JPS62190730A - 半導体装置の洗浄装置 - Google Patents
半導体装置の洗浄装置Info
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- JPS62190730A JPS62190730A JP3252386A JP3252386A JPS62190730A JP S62190730 A JPS62190730 A JP S62190730A JP 3252386 A JP3252386 A JP 3252386A JP 3252386 A JP3252386 A JP 3252386A JP S62190730 A JPS62190730 A JP S62190730A
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- oxygen
- semiconductor substrate
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- semiconductor
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Links
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Landscapes
- Cleaning In General (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体装置の゛洗浄装置１こ関するものである
。
。
［従来の技術］
従来、酸素雰囲気中にて紫外線ランプの照射により発生
するオゾンを用いて半導体基板を洗浄する紫外線／オゾ
ン洗浄（以下、ｔｌＶ１０３という）装置は第２図に示
すように、ローダ一部１１の供給用カセット１２から搬
送された半導体基板１３を処理室１４内の基板ホルダー
１５上に載置し、この基板１３の表面側から紫外線ラン
プ１６によって照射することにより洗浄するものである
。洗浄後の半導体基板１３はアンローダ一部１７の収納
用カセット１８に収納される。
するオゾンを用いて半導体基板を洗浄する紫外線／オゾ
ン洗浄（以下、ｔｌＶ１０３という）装置は第２図に示
すように、ローダ一部１１の供給用カセット１２から搬
送された半導体基板１３を処理室１４内の基板ホルダー
１５上に載置し、この基板１３の表面側から紫外線ラン
プ１６によって照射することにより洗浄するものである
。洗浄後の半導体基板１３はアンローダ一部１７の収納
用カセット１８に収納される。
［発明が解決しようとする問題点］
上述した従来の片面照射のＵＶ１０３洗浄装置では、半
導体基板の表面にのみ紫外線が照射されるため、オゾン
による洗浄、有機物の除去は半導体基板の表面側にのみ
効果があり、紫外線が照射されない半導体基板の裏面側
では全く洗浄効果が得られない。
導体基板の表面にのみ紫外線が照射されるため、オゾン
による洗浄、有機物の除去は半導体基板の表面側にのみ
効果があり、紫外線が照射されない半導体基板の裏面側
では全く洗浄効果が得られない。
また、従来の両面照射のＵＶ１０３洗浄装置では半導体
基板の裏面側にも紫外線が照射されるために、半導体基
板の裏面側でも洗浄効果はｊｑられる。しかしながら、
従来のＵＶ１０３洗浄装置では半導体基板の裏面からホ
ルダーによって半導体基板を支持する構造となっている
ため、ホルダーが当たっている部分では紫外線の照射が
妨げられ、洗浄効果は得られない。
基板の裏面側にも紫外線が照射されるために、半導体基
板の裏面側でも洗浄効果はｊｑられる。しかしながら、
従来のＵＶ１０３洗浄装置では半導体基板の裏面からホ
ルダーによって半導体基板を支持する構造となっている
ため、ホルダーが当たっている部分では紫外線の照射が
妨げられ、洗浄効果は得られない。
このように、従来のＵＶ１０３洗浄装置では特に半導体
基板の裏面側で洗浄が不均一になりやすく、後工程での
熱処理あるいは、ウェット処理等において、半導体基板
の裏面側に部分的にあるいは全面に残っている有機物に
よる被膜が汚染源となり、半導体基板の表面に形成され
る半導体素子が不純物によって汚染されたり、異物が付
着することによる異常拡散の原因となったり、リソグラ
フィ工程におけるパターンくずれの原因となったりして
半導体素子の特性を劣化させ、歩留りの低下９品質の低
下を招くという問題があった。
基板の裏面側で洗浄が不均一になりやすく、後工程での
熱処理あるいは、ウェット処理等において、半導体基板
の裏面側に部分的にあるいは全面に残っている有機物に
