〜２０重量％のＳｒ
Ｏと、 （す）ガラスの重量を基準として０〜１０重量％のＴｉ
Ｏ２と、 （ヌ）ガラスの重量を基準として０〜１０重量％のＺｎ
Ｏと、 （ル）ガラスの重量を基準として０〜１０重量％のＫ２
Ｏと、 （ワ）ガラスの重量を基準として０〜１０重量％のＮａ
２Ｏと、 （力）ガラスの重量を基準として０〜１０重量％のＺｒ
Ｏ２とからなる、全組成物を基準として３５〜６０重量
％のガラス（ａ）と、 （イ）酸化物の重量を基準として０〜２０重量％のＣａ
ＺｒＯ３と、 く口）酸化物の重量を基準として０〜１５重量％の八〇
２０３と、 （ハ）酸化物の重量を基準として０〜１５重量％のＴｉ
Ｏ□と、 （ニ）酸化物の重量を基準として０〜１５重量％のＳｉ
Ｏ２と、 ４０重１％のＺｒＯ２とからなる、 全組成物を基準として５〜４０重量％の有機ビヒクル（
ｃ）とを含んでなる。
空気焼成用誘電体組成物は、 （イ）ガラスの重量を基準として１０〜５５重景％の重
量ａＯと、 （ロ）ガラスの重量を基準として０〜２０重量％のＡｌ
２Ｏ３と、 −（ハ）ガラスの重量を基準として３５〜６５重量％の
ＳｉＯ□と、 （ニ）ガラスの重量を基準として０〜１０重量％のＰｂ
Ｏと、 （ホ）ガラスの重量を基準として０〜１０重量％のＢ２
Ｏと、 （へ）ガラスの重量を基準として０〜２０重量％のＣａ
Ｏと、 （ト）ガラスの重量を基準として０〜２０重量％のＭｓ
Ｏと、 （チ）ガラスの重量を基準として０〜２０重量％のＳｒ
Ｏと、 （す）ガラスの重量を基準として０〜１０重呈％のＴｉ
Ｏ２と、 （ヌ）ガラスの重量を基準として０〜１０重量％のＺｎ
Ｏと、 （ル）ガラスの重量を基準として０〜１０重量％のＫ２
Ｏと、 （ワ）ガラスの重量を基準として０〜１０重量％のＮａ
２Ｏと、 （力）ガラスの重量を基準として０〜１０重量％のＺｒ
Ｏ２とからなる、全組成物を基準として３５〜６０重量
％のガラス（ａ）と、 （イ）酸化物の重量を基準として０〜２０重１％のＣａ
ＺｒＯ３と、 メ′ （ロ）酸化物の重量を基準として０〜−重量％のＡｌ２
Ｏ３と、 （ハ）酸化物の重量を基準として０〜１５重量％のＴｉ
Ｏ２と、 （ニ）酸化物の重量を基準として０〜１５重量％の５ｉ
Ｏ７と、 （ホ）酸化物の重量を基準として０〜１５重量％のＺｒ
Ｏ２とからなる、全組成物を基準として０〜１５重量％
のＺｒＯ２とからなる、 全組成物を基準として５〜４０重量％の有機ビヒクル（
ｃ）とを含んでなる。酸化物配合物（ホ）のＺｒＯ２は
Ｙ２Ｏ３で安定化されたＺｒＯ２であるのが好適である
。
本発明によれば、空気および窒素焼成用誘電体組成物に
同じガラス組成物を使用することが可能である。
［作　　用〕 本発明のガラス（非還元性ガラス）は、下記の第１表に
規定されているような組成範囲（重量％で表示）にある
、かかるガラスは、本発明に係る窒素および空気焼成誘
電体の双方に使用できる。
ＢａＯ　　　１０〜５５　　　１５〜５０　　２０−４
５Ａｌ２Ｏ３０〜２０　　０〜１５０〜１０Ｓｉ０□　
　　３５〜６５４０〜６０４５〜５５ｐｂｏ　　　　　
ｏ〜１０　　　０〜５　　０〜３Ｂ２０３０〜１０　　
０〜５　　０〜３ＣａＯＯ〜２０　　　０−１５　　０
−１０８！Ｆ０　　　　０〜２０　　０〜１５　　０〜
１０ＳｒＯ　　　　０−２０　　　　（１−１５０−１
０ＴｉＯ□０〜１００〜５０〜３ ＺｎＯ　　　０〜１０　　０〜５　　０〜３Ｋ２Ｏ０〜
１０　　０〜８　　０〜５ ＮＢ２Ｏ　　０〜１０　　０〜８　　０〜５ＺｒＯ□０
〜１００〜５０〜３ ガラス配合物（またはそれらの前駆物質）の物理的混合
物は溶融状態から急冷すると、安定なガラスを形成する
。この安定なガラスは本発明のガラスである０本発明の
ガラスを製造する際には、ある臨界的比率のガラス形成
材が使用される。ガラスを微粉状に粉砕し、基体上にプ
リントし、焼成し終わると、同じ比較的簡単な焼成手順
中に一回の行程で、従って従来の結晶化ガラスよりも迅
速にガラスの核形成および部分的結晶化が行われる。一
