JPS62190647A - 誘導結合プラズマのための質量分析装置 - Google Patents

誘導結合プラズマのための質量分析装置

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JPS62190647A
JPS62190647A JP62020358A JP2035887A JPS62190647A JP S62190647 A JPS62190647 A JP S62190647A JP 62020358 A JP62020358 A JP 62020358A JP 2035887 A JP2035887 A JP 2035887A JP S62190647 A JPS62190647 A JP S62190647A
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hole
plasma
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    • H05H1/24—Generating plasma
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は誘導結合されたプラズマ（以下ＩＣＰと称す）
中の試料ガスからイオンが発生せしめられるような質量
分析計に関する。
背景技術 アルゴンガス中におけるＩＣＰ放電からなるイオン源を
存する質量分析計は混合ガス中において分解された試料
ガス中の元素の組成を測定するために用いられる。かか
る質量分析計においては、該混合ガスは制御されたアル
ゴンガス流が通過せしめられる噴霧器によって導入され
る。該アルゴンガスは、次に、原子放射分光学において
通常用いられるものと類似したＩＣＰ放電装置に対して
供給される。該ＩＣＰ放電装置内の温度は約５０００℃
であり、これによって、該試料ガスは、通常、完全に解
離され且つ該試料ガス中に存在する各元素のイオンが形
成される。
該ＩＣＰ放電装置は冷却された円錐体に対して向けられ
、該円錐体の頂部には第１排気領域に連通ずる小さい孔
が配設されている。更に、同じく頂部に孔を存する坪数
り用円錐体が前記第１円錐体の下流に配設され、該坪数
り用円錐体は質量分析器が配設される第２の排気領域を
該第１の排気領域から分離する。該質量分析器と、該２
つの円錐体の孔とは同軸上に位置する。一般的には、４
極質量分析器が採用される。該坪数り用円錐体と該第１
排気領域は、一般的な減圧装置を有する。
ある種の装置においては、２つの減圧装置が用いられて
いる。該装置には、該坪数り用円錐体の下流に配設され
た第３の排気領域が配設され、該第３の排気領域は他の
いくつかの孔と同軸をなす孔を有する弁によって該第２
の排気領域がら隔離される。
該プラズマ放電において発生せしめられたイオンは上記
の孔を通過し、該質量分析器において連続的に質量分析
される。該プラズマ放電から該質ｍ分析器へのイオンの
伝達を最大にすることを目的として、静電レンズが種々
の方法で配設される。
形成されたイオンの大部分は該プラズマ放電中に存在す
る各元素の単極荷電イオンであり、従って、該誘導結合
プラズマ源（ＩＣＰＭＳ）を宵する質量分析は、特に、
合金若しくは地質学的な試料等の無機物質の試料の組成
を測定するための重要な装置である。従来のＩ　ＣＰＭ
Ｓ装置の説明及びいくつかの代表的な応用例が、下記の
文献においてＧｒａｙ氏によって開示されている。
ａ）　Ｉｎｔ、　Ｊ、　Ｍａｓｓ　Ｓｐｅｃｔｒａｍ、
　ａｎｄ　Ｉｏｎ　Ｐｈｙｓ。
１９８３、　ｖｏｌ、４Ｂ、の７頁ないし１０頁ｂ）同
書、１９８３．　ｖｏｌ、４８の３５７頁ないし３６０
頁 ｃ）　Ｔｈｅ　Ａｎａｌｙｓｔ、　１９８３．　ｖｏｌ
、１０ｇの第１５９頁該ＩＣＰＭＳ装置は極めて高感度
であり且つ微少量の測定に対してしばしば用いられる。
しかしながら、特に、ある特定の元素を決定するために
通常用いられるビークが該バッグラウンドビークと一致
する場合においては、ある程度の質量を示すバックグラ
ウンドビークが存在することによって、元素に対する感
度が低下せしめられる。がかるバックグラウンドビーク
には下記の４っののタイプがある。
