JPH01220879A - レーザ光源 - Google Patents
レーザ光源Info
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- JPH01220879A JPH01220879A JP63046594A JP4659488A JPH01220879A JP H01220879 A JPH01220879 A JP H01220879A JP 63046594 A JP63046594 A JP 63046594A JP 4659488 A JP4659488 A JP 4659488A JP H01220879 A JPH01220879 A JP H01220879A
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/0627—Construction or shape of active medium the resonator being monolithic, e.g. microlaser
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
以下の順序で本発明を説明する。
A産業上の利用分野
B発明の概要
C従来の技術
り発明が解決しようとする問題点
E問題点を解決するための手段(第1図、第2図、第7
図) F作用(第1図、第7図) G実施例 (G1)第1の実施例(第1図、第2図)(G2)実験
結果(第3図〜第6図) (G3)理論的検討(第8図〜第1θ図)(G4)第2
の実施例(第7図) (G5)他の実施例 H発明の効果 A産業上の利用分野 本発明はレーザ光源に関し、特に安定性良く基本波レー
ザ光から第2高調波レーザ光を発生させるようにしたも
のである。
図) F作用(第1図、第7図) G実施例 (G1)第1の実施例(第1図、第2図)(G2)実験
結果(第3図〜第6図) (G3)理論的検討(第8図〜第1θ図)(G4)第2
の実施例(第7図) (G5)他の実施例 H発明の効果 A産業上の利用分野 本発明はレーザ光源に関し、特に安定性良く基本波レー
ザ光から第2高調波レーザ光を発生させるようにしたも
のである。
B発明の概要
本発明は、非線形光学結晶素子によって第2高調波レー
ザ光を発生するようになされたレーザ光源において、基
本波レーザ光の共振光路に複屈折性素子を挿入すること
により、出力レーザ光として射出する第2高調波レーザ
光を安定化させることができる。
ザ光を発生するようになされたレーザ光源において、基
本波レーザ光の共振光路に複屈折性素子を挿入すること
により、出力レーザ光として射出する第2高調波レーザ
光を安定化させることができる。
C従来の技術
従来、レーザ光源の共振器内に発生する基本波レーザ光
に対して2倍の周波数を有する第2高調波レーザ光を発
生させることにより、短波長のレーザ光を射出し得るよ
うにしたレーザ光源が提案されている(実開昭48−9
37845号公報)。
に対して2倍の周波数を有する第2高調波レーザ光を発
生させることにより、短波長のレーザ光を射出し得るよ
うにしたレーザ光源が提案されている(実開昭48−9
37845号公報)。
この種のレーザ光源は、レーザ媒質を含む共振器内部の
非線形光学結晶中において、基本波レーザ光に対して第
2高調波レーザ光を位相整合させ ゛ることにより、効
率良く第2高調波レーザ光を取り出すことができる。
非線形光学結晶中において、基本波レーザ光に対して第
2高調波レーザ光を位相整合させ ゛ることにより、効
率良く第2高調波レーザ光を取り出すことができる。
位相整合を実現する方法としては、基本波レーザ光及び
第2高調波レーザ光間にタイプ■又はタイプ■の位相整
合条件を成り立たせるようにする。
第2高調波レーザ光間にタイプ■又はタイプ■の位相整
合条件を成り立たせるようにする。
タイプIの位相整合は、次式、
net!wl = (no(w) +rlo1wl)
・・・・・・(1)のように、基本波レーザ光の常
光線を利用して、同一方向に偏光した2つの光子から周
波数が2倍の1つの光子を作るような現象を生じさせる
ことを原理とするもので、基本波レーザ光の偏光方向を
、例えば偏光型ビームスプリッタ等の偏光素子を用いて
非線形光学結晶素子の方向に合わせるように偏光させて
入射させるようにすれば、原理上非線形光学結晶素子か
ら射出した基本波レーザ光の偏波成分(p波成分及びS
波成分) (これを固有偏光と呼ぶ)の位相変化を生じ
させないようにでき、かくして共振器内部において共振
動作する基本波レーザ光によって第2高調波レーザ光の
発生動作を安定に継続させることができる。
・・・・・・(1)のように、基本波レーザ光の常
光線を利用して、同一方向に偏光した2つの光子から周
波数が2倍の1つの光子を作るような現象を生じさせる
ことを原理とするもので、基本波レーザ光の偏光方向を
、例えば偏光型ビームスプリッタ等の偏光素子を用いて
非線形光学結晶素子の方向に合わせるように偏光させて
入射させるようにすれば、原理上非線形光学結晶素子か
ら射出した基本波レーザ光の偏波成分(p波成分及びS
波成分) (これを固有偏光と呼ぶ)の位相変化を生じ
させないようにでき、かくして共振器内部において共振
動作する基本波レーザ光によって第2高調波レーザ光の
発生動作を安定に継続させることができる。
これに対してタイプ■の位相整合は、互いに直交する2
つの基本波固有偏光を非線形光学結晶素子に入射するこ
とにより、2つの固有偏光についてそれぞれ位相整合条
件を成り立たせるようにするもので、次式 %式%(2) のように、基本波レーザ光は非線形光学結晶素子の内部
において常光線及び異常光線に分かれて第2高調波レー
ザ光の異常光線に対して位相整合を生じる。
つの基本波固有偏光を非線形光学結晶素子に入射するこ
とにより、2つの固有偏光についてそれぞれ位相整合条
件を成り立たせるようにするもので、次式 %式%(2) のように、基本波レーザ光は非線形光学結晶素子の内部
において常光線及び異常光線に分かれて第2高調波レー
ザ光の異常光線に対して位相整合を生じる。
なお(1)式及び(2)式において、 n o (w)
及びn 、(w)は、 基本波レーザ光(周波数f=w
)における常光線及び異常光線に対する屈折率、n6
(tw)及びn、(□、は第2高調波レーザ光(周波数
f = 2w)における常光線及び異常光線に対する屈
折率である。
及びn 、(w)は、 基本波レーザ光(周波数f=w
)における常光線及び異常光線に対する屈折率、n6
(tw)及びn、(□、は第2高調波レーザ光(周波数
f = 2w)における常光線及び異常光線に対する屈
折率である。
D発明が解決しようとする問題点
ところが、タイプ■の位相整合条件を用いて第2高調波
レーザ光を発生させようとする場合、基本波レーザ光が
非線形光学結晶素子を繰り返し通るごとに基本波レーザ
光の固有偏光の位相が変化するため、第2高調波レーザ
光の発生を安定に継続し得なくなるおそれがある。
レーザ光を発生させようとする場合、基本波レーザ光が
