JPS62189783A - レ−ザ−ダイオ−ドポンピング固体レ−ザ− - Google Patents

レ−ザ−ダイオ−ドポンピング固体レ−ザ−

Info

Publication number
JPS62189783A
JPS62189783A JP61299049A JP29904986A JPS62189783A JP S62189783 A JPS62189783 A JP S62189783A JP 61299049 A JP61299049 A JP 61299049A JP 29904986 A JP29904986 A JP 29904986A JP S62189783 A JPS62189783 A JP S62189783A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser
rod
cavity
mirror
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP61299049A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2614440B2 (ja
Inventor
トーマス・エム・ベイアー
マーク・エス・キアステッド
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Newport Corp USA
Original Assignee
Spectra Physics Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Spectra Physics Inc filed Critical Spectra Physics Inc
Publication of JPS62189783A publication Critical patent/JPS62189783A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2614440B2 publication Critical patent/JP2614440B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08018—Mode suppression
    • H01S3/08022—Longitudinal modes
    • H01S3/08031—Single-mode emission
    • H01S3/08036—Single-mode emission using intracavity dispersive, polarising or birefringent elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
    • H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
    • H01S3/0941—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
    • H01S3/09415—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode the pumping beam being parallel to the lasing mode of the pumped medium, e.g. end-pumping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
    • H01S3/108—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using non-linear optical devices, e.g. exhibiting Brillouin or Raman scattering
    • H01S3/109—Frequency multiplication, e.g. harmonic generation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02—Constructional details
    • H01S3/025—Constructional details of solid state lasers, e.g. housings or mountings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/086—One or more reflectors having variable properties or positions for initial adjustment of the resonator
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/10061—Polarization control
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/102—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/11—Mode locking; Q-switching; Other giant-pulse techniques, e.g. cavity dumping
    • H01S3/1123—Q-switching
    • H01S3/115—Q-switching using intracavity electro-optic devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/11—Mode locking; Q-switching; Other giant-pulse techniques, e.g. cavity dumping
    • H01S3/1123—Q-switching
    • H01S3/117—Q-switching using intracavity acousto-optic devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の背景］ 本発明は、一般にレーザーに関し、特にＮｄ：ＹＡＧレ
ーザーのような固体レーザーに関する。
多数の異なる種類の固体レーザーが１発見され、主物質
、主物質がドーピングされる活性レーシングイオン、及
び出力特性によってそれぞれ区別されている。これらの
うち、主にルビー、Ｎｄ：ＹＡＧ及びＮｄでドーピング
されるガラスレーザー装置が、工業上及び実験室環境で
重要である。これらは、穿孔、溶接、切断及び罫書を″
含む材料処理方法に特に役に立つ。
広く多様なＮｄ：ＹＡＧレーザー及び工業的装置が、現
在製造されている。これらの有効性及び多用途性は、そ
れらが多数の異なる方法で動作可能であるという事実に
一部依存している。
しかしなから、Ｎｄ：ＹＡＧレーザーは、これらのポン
ピング源が一代表的にアーク、白熱電球、又は発光ダイ
オードであるという制限のため、かなり寿命が短く、か
なり効率が悪いことが証明された。
アーク又は白熱電球によるポンピングは、寿命が制限さ
れるため望ましくない。電球自体が、数百時間の寿命し
かなく、定期的に取替えることが必要である。さらに、
それらは、ＹＡＧ物質自体を減成させる傾向があり、不
必要で損傷を与える紫外線放射を発生させる。
発光ダイオードによるポンピングは、電力及び収束可能
性が制限され、効率が低いため、望ましくない。発光の
波長は、非常に広く、Ｎｄ：ＹＡＧ吸収ラインと整合し
ない、さらに、発光ダイオードは、それらがＮｄ：ＹＡ
Ｇレーザーのためにポンピング源として利用されるとき
、固有の制限をもたらす広い放射スペクトルを有する。
これらの源によってポンピングされる例示的Ｎｄ：ＹＡ
Ｇレーザーは、以下の文献で開示されている。
Ｆ、１．　Ｏｓｔｅｒｍａｙｅｒ、　Ｊｒ、、　卸ＬＬ
乃し■Ｌｅｔｔ、ヨＶｏ１．１８．　Ｎｏ、３（１９７
１）ｐ、９３：　Ｎ、Ｐ、　［Ｉａｒｎｅｓ、　Ｊ、　
皿。
助り山胆、　Ｖｏｌ、４４．　Ｎｏ、Ｉ（１９７３）　
ｐ、２３０；　Ｒ，Ｂ、　Ｃｈｅ−ｓｌｅｒ　ａｎｄ　
Ｄ、Ａ、　Ｄｒａｅｇｅｒｔ、　伯虫助り株Ｌｅｔｔ、
。
Ｖｏｌ、２３．　Ｎｏ、５（１９７３）ｐ、２３５；　
　Ｒ，Ｂ、　Ａ１１ｅｎ　ａｎｄ　Ｓ、Ｊ。
５ｃａｌｉｓａ、　７　％し＝ｔｔ、、　Ｖｏｌ、１４
．　Ｎｏ、６（１９６９）　ｐ、１８８；　ａｎｄ　Ｗ
、　Ｃｕｌｓｈａｗ、　Ｊ、　Ｋａｎｎｅｌａｎｄａｎ
ｄ　Ｊ、Ｅ、　Ｐｅｔｅｒｓｏｎ、ムＱ、ｕａｎｔ、　
Ｅｌｅｃｔ、、　Ｖｏｌ、　ＱＥ−１０，Ｎｏ、２　　
（１９７４）　　ｐ、２５３゜しかしなから、低電力か
ら高電力まで適用するためにより効率がよく、長寿命の
Ｎｄ：ＹＡＧレーザーが必要とされる。さらに、長寿命
で効率がよく、可視光レンジ及び他の波長での適用に適
した周波数２倍化Ｎｄ：ＹＡＧレーザーが必要とされて
いる。また、振幅ノイズが低いレーザーが必要とされて
いる。さらに、パルスさ九た出力を有するレーザーが必
要とされている。また、Ｎｄ：ＹＡＧに加えて、他のネ
オジムドープ又は他の希土類ドープ固体材料（以後、一
般にＲＥ：固体と呼ぶ）を用いる一群のレーザーを生産
することが望まれる。
［発明の概要］ 従って、本発明の目的は、効率がよく、寿命が長い空胴
内周波数２倍化ＲＥ：固体レーザーを提供することであ
る。