よる被膜が汚染源となり、半導体基板の表面に形成され
る半導体素子が不純物によって汚染されたり、異物が付
着することによる異常拡散の原因となったり、リソグラ
フィ工程におけるパターンくずれの原因となったりして
半導体素子の特性を劣化させ、歩留りの低下９品質の低
下を招くという問題があった。
本発明の目的は半導体基板の洗浄効果を改善することに
より、半導体基板上に形成される半導体素子の特性１歩
留り等への影響を阻止する半導体装置の洗浄装置を提供
することにある。
より、半導体基板上に形成される半導体素子の特性１歩
留り等への影響を阻止する半導体装置の洗浄装置を提供
することにある。
［問題点を解決するための手段］
本発明は紫外線ランプの照射により酸素雰囲気中に発生
するオゾンを用いて半導体基板を洗浄する洗浄装置にお
いて、半導体基板の裏面から酸素を吹きつけることによ
って該半導体基板を浮上させる酸素噴射ノズルと、半導
体基板の表裏両方の面に紫外線を照射する紫外線ランプ
とを有することを特徴とする半導体装置の洗浄装置であ
る。
するオゾンを用いて半導体基板を洗浄する洗浄装置にお
いて、半導体基板の裏面から酸素を吹きつけることによ
って該半導体基板を浮上させる酸素噴射ノズルと、半導
体基板の表裏両方の面に紫外線を照射する紫外線ランプ
とを有することを特徴とする半導体装置の洗浄装置であ
る。
［実施例］
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図において、処理室４の搬入側に供給用カセット２
を備えたローダ一部１を、１般出側に収納用カセット９
を備えたアンローダ一部８をそれぞれ設置し、ローダ一
部１．処理室４．アンローダ一部８に亘って基板搬送用
ベルト３を設ける。
を備えたローダ一部１を、１般出側に収納用カセット９
を備えたアンローダ一部８をそれぞれ設置し、ローダ一
部１．処理室４．アンローダ一部８に亘って基板搬送用
ベルト３を設ける。
ざらに処理室４内の搬送用ベルト３の真下位置に、酸素
噴射用ノズル５を上向きに設置するとともに、搬送用ベ
ルト３の上下に紫外線ランプ７．７′を配設する。
噴射用ノズル５を上向きに設置するとともに、搬送用ベ
ルト３の上下に紫外線ランプ７．７′を配設する。
実施例において、ローダ一部１にセットされた供給用カ
セット２内の半導体基板６は基板搬送用ベルト３によっ
て処理室４に送られる。処理室に送られた半導体基板６
に裏面から酸素噴射用ノズル５によって酸素が噴射され
る。このときの噴射圧力によって半導体基板６は搬送用
ベルト３から浮上する。浮上した半導体基板６の表裏両
面から紫外線ランプ７．７′による紫外線を照射する。
セット２内の半導体基板６は基板搬送用ベルト３によっ
て処理室４に送られる。処理室に送られた半導体基板６
に裏面から酸素噴射用ノズル５によって酸素が噴射され
る。このときの噴射圧力によって半導体基板６は搬送用
ベルト３から浮上する。浮上した半導体基板６の表裏両
面から紫外線ランプ７．７′による紫外線を照射する。
処理室４内は常に酸素に満たされているため、このとき
の紫外線の働きによって酸素の一部はオゾンに変化し、
そのとき発生する酸素ラジカル及び紫外線の働きによっ
て、半導体基板６の表裏両面に付着している有機物は分
解される。半導体基板６の裏面に噴射されている酸素も
半導体基板の裏面を照射している紫外線ランプ７．７′
の働きによってオゾンに変化する。従って、半導体基板
の表裏両面の全面にわたってオゾンによる洗浄を行なう
ことができる。
の紫外線の働きによって酸素の一部はオゾンに変化し、
そのとき発生する酸素ラジカル及び紫外線の働きによっ
て、半導体基板６の表裏両面に付着している有機物は分
解される。半導体基板６の裏面に噴射されている酸素も
半導体基板の裏面を照射している紫外線ランプ７．７′
の働きによってオゾンに変化する。従って、半導体基板
の表裏両面の全面にわたってオゾンによる洗浄を行なう
ことができる。
洗浄処理後はノズル５の噴射を停止し、半導体基板を再
び搬送用ベルト３に支持し、ベルト３によってアンロー
ダ一部８に送られ、ここにセットされた収納用カセット
９に収納される。以下、ローダ−側のカセット内の半導
体基板がなくなるまで同様の処理がくり返される。
び搬送用ベルト３に支持し、ベルト３によってアンロー
ダ一部８に送られ、ここにセットされた収納用カセット
９に収納される。以下、ローダ−側のカセット内の半導
体基板がなくなるまで同様の処理がくり返される。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、半導体基板の裏面