旦ガラスが軟化し、結晶化のための充分な時間の間焼成
温度にガラスを保持すると、ガラスの熱可塑性は低下す
る。
本発明のガラスは、前記比率にある前記化合物を生じる
適当なバッチ組成物を溶融することにより酸化物（また
は酸化物前駆物質）の適当なバッチ組成物から調製され
る。金属酸化物は、溶融状態から急冷されると安定なガ
ラスを形成する。金属酸化物またはその酸化物前駆物質
、例えば金属水酸化物または炭酸塩の物理的混合物を使
用してもよい。ガラスを調製する際に使用されるバッチ
組成物を最初に混合し、次に実質的に一様な流体ガラス
を生じるよう溶融する。この溶融工程中に維持される温
度は、溶融体が急速に一様になるためには臨界的でない
が、通常１４５０℃〜１６００℃の範囲内にある。一様
な流体ガラスが得られた後に、通常この流体ガラスは水
または他の液体中に注入され、ガラスフリットが形成さ
れる。
本発明の誘電体を製造するのに用いられるガラスは微粒
子状態になっている。従って、上記ガラスフリットは、
ビヒクルへの分散（あるとすれば）およびプリント前に
従来のボールミル内で微細に粉砕される。径が４４ミク
ロンを越えない平均粒径を有するガラス粉が適当である
が、１〜１５ミクロンの平均粒径を有するガラス粉が明
らかに好ましい。一般にこの好ましい粒径にある粒子は
４４ミクロンを越えてはならず、すなわち粒子は３２５
メツシユスクリーン（米国規格のふるい）を通過するも
のでなければならない。
本発明のための酸化物配合物（非還元性配合物）は、下
記の第２表に記載されているような組成範囲（重量％で
表示）内にある。
ＣａＺｒＯ３０〜２００〜１８０〜１５Ａｌ２Ｏ３　　
　　０〜１５　　　　　　０〜１３　　　　　　０〜１
０Ｔｉ０２　　　０〜１５０〜１３　　０〜１０ＳｉＯ
□　　　Ｏ〜１５　　　０〜１３　　　０〜１０ＺｒＯ
７（１−１５０−１３０−１０ Ｃａｚ「０３０〜２００〜１８０〜１５Ａｌ２Ｏ３　　
０〜２５　　０〜２０　　　０〜１５Ｔｉ０２　　　０
〜１５　　０〜１３　　０〜１０ＳｉＯ７０〜１５　　
　０〜１３　　　０〜１０ｚｒ０２０〜１５０〜１３０
〜］Ｏ 上記第２表中のＺｒＯ２は、好ましくはＹ２Ｏ３で安定
化されたＺｒＯ２、例えばＺｒＯ２＋　８〜１２重量％
Ｙ２Ｏ３である。
本発明で使用される有機ビヒクルは、焼成除去すると最
少量の炭素残留物しか残さないものである。本発明のた
めの有機ビヒクルの非限定例としては、脂肪族アルコー
ル：かかるアルコールのエステル、例えばアセテートお
よびプロピオネート：チルベン類、例えばパイン油、ア
ルファーおよびベーターテルピネオールなど；低級アル
コールのポリメタクリレートのような樹脂の溶液、また
は溶剤例えばパイン油およびエチレングリコールモノア
セテートのモノブチルエーテル中に溶解されたエチルセ
ルロースの溶液がある。
窒素焼成用組成物に対しては、米国、ニューヨーク州ロ
チェスタのイーストマンコダック社により製造されてい
る　「テキサノール（ＴＥＸＡＮＯＬ）　Ｊのような溶
剤中のブチルメタクリレートを使用することが好ましい
。空気焼成用組成物に対しては、テルペン系溶剤、例え
ばバイン油中のエチルセルロースを使用することが好ま
しい。
下記の第３表に本発明に係る窒素および空気焼成用誘電
体のための成分範囲（重量％で示す）を掲げる： ｌ−よ−４ ガラス　　　　３０〜６５３５〜６０４０〜５５酸化物
配合物　５〜４０１０〜３５１５〜３０有機ビヒクル　
５〜４０　　１０〜３５１５〜３０染料　　０〜１５１
〜１３１〜１０ 分散剤　　　　０〜１　０．２〜０．７　０．２〜０．
５ガラス　　　　３０〜６５３５〜６０４０〜５５酸化
物配合物　５〜４０１０〜３５１５〜３０有機ビヒクル
　５〜４０１０〜３５１５〜３０染　　料　　　　　　
　０〜１５　　　　１〜１３　　　１〜１０分散剤　　
　　Ｏ〜１０．２〜０．７　０．２〜０．５上記第３表
中の染料は、例えばコバルト−アルミニウム−亜鉛−シ
リゲートまたはコバルト−アルミネートでよい。