非線形光学結晶素子を繰り返し通るごとに基本波レーザ
光の固有偏光の位相が変化するため、第2高調波レーザ
光の発生を安定に継続し得なくなるおそれがある。
すなわちレーザ媒質において発生された基本波レーザ光
が共振動作によって非線形光学結晶素子を繰り返し通過
するごとに、直交する固有偏光(すなわちp波成分及び
S波成分)の位相がそれぞれずれて行けば、共振器の各
部において基本波レーザ光が効率良く互いに強め合うよ
うな定常状態が得られなくなることにより強い共振状態
(すなわち強い定在波)を形成できな(なり、結局基本
波レーザ光の第2高調波レーザ光への変換効率が劣化す
ると共に、第2高調波レーザ光にノイズを生じさせるお
それがある。
が共振動作によって非線形光学結晶素子を繰り返し通過
するごとに、直交する固有偏光(すなわちp波成分及び
S波成分)の位相がそれぞれずれて行けば、共振器の各
部において基本波レーザ光が効率良く互いに強め合うよ
うな定常状態が得られなくなることにより強い共振状態
(すなわち強い定在波)を形成できな(なり、結局基本
波レーザ光の第2高調波レーザ光への変換効率が劣化す
ると共に、第2高調波レーザ光にノイズを生じさせるお
それがある。
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、タイプ■
の位相整合条件を満足する状態において、共振器内部に
おいて基本波レーザ光が安定に共振動作をし得るように
したレーザ光源を得ようとするものである。
の位相整合条件を満足する状態において、共振器内部に
おいて基本波レーザ光が安定に共振動作をし得るように
したレーザ光源を得ようとするものである。
E問題点を解決するための手段
かかる問題点を解決するため第1の発明においては、レ
ーザ媒質2において発生した基本波レーザ光L A (
w)を共振器CAM内部に設けられた非線形光学結晶素
子6を通過するように共振動作させることにより、第2
高調波レーザ光L A (!、lを発生させるレーザ光
源において、共振光路9に複屈折性素子7を挿入して基
本波レーザ光L A t、;+の偏光面を回転させなが
ら共振器を往復させることにより、互いに直交する2つ
の固有偏光を基本波モードとなし、さらに複屈折性素子
7の方位角θ及び位相量Δを基本波レーザ光L A (
wl の2つの固有偏光間に第2高調波発生を通じてエ
ネルギーの授受を生じさせないような値に選定するよう
にする。
ーザ媒質2において発生した基本波レーザ光L A (
w)を共振器CAM内部に設けられた非線形光学結晶素
子6を通過するように共振動作させることにより、第2
高調波レーザ光L A (!、lを発生させるレーザ光
源において、共振光路9に複屈折性素子7を挿入して基
本波レーザ光L A t、;+の偏光面を回転させなが
ら共振器を往復させることにより、互いに直交する2つ
の固有偏光を基本波モードとなし、さらに複屈折性素子
7の方位角θ及び位相量Δを基本波レーザ光L A (
wl の2つの固有偏光間に第2高調波発生を通じてエ
ネルギーの授受を生じさせないような値に選定するよう
にする。
これに加えて第2の発明においては、レーザ媒質2、非
線形光学結晶素子6及び複屈折性素子7を密接させて順
次重ね合わせるように一体に構成する。
線形光学結晶素子6及び複屈折性素子7を密接させて順
次重ね合わせるように一体に構成する。
F作用
第1の発明においては、 複屈折性素子7を挿入して固
有偏光間の第2高調波発生を通じてエネルギーの授受を
生じさせないようにしたことにより、共振光路9を共振
動作する基本波レーザ光LA(w)、従って第2高調波
レーザ光L A (twlを安定化することができる。
有偏光間の第2高調波発生を通じてエネルギーの授受を
生じさせないようにしたことにより、共振光路9を共振
動作する基本波レーザ光LA(w)、従って第2高調波
レーザ光L A (twlを安定化することができる。
か(するにつき、第2の発明によれば、レーザ媒質2、
非線形光学結晶素子6、複屈折性素子7を密接させるよ
うに一体に構成したことにより、レーザ光源を全体とし
て小型化し得ると共に、−段と変換効率が高いレーザ光
源を得ることができる。
非線形光学結晶素子6、複屈折性素子7を密接させるよ
うに一体に構成したことにより、レーザ光源を全体とし
て小型化し得ると共に、−段と変換効率が高いレーザ光
源を得ることができる。
G実施例
以下図面について、本発明の一実施例を詳述する。
(G1)第1の実施例
第1図において、1は全体としてレーザ光源を示し、例
えば固体レーザとしてNd : YAGを用いたレーザ
媒質2を有し、その入射面2Aに対して、励起用半導体
レーザ3から射出された励起用レーザ光LAIがコリメ
ータ4、対物レンズ5を通って入射されることにより、
基本波レーザ光LA+w> を発生する。
えば固体レーザとしてNd : YAGを用いたレーザ
媒質2を有し、その入射面2Aに対して、励起用半導体
レーザ3から射出された励起用レーザ光LAIがコリメ
ータ4、対物レンズ5を通って入射されることにより、
基本波レーザ光LA+w> を発生する。
この基本波レーザ光L A <w> は、例えばKTP
(KTiOPO4)でなる非線形光学結晶素子6、例え
ば水晶板によって構成された1/4波長板でなる複屈折
性素子7を順次通って出力ミラー8の入射面8Aにおい
て反射され、再度複屈折性素子7、非線形光学結晶素子
6、レーザ媒質2を順次通って当該レーザ媒質2の入射
面2Aにおいて反射される。
(KTiOPO4)でなる非線形光学結晶素子6、例え
ば水晶板によって構成された1/4波長板でなる複屈折
性素子7を順次通って出力ミラー8の入射面8Aにおい
て反射され、再度複屈折性素子7、非線形光学結晶素子
6、レーザ媒質2を順次通って当該レーザ媒質2の入射
面2Aにおいて反射される。
かくして基本波レーザ光L A (w)はレーザ媒質2
の入射面2A及び出力ミラー8の入射面8A間に形成さ
れた共振光路9を往復するように共振動作し、これによ
り入射面2A及び8A間に共振器CAVを構成する。
の入射面2A及び出力ミラー8の入射面8A間に形成さ
れた共振光路9を往復するように共振動作し、これによ
り入射面2A及び8A間に共振器CAVを構成する。
ここで複屈折性素子7は、光の伝播方向に垂直な面内に
おいて、第2図に示すように、異常光方向屈折率n*(
?)の方向が、非線形光学結晶素子6の異常光方向屈折
率n a <h>の方向に対して方位角θ=45°だけ
傾くような光軸位置に設定される。
おいて、第2図に示すように、異常光方向屈折率n*(
?)の方向が、非線形光学結晶素子6の異常光方向屈折
率n a <h>の方向に対して方位角θ=45°だけ
傾くような光軸位置に設定される。
以上の構成において、基本波レーザ光L A (w)は
共゛振売路9を通って非線形光学結晶素子6を通過する
際に第2高調波レーザ光L A (1w)を発生させ、
この第2高調波レーザ光L A law)が出力ミラー
8を通ってその射出面8Bからフィルタ10を介して出
力レーザ光LAoutとして送出される。
共゛振売路9を通って非線形光学結晶素子6を通過する