ａ）試料混合ガス内の基本成分若しくは不純物として存
在する水素（Ｈ）、炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）、酸素（０
）及び搬送用ガスであるアルゴン（Ａｒ　）による大き
なピーク ｂ）溶解しにくい酸化物を有する元素から主に形成され
且つ該プラズマ放電が放出される冷却された板の近辺に
あるプラズマ内のガスの境界層において主に形成される
と考えられる酸化物若しくは水酸化物の分子イオンによ
るピーク Ｃ）例えば、冷却された円錐体のスパッタリングによっ
て形成される金属イオンの如き原子若しくは分子であり
、原子若しくは分子が接する面を有する放電内に存在す
る原子若しくは分子の反応によって形成される原子若し
くは分子イオンｄ）分子イオンによって形成され且つイ
オンがプラズマから飛び出した後、該質量分析器に到達
するまでに起こる凝縮反応によって形成されるＡｒＮ＋
及びＡｒＯ等の分子イオン 明らかに、アルゴンと、該混合ガス中の成分とによる干
渉ピークは避は得ないものであるが、不純物による干渉
ピークは純粋物質を使用することによって最小限にする
ことが出来る。境界層において形成される溶解しにくい
金属の酸化物や水酸化物によるピークは完全に除去する
ことは困難であるが、該試料採取用円錐体内の孔に侵入
する境界層ガスの量を最小にすることは可能である。こ
れは、該プラズマ放電が指向される冷却円錐体の形状を
調整し且つ該侵入孔の形状と大きさを選択することによ
ってなされる。かがるピークは、上記干渉現象において
、通常、最も重要度が低い。
初期のＩＣＰＭＳ装置においては、該冷却用円錐体内に
は唯一の小さい孔しかなく、従って、冷却用ガスの境界
層は該孔上に延在し、イオンは該境界層から採取されて
いた。しかしながら、分子イオンによるバックグラウン
ドピークは、抜孔の大きさが大きくなるとより小さくな
るということが発見され、従って、該境界層に孔が開け
られ、イオンは該プラズマの最も０温部から採取される
ようになった。しかしながら、この方法によると抜孔の
近辺でのアーク放電が増加し、これによってスパッタリ
ング等によって形成される分子や原子によるバックグラ
ウンドピークが増加せしめられ且つ抜孔の端縁の浸食を
早めることによって該円錐体の寿命が短くせしめられる
。Ｐ、　Ｊ。
ＤＯｕｇｌａＳは欧州特許出願第１１２．００４号にお
いて、該アーク放電は該プラズマ中に存在する電位勾配
を最小限にすることによって減少せしめることが出来る
ことを述べている。更に、上記最小化は該プラズマに対
してエネルギを供給すべく用いられる。ＲＦ（ラジオ周
波数）発生器を変調せしめることによってなすことがで
きることも述べている。本願発明者は、この方法は該ア
ーク放電を減少せしめ且つ該円錐体の浸食速度を減じる
ことができるが、再結合及び凝縮反応によって元に戻る
分子イオンの形成を増加せしめ、結局、得られたバック
グラウンドスペクトルは、初期における［境界層採取］
型ＩＣＰＭＳ装置において得られるバッグラウンドスペ
クトルと類似したものにすぎないことを認識した。かか
る分子イオンのピークが許容レベルに維持される場合に
おいては、抜孔においてアーク放電が幾分発生するのは
避けられないことは明らかにできる（例えば、０ｌｉｖ
ａｒａｓ、　Ｊ、Ａ、ａｎｄ　ｌ１ｏｕｋ、Ｒ，！ｌｉ
、　Ａｎａｌ、　ＣｈｅＩＲ，１９８５，５７の２６７
４頁ないし２６７９頁を参照のこと）。
該試料採取用円錐体の形状を注意深（設計することによ
って、放出されたイオンによる浸食及び高バックグラウ
ンドピークの問題を低減することができ、該試料採取円
錐体の交換を短時間でできるように装置を設計すること
もできる。しかしながら、かかる利点にもかかわらず、
従来の装置のバッグラウンドスペクトルにおける分子イ
オンスペクトルピークのうちのいくつかは依然としてレ
ベルが高く、ある種の元素に対する感度が制限せしめて
いる。
発明の目的 本発明の目的は従来の装置よりもバッグラウンドスペク
トル強度が低く且つ該バッグラウンドスペクトルにおけ
るピークによって、測定に悪影響をうけるような元素に
対する感度に対する制限度が低いＩＣＰＭ装置を提供す
ることにある。