上記第３表中の分散剤は、例えばオレイン酸、または非
イオン系分散剤、例えば米国、ニューシャーシー州、ウ
ニインのシイ−・エイ・エフ・コーボレイション（ＧＡ
Ｆ　Ｃｏｒｐ、）の［イゲバル（ＩＧＥＰＡＬ）４３０
　Ｌ、でよい。
ガラス、酸化物および有機ビヒクル成分を混合してペー
ストを形成し、適当な基体、例えば９６％のＡｌ２Ｏ３
上の端子に、例えばＮ２焼成用にはＣｕ端子にスクリー
ンプリントする。
焼成前には有機ビヒクルはスクリーンプリント用ペース
トの１０〜４０重量％の含量で、とヒクルおよびその比
率は所望のレオロジー特性に応じて選択される。
スクリーンプリントの際、基体（例えば第５図に示すよ
うに通常酸化アルミニウムから成る）上に多層パターン
２が得られるように（必要な粉末度まで粉砕された後の
）ペーストをシルクスクリーンに通過させる。このパタ
ーン２は、下方導電体３．４および５と下方導電体６の
間に配置され、導電体６を導電体３および５から絶縁す
るよう働くが、凹部７のために、導電体４および号の間
を接続することを可能にする。素子２．３．４および５
は多数回、例えば５０回まで繰返すことができる。
このパターンにより得られる層は窒素または空気雰囲気
中で焼成される。窒素焼成は８５０　’Ｃ〜９５０″Ｃ
１好適には９００℃で行われるが、焼成時間はピーク温
度で５〜１０分く好ましくは５〜７分）（滞留時間）で
ある　（第１図参照）、空気焼成は、８００℃と９００
℃の温度範囲内で、好ましくは８５０℃で行われるが、
この焼成時間はピーク温度で５〜１０分、好ましくは５
〜７分く滞留時間）である　（第２図参照）。
空気焼成および窒素焼成の双方の周期時間（全経過時間
）は約１時間である。
窒素焼成用には卑金属導体としては例えばニッケル、好
適には銅が使用される。誘電体組成物を空気焼成するに
は、貴金属導電体および貴金属合金を使用する。かかる
導電体の非限定例としては、金、白金、白金−金合金、
白金−パラジウム−金合金、銀、パラジウム−銀合金、
パラジウム−金合金および白金−銀合金がある。
誘電体を窒素および空気焼成するには基体はアルミナ、
ベリリアおよび窒化アルミニウムでよい。
［実施例〕 以下に実施例（以下、単に例という）を掲げて本発明を
説明する。
例１〜１９ ガラスの調製 各々が酸化物の形感の試薬級原料を使用してガラスを調
製した。ガラス組成物を配合するとき、個々の成分を秤
Ｉし、■−ブレンダ内で１時間均一にした　（この作業
は乾式混合作業である）。混合が完了した後、均一にさ
れた粉末をアルミナ製のるつぼに入れ、これら粉末はそ
の後るつぼ内で溶融した。ガラスを６００℃で１時間予
熱し、次に別の炉へ移し、ここで２〜４時間の間通常で
１４００℃〜１６００℃の範囲内の温度で溶融した。溶
融温度で炉から溶融状態の材料を取り出し、脱イオン水
で満たされたステンレス鋼のバケツへ注入した（フリッ
ト化した）、溶融流が水と接触する際、急速な凝固およ
びガラス塊（寸法は熱ひずみにより定まる）への解砕が
生じた。脱イオン水をデカントレ、アルミナ円筒体粉砕
具を備えたセラミック製ジャーミル内に入れ、イソプロ
ピルアルコール媒体も入れた。ガラスを７２時間の間ミ
ル粉砕し、次に７４ミクロン（２００メツシユ）スクリ
ーンを通して湿式ふるい作業を行なった。室温の対流式
防爆オーブン内で乾燥した後、粉末は特性化および誘電
体ペーストへの混入の準備ができた。
上記手法に従って、次のガラス組成物を調製した。下記
の第４表中の数字は、重量％を示す。
例２０〜２６ 所望のペースト配合物を調製するようにそれぞれのガラ
ス、酸化物成分および有機ビヒクル（ある場合には染料
）を秤量した。１０μｌより細がい粉末度となるまでペ
ーストを３本ロールミルで粉砕した。
次のプリント厚さに誘電体テストパターンをスクリーン
プリントしな、湿潤時３０〜４０μ履；焼成後１５〜２
０μ履０次に０．５　　ミルのエマルジョンにより７４
〜４４ミクロン（２００〜３２５メツシユ）スクリーン