際に第2高調波レーザ光L A (1w)を発生させ、
この第2高調波レーザ光L A law)が出力ミラー
8を通ってその射出面8Bからフィルタ10を介して出
力レーザ光LAoutとして送出される。
この状態において基本波レーザ光L A (w)を形成
する各光線は、非線形光学結晶素子6に対して方位角θ
=45°だけ傾いた方位に設定された複屈折性素子7を
通ることにより、共振器CAVの各部におけるレーザ光
のパワーは所定のレベルに安走化される。
する各光線は、非線形光学結晶素子6に対して方位角θ
=45°だけ傾いた方位に設定された複屈折性素子7を
通ることにより、共振器CAVの各部におけるレーザ光
のパワーは所定のレベルに安走化される。
(G2)実験結果
第1図について上述した第1の実施例についての実験結
果は次の通りである。
果は次の通りである。
すなわち、 励起用半導体レーザ3によってNd:YA
Gでなるレーザ媒質2を励起するようになされた共振器
CAV内に、 KTP (KTiOPO4)でなる非線
形光学結晶素子6及び共振器CAM17)基本波レーザ
光LA+、、、 (波長1.06Cμm))の波長に対
して1/4波長板でなる複屈折性素子7を挿入した。
Gでなるレーザ媒質2を励起するようになされた共振器
CAV内に、 KTP (KTiOPO4)でなる非線
形光学結晶素子6及び共振器CAM17)基本波レーザ
光LA+、、、 (波長1.06Cμm))の波長に対
して1/4波長板でなる複屈折性素子7を挿入した。
この構成において複屈折性素子7を方位角θ(第2図)
をθ=O°の第1の状態(すなわち複屈折性素子7の異
常光方向の光学軸を非線形光学結晶素子6の異常光方向
の光学軸と一致させた状態)と、方位角θをθ=45”
に回転させた第2の状態とにおいて、それぞれ基本波レ
ーザ光L A tw>の異常光成分E、藺及び常光成分
E、、−1並びに第2高調波レーザ光L A (!wl
をそれぞれフォトディテクタで検出した。
をθ=O°の第1の状態(すなわち複屈折性素子7の異
常光方向の光学軸を非線形光学結晶素子6の異常光方向
の光学軸と一致させた状態)と、方位角θをθ=45”
に回転させた第2の状態とにおいて、それぞれ基本波レ
ーザ光L A tw>の異常光成分E、藺及び常光成分
E、、−1並びに第2高調波レーザ光L A (!wl
をそれぞれフォトディテクタで検出した。
その結果θ=θ″の第1の状態における基本波レーザ光
L A (w)の異常光成分Ea(w)及び常光成分E
6(wlはそれぞれ第3図(A)及び(B)に示すよう
に、時間tの経過に従って不安定な変化を示した。
L A (w)の異常光成分Ea(w)及び常光成分E
6(wlはそれぞれ第3図(A)及び(B)に示すよう
に、時間tの経過に従って不安定な変化を示した。
ここでその変化の仕方は、異常光成分E、(1及び常光
成分Eo1w)が、互いにモード競合を起こしていると
考えられるような相関性をもっていることが分かった。
成分Eo1w)が、互いにモード競合を起こしていると
考えられるような相関性をもっていることが分かった。
このように、 パワーレベルが時間の経過に従って不安
定に変動する基本波レーザ光L A (w)によって発
生した第2高調波レーザ光LA(tw)の出力P、1.
は第3図(C)に示すように、高い周波数成分から低い
周波数成分までに亘ってパワーレベルが大きく変動する
ような不安定な変動を呈することが分かった。
定に変動する基本波レーザ光L A (w)によって発
生した第2高調波レーザ光LA(tw)の出力P、1.
は第3図(C)に示すように、高い周波数成分から低い
周波数成分までに亘ってパワーレベルが大きく変動する
ような不安定な変動を呈することが分かった。
これに対して複屈折性素子7の方位角θをθ=45@に
設定した第2の状態にすると、 基本波レーザ光LA、
w)の異常光成分Ea(ユ及び常光成分Eo(w)は第
4図(A)及び(B)に示すように、それぞれ時間tの
経過に従ってほぼ一定値を呈するように安定化し、この
安定化された基本波レーザ光L A (w)によって生
じた第2高調波レーザ光L A zzw+の出力P(t
@)は第4図(C)に示すようにほぼ一定値に安定化す
ることが分かった。
設定した第2の状態にすると、 基本波レーザ光LA、
w)の異常光成分Ea(ユ及び常光成分Eo(w)は第
4図(A)及び(B)に示すように、それぞれ時間tの
経過に従ってほぼ一定値を呈するように安定化し、この
安定化された基本波レーザ光L A (w)によって生
じた第2高調波レーザ光L A zzw+の出力P(t
@)は第4図(C)に示すようにほぼ一定値に安定化す
ることが分かった。
ここで共振光路9を通って共振動作する基本波レーザ光
1. A (w)は偏光素子等により直線偏光されてい
ないので、当該基本波レーザ光L A <wl は互い
に直交する2つの固有偏光を基本波モードとなし、さら
にその2モ一ド間での位相関係に相関のないランダム偏
光になる。
1. A (w)は偏光素子等により直線偏光されてい
ないので、当該基本波レーザ光L A <wl は互い
に直交する2つの固有偏光を基本波モードとなし、さら
にその2モ一ド間での位相関係に相関のないランダム偏
光になる。
このような基本波レーザ光L A (w)によって第2
高調波レーザ光1. A (gw)を非線形光学結晶素
子6内に発生させると、一般にその出力P law)は
Plzsm) CCd !・Pa(w)・Po(w)
・・・・・・(3)のように、 非線形結晶内の基本
波レーザ光L A (wl の異常光成分の出力Ps1
w)と常光成分の出力Po(w)との積に比例するよう
な値Gトなる。ここでdlは比例定数である。
高調波レーザ光1. A (gw)を非線形光学結晶素
子6内に発生させると、一般にその出力P law)は
Plzsm) CCd !・Pa(w)・Po(w)
・・・・・・(3)のように、 非線形結晶内の基本
波レーザ光L A (wl の異常光成分の出力Ps1
w)と常光成分の出力Po(w)との積に比例するよう
な値Gトなる。ここでdlは比例定数である。
ところが(3)式のように出力P(*w+が異常光成分
の出力Pa(w)及び常光成分の出力P6−の積で表さ
れるようなときには、2つの固有偏光(すなわち異常光
成分でなる偏光及び常光成分でなる偏光)間にカップリ
ングが生じ、2つの偏光間にエネルギーのやりとりが生
ずる。
の出力Pa(w)及び常光成分の出力P6−の積で表さ
れるようなときには、2つの固有偏光(すなわち異常光
成分でなる偏光及び常光成分でなる偏光)間にカップリ
ングが生じ、2つの偏光間にエネルギーのやりとりが生
ずる。
このように非線形光学結晶素子6内において2つの偏光
すなわち異常光成分及び常光成分間にエネルギーのやり
とりが生ずると、当該異常光成分及び常光成分の出力p
、 (w)及びPo(w)が時間tの経過に従って変
動し、その結果非線形光学結晶素子6において発生され
る第2高調波の出力P (!wlも不安定になる。
すなわち異常光成分及び常光成分間にエネルギーのやり