発明の要点 本発明による質量分析計は、 ａ）誘導結合高周波数発生器によって搬送用ガス流中に
おいて高温プラズマを発生する手段と、ｂ）該プラズマ
内へ試料ガスを導入する手段と、Ｃ）該プラズマに隣接
する前方面と、後方面と、該前方面と後方面とを結合し
且つ該プラズマ中において形成されたイオンが通過する
孔とを有する試料採取用部材と、 ｄ）該試料採取用部材の後面を形成する壁を有するチャ
ンバと、 Ｃ）該チャンバ内の気圧を大気圧以下に維持する手段と
、 ｒ）鎖孔を介して該チャンバ内に侵入したイオンのうち
の少なくとも一部を質量分析器に導くための手段とから
なり、該試料採取用部材の後面上の少なくとも鎖孔に近
い部分は平滑になされている。
本発明による質量分析計のうち代表的なものは該円錐体
の市部に鎖孔が配設された中空円錐形の試料採取用部材
を有する。該円錐形試料採取用部材は、該円錐体の頂点
が該プラズマ内に突出するように配設される。該プラズ
マと接触する外側面（すなわち、前面）が含む角度と内
側面（すなわち、後面）が含む角度は異なり、従って、
該円錐体の壁の厚みは鎖孔の近辺では薄くなっている。
このタイプの円錐体は、最も一般的には、回転すること
によって形成され、その結果、該内側後面は回転表面の
代表的なものであり、且つ全く粗面であると考えられる
。今日まで、該内側後面の状態は該質量分析計の動作に
対して重要な影響を及ぼさないと考えられ、該円錐体の
制作において特別な注意が払われなかった。上記した平
滑な表面は、好ましくは、該試料採取用部材の後面を研
摩することによって得られる。ここで言う研摩とはパフ
研摩やラッピング等の機械的工程及び電気研１ｆｌ！を
含む。本発明によって得られる利点を最大にするには、
該平滑領域の表面仕上げ加工は好ましくは５ミクロン以
下の粗さになされなければならない。
しかしながら、鎖孔の端縁は、好ましくは、該研摩過程
中に丸味をつけられるべきではなく、もし丸味を付けら
れると、該質量分析計の性能に影響がでる。
該平滑領域は、好ましくは、鎖孔から径方向に該後面上
のある範囲まで延在する必要があり、該範囲は、鎖孔と
該質量分析器とを結ぶ軸から極めて離れているので、該
領域の近辺において形成されたイオンは該質量分析器内
には入り込まない。
最外殻の直径が約４印である代表的な試料採取用円錐体
においては、該研摩領域は鎖孔からすくなくとも１ｃｍ
まで延在する必要がある。実際上は、該内側後面全体を
容易に研摩することができる場合が多い。
本発明のもう１つの観点に従って、質量分析器によって
観察されるバッグラウンドスペクトルの少なくとも一部
分を減じる方法が提供され、該方法においては、試料ガ
スは該搬送用ガス内の誘導結合プラズマ放電によってイ
オン化され、該イオンは試料採取用部材内の孔を介して
プラズマから採取され、該試料採取用部材は該プラズマ
と隣接する前面と、該採取されたイオンを鎖孔を介して
質量分析器に侵入せしめる手段を宵する排気チャンバの
壁を形成する後面とを有し、該方法は少なくとも鎖孔と
隣接する後面を研摩することを含んでいる。
該試料採取用部材の後面における表面は、好ましくは、
研摩によって削り取られるが、該研摩としてパフ研摩若
しくはラッピング、さもなければ電気研摩等の他の過程
を用いることができる。更に、該研摩領域の表面粗さは
、好ましくは５ミクロン若しくはそれ以下でなければな
らない。
本出願人は該試料採取用部材の後面が上記の如く研ＩＹ
されると、ＡｒＮ＋やＡｒＯ＋等の分子イオンの形成が
１／１０以下に減じられることを認識した。かかるピー
クをもたらす多数の同位元素の質量は５４及び５６であ
るゆえ、これらはマンガン（Ｍｎ）や秩（Ｆｃ）（同位
元素の質量、５５及び５６）等の金属の測定に対して重
大な支障をきたす。従って、本発明によってＡｒＯやＡ
ｒＮ１によるバックグラウンドピークが減じられると、
該金属に対する検知の制限が減じられることになる。更
に、本発明による研摩がなされることによって、おそら
くニッケルを含む試料採取用部材のスパッタリングによ
って形成される。５８Ｎ＋の如き他の妨害バックグラウ
ンドピークの強度が現象せしめられ、これによってＮｉ
に対する検知制限も減じられる。
実施例 第１図において、分析さるべき試料の混合ガス１は気体