を通してプリントした。焼成前に湿ったプリントを２０
分間１２５℃で乾燥した。
下記の第５表（表中の数字は重量％である）に要約する
ように上記ガラスの種々の組合わせを酸化物成分および
有機ビヒクルと組合わせた（表中の数値は重量％を示す
）、第５表中の「ガラス１」は例１のガラスである。同
様に第５表中の「ガラス８」は例８のガラスであり、「
ガラス１３」は例１３のガラスである。
例２０〜２５は窒素焼成誘電体に関し、例２６は、空気
焼成誘電体に関する。
有機ビヒクルは、例２０〜２５ではポリブチルメタクリ
レートまたはアクリロイドで、例２６ではエチルセルロ
ースである。ある場合には、ビヒクルは「テキサノール
（ＴＥＸＡＮＯＬ）Ｊ　、テルピネオールまたはＢＣ＾
（ブチルカルピトールアセテート）のような溶剤をも含
む。
第５表に報告したＺｒＯ２はＹ２Ｏ３で安定されたＺ「
０２である。
結−一一釆一 本発明の空気および窒素焼成誘電体は、回路速度を最大
にし、信号の損失を最小にするため可能な最小の誘電率
および損失係数を有するよう選定できる。選定されたプ
リント厚みでは、両誘電体系、すなわち空気および窒素
焼成誘電体系は、厚膜多層用の優れた絶縁抵抗および破
壊電圧を与える。いずれの誘電体系でも理路は見出され
なかった。このことはプリント中にピンホールが生じな
いことを示している。下記の第６表および第７表に空気
焼成誘電体（例２６）および窒素焼成誘電体の双方の電
気的性能を要約した。
損失係数　　絶縁抵抗 バー　口ｊＬＬ　（ト）ト促性」え■　１１１囲７．８
　０．５％　　１×１０′３オーム　　５００Ｖ／２５
．４μｌ第一−Ｌ−ｊ引 損失係数　　絶縁抵抗　　ブレーク Ｌ　　口」」」−□□□牡１性１１吐ｆ広乙Ｕ例２４９
〜１００．５％　　１ｘｌＯ”　　　５００Ｖ／２５．
４１ｕｚ例２５９〜１００．５％　　Ｉ　Ｘ　１０”　
　　５００Ｖ／２５．４μｘ窒素焼成誘電体については
７．５ｚｚＸ７．５ｚｍのコンデンサパターンを使用し
、空気焼成誘電体については５ｘｚＸ５ｚｚのコンデン
サパターンを使用することにより容量、損失係数および
絶縁抵抗をテストした（第２図参照）、１５μ麓の厚み
の焼成膜に導電層をプリントし、プリント−乾燥−焼成
、プリント−乾燥−焼成技術を利用して３０〜３５μｌ
の厚さの焼成済フィルムに誘電体層をプリントした。　
ＥＳＩ２１１０ビデオブリッジを使用して１　ｋＨｚの
周波数で容量および損失係数を測定した。
５０〜１０００ボルト　（直流）の範囲でヒユーレット
パラカード　（Ｈｅｗｌｅｔｔ−Ｐａｃｋａｒｄ）　４
３２９＾高抵抗メータにより絶縁抵抗を測定した。
パラジウム／銀および銅クロスオーバの信頼性は誘電体
機ａｍ造体の多孔度に直接関連する。高い湿度条件にあ
る多孔性誘電体については、誘電体を通る銀の移行が生
じ、２つの導電体の層の間にブリッジが形成されること
がある。明瞭には理解されていないが、同じように銅の
移動も生じ得ると解される。
電解液浸漬テストを利用することにより、誘電体微細構
造中の連続孔は、バイアス電圧をかけて計量できる。多
孔度を測定するための別の簡単な方法は、水落下テスト
における絶縁抵抗変化を測定することである。下記の第
８表おける第９表に双方の誘電体系の密封特性を要約し
た。
２つの方法、すなわち（１）水落下テストおよび（２）
漏れ電流テストにより密封性をテストした。
この水落下テストは、７．５ｍｚＸ７．５ｉｍの正方形
のテストパターンを使用して行った。２５Ｖ（直流）で
絶縁抵抗を測定し、誘電体上に脱イオン水の小滴を載せ
、再び２５ｖ（直流）で絶縁抵抗を測定した。ケイトレ
ー（Ｋｅｉｔｈｌｅｙ）６１７エレクトロメータを用い
て漏れ電流を測定した。誘電体を４０〜５０μｓの厚さ
にプリントした。このプリントされた導電体は、誘電体
の層の下に埋設された陰極として働き、白金メッキされ
たスクリーンは陽極として働いた。最終誘電体焼成後の
２４時間の間に電解液としてＩ　Ｎ　ＮａＣ１を含む電