とりが生ずると、当該異常光成分及び常光成分の出力p
、 (w)及びPo(w)が時間tの経過に従って変
動し、その結果非線形光学結晶素子6において発生され
る第2高調波の出力P (!wlも不安定になる。
すなわち、複屈折性素子7の方位角θを、θ=06に設
定した構成においては、出力レーザ光LAo1は第5図
(A)に示すように実用上使用し得ない程度に大きなエ
ネルギーのノイズ成分が含まれている。
定した構成においては、出力レーザ光LAo1は第5図
(A)に示すように実用上使用し得ない程度に大きなエ
ネルギーのノイズ成分が含まれている。
そのノイズスペクトラムは第5図(B)において曲XK
Iで示すように、例えば周波数f=5〔M Hz )程
度の周波数で約53 (dB)程度のノイズを含んでい
ることが分かった。
Iで示すように、例えば周波数f=5〔M Hz )程
度の周波数で約53 (dB)程度のノイズを含んでい
ることが分かった。
これに対して複屈折性素子7の方位角θをθ=45″に
設定した構成においては、出力レーザ光LAkoutは
第6図(A)に示すように、実用上ノイズ成分を十分に
抑圧して安定化された信号が得られ、そのノイズスペク
トラムは第6図(B)において曲線に2で示すように、
例えば周波数f=5(M Hz )においてS/Nが約
80 (dB)程度に改善されていることが分かった。
設定した構成においては、出力レーザ光LAkoutは
第6図(A)に示すように、実用上ノイズ成分を十分に
抑圧して安定化された信号が得られ、そのノイズスペク
トラムは第6図(B)において曲線に2で示すように、
例えば周波数f=5(M Hz )においてS/Nが約
80 (dB)程度に改善されていることが分かった。
このような実験結果から、第1図の構成によれば、非線
形光学結晶素子6内においてタイプ■の位相整合条件の
下に第2高調波レーザ光L A <zbnを発生させる
につき、複屈折性素子7の方位角θをθ=45”に設定
したことにより、共振器CAVの共振光路9を伝播する
基本波レーザ光L A (wlの2つの伝播間にカップ
リング現象を生じさせないように抑制することができ、
その結果第2高調波レーザ光L A (z、)でなる出
力レーザ光LAourを安定化することができる。
形光学結晶素子6内においてタイプ■の位相整合条件の
下に第2高調波レーザ光L A <zbnを発生させる
につき、複屈折性素子7の方位角θをθ=45”に設定
したことにより、共振器CAVの共振光路9を伝播する
基本波レーザ光L A (wlの2つの伝播間にカップ
リング現象を生じさせないように抑制することができ、
その結果第2高調波レーザ光L A (z、)でなる出
力レーザ光LAourを安定化することができる。
かくするにつき、共振器CAVの共振光路9内を互いに
直交する2つの固有偏光を基本波モードとなし、さらに
その2モ一ド間での位相関係に相関のないランダム偏光
の基本波レーザ光L A (wlを共振動作させること
ができるので、余分な偏光子を介挿する必要性をなくし
得、この分会体としての構成を一段と簡易化し得る。
直交する2つの固有偏光を基本波モードとなし、さらに
その2モ一ド間での位相関係に相関のないランダム偏光
の基本波レーザ光L A (wlを共振動作させること
ができるので、余分な偏光子を介挿する必要性をなくし
得、この分会体としての構成を一段と簡易化し得る。
(G3)理論的検討
第1図の構成の場合のように、非線形光学結晶素子6に
おいてタイプ■の位相整合条件の下に第2高調波レーザ
光L A (1m>を発生する場合、複屈折性素子7を
方位角θ=45°の方位角位置に挿入することにより、
共振動作が安定化するのは、理論上、次の理由による。
おいてタイプ■の位相整合条件の下に第2高調波レーザ
光L A (1m>を発生する場合、複屈折性素子7を
方位角θ=45°の方位角位置に挿入することにより、
共振動作が安定化するのは、理論上、次の理由による。
すなわち共振器CAV内においては次式%式%)
で表される2つのモードが存在するときのレート方程式
が成り立つ。ここでτ、は共振器CAVの往復時間、τ
、は螢光寿命、α、及びα、はそれぞれ2つのモードに
おける損失係数、ε、は各モード自身の第2高調波発生
に起因する損失係数、a□は2つのモード間の和周波発
生に起因する損失係数、βはサチュレーションパラメー
タ、GI。
が成り立つ。ここでτ、は共振器CAVの往復時間、τ
、は螢光寿命、α、及びα、はそれぞれ2つのモードに
おける損失係数、ε、は各モード自身の第2高調波発生
に起因する損失係数、a□は2つのモード間の和周波発
生に起因する損失係数、βはサチュレーションパラメー
タ、GI。
及びGt。はそれぞれ2つのモードにおける小信号ゲイ
ン、11及びI、はそれぞれ2つのモードにおける光強
度、G、及びGtはそれぞれ2つのモードにおけるゲイ
ン、β1g及びβ2.はそれぞれ2つのモードにおける
クロスサチュレーションパラメータである。
ン、11及びI、はそれぞれ2つのモードにおける光強
度、G、及びGtはそれぞれ2つのモードにおけるゲイ
ン、β1g及びβ2.はそれぞれ2つのモードにおける
クロスサチュレーションパラメータである。
このレート方程式に関連して、共振器における不安定の
原因として多重縦モード間のカップリングが原因である
ことを指摘した論文がある。すなわちr Large−
^mplitude fluctuations du
e to l。
原因として多重縦モード間のカップリングが原因である
ことを指摘した論文がある。すなわちr Large−
^mplitude fluctuations du
e to l。
ngitudinal mode coupling
in diode−pumped 1ntracavi
ty−doubled Nd:YAG La5ersJ
、T、Baer著、Journal of 0pti
cal 5ociety of America社発行
、Vol、3 、No、9/September198
6/J、Opt、Soc、Am、B 。
in diode−pumped 1ntracavi
ty−doubled Nd:YAG La5ersJ
、T、Baer著、Journal of 0pti
cal 5ociety of America社発行
、Vol、3 、No、9/September198
6/J、Opt、Soc、Am、B 。
第1175頁〜第1180頁には、多重縦モード間のカ
ップリングについてのレート方程式が開示されている。
ップリングについてのレート方程式が開示されている。
この論文のレート方程式は2つの固有偏光モードにも同
じように適用し得ると考えられ、かくして当該2つの固
有偏光モードについて(4)弐〜(7)式が成り立つ。
じように適用し得ると考えられ、かくして当該2つの固
有偏光モードについて(4)弐〜(7)式が成り立つ。
ところで(4)式〜(7)式のうち特に(4)式及び(
6)式は2つの固有偏光モードそれぞれの光強度!、及
びI2をもつ乗算項(−2εgt+■りを含んでおり、
従って一般に共振器CAVの内部における2つの固有偏