供給装置４からパイプ３を介してアルゴンガス流を供給
されている空気噴霧器２に対して供せられる。アルゴン
ガス内に引き入れられた試料ガスはバイブ５を介して従
来型のＩＣＰ灯６内に導入され、余分な混合ガスは排気
ロアを介して噴霧器２から排出される。ガス供給装置４
は、更に、２つの制御ガス流をバイブ８及び９を介して
ＩＣＰ灯６に対して供給する。高周波数発生器１０は導
線１２及び１３を介してコイル１１に対して電源を供給
し、これによって、プラズマ放電１４（第２図）がＩＣ
Ｐ灯６の端部において形成される。
ＩＣＰ灯６及びＩＣＰ灯６と係合するガス供給装置４、
コイル１１、高周波数発生′５１０及び噴霧器２等の装
置は一般的な装置であり、特に説明する必要はないと考
えられる。かかる装置の詳しい説明はＡｎａｌｙｔｉｃ
ａｌ　Ｃｈｅ＋＋＋１ｓｔｒｙ、　１９８０年昇の第２
２８３頁ないし第２２８９頁においてｌ１ｏｕｋ、　Ｆ
ａｓｓｅｌ、　５ｖｅｃ、　Ｇｒａｙ、　Ｔａｙｌｏｒ
らによって及びＡｎａｌｙｔｉｃａｌ　Ｃｈｃｆｆｌｉ
ｓｔｒｙ、　１９７４年、４６の１１５５Ａないし１Ｌ
６４ＡにおいてＰａ５ＳＯ１とＫｎｉｓｃｌｃｙによっ
てなされている。
プラズマ放電１４は冷却フランジ３３上に装着され且つ
チャンバ１７と連通する孔１６を有する試料採取用部材
１５に対して向けられる。真空ポンプ１８はチャンバ１
７を大気圧以下、すなわち、一般的には１トール（ｔｏ
ｒｒ）に維持する。頂部に孔を有する滓取り用円錐体１
つはチャンバ１７をチャンバ２０から隔離し、チャンバ
２０は拡散ポンプ（閃絡）によって排気される。チャン
バ２０は静電レンズ２１を有し、静電レンズ２１によっ
てイオンは滓取り用円錐体１９及び試料採取用部材１５
に設けられた孔内を通過せしめられて４極質量分析器２
２に対して効率良く伝えられる。質量分析器２２は弁３
９によってチャンバ２０から離隔せしめられ、弁３９は
イオンを静電レンズ２１から質量分析器２２へ通過せし
めるための小さい孔を有する。チャンバ２３は第２の拡
散ポンプ（閃絡）によってチャンバ２０よりも低い気圧
に維持される。
質量分析器２２を通過したイオンはイオン検知器２４内
に侵入して変換器電極２６に衝突して電子増倍器に入り
込む２次電子を放出せしめる。電子増倍器２５によって
発生された電気信号は表示装置２７内の増幅器によって
増幅され、表示装置２７は該データを更に処理すべくデ
ジタルコンピュータ２８及び端子２９に対して信号を順
次送り込む。
第２図は該プラズマ放電及び試料採取用部材を更に詳し
く示している。
試料採取用部材１５は中空円錐体状に形成され、該中空
円錐体の前面３０はプラズマ放電１４と接触し、その後
面は３１はチャンバ１７の壁部を形成する。プラズマ放
電１４内において形成されたイオンは孔１６内通過し、
続いて滓取り用円錐体１つ（第１図）内の孔を通過し且
つ静電レンズ２１を介して質量分析器２２に入り込む。
試料採取用部材１５は取付用フランジ３３から容易に取
り外すことができ、これによって清掃若しくは交換が容
易化される。図から明らかなように、試料採取用部材１
５はフランジ３３の円形溝内に配設されたゴム製０リン
グ３４によってフランジ３３に対して封止され且つ３つ
のネジ３５によって固定される。フランジ３３は、試料
採取用部材１５の端部の周りに配設された貫通孔からな
゛る通気路３６内を流れる冷却剤によって冷却される。
このようにして、試料採取用部材１５の温度はできるだ
け下げられ、０リング３４の損傷が防止される。
通気路３６の代わりとして、冷却剤が通過せしめられる
パイプをフランジ３３に対して鑞付してもよい。
既に述べたように、本発明の利点は試料採取用部材１５
の後面３１における領域３２（第２図）を研摩すること
によって得られる。該研摩領域は孔１６から試料採取用
部材１５上の成る部分まで延在し、該延在した部分は孔
１６、静電レンズ２１、質量分析器２２等の共通軸から
遠く離れているので、ここで形成されたイオンは質量分
析器２２に対して侵入しないと考えられる。一般的に、
試料採取部材１５の直径は約４ｃｍであり、孔１６の直
径は約０．５ｍｍであり、研摩領域は３２は後面３１に
沿って半径約１ｃ＋ｎのところまで延在する。
必要とされる５ミクロン若しくはそれ以下の表面仕上げ