解槽にテスト部品と陽極を入れた。電解槽にｌ０Ｖ（直
流）の電圧をかけた。５分の浸漬時間の後に電解槽内を
流れる電流を測定した。
金　　　　　　　　　　　３．５Ｘ１０−”Ｐｄ／＾９
　　　　　　９．０ＸＩＯ−１２空気焼成誘電体は金お
よびパラジウム／銀導電体の双方に対しｌ０Ｖ（直流）
でわずかな漏れ電流を示したが、このことはパラジウム
／銀導電体は測定可能な移行を呈しないことを意味する
。
密封性窒素焼成誘電体（例２４）も極めて少量の漏れ電
流を示すが、ＴＣＥマツチングされた誘電体（例２５）
は、１０ｖ（直流）で比較的少量の漏れ電流を示した。
これら誘電体の漏れ電流は、２０μ＾／ｃｌＩ２の業界
の規格より充分低いものである。
更に、双方の窒素焼成誘電体（例２４および２５）は水
落下テスト中に絶縁抵抗の同様な小さな低下を示した。
例２４　　　　　　　　１ＸＩＯ−１０例２５　　　　
　　　　５ｘｌＯ−６ 水ｎテノート 例２４　　１ｘｌＯ１１１ｘｌＯ” 例２５　　１ｘｌＯ”　　　　　　１ｘｌＯＩ２プリン
ト−乾燥−プリント−乾燥−焼成技術を利用してクール
（Ｃｏｏｒｓ）の９６％アルミナ基体上に例２５の窒素
焼成誘電体ペーストをプリントした。処理の章で述べた
ように誘電体を乾燥して焼成した。各焼成後接眼アイピ
ースを使用した光学的顕微鏡により曲がりを測定しな、
マイクロメータを用いて誘電体の厚さを測定した。
曲がりは誘電体と基体との間のＴＣＨの不整合の尺度で
ある一平坦な表面に載いた時の正の曲がりは、基体の中
心部がエツジよりも高くなったとき見られる反りとして
定義され、負の曲がりはエツジが中心部よりも高くなっ
たときに見られる反りとして定義される。誘電体材料が
アルミナのＴＣＥよりも小さいＴＣＥを有すると、冷却
時の収縮差は正の曲がりを生じ、その逆の場合には逆の
曲がりを生じさせることが多い。
誘電体上で２５回焼成した後は、第３図に示すように一
２５μ肩の反りが生じただけであった。
この値は、９６％アルミナに対するＴＣＨの優れた整合
値である。光学的な測定からの実験的誤差を考慮すると
、曲がりはゼロと言える。
上記エクト、ヘイデュークおよびフィッシャーによる先
の実験は、窒素に添加したガス配合物は系の電気的改善
により証明されるようにビヒクルの焼却を助けることを
示した。
各ゾーンにおいて窒素にガス配合物を添加した。
この配合物は、高温ゾーンでは一定に保持され、焼却ゾ
ーン内では変えた。７５０ｐｐ＋ｓの濃度のガス配合物
を高温ゾーンへ添加し、２０００ｐｐ−および３０００
ｐｐｍのガス配合物を焼却ゾーンへ添加した。
部品は半装填状態にて焼成した。これら部品はＳｉＯ．
８ｃｘの長さの部品であり、誘電体で完全に被覆され、
テスト部品の前方および後方に装填されたベルトを完全
にカバーしたものであった。更に誘電体の２つの層をテ
スト部品上で同時に焼成した。
レコ（Ｌｅｃｏ）技術による残留炭素分析（第１０表）
は、ガス配合物の濃度が増大すると共に炭素が減少する
ことを示した。これら部品は、窒素のみの中で焼成され
た部品および空気焼成誘電体部品と比較する。窒素中で
焼成された部品は、最も高い残留炭素値（８１ｐｐｍ／
ｆＦ）を示した。焼却ゾーン内で３０００ｐｐｍで焼成
された部品は空気焼成誘電体に匹敵する結果を示した（
２７　ｐｐｍ／　ｉＦ）。
ＳＥＮ微、ｉａｔｍ造分析は、ガス配合物窒素焼成物お
よび空気焼成物と比較して純粋な空気焼成物の微細構造
の多孔度の方が大きいことを示す、誘電体は、ガス配合
物の濃度が増加すると共により密になる。微細構造の密
度の増加は、多孔度と残留炭素濃度との間に相関性があ
ることを示している。
第一二り立−ｊ！ ２　　Ａ、　　’支　　炭素濃度 λｌ木　１厭ムニ乙　ｍユ乙　並↓ムσ例２４　　Ｎ２
　　　　０　　　　　０　　　　　８１例２５　　Ｎ２
０　　　　　０　　　　　８１例２４８２２０００　　
　　７５０　　　　　４７例２５Ｎ２　　３０００　　