光モードの光強度は互いにカップリングした状態になる
。因に(4)式及び(6)式は、光強度11 (又はI
t)が変動すれば、これに応じて光強度It (又は
Il)が変動する関係にあることを表している。
6)式は2つの固有偏光モードそれぞれの光強度!、及
びI2をもつ乗算項(−2εgt+■りを含んでおり、
従って一般に共振器CAVの内部における2つの固有偏
光モードの光強度は互いにカップリングした状態になる
。因に(4)式及び(6)式は、光強度11 (又はI
t)が変動すれば、これに応じて光強度It (又は
Il)が変動する関係にあることを表している。
ところがこの乗算項一2εzft1gの係数ε2は、複
屈折性素子7の方位角θをθ=45”に選定したときε
z=0になり、これに対して方位角θがθ≠45″の場
合には係数ε2がO以外の値をもつことを以下に述べる
ようにして証明でき、この条件の下では、(4)式及び
(6)式のレート方程式から乗算項一2εzlrIgを
消去できることにより、(4)式及び(6)式によって
表される共振動作を安定化させることができると考えら
れる。
屈折性素子7の方位角θをθ=45”に選定したときε
z=0になり、これに対して方位角θがθ≠45″の場
合には係数ε2がO以外の値をもつことを以下に述べる
ようにして証明でき、この条件の下では、(4)式及び
(6)式のレート方程式から乗算項一2εzlrIgを
消去できることにより、(4)式及び(6)式によって
表される共振動作を安定化させることができると考えら
れる。
先ず方位角θがθ≠45°の場合の一般的な条件の一例
として、θ=0°に選定した場合を検討する。
として、θ=0°に選定した場合を検討する。
このとき非線形光学結晶素子6に入射する光の2つの固
有偏光の電場ベクトルE、及びE2は、第8図に示すよ
うに、非線形光学結晶素子6の常光軸0及び異常光軸e
と一敗する状態で入射する。
有偏光の電場ベクトルE、及びE2は、第8図に示すよ
うに、非線形光学結晶素子6の常光軸0及び異常光軸e
と一敗する状態で入射する。
従って当該入射した電場ベクトルE、及びE!を非線形
光学結晶素子6の常光軸0をX軸、異常光軸eをy軸と
してジョーンズベクトルによって表せば になる。ここでジョーンズベクトルは、位相項を省略し
て係数のみによって表示することとする。
光学結晶素子6の常光軸0をX軸、異常光軸eをy軸と
してジョーンズベクトルによって表せば になる。ここでジョーンズベクトルは、位相項を省略し
て係数のみによって表示することとする。
このようにすると、共振器CAV内の基本波レーザ光L
A (−1のパワーの時間平均値Ptw> はP(−
) = l El l”+ l E!l” =P、+P! ・・・・・・(10)
のように電場の強さEl及びE2の2乗の和として表す
ことができる。
A (−1のパワーの時間平均値Ptw> はP(−
) = l El l”+ l E!l” =P、+P! ・・・・・・(10)
のように電場の強さEl及びE2の2乗の和として表す
ことができる。
ここで(E++Ez)”、E−1E!thは(E++E
z)、El、E2の共役ベクトルである。
z)、El、E2の共役ベクトルである。
因に(10)式において時間平均値τ7及びτ?は、乗
算し合う項が強い相関がある値の場合、すなわちE、及
びE2の場合、その時間平均はE、EI=lE、l”a
Pl ・・・・−・(11)E、E、 = I
E、 I ”−pg ・−・・・・(12)←
なる。これに対して、EIE、”及びEtE、”の場合
は、乗算し合う項によって表される電場E1及びE2は
互いに直交する2つの固有偏光モードそれぞれの電場成
分であり、さらにその2モ一ド間での位相関係に相関の
ないランダム偏光のために互いに相関がなくなり、その
結果時間的平均値は E r E ! O・・・・・・ (13)Ez
E+ ’=0 ・・・
・・・ (14)のように0になる。
算し合う項が強い相関がある値の場合、すなわちE、及
びE2の場合、その時間平均はE、EI=lE、l”a
Pl ・・・・−・(11)E、E、 = I
E、 I ”−pg ・−・・・・(12)←
なる。これに対して、EIE、”及びEtE、”の場合
は、乗算し合う項によって表される電場E1及びE2は
互いに直交する2つの固有偏光モードそれぞれの電場成
分であり、さらにその2モ一ド間での位相関係に相関の
ないランダム偏光のために互いに相関がなくなり、その
結果時間的平均値は E r E ! O・・・・・・ (13)Ez
E+ ’=0 ・・・
・・・ (14)のように0になる。
次に第2高調波レーザ光L A <tw)の電場E<1
゜は、タイプ■の位相整合の場合、次式 %式%(15) によって表すことができる。ここでdは非線形光学結晶
素子6の非線形変換効率である。
゜は、タイプ■の位相整合の場合、次式 %式%(15) によって表すことができる。ここでdは非線形光学結晶
素子6の非線形変換効率である。
そして第2高調波レーザ光L A <tw>のパワーの
時間平均値P (Iwlは P <t−+ = d EIE! d El Ex
= d E IE + E t E z=d”lE
+I”1Ezl” =a”p+pz ・・・・・・(16)の
ように2つの固を偏光のパワーP、及びP2の積によっ
て表すことができる。この場合にも(11)弐〜(14
)式の関係が成り立つ。
時間平均値P (Iwlは P <t−+ = d EIE! d El Ex
= d E IE + E t E z=d”lE
+I”1Ezl” =a”p+pz ・・・・・・(16)の
ように2つの固を偏光のパワーP、及びP2の積によっ
て表すことができる。この場合にも(11)弐〜(14
)式の関係が成り立つ。
かくして方位角θがθ=0°の場合の共振器CAVのパ
ワーは、(lO)式について表される基本波レーザ光L
A (−)についてのパワーp++p*と、(16)
式によって表される第2高調波レーザ光LA(1ユのパ
ワーd”P+Pxとの和になる。
ワーは、(lO)式について表される基本波レーザ光L
A (−)についてのパワーp++p*と、(16)
式によって表される第2高調波レーザ光LA(1ユのパ
ワーd”P+Pxとの和になる。
この関係を(4)式及び(6)式と比較すると、(4)
式及び(6)式における光強度1.及びI2は、(10
)式及び(16)式のパワーP、及びPχと同じ意味を
もっており、(4)式は光強度I、の項(すなわち(C
,−α+N+)と、1.tの項(すなわち−ε11−)
と、■、及びI2の乗算項(すなわち−2εxl+12
)とを含み、また(6)式はI2の項(すなわち(G!
−αt)It)と、1.2の項(すなわち#t1g”)
と、夏+tzの乗算項(すなわち−2εgl+’1g)
とを含んでいる。
式及び(6)式における光強度1.及びI2は、(10
)式及び(16)式のパワーP、及びPχと同じ意味を
もっており、(4)式は光強度I、の項(すなわち(C
,−α+N+)と、1.tの項(すなわち−ε11−)
と、■、及びI2の乗算項(すなわち−2εxl+12
)とを含み、また(6)式はI2の項(すなわち(G!