本発明の他の目的は、コンパクトな空胴内周波数２倍化
ＲＥ：固体レーザーを提供することである。
本発明の他の目的は、効率がよく、寿命が長く、比較的
コンパクトなレーザーダイオードでポンピングされる空
胴内周波数２倍化ＲＥ：固体レーザーを提供することで
ある。
本発明の他の目的は、振幅ノイズが低いＲＥ；固体レー
ザーを提供することである。
本発明の他の目的は、パルスされた出力を有するＲＥ：
固体レーザーを提供することである。
本発明の他の目的は、効率がよく、寿命が長く。
比較的コンパクトな設計で、周波数２倍化のない。
レーザーダイオードポンピングＲＥ：固体レーザーを提
供することである。
本発明の他の目的は、高電力レーザーダイオードアレー
によって効率のよいポンピングを可能とし、可視に対し
て効率のよい空胴内周波数２倍化をもたらす、ＲＥ：固
体レーザーのための空胴設計を提供することである。
本発明の他の目的は、効率のよい空胴内周波数２倍化を
可能にするＲＥ：固体レーザーの偏光を制御するための
手段を提供することである。
本発明の他の目的は、ＲＥ：固体レーザーを用いて利用
されるレーザーダイオードポンピング源の周波数を制御
する手段を提供することである。
他の目的は、レーザーダイオードアレーによってポンピ
ングされるＲＥ；固体ロッドを用いて、可視スペクトル
及び近赤外レンジでＲＥ：固体レーザービームを生成す
るための効率のよい方法を提供することである。
本発明のこれらの目的及び他の目的は、効率がよく、レ
ーザーダイオードでポンピングされるコンパクトなＲＥ
：固体レーザーを提供することによって達成される。こ
のレーザーは、前端及び後端を有するＲＥ：固体レーザ
ーロッド；そのレーザーロッドを固定位置でその中にロ
ッドの前端を先にして保持するための手段を有するハウ
ジング；レーザーロッドをポンピングし、レーザーロッ
ドに十分に整合してロッドをポンピングする出力周波数
を有し、さらにロッドの後方でロッドに整合してハウジ
ング内で固定された。レーザー口ッドをポンピングする
ためのレーザーダイオード又はダイオードアレー；前端
のレーザー空胴のための鏡面及びレーザー空胴の後端の
ための後部鏡手段を含み、空胴内にロッドが位置づけら
れた出力カップラー手段から成っている。必要な偏光手
段が空胴内に含まれて効率のよい周波数２倍化を容易に
するためにレーザービームを偏光するならば、周波数ダ
ブラ−がレーザー空胴内に位置づけられてレーザーロッ
ドの適切に偏光された出力ビームを受けてその波長を半
分にし且つその周波数を２倍化する。Ｎｄ：ＹＡＧに加
えて、ロッドに好適な他の物質として、Ｎｄ：　ＹＬＦ
、Ｎｄ：　ＹＡＰ及びＮｄ：ＹＡＬＯが含まれる。
好適実施例で１本発明のレーザーダイオードアレーポン
ピング装置の特定の特徴が、レーザーポンピングでの効
率、ビームの周波数２倍化及び偏光、振幅ノイズの抑制
、並びにパルスされた出力動作だけでなく、効率が高く
コンパクトな構成のために含まれる。
本発明は、高電力レーザーダイオードアレーによって効
率のよいポンピングを可能にする空胴内周波数２倍化Ｒ
Ｅ：固体レーザーを提供する。さらに１本発明は、レー
シング量の増加をもたらしてレーザーダイオードアレー
の収束された像を整合させる。空胴内のくびれが、開示
され、効率のよい周波数２倍化をもたらす。好適な折曲
げ空胴形状で、１対の空胴内のくびれが設けられる。
レーザーダイオードアレーが、出力ビームの収束可能性
が限定的であるにもかかわらず多量の電力をもたらす６
例えば、１列になった１０個のエミッタを有し、その各
々が長円形ビーム形状を有するマルチストリップアレー
を用いて、放出されるビームのコンビレ−ジョンは、結
局非常に多くの空間構造を有する長方形幾何形状のビー
ムになる。都合のよいことに、本発明は、レーシング量
を増加してレーザーダイオードアレーの収束した像と整
合するように設計された空胴を設けることによってこの
欠点を克服し、それによって、これらの高い電力効率を
、これらの悪い収束特性にもかかわらず利用することが
できる。
本発明はさらに、幾つかの適用で周波数２倍化なしに、
低電力から高電力まで効率のよい近赤外レーザービーム
を生じるのに有利である。
本発明に従う方法で、ＲＥ：固体レーザーロッドが、レ
ーザーダイオードによってポンピングされて近赤外レン
ジで出力を生じる。その出力は、空胴内周波数２倍化を
用いて２倍化されて可視ビームを生じうる。ビームの偏
光は、効率のよい周波数２倍化のためレーザーロッド自
体によって又は他の空胴内で行なわれる。
振幅ノイズが、空胴内に配置されたエタロンによって、
或いは変形的に環状の空胴形状又は４分の１波長板によ
って抑制される。パルスされた動作は、Ｑスイッチを用
いて得られる。
本発明のさらに他の目的が、以下の好適実施例の説明及
び特許請求の範囲から明らかになるとともに図面で説明
されている。図面は、例として、本発明の好適実施例及
びその本質、それら本質を適用するように意図される最
良の形態と考えられるものを示す。その同−又は均等の
本質を実施する本発明の他の実施例が用いられ、構造上
の変化が本発明及び特許請求の範囲を逸脱することなく
当業者によって所望されるように行なわれてもよい。
［好適実施例の説明］ 図面において、第１図は、ネオジム−ＹＡＧレーザー組
立体１０の縦断面図を示す。レーザー１０の主要成分は
、ネオジム−ＹＡＧレーザ−ロッド１１及び組立体の後
方に向かうレーザーダイオード１２である０組立体はレ
ンズ１３及び１４を含み、これらレンズを通ってレーザ
ーダイオードビームは途中でレーザーロッド１１を通過
する。
さらに組立体は、レーザーロッドの出力側にある周波数
ダブラ−１６（破線）、組立体の前端にある（前面が鏡
から成る）出力力ップラー１７、組立体の後部にあるヒ
ートシンク１８、ダイオード１２とヒートシンク１８と
の間にあるペルチェ冷却器１９、及びハウジング２１を
含む。ハウジング２１は、前部ハウジング成分２２及び
後部ハウジング成分２３から成ってもよく、このハウジ
ング２１に対して前記動作成分のすべてが取り付けられ
ている。さらに、温度制御装［２４及び電源２６が、組
立体に含まれる。
電源２６は、レーザーダイオード１２に電力を供給して
、レーザーダイオード１２にレーザーダイオードビーム
２７を放出させ、幾らかのむだな熱を生じさせる。この
熱は、ペルチェ冷却器１９及びヒートシンク１８によっ
て除去される。温度制御装置２４は、ペルチェ冷却器１
９に接続して示され、ダイオードの温度を調整し且つ温
度によってそのダイオードをＮｄ：ＹＡＧレーザ−ロッ
ド１１のポンピングのために正確な波長に同調させる。
レーザーダイオード１２は、アメリカ合衆国カリフォル
ニア用サン・ホセ゛、ノース・ファースト・ストリート
３３３３にあるスペクトラ・ダイオード・ラブダによっ
て製造されるモデルＮｏ、２４１０として識別されるヒ
化ガリウムアルミニウム（ＧａＡＩＡｓ）レーザーダイ
オードアレーであってもよい。レーザーダイオード１２
はＮｄ−ＹＡＧロッドの励起のために適切な波長に近づ
くべく製造されるが、温度制御装置はダイオードの出力
ビーム２７の精密な「同調」のために必要とされる。−
好適実施例で、レーザーダイオード１２は、Ｎｄ−ＹＡ
Ｇロッド１１のポンピングのために適切な波長、実質的
に０．８０８ミクロンの波長でビームを放出する。その
ようなレーザーダイオードは、約２０％の効率を有する
。
図面で幾分概略的に図示するように、ダイオード１２は
、ダイオードクランプ２８によってハウジング内で保持
されてもよい。
固定レンズマウント３１が、ハウジングの一部で固定さ
れる。マウント３１は、前方ハウジング成分２２の後方
端フランジ３２であってもよく、内部の固定位置でレン
ズ１３を保持する。固定レンズ１３は、コリメーティン
グレンズとして作用し、発散するビーム２７をレーザー
ダイオードアレー１２から実質的に平行なビームに変換
する。
次に平行にされたレーザーダイオードビーム２７ａは、
収束レンズであるレンズ１４を通過して、ビームをＮｄ
−ＹＡＧ結晶１１の後端に収束させる０図示のとおり、
収束レンズ１４は、調節可能であり、調節可能なレンズ
スプール３３上に取り付けられる。スプール３３は、図
示のとおりネジ穴内で回転可能であり、レンズ１４の前
後方向の位置を調節する。開口３４が好適に前方ハウジ
ング成分２２内に設けられ、調節可能なレンズスプール
３３に接近して、レンズスプール内の一連の穴３６を介
してスプール３３を回転させることができる。
収束した収束レーザーダイオードビーム２７ｂは、Ｎｄ
−ＹＡＧレーザ−ロッド１１に入り、ロンド内のネオジ
ム原子を励起して近赤外レンジでレーザービームを生成
する。
Ｎｄ−ＹＡＧレーザーロンロッためのレーザー空胴が、
出力力ップラーと、対置する後部鏡との間で画成される
。カップラー１７は部分的鏡面から成り、対置する後部
鏡はＮｄ−ＹＡＧロッド１１の後部のどこかに設置され
る。本発明の一実施例で、レーザ−ロッド１１自体の後
面３９は、１．０６ミクロンでかなり反射するようにコ
ーティングされ、レーザー空胴の後部鏡として役立つ、
これはまた、第４図で示され、Ｎｄ−ＹＡＧロッド１１
を拡大図で示す、ここで及び特許請求の範囲で用いられ
る用語「鏡」は部分的鏡となっているものを含むことに
注意されたい。
Ｎｄ−ＹＡＧレーザ−ロッド１１の前方には、空胴内周
波数ダブラ−１６がある０周波数ダブラ−１６は、必ず
しもそうでなくともよいが好適には組立体１０内に含ま
れる。Ｎｄ−ＹＡＧレーザ−ロッド１１から出射するレ
ーザービーム４１は、周波数ダブラ−１６を通過する０