　　７５０　　　　　２７例２６空気　　　００２７ 密封窒素焼成誘電体の微細構造は、空気焼成誘電体と密
度と同じような密度を示す。これは焼成後の残留炭素量
が同じような量であることにより説明できる。従って、
最高な窒素焼成条件の結果、最少の残留炭素濃度および
より密な微細構造が生じる。
双方（例２４および例２５）の窒素焼成誘電体に対して
ガス配合物濃度を増加すると、損失係数が低下する傾向
があった。この現象も、より高いガス配合物濃度から生
じるより少ない残留カーボンによって説明できる　（第
４図参照）。
本発明の誘電体は改善されたハンダ付は性および付着特
性も有する。更に改善された金ワイヤー接合強度も得ら
れる。
本明細書および特許請求の範囲は、実例として記載した
ものであり、限定的なものではなく、また本発明の精神
および範囲から逸脱することなく種々の変形と変更が可
能であることを理解されたい。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係る窒素焼成誘電体組成物の焼成曲線
を示す図、第２図は本発明に係る空気焼成誘電体組成物
の焼成曲線を示す図、第３図は本発明に係る窒素焼成誘
電体組成物の曲がりを示すグラフ、第４図は本発明の２
つの窒素焼成誘電体（例２４および例２５）の損失係数
に対するガス配合物濃度の効果を示す曲線を示す図、第
５図は基体上の多層スクリーンプリントされた構造体の
断面図である０図中： １・・・基体、２・・・パターン、３．４．５・・・（
下方）導電体、６・・・（上方）導電体、７・・・凹部
。 ＦＩＧ、１ ピー’）’ｒＪ９００’Ｃｘ５〜７０ ！ 時間（亦） ＦＩＧ、２ ０存　間　　（タテう ＦＩＧ、３ 厚さくミクロシ） ＦＩＧ、　４ ガス配名物ｗ（１）ｐｍ　ｘ　ＩＱ−３）ＦＩＧ、　５ 手続補正書

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、（イ）ガラスの重量を基準として１０〜５５重量％
    のＢａＯと、 （ロ）ガラスの重量を基準として０〜２０重量％のＡｌ
    ＿２Ｏ＿３と、 （ハ）ガラスの重量を基準として３５〜６５重量％のＳ
    ｉＯ＿２と、 （ニ）ガラスの重量を基準として０〜１０重量％のＰｂ
    Ｏと、 （ホ）ガラスの重量を基準として０〜１０重量％のＢ＿
    ２Ｏと、 （へ）ガラスの重量を基準として０〜２０重量％のＣａ
    Ｏと、 （ト）ガラスの重量を基準として０〜２０重量％のＭｇ
    Ｏと、 （チ）ガラスの重量を基準として０〜２０重量％のＳｒ
    Ｏと、 （リ）ガラスの重量を基準として０〜１０重量％のＴｉ
    Ｏ＿２と、 （ヌ）ガラスの重量を基準として０〜１０重量％のＺｎ
    Ｏと、 （ル）ガラスの重量を基準として０〜１０重量％のＫ＿
    ２Ｏと、 （ワ）ガラスの重量を基準として０〜１０重量％のＮａ
    ＿２Ｏと、 （カ）ガラスの重量を基準として０〜１０重量％のＺｒ
    Ｏ＿２とからなる、全組成物を基準として３５〜６０重
    量％のガラス（ａ）と、 （イ）酸化物の重量を基準として０〜２０重量％のＣａ
    ＺｒＯ＿３と、 （ロ）酸化物の重量を基準として０〜１５重量％のＡｌ
    ＿２Ｏ＿３と、 （ハ）酸化物の重量を基準として０〜１５重量％のＴｉ
    Ｏ＿２と、 （ニ）酸化物の重量を基準として０〜１５重量％のＳｉ
    Ｏ＿２と、 （ホ）酸化物の重量を基準として０〜１５重量％のＺｒ
    Ｏ＿２とからなる、全組成物を基準として５〜４０重量
    ％の酸化物配合物（ｂ）と、 全組成物を基準として１０〜３０重量％の有機ビヒクル
    （ｃ）とを含有してなる窒素焼成誘電体組成物。 ２、ガラスの重量％が３５〜６０％である特許請求の範
    囲第１項記載の窒素焼成組成物。 ３、ガラスの重量％が４０〜５５％である特許請求の範
    囲第１項記載の窒素焼成組成物。 ４、酸化物配合物の重量％が１０〜３５％である特許請