−αt)It)と、1.2の項(すなわち#t1g”)
と、夏+tzの乗算項(すなわち−2εgl+’1g)
とを含んでいる。
そこで(4)式及び(6)式の和においてε1をε、=
0に設定したとき、(4)式及び(6)式の和は、(1
0)式及び(16)式の和と同じ項をもつことになるこ
とが分かる。
0に設定したとき、(4)式及び(6)式の和は、(1
0)式及び(16)式の和と同じ項をもつことになるこ
とが分かる。
このことは、複屈折性素子7の方位角θをθ=0@に設
定することは、(4)式及び(6)式の一般式において
定数ε1をε1=0に設定したことと等価になることを
意味している。しかしこのように、方位角θをθ=0°
に選定したとき、2つの基本波モードそれぞれの光強度
11及びI2の乗算項一282!−2は8!≠0である
ので消去できず、従ってこの方位角θ=0@のとき(4
)式及び(6)式のレート方程式によって表される共振
器CAMの共振動作は安定化できないことになる。
定することは、(4)式及び(6)式の一般式において
定数ε1をε1=0に設定したことと等価になることを
意味している。しかしこのように、方位角θをθ=0°
に選定したとき、2つの基本波モードそれぞれの光強度
11及びI2の乗算項一282!−2は8!≠0である
ので消去できず、従ってこの方位角θ=0@のとき(4
)式及び(6)式のレート方程式によって表される共振
器CAMの共振動作は安定化できないことになる。
次に第1図の構成において、複屈折性素子7の方位角θ
をθ=45@に設定すると、このことは、第9図に示す
ように、共振器CAV内の基本波レーザ光L A (ユ
の固有偏光E1及びEオが、非線形光学結晶素子6の常
光軸O及び異常光軸eに対してθ=45°だけ回転した
方位角位置に設定されることを意味する。このことは以
下に述べる関係から(47)式によって証明される。
をθ=45@に設定すると、このことは、第9図に示す
ように、共振器CAV内の基本波レーザ光L A (ユ
の固有偏光E1及びEオが、非線形光学結晶素子6の常
光軸O及び異常光軸eに対してθ=45°だけ回転した
方位角位置に設定されることを意味する。このことは以
下に述べる関係から(47)式によって証明される。
ここで結果固有ベクトルE1及びE2は次式のようなジ
ョーンズベクトルによって表すことができる。
ョーンズベクトルによって表すことができる。
そこで共振器CAVの基本波レーザ光L A(w)のパ
ワーP <w> の時間平均値P、@、は、(10)弐
〜(14)式について上述したと同様にしてP(8)
= E1+Eオ E t + E t=EtE+ +E
zEz + l t +EzE+= l El l”
+ l Ezl” =p++pt ・・・・・・(19)の
ように表すことができる。
ワーP <w> の時間平均値P、@、は、(10)弐
〜(14)式について上述したと同様にしてP(8)
= E1+Eオ E t + E t=EtE+ +E
zEz + l t +EzE+= l El l”
+ l Ezl” =p++pt ・・・・・・(19)の
ように表すことができる。
これに対してタイプ■の位相整合条件の下に発生する第
2高調波レーザ光LA(2w)の電場E (zw)は常
光軸0及び異常光軸eの成分を基準にして次式 = a < Et ” + E t”) ・・
・・・・(20)になる。
2高調波レーザ光LA(2w)の電場E (zw)は常
光軸0及び異常光軸eの成分を基準にして次式 = a < Et ” + E t”) ・・
・・・・(20)になる。
この(20)式から第2高調波レーザ光L A tvw
。
。
のパワーPltw)の時間平均値PLtユ、は”’
d”(IE+I’+ IEzl’)・・・・・・(21
) のように表すことができる。ここで、 EI EI = l Et l ’=p、2
・・・・・・ (22)Ex Et = l
Ex l ’= P z” −・・・(23)E
I Et =0 ・・・・・・
(24)E2 EI =0
・・・・・・ (25)である。
d”(IE+I’+ IEzl’)・・・・・・(21
) のように表すことができる。ここで、 EI EI = l Et l ’=p、2
・・・・・・ (22)Ex Et = l
Ex l ’= P z” −・・・(23)E
I Et =0 ・・・・・・
(24)E2 EI =0
・・・・・・ (25)である。
因に(21)式のElEl 及びEtE、 の項は、
互いに強い相関をもつE、及びE−1並びにEt及びE
t′を乗算した式をもっているので、その時間平均値は
OにならずにパワーP1及びPtの2乗になる。
互いに強い相関をもつE、及びE−1並びにEt及びE
t′を乗算した式をもっているので、その時間平均値は
OにならずにパワーP1及びPtの2乗になる。
これに対して、電場El、Et′及びEx 、El”は
互いに直交する2つの固有偏光モードの各々の電場成分
であり、さらにその2モ一ド間での位相関係に相関のな
いランダム偏光のために互いに相関がないことに基づい
て、 E、”E、”の項及びE1E11!の項の時間平
均値は0になる。
互いに直交する2つの固有偏光モードの各々の電場成分
であり、さらにその2モ一ド間での位相関係に相関のな
いランダム偏光のために互いに相関がないことに基づい
て、 E、”E、”の項及びE1E11!の項の時間平
均値は0になる。
このように、複屈折性素子7の方位角θをθ=45°に
設定したときの基本波レーザ光L A (w)のパワー
P (w)の時間平均値P (w+ ((19)式)
と、第2高調波レーザ光L A <zw>のパワーP
(!wlの時間平均値P <*、、> ((21)式)
の和を(4)式及び(6)式の和と比較してみると、(
4)式及び(6)式において光強度11及び12の乗算
項の係数ε2をεt=O1!:置いたとき(19)式及
び(20)式の和の各項が(4)式及び(6)式の和の
各項と1対1の関係で対応することが分かる。
設定したときの基本波レーザ光L A (w)のパワー
P (w)の時間平均値P (w+ ((19)式)
と、第2高調波レーザ光L A <zw>のパワーP
(!wlの時間平均値P <*、、> ((21)式)
の和を(4)式及び(6)式の和と比較してみると、(
4)式及び(6)式において光強度11及び12の乗算
項の係数ε2をεt=O1!:置いたとき(19)式及
び(20)式の和の各項が(4)式及び(6)式の和の
各項と1対1の関係で対応することが分かる。
このことは、第1図の複屈折性素子7の方位角θをθ=
45°に設定したことは、 一般式として表されている
(4)式及び(6)式において係数ε2をε2=0と置
いたことと等価であることを意味している。 そしてこ
のような条件を設定できれば、(4)式及び(6)式に
おいて2つの基本波モードそれぞれの光強度■、及び■
2との積で表される項が生じないようなレート方程式で
表される共振状態が得られることにより、2つの基本波
モードそれぞれの光強度■1及び12間の第2高調波発
生を通じてのエネルギーの授受を生じさせないようにで
き、かくして基本波レーザ光LA(w)従って第2高調
波レーザ光L A (2wlを安定化することができる
と考えられる。
45°に設定したことは、 一般式として表されている
(4)式及び(6)式において係数ε2をε2=0と置
いたことと等価であることを意味している。 そしてこ
のような条件を設定できれば、(4)式及び(6)式に
おいて2つの基本波モードそれぞれの光強度■、及び■
2との積で表される項が生じないようなレート方程式で
表される共振状態が得られることにより、2つの基本波
モードそれぞれの光強度■1及び12間の第2高調波発
生を通じてのエネルギーの授受を生じさせないようにで
き、かくして基本波レーザ光LA(w)従って第2高調
波レーザ光L A (2wlを安定化することができる
と考えられる。
このような条件は、複屈折性素子7として、方位角θが
θ=45°でありかつ光が通過する際に生ずる位相量Δ
がΔ=90°であるものを選定することにより成り立た
せることができる。
θ=45°でありかつ光が通過する際に生ずる位相量Δ
がΔ=90°であるものを選定することにより成り立た
せることができる。
゛すなわち第10図に示すように、基本波レーザ光L
A (w)が非線形光学結晶素子6を通過する際に複屈
折によって位相量δだけ位相がずれるとすれば当該偏光
状態は次式 %式%(26) のようにジョーンズマトリクスC(δ)によって表すこ
とができる。
A (w)が非線形光学結晶素子6を通過する際に複屈
折によって位相量δだけ位相がずれるとすれば当該偏光
状態は次式 %式%(26) のようにジョーンズマトリクスC(δ)によって表すこ