周波数ダブラ−１６で、その波長は半分となり、その周
波数は２倍化される。好適に１周波数ダブラ−１６は、
この目的のため理想に近い周波数２倍化素子であり、Ｋ
ＴＰ、ＬｉＮｂ０．及びＬＬＩＯ３を含む一部から選択
される。ＫＴＰ結晶が、適切で好適な周波数ダブラ−で
あり１本発明に関係した波長で効率のよい２倍化素子で
ある。ＫＴＰ結晶周波数ダブラ−の電力出力は１．０６
ミクロンレーザービーム電力の増加につれてほぼ２乗で
増加し、この周波数ダブラーを利用する装置の効率は低
電力より高電力でかなり大きくなる。
レーザービームは、周波数２倍化の効率を最大にするた
めにレーザー空胴内で偏光されるべきである。空胴内周
波数ダブラ−１６のみが、一定の軸に沿って偏光した入
射光を変換する。偏光されない光は、直交軸に沿ってダ
ブラ−１６を通過し、周波数変換されないであろう。従
って、入射レーザービームは、ダブラ−１６の軸と一致
するように偏光されるべきである。このことは、幾つか
の異なる方法で達成することができる。
本発明に従う好適な一方法は、Ｎｄ：ＹＡＧロッド１１
に横応力を簡単に加える方法であり、応力の軸に沿った
ビーム偏光を生じる効果を有する。
応力及びそれによって生じるビーム偏光の軸は。
変換を最大にするようにダブラ−１６の変換軸に対して
方向づけられるべきである。
本発明に従って、レーザーロッド１１の横応力の印加は
、図示のようにハウジング成分２２内に螺合した簡単な
止めねじ又は応力ねじ４２によって達成されてもよい。
レーザーロッドに対する横応力が実質的に一定であるこ
とが重要であり、止めねじとレーザーロッド１１との間
に、止めねじ４２を含む組立体に対する強い圧縮ばね、
例えばベレビルワッシャ（Ｂｅｌｌｅｖｉｌｌｅ　ｗａ
ｓｈｅｒ　）を加えることは有益であろう。これは第１
図では示さないが、止めねじ４２と接触するベレビルワ
ッシャ４３の概略図が第２Ａ図で含まれており、ベレビ
ルワッシャ４３の力はスペーサ部材４４によってＮｄ−
ＹＡＧロッド１１の側部に印加されている。
第２Ａ図、第２Ｂ図及び第２Ｃ図は、レーザーダイオー
ド及びＮｄ−ＹＡＧレーザー組立体の主要成分を概略的
に示し、さらにレーザービーム４１で偏光を形成するた
めの３つの異なる装置を示す。
第２Ａ図において、前述のとおりＮｄ−ＹＡＧロッド自
体の横応力を図示している。第２Ｂ図は１周波数ダブラ
−１６と前端鏡面１７との間で４分の１波長板４６が用
いられる変形的方法を示す。第２Ｃ図は、ブルースター
板、すなわち、ブルースター角で配向された１片のガラ
ス、を使用した図を示す。レーザー空胴内で偏光を制御
することが重要である。
本発明の他の重要な特徴が、レーザー空胴内でのビーム
形状に関する。第１図、第２Ａ図、第２Ｂ図及び第２Ｃ
図で示すように、出力力ツプラーにある部分的鏡面１７
は好適には凹面である。さらにＮｄ−ＹＡＧレーザ−ロ
ッド１１の前端面４８は凸面であってもよいことが、こ
れらの図及び第４図で示されている。Ｎｄ−ＹＡＧレー
ザ−ロッドの前部の曲率は、約１５ミリメートル半径の
球面の曲率であってもよく、事実上、放射を収束する傾
向があるレーザー空胴内にレンズを置く。空胴内でのビ
ームの形状でこのレンズと共働するのは。
出力力ップラー鏡１７である。
第３図のグラフは、全体的にレーザー空胴内で側面から
見たレーザービーム４１を示す。そのグラフは、ビーム
くびれ５０、すなわち、′２つの鏡面の間のレーザー空
胴内で共振するときのレーザービームの狭い部分、を形
成するビーム形状を示す。第３図の説明で、後部鏡面は
、Ｎｄ−ＹＡＧレーザ−ロッドの平坦な後面３９である
と仮定される。
レーザーロッドの前部にあるレンズ面４８の曲率半径の
変化は、ビームくびれ５０の大きさに影響を及ぼすこと
がわかっている。曲率半径が小さくなると１周波数２倍
化処理を高める、より小さいくびれを生じるであろう。
本発明に従って、ビームくびれ、５０を他の設計理由に
対して実用的な最小の直径（レーザーロッドの前端４８
での許容レンジの半径を含む）まで縮小し、さらに、ビ
ームくびれにＫＴＰ周波周波数化倍化結晶置することは
、レーザーの効率のために有益であることがわかってい
る。実用的な最小のくびれ直径は、図示する実施例の場
合、約４０ミクロンであろう。
本発明に従うビーム形状の他の特色が、ＹＡＧロッドの
内部の共振ビームのビーム量を、ＹＡＧ結晶を励起する
レーザーダイオードビームの大きさに整合させることに
関する。ＹＡＧロッドの前部にあるレンズ形状端部４８
及び出力力ツプラー凹面鏡１７と、ロッドの鏡の後部３
９との結合は。
第３図のグラフ上の位置５１、すなわち、ＹＡＯロッド
内でビームの大きさが適切な量に調節されるのを可能に
する。レーザーダイオードからＹＡＧ結晶に収束したビ
ームは、ロンド内でのネオジム原子の有効な励起のため
、レーザー内部のビーム。量５１と重なり合わなければ
ならない。ポンピング量は、レーシング量とほぼ同一で
なければならない。ＹＡＧ結晶内のレーザービーム量が
小さすぎるならば、レーザーダイオードビームからのポ
ンピング量はそのレーザービーム量と十分には整合せず
、これはレーザーの効率の減少をもたらす。
レーザーロッド上のレンズ形状端部４８．出力力ップラ
ー鏡１７及びその曲率半径、レンズ４８から後部空胴ｆ
ｉ３９（好適にはＹＡＧロッドの平坦な後端面上にある
）までの距離（好適には約５ミリメートル）、並びに（
実用的な最小の大きさからなる）ビームくびれ５０での
ＫＴＰ２倍化結晶の配置、の結合は、かなり有効な周波
数２倍化レーザー出力をもたらす。出力力ップラーでの
凹面鏡１７の曲率半径は、本発明の一好適実施例で。
好適には約３７ミリメードルである。凹面鏡とＫＴＰ結
晶の前端との間の距離は、約３１ミリメートルであろう
。また、約５ミリメートルの長さのＫＴＰ結晶を用いる
ことができる。ＫＴＰ結晶の後部からＹＡＧロッドのレ
ンズ形状の前部までは、約２２ミリメートルであろう。
前述のとおり。
ＹＡＧロッド自体は、前端レンズ４８が１５ミリメート
ルの曲率半径ならば、約５ミリメートルの長さからなる
であろう。
図示し、明細書中で説明した鏡の位置は、好適であるが
変形してもよいことを理解されたい。例えば、レーザー
空胴の後部鏡面は、Ｎｄ−ＹＡＧレーザーロンロッ後面
３９の後方のどこかに配置された鏡から成ってもよい。
本発明のレーザーダイオードアレーポンピングＮｄ−Ｙ
ＡＧレーザー組立体を用いて、可視低電力レーザービー
ム出力のため、約０．５％〜１．０％の効率が達成され
うろことがわかる０例えば、約１ワツトの電力が約２０
％の効率を有するレーザーダイオードに供給されるなら
ば、レーザーダイオード出力ビームは、約２００ミリワ
ツトの電力を有するであろう、一般にこれらのポンピン
グレベルで１．０６ミクロンの出力はダイオードレーザ
−出力のほぼ３０％であり、そのため１．０６ミクロン
の出力ビームは約６０ミリワツトの電力を有する。従っ
て、はぼ５％の効率が、１．０６ミクロンでの出力のた
めに達成される。効率のよい周波数２倍化のため、出力
力ップラーは、１．０６ミクロンでかなり反射し、０．
５３２ミクロンでかなり透過するようにコーティングさ
れる。２００ミリワツトのポンピングレベルで、　１．
０６ミクロンの空胴的強度は、はぼ１０ワツトである。
この電力レベルで、ＫＴＰの２倍化効率は、　０．５３
２ミクロンでほぼ１０ミリワツトの出力をもたらすのに
十分である。
レーザーダイオードへの実質的により高い電力、例えば
１０ワツトの入力で、２ワツトの出力のダイオードビー
ムが、ＹＡＧロッドを励起して約６００ミリワツトのレ
ーザービームを放出する。
より高いこの電力で、周波数２倍化結晶はより効率がよ
く、約１００ミリワツトの可視レンジにある出力が達成
可能である。従って、中間の電力の可視レーザーで１パ
ーセントの効率が達成される。
高電力出力で、本発明のＮｄ−ＹＡＧし、−ザーは。
かなりずっと効率がよい。例えば、レーザーダイオード
への入力が４０ワツトであるならば、約２．４ワツトの
レーザービームが周波数２倍化され、この電力でＫＴＰ
周波数ダブラ−はほとんど１００パーセントの１．０６
ミクロン出力光を可視光に変換する。従って、可視レン
ジで２ワツト以上の出力ビームを、５％〜６％までの効
率で達成することができる。
さらに本発明の装置は、レーザーを近赤外レンジで生成
するとき有利である０本発明のこの形態で、周波数ダブ
ラ−１６（第１図で破線で示す）は、除かれる。従って
、装置の効率は、電力レベルに関係なくほぼ６％の全体
にわたる効率のため。
レーザーダイオードのほぼ２０％の効率、及びＮｄ−Ｙ
ＡＧレーザーロンロッ体のほぼ３０％の効率によっての
み制限される。
このような赤外レーザーの一形態で、Ｎｄ−ＹＡＧレー
ザーの端部は、レーザー空胴の２つの鏡を形成してもよ
い。従って、各端部は１部分的に鏡となっており、ロッ
ド自体の内部に空胴を画成する。出力力ップラーはレー
ザーロッドと一体であるので、それによって、非常に効
率のよい近赤外レーザーが、第１図で示す装置よりかな
り一層コンパクトなものとなる。
前述のような小型化レーザーダイオードポンピング空胴
内周波数２倍化Ｎｄ：ＹＡＧレーザーで起こる他の問題
が、大きな振幅スパイクを含む振幅ノイズの発生である
。この振幅スパイクは、非常に安定な或いは一定の出力
を必要とする適用での使用を妨げ或いは制限する。短い
レーザー空胴は比較的広く間隔を置いた縦方向モードを
もたらすが、利得曲線は、一般に十分に広く、多数の縦
方向モードがレーザー空胴内で振動するのを可能にする
。これらの多数のモードの結合は、振幅ノイズを生じる