    求の範囲第１項記載の窒素焼成組成物。 ５、酸化物配合物の重量％が１５〜３０％である特許請
    求の範囲第１項記載の窒素焼成組成物。 ６、有機ビヒクルの重量％が１０〜３５％である特許請
    求の範囲第１項記載の窒素焼成組成物。 ７、有機ビヒクルの重量％は１５〜３０％である特許請
    求の範囲第１項記載の窒素焼成組成物。 ８、１５重量％までの染料を更に含む特許請求の範囲第
    １項記載の窒素焼成組成物。 ９、染料はコバルト−アルミニウム−亜鉛−シリケート
    およびコバルト−アルミネートからなる群から選択され
    る特許請求の範囲第１項記載の窒素焼成組成物。 １０、１重量％までの分散剤を更に含む特許請求の範囲
    第１項記載の窒素焼成組成物。 １１、ガラス組成物が、 ＢａＯ１５〜５０重量％ Ａｌ＿２Ｏ＿３０〜１５重量％ ＳｉＯ＿２４０〜６０重量％ ＰｂＯ０〜５重量％ Ｂ＿２Ｏ＿３０〜５重量％ ＣａＯ０〜１５重量％ ＭｇＯ０〜１５重量％ ＳｒＯ０〜１５重量％ ＴｉＯ＿２０〜５重量％ ＺｎＯ０〜５重量％ Ｋ＿２Ｏ０〜８重量％ Ｎａ＿２Ｏ０〜８重量％ ＺｒＯ＿２０〜５重量％ からなる特許請求の範囲第１項記載の窒素焼成組成物。 １２、ガラス組成物が、 ＢａＯ２０〜４５重量％ Ａｌ＿２Ｏ＿３０〜１０重量％ ＳｉＯ＿２４５〜５５重量％ ＰｂＯ０〜３重量％ Ｂ＿２Ｏ＿３０〜３重量％ ＣａＯ０〜１０重量％ ＭｇＯ０〜１０重量％ ＳｒＯ０〜１０重量％ ＴｉＯ＿２０〜３重量％ ＺｎＯ０〜３重量％　 Ｋ＿２Ｏ０〜５重量％ Ｎａ＿２Ｏ０〜５重量％ ＺｒＯ＿２０〜３重量％ からなる特許請求の範囲第１項記載の窒素焼成組成物。 １３、酸化物配合物が、 ＣａＺｒＯ＿３０〜１８重量％ Ａｌ＿２Ｏ＿３０〜１３重量％ ＴｉＯ＿２０〜１３重量％ ＳｉＯ＿２０〜１３重量％ ＺｒＯ＿２０〜１３重量％ からなる特許請求の範囲第１項記載の窒素焼成組成物。 １４、酸化物組成物が、 ＣａＺｒＯ＿３０〜１５重量％ Ａｌ＿２Ｏ＿３０〜１０重量％ ＴｉＯ＿２０〜１０重量％ ＳｉＯ＿２０〜１０重量％ ＺｒＯ＿２０〜１０重量％ からなる特許請求の範囲第１項記載の窒素焼成。 成物。 １５、ＺｒＯ＿２はＹＯ＿３で安定化されたＺｒＯ＿２
    である特許請求の範囲第１項記載の窒素焼成組成物。 １６、（イ）ガラスの重量を基準として１０〜５５重量
    ％のＢａＯと、 （ロ）ガラスの重量を基準として０〜２０重量％のＡｌ
    ＿２Ｏ＿３と、 （ハ）ガラスの重量を基準として３５〜６５重量％のＳ
    ｉＯ＿２と、 （ニ）ガラスの重量を基準として０〜１０重量％のＰｂ
    Ｏと、 （ホ）ガラスの重量を基準として０〜１０重量％のＢ＿
    ２Ｏと、 （へ）ガラスの重量を基準として０〜２０重量％のＣａ
    Ｏと、 （ト）ガラスの重量を基準として０〜２０重量％のＭｇ
    Ｏと、 （チ）ガラスの重量を基準として０〜２０重量％のＳｒ
    Ｏと、 （リ）ガラスの重量を基準として０〜１０重量％のＴｉ
    Ｏ＿２と、 （ヌ）ガラスの重量を基準として０〜１０重量％のＺｎ
    Ｏと、 （ル）ガラスの重量を基準として０〜１０重量％のＫ＿
    ２Ｏと、 （ワ）ガラスの重量を基準として０〜１０重量％のＮａ
    ＿２Ｏと、 （カ）ガラスの重量を基準として０〜１０重量％のＺｒ
    Ｏ＿２とからなる全組成物を基準として３５〜６０重量
    ％のガラス（ａ）と、 （イ）酸化物の重量を基準として０〜２０重量％のＣａ
    ＺｒＯ＿３と、 （ロ）酸化物の重量を基準として０〜２５重量％のＡｌ
    ＿２Ｏ＿３と、 （ハ）酸化物の重量を基準として０〜１５重量％のＴｉ
    Ｏ＿２と、 （ニ）酸化物の重量を基準として０〜１５重量％のＳｉ
    Ｏ＿２と、 （ホ）酸化物の重量を基準として０〜１５重量％のＺｒ
    Ｏ＿２とからなる、全組成物を基準として５〜４０重量
    ％の酸化物配合物（ｂ）と、 全組成物を基準として１０〜３０重量％の有機ビヒクル