はなんらかの適切な手段によってなすことができるが、
機械的研摩及びパフ仕上げが最も好ましい。該研摩過程
の際に孔１６の端縁が丸味を帯びないように注意する必
要がある。試料採取部材１５を電気研摩することも可能
であるが、この場合は孔１６の大きさを拡げ易い。実際
上は、後面３１全体を研摩する方がより便利である。
第３図は同一のＩ　ＣＰＭＳ装置において得られた２つ
のバックグランド質量スペクトル３７及び３８を示し、
スペクトル３７は本発明に従って研摩された試料採取部
材を用いた装置によるものであり、スペクトル３８は従
来の（未研摩の）試料採取用部材を用いた装置によるも
のである。該２つのスペクトルは同じ感度によって示さ
れている。
明らかに、研摩された試料採取用部材によって得られた
ハラ、グラウンドスペクトル３７の強度は従来の試料採
取用部材によって得られたスペクトル３８におけるバッ
グラウンドスペクトルの強度よりもはるかに小さい。表
１は未研摩の試料採取用部材が装管された装置において
測定されたいくつかのバックグラウンドピークの強度と
、本発明に従って研摩された試料採取用部材が装着され
た同種の装置において測定されバックグラウンドピーク
の強度との比較結果を示す。（ＰＰｂは同じピーク強度
を示すインジウムイオ／Ｉｎ　　（単位ｎｇ　／　ｍｌ
　）の混合濃度を示す。）表　　　１ 第１図から明らかなように、ＡｒＮ、ＡｒＯ“、Ｎｌ　
らによるバックグラウンドピークは本発明を適用するこ
とによって約１／１０に減少せしめられる。これは該研
摩過程によって後面３１の表面が顕微鏡的レベルになさ
れたことによるもえつ のと考えられる。かかるバッククラ、ンドイオンの形成
を惹起する化学的作用の詳細は明確ではないが、試料採
取用部材１５の後面３１上の孔１６に近い領域における
活性域において発生する触媒作用によってＡｒＮ＋やＡ
ｒＯの如きイオンが形成されると考えられる。このこと
は孔１６からチャンバ１７内に流出するプラズマ成分の
噴射が大きい角度で拡がり、孔１６近辺では極めて高温
の而３１と接触することから理解できる。従って、孔１
６からある程度離れた位置において形成されたイオンは
質量分析されないと考えられるので、後面３１全体若し
くはフランジ３３が研摩されることが必須条件ではない
。後面３１において研摩の必要がある範囲は試料採取用
部材１５及び孔１６の形状並びにプラズマ放電１４及び
静電レンズ２１の特性に依存する。それゆえ、該研摩は
孔１６から、バックグラウンドビークの強度の低下が充
分前られるように実験で求められた距離までの範囲にお
いてなされるべきである。実際上は、第２図に示したタ
イプの試料採取部材において本発明による利点を得るた
めには、領域３２のみが研摩されれば充分であるが、簡
素化するためには後面３１全体を研摩するのが最も好ま
しい。
第３図及び表１から明らかなように、Ｎｉを含む試料採
取部材が使用される場合においては、５８Ｎｔ”による
ピーク強度もまた該研摩過程によって低下せしめられる
。これはアーク放電の減少及び同じく該研摩による該試
料採取用部材のスバツタの減少によるものであると考え
る。既に述べたように、アーク放電は該試料採取用部材
の形状及びプラズマ放電１４内での電圧振動によって影
響を受ける。アーク放電は完全に除去できないことは好
ましいことではないが、研摩することによってアーク放
電が減少せしめられることはスパッタによって放出され
たバックグラ、ンドイオンの量を制御することにおいて
有益である。研摩することによって後面３１上の活性域
の数が減少せしめられる結果、アーク放電が減少せしめ
られる。
ここでは、中空円錐状の試料採取用部材１５を用いた実
施例を示したが、本発明はかかる部材の使用に限定され
るものではない。本発明の利点は他のタイプの試料採取
用部材が用いられる場合、例えば、中央に孔が配設され
た事項円板が用いられる場合においてもまた得ることが
できる。この場合には、該円板の後面において鎖孔に近
い部分が研摩される。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による質量分析計のブロック図であり、
第２図は本発明における使用に適した試料採取用部材を