。振幅ノイズを減少し或いは除去するために、振幅ノイ
ズ抑制エタロン５２が、第１図、第２Ｄ図及び第３図で
示すとおり、ビームに垂直な空胴内に配置される。変形
的に、ノイズを減少するためにレーザーをモードロック
することが可能であろう。エタロン５２を用いることに
よって、レーザーは、静かな単一モードで動作する。
用いることができるエタロン５２の例が、約０．５田の
厚さのオプチカルフラットである。ビームくびれ５０は
ビームの最も狭い部分だけでなく、すべての光線が平行
なビームの部分でもあるので。
光の損失を減少するためにビームくびれ５０でエタロン
５２を配置することが好適である。くびれ５ｏでダブラ
−１６を配置することも好適であるので、エタロン５２
を第３図で示すようにダブラ−１６に隣接して配置する
こともできる。
２つの要素、ダブラ−１６及びエタロン５２をビームく
びれ５０で配置する困灘を回避するために、第５図で示
す変形形状の折曲げ空胴５４が好適である。折曲げ空胴
５４は、折曲げ凹面鏡５６及び端部凹面鏡５８を含む。
折曲げ凹面鏡５６は、レーザーロッド１１の後部鏡面３
９とともにレーザー空胴の第１アームを形成する。端部
凹面鏡５８は、折曲げ鏡５６とともにレーザー空胴の第
２アームを形成する。折曲げ鏡５６は、２倍化されない
周波数でかなり反射し、２倍化周波数でかなり透過する
ダイクロイックミラーであり、可視光のための出力カッ
プリング手段として用いられる。
鏡５８は、２つの周波数でかなり反射する０周波数ダブ
ラ−１６は、ロッド１１によって生じるレーザービーム
が適切な偏光を有して鏡５６によって反射されダブラ−
１６を通過するように、鏡５６と５８との間の第２アー
ムで配置される。周波数２倍化ビームは、ビームがそこ
を通って出力となる！１５６までｊｌ！５８によって戻
って反射される。
従って、周波数２倍化放射は、第１アームを通ってレー
ザーロッド１１へ戻って通過することがない。振幅ノイ
ズ抑制エタロン５２が、鏡５６とレーザーロッド１１と
の間の第１アームで配置されうる。折曲げられた空胴５
４内のビームの例示的なグラフを第６図で示す。鏡５６
で中間点６４を有し、！を面３９と鏡５８との間にのび
る外形に関して、第１ビームくびれ６０が第１アームで
生成し、第２ビームくびれ６２が第２アームで形成され
る。前述のとおり、レーザーロッド１１にあるビーム幅
は、レーザーダイオードポンピング量に整合する。ダブ
ラ−１６は、エタロン５２がくびれ６０で配置される間
、くびれ６２で配置される。
折曲げ空胴の代表的寸法は全長約１００〜１３０閣、ｊ
Ｊｉ５６．５８の曲率半径は代表的に３７ｍ＋、ビーム
くびれ６０．６２は一代表的に１００ミクロン以下であ
る。
Ｎｄ：ＹＡＧレーザーでの多数の縦方向モード動作の第
１の原因は、活性媒体での空間的ホールバーニングであ
る。空間的ホールバーニングを除去するために幾つかの
技術が存在する。その技術には、環状のレーザー空胴形
状を利用する技術又は４分の１の波長板の間に活性媒体
を配置する技術を含む。これら技術は１文献、１１．　
Ｋｏｅｃｈｎｅｒ。
５ｏｌｉｄ　５ｔａｔｅ　Ｌａ５ｅｒ　Ｅｎ　１ｎｅｅ
ｒｉｎ　、　（Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ、　Ｎ
ｅｗ　Ｙｏｒｋ、　１９７６）、　ｐ、２２６で示され
ている。これら技術の一方を、エタロンを用いる代りに
、ここで記載する空胴内２倍化レーザー装置に適用して
、本発明の他の特色を形成することができる。空間的ホ
ールバーニングを除去することによって、レーザーは、
単一の縦方向モードを有してレーザー光線を発し、従っ
て前述のモード不安定状態及び振幅変動を受けないであ
ろう。環状レーザー空胴形状又は１対の４分の１波長板
を利用する技術はこれらの要素が空胴内に挿入されると
き少ししか電力が失われないという利点を有するが、単
一のモード動作を実行するためにエタロンを用いる技術
はしばしば電力での２つの損失の一因子をもたらす。
前述のとおり、空胴内周波数ダブラ−を利用して周波数
２倍化レーザー出力を発生させるために、レーザーロッ
ドの出力は、ダブラ−結晶の適切な軸と一致するように
偏光されなければならない。
ＹＧＡ　（イツトリウム・アルミニウム・ガーネット、
ｙ　ｘ　Ａｌ、　ｏ　１２）のような複屈折しない物質
がレーザーロッドのために用いられるとき、先に示した
とおり、空胴内に偏光手段が必要とされる。
しかしなから、レーザーロッドのために複屈折物質を利
用することも可能であり、複屈折レーザーロッドの出力
は、偏光手段の必要がなく偏光されるであろう。また、
レーザーロッド及びダブラ−結晶を効率のよい周波数変
換のために適切に整列させることができる。レーザーロ
ッドのために適切な成る複屈折物質がＹＬＦ　（イツト
リウム・フッ化リチウム、ＹＬｉＦ、）である。従って
、Ｎｄ：ＹＬＦもまた、Ｎｄ：ＹＡＧに加えて本発明に
好適な物質である。Ｎｄ：　ＹＡＰ　（イツトリウム・
リン酸アルミニウム）のような他の複屈折しない物質及
びＮｄ：ＹＡＬＯのような複屈折物質もまた、利用する
ことができる。他のネオジムドーピング固体物質又は他
の希土類ドーピング固体物質もまた、レーザーダイオー
ド出力と整合する吸収レンジをレーシングイオンが有す
る限り、利用してもよい。本発明は、複屈折物質のため
に偏光手段を用いずに、Ｎｄ：ＹＡＧに関して記載する
のと同様の方法で、これらの変形的物質、複屈折しない
物質と複屈折する物質の両方を使用して、一群の小形化
レーザーダイオードポンピング空胴内周波数２倍化及び
周波数２倍化のない固体レーザーを生成する技術を含む
。
幾つかの適用で、パルスされるレーザー出力が。
所望される。前述のレーザーは、一般に連続の（（、ｌ
）モードで動作する。レーザーロッドをポンピングする
レーザーダイオードにパルスを加えることによってパル
スされたレーザー出力を生じることが可能であろうが、
パルスされた出力を生じる好適な方法はＱスイッチによ
るものである。
第１図及び第２図で示すように、Ｑスイッチ６６゜代表
的には音響光学装置又は電気光学装置が、レーザー空胴
内に位置づけられる。Ｑスイッチドライバー６８が、Ｑ
スイッチ６６に接続される。動作上、Ｑスイッチは、レ
ーザーロッドがレーザーダイオードによってポンピング
されるとき、レーザーを切って反転分布が最高になるの
を可能にする０次に、Ｑスイッチは、切られて、レーザ
ー空胴内の蓄積エネルギーの全てが短い時間で放出され
るとき、高エネルギーパルスを生成する。パルス幅は、
Ｑスイッチ周波数によって決定される。
ＹＬＦはＹＡＧより多くのエネルギー（約２倍）をＷ積
するので、パルスされる動作の場合ＹＬＦは好適な物質
であろう、振幅ノイズは、パルスされる動作の場合、問
題ではない０周波数２倍化レーザー及び周波数２倍化し
ないレーザーの両方をパルスすることができる０例とし
て、８Ｏ−１００１１ｖの赤外線を生成するレーザーが
、周波数２倍化され、Ｑスイッチで切り換えられて、１
００ｋｌｌｚのグリーンパルスで５０１１ｖの平均電力
を生成することができる。
特定的に記載した実施例での変化及び変形が、本発明の
範囲を逸脱することなく実行されうる。
本発明は、特許請求の範囲によってのみ制限されること
を意図するものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明に従うレーザーダイードポンピング固
体レーザー組立体の縦断面図であって。 レーザーロッド、レーザーダイオード、レーザー空胴、
ハウジング、冷却装置及び他の関連した成分を含み、さ
らに周波数ダブラ−、ノイズ抑制エタロン、及びＱスイ
ッチを（破線で）示す。 第２Ａ図、第２Ｂ図及び第２Ｃ図は、レーザービームを
偏光するための代替手段を有する装置の概略断面図であ
る。 第２Ｄ図は、エタロン及びＱスイッチを有する装置を示
す概略断面図である。 第３図は、組立体の前端で出力力ップラーとレーザーロ
ッドとの間にビームのくびれが形成された、レーザー空
胴内のレーザービーム形状のグラフであり、さらに光学
素子の位＠（測定していない）を示す。 第４図は、レーザーロッドの特定の面を示す、レーザー
装置のレーザーロッドの拡大断面図である。 第５図は、折曲げた空胴配置の概略縦断面図である。 第６図は、１対のビームくびれを有する、折曲げた空胴
内のレーザービーム形状のグラフである。 ［主要符号の説明コ １０・・・ネオジム−ＹＡＧレーザー組立体１１・・・
ネオジム−ＹＡＧレーザ−ロッド１２・・・娑−ザーダ
イオード １３．１４・・・レンズ １６・・・周波数ダブラ− １７・・・出力力ップリラー １８・・・ヒートシンク １９・・・ペルチェ冷却器 ２１・・・ハウジング ２４・・・温度制御装置 ２６・・・電源 ２７・・・出力ビーム ３１・・・固定レンズマウント ３３・・・レンズスプール ３９・・・レーザロッド後面 ４１・・・レーザービーム ４８・・・レーザーロッド前端面 ５２・・・エタロン ５４・・・折曲げ空胴 ５６・・・折曲げ凹面鏡 ５８・・・端部凹面鏡 ６６・・・Ｑスイッチ 代理人　弁理士　　竹　　内　　澄　　夫図面の浄書ぐ
内容に変更なし） ＦＩＧ、２Ａ ＰＩｏ、２Ｂ ＦＩＯ，２Ｃ ＦＩＯ，２Ｄ 手続補正書く方式） ％式％ １、　事件の表示　　　昭和６１年　特　許　願　第２
９９０４９号２、　発明の名称　　　レーザーダイオー
ドポンピング固体レーザー３、　補正をする者 事件との関係　特許出願人 名　称　　　　スペクトラ−フィジックス・インコーホ
レイテッド ４、代理人 住　所　　　　東京都港区西新橋１丁目６番２１号大和
銀行虎ノ門ビルディング