    （ｃ）とを含有してなる空気焼成誘電体組成物。 １７、ガラスの重量％が３５〜６０％である特許請求の
    範囲第１６項記載の空気焼成組成物。 １８、ガラスの重量％が４０〜５５％である特許請求の
    範囲第１６項記載の空気焼成組成物。 １９、酸化物配合物の重量％が１０〜３５％である特許
    請求の範囲第１６項記載の空気焼成組成物。 ２０、酸化物配合物の重量％が１５〜３０％である特許
    請求の範囲第１６項記載の空気焼成組成物。 ２１、有機ビヒクルの重量％が１０〜３５％である特許
    請求の範囲第１６項記載の空気焼成組成物。 ２２、有機ビヒクルの重量％は１５〜３０％である特許
    請求の範囲第１６項記載の空気焼成組成物。 ２３、１５重量％までの染料を更に含む特許請求の範囲
    第１６項記載の空気焼成組成物。 ２４、染料はコバルト−アルミニウム−亜鉛−シリケー
    トおよびコバルト−アルミネートからなる群から選択さ
    れる特許請求の範囲第１６項記載の空気焼成組成物。 ２５、１重量％までの分散剤を更に含む特許請求の範囲
    第１６項記載の空気焼成組成物。 ２６、ガラス組成物が、 ＢａＯ１５〜５０重量％ Ａｌ＿２０〜１５重量％ ＳｉＯ＿２４０〜６０重量％ ＰｂＯ０〜５重量％ Ｂ＿２Ｏ＿３０〜５重量％ ＣａＯ０〜１５重量％ ＭｇＯ０〜１５重量％ ＳｒＯ０〜１５重量％ ＴｉＯ＿２０〜５重量％ ＺｎＯ０〜５重量％ Ｋ＿２Ｏ０〜８重量％ Ｎａ＿２Ｏ０〜８重量％ ＺｒＯ＿２０〜５重量％ からなる特許請求の範囲第１６項記載の空気焼成組成物
    。 ２７、ガラス組成物が、 ＢａＯ２０〜４５重量％ Ａｌ＿２Ｏ＿３０〜１０重量％ ＳｉＯ＿２４５〜５５重量％ ＰｂＯ０〜３重量％ Ｂ＿２Ｏ＿３０〜３重量％ ＣａＯ０〜１０重量％ ＭｇＯ０〜１０重量％ ＳｒＯ０〜１０重量％ ＴｉＯ＿２０〜３重量％ ＺｎＯ０〜３重量％ Ｋ＿２Ｏ０〜５重量％ Ｎａ＿２Ｏ０〜５重量％ ＺｒＯ＿２０〜３重量％ からなる特許請求の範囲第１６項記載の空気焼成組成物
    。 ２８、酸化物配合物が、 ＣａＺｒＯ＿３０〜１８重量％ Ａｌ＿２Ｏ＿３０〜２０重量％ ＴｉＯ＿２０〜１３重量％ ＳｉＯ＿２０〜１３重量％ ＺｒＯ＿２０〜１３重量％ からなる特許請求の範囲第１６項記載の空気焼成組成物
    。 ２９、酸化物組成物が、 ＣａＺｒＯ＿３０〜１５重量％ Ａｌ＿２Ｏ＿３０〜１５重量％ ＴｉＯ＿２０〜１０重量％ ＳｉＯ＿２０〜１０重量％ ＺｒＯ０〜１０重量％ からなる特許請求の範囲第１６項記載の空気焼成組成物
    。 ３０、ＺｒＯ＿２がＹ＿２Ｏ＿３で安定化されたＺｒＯ
    ＿２である特許請求の範囲第１６項記載の空気焼成組成
    物。 ３１、（イ）ガラスの重量を基準として１０〜５５重量
    ％のＢａＯと、 （ロ）ガラスの重量を基準として０〜２０重量％のＡｌ
    ＿２Ｏ＿３と、 （ハ）ガラスの重量を基準として３５〜６５重量％のＳ
    ｉＯ＿２と、 （ニ）ガラスの重量を基準として０〜１０重量％のＰｂ
    Ｏと、 （ホ）ガラスの重量を基準として０〜１０重量％のＢ＿
    ２Ｏと、 （へ）ガラスの重量を基準として０〜２０重量％のＣａ
    Ｏと、 （ト）ガラスの重量を基準として０〜２０重量％のＭｇ
    Ｏと、 （チ）ガラスの重量を基準として０〜２０重量％のＳｒ
    Ｏと、 （リ）ガラスの重量を基準として０〜１０重量％のＴｉ
    Ｏ＿２と、 （ヌ）ガラスの重量を基準として０〜１０重量％のＺｎ
    Ｏと、 （ル）ガラスの重量を基準として０〜１０重量％のＫ＿
    ２Ｏと、 （ワ）ガラスの重量を基準として０〜１０重量％のＮａ
    ＿２Ｏと、 （カ）ガラスの重量を基準として０〜１０重量％のＺｒ
    Ｏ＿２とからなる、空気または窒素焼成誘電体組成物用
    ガラス組成物。
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