から酸素を吹きつけ、半導体基板を浮き上がらせること
によって、半導体基板の表裏両方の面に均一に紫外線を
照射することができるため、半導体基板の表裏両方の面
とも均一にオゾンによって洗浄することができ、後工程
における半導体装置の高品質、高歩留りの製□造を実現
できる効果を有するものである。
から酸素を吹きつけ、半導体基板を浮き上がらせること
によって、半導体基板の表裏両方の面に均一に紫外線を
照射することができるため、半導体基板の表裏両方の面
とも均一にオゾンによって洗浄することができ、後工程
における半導体装置の高品質、高歩留りの製□造を実現
できる効果を有するものである。
第１図は本発明のｔｌＶ１０３ＵＶ１０３洗浄装置第２
図は従来の片面照射ヤのＵＶ１０３洗浄装置の側面図で
ある。 １・・・ローダ一部、 ２・・・供給用カセッ
ト。 ３・・・搬送用ベルト、 ４・・・処理室。 ５・・・酸素噴射用ノズル、 ６・・・半導体基板。 ７．７′・・・紫外線ランプ、８・・・アンローダ一部
。 ９・・・収納用カセット
図は従来の片面照射ヤのＵＶ１０３洗浄装置の側面図で
ある。 １・・・ローダ一部、 ２・・・供給用カセッ
ト。 ３・・・搬送用ベルト、 ４・・・処理室。 ５・・・酸素噴射用ノズル、 ６・・・半導体基板。 ７．７′・・・紫外線ランプ、８・・・アンローダ一部
。 ９・・・収納用カセット
Claims (1)
- （１）紫外線ランプの照射により酸素雰囲気中に発生す
るオゾンを用いて半導体基板を洗浄する半導体装置の洗
浄装置において、半導体基板の裏面から酸素を吹きつけ
ることによって該半導体基板を浮上させる酸素噴射ノズ
ルと、半導体基板の表裏両方の面に紫外線を照射する紫
外線ランプとを有することを特徴とする半導体装置の洗
浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3252386A JPS62190730A (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | 半導体装置の洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3252386A JPS62190730A (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | 半導体装置の洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62190730A true JPS62190730A (ja) | 1987-08-20 |
Family
ID=12361317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3252386A Pending JPS62190730A (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | 半導体装置の洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62190730A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01258426A (ja) * | 1988-04-08 | 1989-10-16 | Hitachi Ltd | 光アツシヤー |
| JPH042023U (ja) * | 1990-04-20 | 1992-01-09 | ||
| JPH04369382A (ja) * | 1991-06-14 | 1992-12-22 | Hikari Dento Kogyosho:Yugen | 表面処理加工を行った金属の乾燥方法 |
-
1986
- 1986-02-17 JP JP3252386A patent/JPS62190730A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01258426A (ja) * | 1988-04-08 | 1989-10-16 | Hitachi Ltd | 光アツシヤー |
| JPH042023U (ja) * | 1990-04-20 | 1992-01-09 | ||
| JPH04369382A (ja) * | 1991-06-14 | 1992-12-22 | Hikari Dento Kogyosho:Yugen | 表面処理加工を行った金属の乾燥方法 |
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