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、効率のよい、コンパクトなレーザーダイオードポン
    ピング周波数２倍化固体レーザーであって： 前端及び後端を有する、ネオジム又は他の希土類のドー
    ピング固体レーザーロッド； 前方に前端を有し、前記レーザーロッドを内部の固定位
    置で保持する手段を有するハウジング； 前記ロッドに十分に整合して該ロッドをポンピングする
    出力周波数を有し、該ロッドの後方で該ロッドと整合し
    て前記ハウジング内で固定された、前記レーザーロッド
    をポンピングするためのレーザーダイオード； 出力カップラー手段を含み、レーザー空胴を画成し、前
    記ハウジング内に取り付けられ、前記空胴内に前記レー
    ザーロッドを有する、空胴手段；並びに 前記レーザーロッドの適切に偏光された出力ビームを受
    けて該ビームの波長を半分にし、該ビームの周波数を２
    倍化すべく位置づけられた、前記レーザー空胴内の周波
    数ダブラー； から成るレーザー。 ２、特許請求の範囲第１項に記載されたレーザーであっ
    て、 前記レーザーロッドは複屈折しない物質から成り、さら
    に前記レーザー空胴内に前記レーザーロッドの前記出力
    ビームを偏光するための偏光手段を含む、レーザー。 ３、特許請求の範囲第１項に記載されたレーザーであっ
    て、 前記レーザーロッドは、複屈折物質から成り、偏光され
    た出力を生じる、レーザー。 ４、特許請求の範囲第３項に記載されたレーザーであっ
    て、 前記レーザーロッドはＮｄ：ＹＬＦから成る、レーザー
    。 ５、特許請求の範囲第１項に記載されたレーザーであっ
    て、 前記空胴手段は、前記空胴の前端を形成する鏡面及び前
    記空胴の後端を形成する後部鏡手段から成り、前記鏡面
    は２倍化されない周波数でかなり反射的であり２倍化周
    波数でかなり透過する前端を形成して前記出力カップリ
    ング手段をもたらす、レーザー。 ６、特許請求の範囲第５項に記載されたレーザーであっ
    て、 前記後部鏡手段は前記レーザーロッドの後端の鏡面から
    成る、レーザー。 ７、特許請求の範囲第１項に記載されたレーザーであっ
    て。 さらに、前記ビームを形状づけ、前記ロッドの前部にビ
    ームくびれを形成するための、前記レーザー空胴と結合
    したビーム形状づけ手段を含み、前記周波数ダブラーは
    実質的に前記くびれに位置づけられている、レーザー。 ８、特許請求の範囲第７項に記載されたレーザーであっ
    て、 前記ビーム形状づけ手段は、前記ビームに対して収束さ
    せる効果を有する前記レーザーロッド上の前端凸面、及
    び前記空胴の前端を形成しで出力カップラー手段をもた
    らす鏡凹面から成り、前記凸面及び前記凹面の半径並び
    に該面の間の間隔は、前記ロッド内の前記ビームのレー
    シング量が実質的に前記レーザーダイオードのポンピン
    グ量に一致して最小の大きさのビームくびれが形成され
    る半径並びに間隔である、レーザー。 ９、特許請求の範囲第１項に記載されたレーザーであっ
    て、 さらに、前記空胴内に位置づけられた振幅ノイズ抑制エ
    タロンを含む、レーザー。 １０、特許請求の範囲第７項に記載されたレーザーであ
    って、 さらに、実質的に前記ビームくびれで前記周波数ダブラ
    ーに隣接して位置づけられた振幅ノイズ抑制エタロンを
    含む、レーザー。 １１、特許請求の範囲第１項に記載されたレーザーであ
    って、 前記空胴手段は、折曲げられた空胴から成り、該折曲げ
    られた空胴は： 前記空胴の後端を形成する後部鏡手段； 前記後端部鏡手段とともに前記レーザー空胴の第１アー
    ムを形成する折曲げ鏡；並びに 前記折曲げ鏡とともに前記レーザー空胴の第２アームを
    形成する端部鏡； から成る、レーザー。 １２、特許請求の範囲第１１項に記載されたレーザーで
    あって、 さらに、前記ビームを形状づけるため前記レーザー空胴
    と結合し、前記第１アームで第１ビームくびれを形成し
    、前記空胴の前記第２アームで第２ビームくびれを形成
    するビーム形状づけ手段を含む、レーザー。 １３、特許請求の範囲第１２項に記載されたレーザーで
    あって、 前記周波数ダブラーは、実質的に前記第２くびれで位置
    づけられている、レーザー。 １４、特許請求の範囲第１３項に記載されたレーザーで
    あって、 実質的に前記第１くびれで位置づけられた振幅ノイズ抑
    制エタロンを含む、レーザー。 １５、特許請求の範囲第１２項に記載されたレーザーで
    あって、 前記ビーム形状づけ手段は、前記レーザーロッド上の前
    端凸面、折曲げ凹面鏡及び端部凹面鏡から成り、該折曲
    げ凹面鏡、該端部凹面鏡及び該凸面の半径並びにその間
    の間隔は、前記ロッド内の前記ビームのレーシング量が
    実質的に前記レーザーダイオードのポンピング量に一致
    して最小の大きさのビームくびれが形成される半径並び
    に間隔である、レーザー。 １６、特許請求の範囲第１１項に記載されたレーザーで
    あって、 前記折曲げ鏡はダイクロイックであり、前記出力カップ
    ラー手段を形成する、レーザー。 １７、特許請求の範囲第１項に記載されたレーザーであ
    って、 さらに、前記空胴と動作上結合してパルスされた出力を
    生成するＱスイッチを含む、レーザー。 １８、特許請求の範囲第１７項に記載されたレーザーで
    あって、 前記Ｑスイッチは、音響光学又は電気光学装置である、
    レーザー。 １９、効率のよい、コンパクトなレーザーダイオードポ
    ンピグ固体レーザーであって： 前端及び後端を有する、ネオジム又は他の希土類のドー
    ピング固体レーザーロッド； 前方に前端を有し、前記レーザーロッドを内部の固定位
    置で保持する手段を有するハウジング； 前記ロッドに十分に整合して該ロッドをポンピングする
    出力周波数を有し、該ロッドの後方で該ロッドと整合し
    て前記ハウジング内で固定された、前記レーザーロッド
    をポンピングするためのレーザーダイオード；並びに 出力カップラー手段を含み、レーザー空胴を画成し、前
    記ハウジング内に取り付けられ、前記空胴内に前記ロッ
    ドを有する、空胴手段；から成るレーザー。 ２０、特許請求の範囲第１９項に記載されたレーザーで
    あって、 前記レーザーロッドはＮｄ：ＹＬＦ、Ｎｄ：ＹＡＰ、Ｎ
    ｄ：ＹＡＬＯから選択される、レーザー。 ２１、特許請求の範囲第１９項に記載されたレーザーで
    あって、 前記レーザーダイオードは約０．８ミクロンの波長の出
    力を有する、レーザー。 ２２、特許請求の範囲第１９項に記載されたレーザーで
    あって、 前記空胴手段は前記レーザーロッドの前端の部分的鏡面
    及び後端の部分的鏡面から成り、該前端の部分的鏡面は
    前記出力カップラー手段をもたらす、レーザー。 ２３、特許請求の範囲第１９項に記載されたレーザーで
    あって、 さらに、実質的に前記ロッド内の前記ビームのレーシン
    グ量を前記レーザーダイオードのポンピング量に一致さ
    せて、前記ロッドの前部でビームくびれを形成するため
    の、前記空胴と結合したビーム形状づけ手段を含む、レ
    ーザー。 ２４、特許請求の範囲第２３項に記載されたレーザーで
    あって、 さらに、前記空胴内で前記ビームくびれで位置づけられ
    た振幅ノイズ抑制エタロンを含む、レーザー。 ２５、レーザーダイオードポンピングネオジムドーピン
    グ固体レーザーの出力ビームでの振幅ノイズを減少させ
    或いは除去するための方法であって、 レーザー空胴内に振幅ノイズ抑制エタロンを位置づける
    段階から成る方法。
JP61299049A 1985-12-19 1986-12-17 レーザーダイオードポンピング固体レーザー Expired - Lifetime JP2614440B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/811,546 US4656635A (en) 1985-05-01 1985-12-19 Laser diode pumped solid state laser
US811546 1985-12-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62189783A true JPS62189783A (ja) 1987-08-19
JP2614440B2 JP2614440B2 (ja) 1997-05-28