示す図であり、第３図は第１図の質量分析計によって得
られるバックグラウンド質量スペクトルを示すグラフで
あり、本発明を利用した場合と、しない場合のスペクト
ルが示されている。 主要部分の符号の説明 １・・・・・・混合ガス　　　　２・・・・・・噴霧器
３、５．８．９・・・・・・パイプ ４・・・・・・ガス供給装置 ６・・・・・・ＩＣＰ灯 １０・・・・・・高周波数発生器 １１・・・・・・コイル １５・・・・・・試料採取用部材 １６・・・・・・孔 １７・・・・・・チャンバ　　　１８・・団・真空ポン
プ２０・・・・・・排気チャンバ ２１・・・・・・静電レンズ　　２２・・・・・・質量
分析器２４・・・・・・イオン検知器 ２５・・・・・・電子増幅器

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）誘導結合高周波数発生器によって搬送用ガス流中
    において高温プラズマを発生する手段と、前記プラズマ
    内に試料ガスを導入する手段と、前記プラズマに隣接す
    る前面と後面と前記前面及び後面を結合し且つ前記プラ
    ズマ中において形成されたイオンを通過せしめる孔とが
    設けられた試料採取用部材と、前記後面を形成する壁を
    有するチャンバと、前記チャンバ内の気圧を大気圧以下
    に維持する手段と、前記孔を通過して前記チャンバ内に
    侵入したイオンのうちの少なくとも一部を質量分析器に
    導くための手段とからなる質量分析計であり、前記試料
    採取用部材の後面のうち少なくとも前記孔に近接する部
    分は平滑にされてなることを特徴とする質量分析計。
  2. （２）前記試料採取用部材は中空状円錐体からなり、前
    記孔は前記円錐体の頂部に配設され、前記試料採取用部
    材の頂部は前記プラズマ内に突出していることを特徴と
    する特許請求の範囲第１項記載の質量分析計。
  3. （３）前記試料採取用部材の後面における前記平滑領域
    は前記後面を研摩することによって得られることを特徴
    とする特許請求の範囲第１項若しくは第２項記載の質量
    分析計。
  4. （４）前記平滑領域は５ミクロン若しくはそれ以下の表
    面仕上げがなされていることを特徴とする特許請求の範
    囲第１項記載ないし第３項記載の質量分析計。
  5. （５）前記平滑領域は前記孔から所定領域まで延在し、
    前記所定領域の内側及び外側において形成されるイオン
    はどれも前記質量分析器に侵入しないようになされてい
    ることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第４項
    記載の質量分析計。
  6. （６）搬送用ガス内の誘導結合プラズマ放電によって試
    料ガスがイオン化され、イオンは試料採取用部材内の孔
    を介して前記プラズマから採取される質量分析計よって
    観察されるバックグラウンドスペクトルのうちの少なく
    とも一部分のスペクトル強度を減少せしめる方法であっ
    て、前記試料採取用部材は前記プラズマに対して隣接す
    る前面と、前記孔を介して採取されたイオンを質量分析
    器に侵入せしめるためのの手段を有する排気チャンバの
    壁を形成する後面とを有し、前記後面上の少なくとも前
    記孔に対して隣接する部分を研磨することを含む方法。
  7. （７）前記研摩領域は前記孔から少なくとも所定領域ま
    で延在し、前記所定領域の内側及び外側において形成さ
    れたイオンはどれも前記質量分析器には侵入しないよう
    になされていることを特徴とする特許請求の範囲第６項
    記載の方法。
  8. （８）前記研摩は前記後面の表面仕上げ程度が５ミクロ
    ン若しくはそれ以下になるまでなされることを特徴とす
    る特許請求の範囲第６項若しくは第７項記載の方法。
JP62020358A 1986-01-31 1987-01-30 誘導結合プラズマのための質量分析装置 Granted JPS62190647A (ja)

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