とができる。
また複屈折性素子7を方位角θだけ回転させたことによ
り基本波レーザ光L A (−1が受ける偏光状態は次
式 ・・・・・・ (27) のようにジョーンズマトリクスR(θ)として表すこと
ができる。
り基本波レーザ光L A (−1が受ける偏光状態は次
式 ・・・・・・ (27) のようにジョーンズマトリクスR(θ)として表すこと
ができる。
さらに複屈折性素子7によって基本波レーザ光L A
1wl が位相量Δだけ旋光されるような偏光状態を次
式 %式%(28) のようにジョーンズマトリクスC(Δ)によって表すこ
とができる。
1wl が位相量Δだけ旋光されるような偏光状態を次
式 %式%(28) のようにジョーンズマトリクスC(Δ)によって表すこ
とができる。
そこでレーザ媒X2から射出した基本波レーザ光L A
(w)が順次非線形光学結晶素子6、複屈折性素子7
を通って出力ミラー8の入射面8Aに入射し、当該入射
面8Aによって反射されて再度複屈折性素子7、非線形
光学結晶素子6を通ってレーザ媒質2側に射出するまで
の偏光状態の変化は次式 %式%)() で表されるジョーンズマトリクスMによって表現し得る
。
(w)が順次非線形光学結晶素子6、複屈折性素子7
を通って出力ミラー8の入射面8Aに入射し、当該入射
面8Aによって反射されて再度複屈折性素子7、非線形
光学結晶素子6を通ってレーザ媒質2側に射出するまで
の偏光状態の変化は次式 %式%)() で表されるジョーンズマトリクスMによって表現し得る
。
(29)式に(26)弐〜(28)式を代入すれば、当
該光学系の偏光状態を表すマトリクスMは次式%式%(
30) ここで(29)式の右辺第2項〜第5項のジョーンズマ
トリクスをマトリクスMlとして演算すれば、 Ml=R(θ)C(Δ)C(Δ)R(−〇)=R(θ)
C(2Δ)R(−〇) ・・・・・・ (31) になり、この演算結果を(29)式に代入すれば、M=
C(δ)・Ml・C(δ) ・・・・・・ (32) が得られる。
該光学系の偏光状態を表すマトリクスMは次式%式%(
30) ここで(29)式の右辺第2項〜第5項のジョーンズマ
トリクスをマトリクスMlとして演算すれば、 Ml=R(θ)C(Δ)C(Δ)R(−〇)=R(θ)
C(2Δ)R(−〇) ・・・・・・ (31) になり、この演算結果を(29)式に代入すれば、M=
C(δ)・Ml・C(δ) ・・・・・・ (32) が得られる。
ここで偏光状態を表すマトリクスMを
と置き、固有ベクトルXに対する固有値λを求める。
MX=λX ・・・・・・(34
)を満足する固有値λは、次式、 で表される行列式を満足するはずであるから、これを開
けば (A−λ)(D−λ)−BC=O・・・・・・(36)
λ”−(A+D)λ+AD−BC=0 ・・・・・・(37) のようにλについての2次方程式を解けば良いことが分
かる。(37)式の解は ・・・・・・(38) になる。
)を満足する固有値λは、次式、 で表される行列式を満足するはずであるから、これを開
けば (A−λ)(D−λ)−BC=O・・・・・・(36)
λ”−(A+D)λ+AD−BC=0 ・・・・・・(37) のようにλについての2次方程式を解けば良いことが分
かる。(37)式の解は ・・・・・・(38) になる。
ここでA+Dは(32)式及び(33)式よりA +
D =exp(iδ) (cosΔ+i sinΔco
s2θ)+exp(−iδ) (cosΔ−1sinΔ
cos2θ)= 2 cos 6 cosΔ +1sinΔcos2θ(2i sinδ)= 2 (
cosδcosΔ−5inδsinΔcos2θ)・・
・・・・(39) のように整理し得、またAD−BCは次式AD−BC=
cos”Δ+sin”Acos”2θ+sin”Δsi
n”2θ =1 ・・・・・・ (40)の
ように整理し得る。
D =exp(iδ) (cosΔ+i sinΔco
s2θ)+exp(−iδ) (cosΔ−1sinΔ
cos2θ)= 2 cos 6 cosΔ +1sinΔcos2θ(2i sinδ)= 2 (
cosδcosΔ−5inδsinΔcos2θ)・・
・・・・(39) のように整理し得、またAD−BCは次式AD−BC=
cos”Δ+sin”Acos”2θ+sin”Δsi
n”2θ =1 ・・・・・・ (40)の
ように整理し得る。
そこで(39)式及び(40)式を(38)式に代入す
れば、固有値λは λ= (cosδcosΔ−5inδsinΔcos
2θ)・・・・・・(41) になる。
れば、固有値λは λ= (cosδcosΔ−5inδsinΔcos
2θ)・・・・・・(41) になる。
そこで固有ベクトルXはそのX成分をx=1と置けば、
次式のように表すことができる。
次式のように表すことができる。
ところで第1図の構成において複屈折性素子7の方位角
θはθ=45”に選定され、かつ複屈折性素子7の位相
角ΔはΔ=90”に選定されている。
θはθ=45”に選定され、かつ複屈折性素子7の位相
角ΔはΔ=90”に選定されている。
そこで(32)式及び(33)式に
θ=45@ ・・・・・・(4
3)Δ=90@ ・・・・・・
(44)を代入すると、偏光状態を表すマトリクスMは
になると共に、固有値λは(41)式からλ=±i
・・・・・・(46)になり、結局
固有ベクトルXは として求めることができる。
3)Δ=90@ ・・・・・・
(44)を代入すると、偏光状態を表すマトリクスMは
になると共に、固有値λは(41)式からλ=±i
・・・・・・(46)になり、結局
固有ベクトルXは として求めることができる。
このような結果から、(43)式及び(44)式につい
て上述したように、方位角θをθ=45°に設定し、し
かもその位相量ΔをΔ=90@に設定すれば、このこと
は、共振器CAV内の基本波レーザー光LA(ユの固有
偏光ベクトルE、及びE、が、非線形光学結晶素子6に
レーザ媒質2側から入射する時、非線形光学結晶素子6
の常光軸0及び異常光軸eに対して45°だけ回転した
方位に設定されることを意味する。
て上述したように、方位角θをθ=45°に設定し、し
かもその位相量ΔをΔ=90@に設定すれば、このこと
は、共振器CAV内の基本波レーザー光LA(ユの固有
偏光ベクトルE、及びE、が、非線形光学結晶素子6に
レーザ媒質2側から入射する時、非線形光学結晶素子6
の常光軸0及び異常光軸eに対して45°だけ回転した
方位に設定されることを意味する。
以上のように理論的に検討した結果、複屈折性素子7の
方位角θをθ=45°に特定したことにより共振器CA
Vの基本波レーザ光L A (w)従って第2高調波レ
ーザ光L A lffiw)を安定化し得ることが分か
る。
方位角θをθ=45°に特定したことにより共振器CA
Vの基本波レーザ光L A (w)従って第2高調波レ
ーザ光L A lffiw)を安定化し得ることが分か
る。
(C4)第2の実施例
第7図は本発明の第2の実施例を示すもので、第1図と
の対応部分に同一符号を付して示すように、共振器CA
Vは、励起用半導体レーザ3からコリメータ4、対物レ
ンズ5を介して励起用レーザ光LAIを入射面2Aに受
けるレーザ媒質2(Nd : YAGで構成された固体
レーザでなる)の射出面2Bに密着して重ね合せ一体化
するように順次、複屈折性素子7、非線形光学結晶素子
6が設けられている。
の対応部分に同一符号を付して示すように、共振器CA
Vは、励起用半導体レーザ3からコリメータ4、対物レ
ンズ5を介して励起用レーザ光LAIを入射面2Aに受
けるレーザ媒質2(Nd : YAGで構成された固体
レーザでなる)の射出面2Bに密着して重ね合せ一体化
するように順次、複屈折性素子7、非線形光学結晶素子
6が設けられている。
この実施例の場合、非線形光学結晶素子6の射出面6B
上に反射面が形成され、かくしてレーザ媒質2の入射面
2A及び非線形光学結晶素子6の射出面6B間に基本波
レーザ光LA−が通過する共振光路9が形成され、その
結果非線形光学結晶素子6内において発生された第2高
調波レーザ光L A <thatが出力レーザ光LAo
utとして送出される。
上に反射面が形成され、かくしてレーザ媒質2の入射面
2A及び非線形光学結晶素子6の射出面6B間に基本波
レーザ光LA−が通過する共振光路9が形成され、その
結果非線形光学結晶素子6内において発生された第2高
調波レーザ光L A <thatが出力レーザ光LAo
utとして送出される。
ここで複屈折性素子7の異常光方向の光軸は、第2図に
ついて上述したように、非線形光学結晶素子6の異常光
方向の光軸に対して方位角θがθ=45°になるように
設定され、かくして第1図について上述したと同様にし