Family

ID=25206845

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61299049A Expired - Lifetime JP2614440B2 (ja) 1985-12-19 1986-12-17 レーザーダイオードポンピング固体レーザー

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4656635A (ja)
JP (1) JP2614440B2 (ja)
DE (1) DE3643648C2 (ja)
FR (1) FR2592238A1 (ja)
GB (2) GB2184596B (ja)

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01128484A (ja) * 1987-11-12 1989-05-22 Asukaru:Kk 高効率第二高調波発生レーザ発振器
JPH01220879A (ja) * 1988-02-29 1989-09-04 Sony Corp レーザ光源
JPH01270369A (ja) * 1988-04-22 1989-10-27 Mitsubishi Electric Corp レーザ装置
JPH01282488A (ja) * 1988-05-10 1989-11-14 Asahi Glass Co Ltd 光ファイバセンサ
JPH02122582A (ja) * 1988-09-09 1990-05-10 Spectra Physics Inc 低コスト低パワー可視光線固体レーザ
JPH02161786A (ja) * 1988-12-15 1990-06-21 Hamamatsu Photonics Kk 半導体レーザ励起固定レーザ装置
JPH02229481A (ja) * 1989-03-02 1990-09-12 Nippon Steel Corp 半導体レーザ励起固体レーザ
JPH0467131A (ja) * 1990-07-09 1992-03-03 Tech Res & Dev Inst Of Japan Def Agency ＬｉＢ↓３Ｏ↓５赤外光パラメトリック発振器
JPH0436267U (ja) * 1990-07-24 1992-03-26
US5121404A (en) * 1988-11-16 1992-06-09 Hamamatsu Photonics K.K. Optically pumped solid laser
JPH0497375U (ja) * 1990-10-19 1992-08-24
US5187714A (en) * 1990-10-19 1993-02-16 Fuji Photo Film Co., Ltd. Laser-diode-pumped solid-state laser
US5197072A (en) * 1990-06-13 1993-03-23 Fuji Photo Film Co., Ltd. Optical wavelength converting device, and laser diode pumped solid laser
US5287381A (en) * 1991-03-12 1994-02-15 Fuji Photo Film Co., Ltd. Laser-diode-pumped solid-state laser
US5315613A (en) * 1992-06-10 1994-05-24 Fuji Photo Film Co., Ltd. Laser diode pumped solid laser
US5333145A (en) * 1992-08-20 1994-07-26 Fuji Photo Film Co., Ltd. Solid laser
US5418808A (en) * 1992-11-06 1995-05-23 Fuji Photo Film Co., Ltd. Solid state laser
US5497388A (en) * 1993-03-25 1996-03-05 Fuji Photo Film Co., Ltd. Laser diode pumped solid laser
US5502738A (en) * 1992-10-16 1996-03-26 Fuji Photo Film Co., Ltd. Polarization control element and solid-state laser system
US5671240A (en) * 1984-11-18 1997-09-23 Fuji Photo Film Co., Ltd. Solid state laser
US5892614A (en) * 1996-03-22 1999-04-06 Nec Corporation Optical parametric oscillator including a saturable absorber having a saturable absorption characteristic
US6047009A (en) * 1997-09-26 2000-04-04 Fuji Photo Film Co., Ltd. Wavelength conversion laser
US6058126A (en) * 1997-07-02 2000-05-02 Fuji Photo Film Co., Ltd. Laser-diode-pumped solid state laser and radiation image read-out system
US6289029B1 (en) 1997-09-26 2001-09-11 Fuji Photo Film Co., Ltd. Solid state laser
WO2011086885A1 (ja) * 2010-01-12 2011-07-21 パナソニック株式会社 レーザ光源、波長変換レーザ光源及び画像表示装置

Families Citing this family (94)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4809291A (en) * 1984-11-26 1989-02-28 Board Of Trustees, Of Leland Stanford Jr U. Diode pumped laser and doubling to obtain blue light
US4653056A (en) * 1985-05-01 1987-03-24 Spectra-Physics, Inc. Nd-YAG laser
US4756003A (en) * 1985-05-01 1988-07-05 Spectra-Physics, Inc. Laser diode pumped solid state laser
DE3745125C2 (de) * 1986-05-19 1998-04-16 Spectra Physics Kompakt aufgebauter Festkörperlaser
US4723257A (en) * 1986-05-19 1988-02-02 Spectra-Physics, Inc. Laser diode pumped solid state laser with miniaturized laser head
US4734912A (en) * 1986-06-06 1988-03-29 Lightwave Electronics Corp. Laser diode end pumped Nd:YAG single mode laser
US4730335A (en) * 1986-06-26 1988-03-08 Amoco Corporation Solid state laser and method of making
US4731787A (en) * 1986-08-15 1988-03-15 Board Of Trustees, Stanford University Monolithic phasematched laser harmonic generator
US4879723A (en) * 1987-07-27 1989-11-07 Amoco Corporation Intracavity generation of coherent optical radiation of optical mixing
US4884276A (en) * 1987-11-25 1989-11-28 Amoco Corporation Optical feedback control in the frequency conversion of laser diode radiation
GB2215906B (en) * 1988-02-10 1992-09-16 Mitsubishi Electric Corp Laser device
US4933947A (en) * 1988-02-18 1990-06-12 Amoco Corporation Frequency conversion of optical radiation
US4951294A (en) * 1988-04-22 1990-08-21 The Board Of Trustees Of Leland Stanford, Jr. University Diode pumped modelocked solid state laser
US4949358A (en) * 1988-04-25 1990-08-14 Coherent, Inc. Ring laser with improved beam quality
JP2614753B2 (ja) * 1988-09-13 1997-05-28 富士写真フイルム株式会社 レーザーダイオードポンピング固体レーザー
US5059764A (en) * 1988-10-31 1991-10-22 Spectra-Physics, Inc. Diode-pumped, solid state laser-based workstation for precision materials processing and machining
US5042086A (en) * 1988-11-16 1991-08-20 Dylor Corporation Method and means for transmitting large dynamic analog signals in optical fiber systems
US5029335A (en) * 1989-02-21 1991-07-02 Amoco Corporation Heat dissipating device for laser diodes
US4955034A (en) * 1989-03-01 1990-09-04 Electro-Optics Technology, Inc. Planar solid state laser resonator
US5031182A (en) * 1989-05-18 1991-07-09 Amoco Corporation Single-frequency laser of improved amplitude stability
DE3917902A1 (de) * 1989-06-01 1990-12-13 Adlas Gmbh & Co Kg Frequenzverdoppelter laser
US5175741A (en) * 1989-06-07 1992-12-29 Fuji Photo Film Co., Ltd. Optical wavelength conversion method and laser-diode-pumped solid-state laser
US4907238A (en) * 1989-06-26 1990-03-06 United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Apparatus for the efficient wavelength conversion of laser radiation
US5022034A (en) * 1989-06-27 1991-06-04 May A D Laser device, including control of polarization mode
US5057664A (en) * 1989-10-20 1991-10-15 Electro Scientific Industries, Inc. Method and apparatus for laser processing a target material to provide a uniformly smooth, continuous trim profile
US5022033A (en) * 1989-10-30 1991-06-04 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Ring laser having an output at a single frequency
US5073838A (en) * 1989-12-04 1991-12-17 Ncr Corporation Method and apparatus for preventing damage to a temperature-sensitive semiconductor device
US4993801A (en) * 1989-12-27 1991-02-19 Eastman Kodak Company Optical head
US5052815A (en) * 1990-04-13 1991-10-01 Coherent, Inc. Single frequency ring laser with two reflecting surfaces
US5063566A (en) * 1990-04-30 1991-11-05 Amoco Corporation Internally-doubled, composite-cavity microlaser
JPH0429383A (ja) * 1990-05-25 1992-01-31 Hitachi Ltd 光変調可能な高調波光源及びそれを用いた光情報処理装置
US5854870A (en) * 1990-05-25 1998-12-29 Hitachi, Ltd. Short-wavelength laser light source
US5062117A (en) * 1990-07-11 1991-10-29 Amoco Corporation Tailored laser system
DE4032323A1 (de) * 1990-10-11 1992-04-16 Adlas Gmbh & Co Kg Einzelmode-laser
JPH04255280A (ja) * 1991-02-07 1992-09-10 Nippon Steel Corp 半導体レーザ励起固体レーザ装置
US5131002A (en) * 1991-02-12 1992-07-14 Massachusetts Institute Of Technology External cavity semiconductor laser system
US5164947A (en) * 1991-02-28 1992-11-17 Amoco Corporation Single-frequency, frequency doubled laser
JP3013121B2 (ja) * 1991-05-10 2000-02-28 富士写真フイルム株式会社 光波長変換装置
JPH04345078A (ja) * 1991-05-22 1992-12-01 Sony Corp レーザ光発生装置
DE4123858C1 (en) * 1991-07-18 1992-12-03 Messerschmitt-Boelkow-Blohm Gmbh, 8012 Ottobrunn, De Semiconductor laser array stabilising arrangement - provides fibre-shaped reflectors so that radiation characteristic extends as ray along X=axis
DE4125484C2 (de) * 1991-08-01 1999-03-18 Daimler Benz Aerospace Ag Anordnung zur Messung von Brechungsindexveränderungen eines Mediums mittels Laserstrahlen
GB2259603B (en) * 1991-09-06 1995-07-19 Mitsubishi Electric Corp Diode pumped solid-state laser
GB2260872B (en) * 1991-09-20 1995-10-25 Sharp Kk An optical transmission system
US5197076A (en) * 1991-11-15 1993-03-23 Davis James G Temperature stabilizable laser apparatus
JPH05218556A (ja) * 1992-02-04 1993-08-27 Fuji Photo Film Co Ltd 固体レーザー
AU659270B2 (en) * 1992-02-20 1995-05-11 Sony Corporation Laser light beam generating apparatus
US5210650A (en) * 1992-03-31 1993-05-11 Eastman Kodak Company Compact, passively athermalized optical assembly
US5265114C1 (en) * 1992-09-10 2001-08-21 Electro Scient Ind Inc System and method for selectively laser processing a target structure of one or more materials of a multimaterial multilayer device
US5270870A (en) * 1992-12-23 1993-12-14 Eastman Kodak Company Athermalized beam source and collimator lens assembly
US5317875A (en) * 1992-12-23 1994-06-07 Eastman Kodak Company Thermally-controlled rotary displacement actuator operable for precise displacement of an optical or mechanical element
US5270869A (en) * 1992-12-23 1993-12-14 Eastman Kodak Company Passively athermalized optical assembly incorporating laminate fiber compensation ring
US5313333A (en) * 1992-12-23 1994-05-17 Estman Kodak Company Method and apparatus for combined active and passive athermalization of an optical assembly
US5315603A (en) * 1993-01-11 1994-05-24 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Backscatter absorption for laser diodes
US5506860A (en) * 1993-11-18 1996-04-09 Fuji Photo Film Co., Ltd. Etalon and single-longitudinal-mode laser using the same
US6287298B1 (en) 1994-02-04 2001-09-11 Spectra-Physics Lasers, Inc. Diode pumped, multi axial mode intracavity doubled laser
US6241720B1 (en) * 1995-02-04 2001-06-05 Spectra Physics, Inc. Diode pumped, multi axial mode intracavity doubled laser
US5446749A (en) * 1994-02-04 1995-08-29 Spectra-Physics Lasers Inc. Diode pumped, multi axial mode, intracavity doubled laser
US5410559A (en) * 1994-02-04 1995-04-25 Spectra-Physics Lasers, Inc. Diode pumped laser with strong thermal lens crystal
US5638388A (en) * 1995-02-04 1997-06-10 Spectra-Physics Lasers, Inc. Diode pumped, multi axial mode intracavity doubled laser
US5577060A (en) * 1994-02-04 1996-11-19 Spectra Physics Lasers, Inc. Diode pumped laser using crystals with strong thermal focussing
US5450429A (en) * 1994-06-02 1995-09-12 Spectra-Physics Laserplane, Inc. Efficient linear frequency doubled solid-state laser
US5440574A (en) * 1994-06-02 1995-08-08 Spectra-Physics Laserplane, Inc. Solid-state laser
US5420876A (en) * 1994-06-02 1995-05-30 Spectra-Physics Laserplane, Inc. Gadolinium vanadate laser
US5479431A (en) * 1994-06-02 1995-12-26 Spectra-Physics Laserplane, Inc. Solid-state laser with active etalon and method therefor
US5511085A (en) * 1994-09-02 1996-04-23 Light Solutions Corporation Passively stabilized intracavity doubling laser
US5685995A (en) * 1994-11-22 1997-11-11 Electro Scientific Industries, Inc. Method for laser functional trimming of films and devices
US5590147A (en) * 1994-12-19 1996-12-31 The Morgan Curcible Company Plc Side-pumped lasers
US5550853A (en) * 1994-12-21 1996-08-27 Laser Physics, Inc. Integral laser head and power supply
US6931037B2 (en) 1995-05-19 2005-08-16 Spectra Physics Lasers, Inc. Diode pumped, multi axial mode intracavity doubled laser
EP0743726B1 (en) * 1995-05-19 1999-09-01 Kabushiki Kaisha Topcon Laser oscillating apparatus
US5982789A (en) * 1995-11-22 1999-11-09 Light Solutions Corporation Pulsed laser with passive stabilization
US5822345A (en) * 1996-07-08 1998-10-13 Presstek, Inc. Diode-pumped laser system and method
JP3600249B2 (ja) 1996-11-29 2004-12-15 コーポレイション フォー レーザー オプティクス リサーチ 単色ｒ、ｇ、ｂレーザ光源ディスプレイ装置及び方法
US6282013B1 (en) 1997-04-30 2001-08-28 Lasermed, Inc. System for curing polymeric materials, such as those used in dentistry, and for tailoring the post-cure properties of polymeric materials through the use of light source power modulation
US6008264A (en) 1997-04-30 1999-12-28 Laser Med, Inc. Method for curing polymeric materials, such as those used in dentistry, and for tailoring the post-cure properties of polymeric materials through the use of light source power modulation
US5940419A (en) * 1997-06-13 1999-08-17 Xie; Ping Frequency doubling solid-state laser including lasant material and nonlinear optical material
AU1198199A (en) 1997-10-29 1999-05-17 Bisco, Inc. Dental composite light curing system
US6116900A (en) * 1997-11-17 2000-09-12 Lumachem, Inc. Binary energizer and peroxide delivery system for dental bleaching
US6200134B1 (en) 1998-01-20 2001-03-13 Kerr Corporation Apparatus and method for curing materials with radiation
JPH11312832A (ja) 1998-04-28 1999-11-09 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体レーザ励起固体レーザ
US6141143A (en) * 1998-05-01 2000-10-31 Light Solutions Corporation CW laser amplifier
US6222869B1 (en) * 1998-06-03 2001-04-24 Iridex Corporation Aspheric lensing control for high power butt-coupled end-pumped laser
US5991318A (en) † 1998-10-26 1999-11-23 Coherent, Inc. Intracavity frequency-converted optically-pumped semiconductor laser
US6285702B1 (en) * 1999-03-05 2001-09-04 Coherent, Inc. High-power external-cavity optically-pumped semiconductor laser
US6157661A (en) * 1999-05-12 2000-12-05 Laserphysics, Inc. System for producing a pulsed, varied and modulated laser output
US6320889B1 (en) 1999-08-17 2001-11-20 Jds Uniphase Corporation Solid state laser including a single mode gain swept configuration
US7016389B2 (en) * 2003-01-24 2006-03-21 Spectra Physics, Inc. Diode pumped laser with intracavity harmonics
US20050190809A1 (en) * 2004-01-07 2005-09-01 Spectra-Physics, Inc. Ultraviolet, narrow linewidth laser system
US20070280305A1 (en) * 2006-06-05 2007-12-06 Oved Zucker Q-switched cavity dumped laser array
US8315283B2 (en) * 2008-07-23 2012-11-20 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Wavelength selectable laser systems and related methods
US9066777B2 (en) 2009-04-02 2015-06-30 Kerr Corporation Curing light device
US9072572B2 (en) 2009-04-02 2015-07-07 Kerr Corporation Dental light device
US8559471B2 (en) * 2009-11-23 2013-10-15 Guilin Mao High-power diode end-pumped solid-state UV laser
US11881676B2 (en) * 2019-01-31 2024-01-23 L3Harris Technologies, Inc. End-pumped Q-switched laser

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5045595A (ja) * 1973-08-27 1975-04-23
JPS5852888A (ja) * 1981-09-24 1983-03-29 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 固体レ−ザ光源装置
JPS59151482A (ja) * 1983-02-18 1984-08-29 Agency Of Ind Science & Technol Ｑスイツチレ−ザ発振器

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3628173A (en) * 1969-04-28 1971-12-14 Bell Telephone Labor Inc Laser mode selection and stabilization apparatus employing a birefringement etalon
US3735280A (en) * 1971-08-11 1973-05-22 Bell Telephone Labor Inc White-light laser using dye coupling
DE2216747C3 (de) * 1972-04-07 1975-12-04 Eltro Gmbh, Gesellschaft Fuer Strahlungstechnik, 6900 Heidelberg Optischer Verstärker
US3982201A (en) * 1975-01-24 1976-09-21 The Perkin-Elmer Corporation CW solid state laser
US4310808A (en) * 1976-12-20 1982-01-12 Quanta-Ray, Inc. High power laser employing an unstable resonator
US4272733A (en) * 1978-10-20 1981-06-09 Allied Chemical Corporation Broadly tunable chromium-doped beryllium aluminate lasers and operation thereof
US4360925A (en) * 1980-02-25 1982-11-23 Quanta Ray, Inc. Laser employing an unstable resonator having an output transmissive mirror
JPS5758378A (en) * 1980-09-26 1982-04-08 Fujitsu Ltd Semiconductor light emitting device
US4455657A (en) * 1980-10-23 1984-06-19 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Stable single axial mode Q switched laser oscillator with injection locking
JPS5918878B2 (ja) * 1981-09-24 1984-05-01 日本電信電話株式会社 光送信装置
US4553238A (en) * 1983-09-30 1985-11-12 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford University Fiber optic amplifier
US4653056A (en) * 1985-05-01 1987-03-24 Spectra-Physics, Inc. Nd-YAG laser

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5045595A (ja) * 1973-08-27 1975-04-23
JPS5852888A (ja) * 1981-09-24 1983-03-29 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 固体レ−ザ光源装置
JPS59151482A (ja) * 1983-02-18 1984-08-29 Agency Of Ind Science & Technol Ｑスイツチレ−ザ発振器

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5671240A (en) * 1984-11-18 1997-09-23 Fuji Photo Film Co., Ltd. Solid state laser
JPH01128484A (ja) * 1987-11-12 1989-05-22 Asukaru:Kk 高効率第二高調波発生レーザ発振器
JPH01220879A (ja) * 1988-02-29 1989-09-04 Sony Corp レーザ光源
JPH01270369A (ja) * 1988-04-22 1989-10-27 Mitsubishi Electric Corp レーザ装置
JPH01282488A (ja) * 1988-05-10 1989-11-14 Asahi Glass Co Ltd 光ファイバセンサ
JPH02122582A (ja) * 1988-09-09 1990-05-10 Spectra Physics Inc 低コスト低パワー可視光線固体レーザ
US5121404A (en) * 1988-11-16 1992-06-09 Hamamatsu Photonics K.K. Optically pumped solid laser
JPH02161786A (ja) * 1988-12-15 1990-06-21 Hamamatsu Photonics Kk 半導体レーザ励起固定レーザ装置
JPH02229481A (ja) * 1989-03-02 1990-09-12 Nippon Steel Corp 半導体レーザ励起固体レーザ
US5197072A (en) * 1990-06-13 1993-03-23 Fuji Photo Film Co., Ltd. Optical wavelength converting device, and laser diode pumped solid laser
JPH0467131A (ja) * 1990-07-09 1992-03-03 Tech Res & Dev Inst Of Japan Def Agency ＬｉＢ↓３Ｏ↓５赤外光パラメトリック発振器
JPH0436267U (ja) * 1990-07-24 1992-03-26
JPH0497375U (ja) * 1990-10-19 1992-08-24
US5187714A (en) * 1990-10-19 1993-02-16 Fuji Photo Film Co., Ltd. Laser-diode-pumped solid-state laser
US5287381A (en) * 1991-03-12 1994-02-15 Fuji Photo Film Co., Ltd. Laser-diode-pumped solid-state laser
US5315613A (en) * 1992-06-10 1994-05-24 Fuji Photo Film Co., Ltd. Laser diode pumped solid laser
US5333145A (en) * 1992-08-20 1994-07-26 Fuji Photo Film Co., Ltd. Solid laser
US5502738A (en) * 1992-10-16 1996-03-26 Fuji Photo Film Co., Ltd. Polarization control element and solid-state laser system
US5418808A (en) * 1992-11-06 1995-05-23 Fuji Photo Film Co., Ltd. Solid state laser
US5497388A (en) * 1993-03-25 1996-03-05 Fuji Photo Film Co., Ltd. Laser diode pumped solid laser
US5892614A (en) * 1996-03-22 1999-04-06 Nec Corporation Optical parametric oscillator including a saturable absorber having a saturable absorption characteristic
US6058126A (en) * 1997-07-02 2000-05-02 Fuji Photo Film Co., Ltd. Laser-diode-pumped solid state laser and radiation image read-out system
US6047009A (en) * 1997-09-26 2000-04-04 Fuji Photo Film Co., Ltd. Wavelength conversion laser
US6289029B1 (en) 1997-09-26 2001-09-11 Fuji Photo Film Co., Ltd. Solid state laser
WO2011086885A1 (ja) * 2010-01-12 2011-07-21 パナソニック株式会社 レーザ光源、波長変換レーザ光源及び画像表示装置
US8547621B2 (en) 2010-01-12 2013-10-01 Panasonic Corporation Laser light source, wavelength conversion laser light source and image display device
JP5529170B2 (ja) * 2010-01-12 2014-06-25 パナソニック株式会社 レーザ光源、波長変換レーザ光源及び画像表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
GB2184596A (en) 1987-06-24
FR2592238A1 (fr) 1987-06-26
GB8922797D0 (en) 1989-11-22
GB2222907A (en) 1990-03-21
JP2614440B2 (ja) 1997-05-28
US4656635A (en) 1987-04-07
FR2592238B1 (ja) 1995-03-31
GB2222907B (en) 1990-08-22
GB8630397D0 (en) 1987-01-28
GB2184596B (en) 1990-07-11
DE3643648A1 (de) 1987-07-16
DE3643648C2 (de) 1997-03-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS62189783A (ja) レ−ザ−ダイオ−ドポンピング固体レ−ザ−
US4701929A (en) Laser diode pumped solid state laser
US4872177A (en) Laser diode pumped solid state laser
US4756003A (en) Laser diode pumped solid state laser
US4653056A (en) Nd-YAG laser
US5063566A (en) Internally-doubled, composite-cavity microlaser
US4951294A (en) Diode pumped modelocked solid state laser
CN210201151U (zh) 一种全固态绿光激光器
CN103618205A (zh) 一种全固态单纵模黄光激光器
WO2011115604A1 (en) Tunable solid state laser system
US5031182A (en) Single-frequency laser of improved amplitude stability
EP0422834A2 (en) Simultaneous generation of laser radiation at two different frequencies
US5121402A (en) Multiple element ring laser
Dixon et al. Properties of close-coupled, monolithic, lithium neodymium tetraphosphate lasers
Pinto et al. Frequency tripling of a Q-switched Cr: LiSAF laser to the UV region
US8315283B2 (en) Wavelength selectable laser systems and related methods
US5097477A (en) Laser diode pumped multiple rod ring laser allowing combination of multiple pump sources
CN111541141A (zh) 一种用于KrF准分子激光器基于翠绿宝石晶体的248nm单频全固态深紫外种子激光器
WO1994029937A2 (en) Blue microlaser
JP2000252560A (ja) Ｌｄ励起固体レーザ装置
CN116722429B (zh) 一种高光束质量的长脉宽绿光激光器
JP2001185795A (ja) 紫外レーザー装置
CN103618206A (zh) 一种全固态单纵模黄光激光器
CN113675707B (zh) 一种全固态绿光激光器
CN216598385U (zh) 一种中红外序列脉冲激光器

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term