て安定な第2高調波レーザ光L A <tw+でなる出
力レーザ光LAouyを得ることができる。
ついて上述したように、非線形光学結晶素子6の異常光
方向の光軸に対して方位角θがθ=45°になるように
設定され、かくして第1図について上述したと同様にし
て安定な第2高調波レーザ光L A <tw+でなる出
力レーザ光LAouyを得ることができる。
これに加えて第7図の構成によれば、レーザ媒質2、複
屈折性素子7及び非線形光学結晶素子6を順次密接させ
るように一体化した構成をもっていることにより、全体
としての構成を一段と小型化し得るレーザ光源を得るこ
とができる。
屈折性素子7及び非線形光学結晶素子6を順次密接させ
るように一体化した構成をもっていることにより、全体
としての構成を一段と小型化し得るレーザ光源を得るこ
とができる。
(G5)他の実施例
(11上述の実施例においては、複屈折性素子7として
1/4波長板を方位角θ=45@たけ回転させた方位角
位置に設定することにより、基本波レーザ光LA(ユを
安定化するようにしたが、複屈折性素子7としてはこれ
に限らず、基本波レーザ光L A (w)が非線形光学
結晶素子6及び複屈折性素子7を出力ミラー8の入射面
8Aにおいて反射して往復するまでの間に偏光状態の変
化を与えることにより、(4)式及び(6)式において
表されているように、実用上2つの固有偏光の光強度の
積で表されるような変動を生じさせないような方位角θ
及び位相量Δを与えるような複屈折性素子7であれば、
1/4波長板に限らず種々の複屈折性素子を用いること
ができる。
1/4波長板を方位角θ=45@たけ回転させた方位角
位置に設定することにより、基本波レーザ光LA(ユを
安定化するようにしたが、複屈折性素子7としてはこれ
に限らず、基本波レーザ光L A (w)が非線形光学
結晶素子6及び複屈折性素子7を出力ミラー8の入射面
8Aにおいて反射して往復するまでの間に偏光状態の変
化を与えることにより、(4)式及び(6)式において
表されているように、実用上2つの固有偏光の光強度の
積で表されるような変動を生じさせないような方位角θ
及び位相量Δを与えるような複屈折性素子7であれば、
1/4波長板に限らず種々の複屈折性素子を用いること
ができる。
H発明の効果
上述のように本発明によれば、共振器内の共振光路にお
いて、基本波レーザ光を互いに直交する2つの固有偏光
モードからなり、さらにその2モ一ド間での位相関係に
相関のないランダム偏光状態で共振動作させると共に、
その直交する2つの固有偏光間に第2高調波発生を通じ
てエネルギーの授受を生じさせないようにしたことによ
り、実用上十分に安定した第2高調波レーザ光を容易か
つ簡易な構成によって発生させることができる。
いて、基本波レーザ光を互いに直交する2つの固有偏光
モードからなり、さらにその2モ一ド間での位相関係に
相関のないランダム偏光状態で共振動作させると共に、
その直交する2つの固有偏光間に第2高調波発生を通じ
てエネルギーの授受を生じさせないようにしたことによ
り、実用上十分に安定した第2高調波レーザ光を容易か
つ簡易な構成によって発生させることができる。
第1図は本発明によるレーザ光源の第1の実施例を示す
路線的光路図、第2図はその複屈折性素子の方位角の説
明に供する路線図、第3図〜第6図は実験結果を示す曲
線図、第7図は本発明の第2の実施例を示す路線的光路
図、第8図及び第9図はそれぞれ方位角θをθ=0°及
びθ−45@に設定した場合の固有偏光の状態を示す路
線図、第1O図は共振器CAVにおける基本波レーザ光
の偏光状態の説明に供する路線図である。 1・・・・・・レーザ光源、2・・・・・・レーザ媒質
、6・・・・・・非線形光学結晶素子、7・・・・・・
複屈折性素子、8・・・・・・出力ミラー。
路線的光路図、第2図はその複屈折性素子の方位角の説
明に供する路線図、第3図〜第6図は実験結果を示す曲
線図、第7図は本発明の第2の実施例を示す路線的光路
図、第8図及び第9図はそれぞれ方位角θをθ=0°及
びθ−45@に設定した場合の固有偏光の状態を示す路
線図、第1O図は共振器CAVにおける基本波レーザ光
の偏光状態の説明に供する路線図である。 1・・・・・・レーザ光源、2・・・・・・レーザ媒質
、6・・・・・・非線形光学結晶素子、7・・・・・・
複屈折性素子、8・・・・・・出力ミラー。
Claims (2)
- (1)レーザ媒質において発生した基本波レーザ光を共
振器内部に設けられた非線形光学結晶素子を通過するよ
うに共振動作させることにより、第2高調波レーザ光を
発生させるレーザ光源において、共振光路に複屈折性素
子を挿入して、上記基本波レーザ光の偏光面を回転させ
ながら共振器を往復させることにより、互いに直交する
2つの固有偏光を基本波モードとなし、さらに上記複屈
折性素子の方位角θ及び位相量Δを、上記基本波レーザ
光の上記2つの固有偏光間に第2高調波発生を通じてエ
ネルギーの授受を生じさせないような値に選定するよう
にしたこと を特徴とするレーザ光源。 - (2)上記レーザ媒質、上記非線形光学結晶素子及び上
記複屈折性素子を密接させて順次重ね合わせるように一
体に構成したことを特徴とする特許請求の範囲第1項に
記載のレーザ光源。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63046594A JP3066966B2 (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | レーザ光源 |
US07/308,545 US4910740A (en) | 1988-02-29 | 1989-02-10 | Second harmonic generation |
EP89301344A EP0331303B1 (en) | 1988-02-29 | 1989-02-13 | Second harmonic generation |
DE68929398T DE68929398T2 (de) | 1988-02-29 | 1989-02-13 | Erzeugung der zweiten Harmonischen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63046594A JP3066966B2 (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | レーザ光源 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01220879A true JPH01220879A (ja) | 1989-09-04 |
JP3066966B2 JP3066966B2 (ja) | 2000-07-17 |
Family
ID=12751623
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63046594A Expired - Lifetime JP3066966B2 (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | レーザ光源 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4910740A (ja) |
EP (1) | EP0331303B1 (ja) |
JP (1) | JP3066966B2 (ja) |
DE (1) | DE68929398T2 (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0391978A (ja) * | 1989-09-04 | 1991-04-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
JPH03155687A (ja) * | 1989-11-14 | 1991-07-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
JPH0417379A (ja) * | 1990-05-10 | 1992-01-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | レーザーダイオードポンピング固体レーザー |
JPH0462880A (ja) * | 1990-06-25 | 1992-02-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | レーザーダイオードポンピング固体レーザー |
JPH05188421A (ja) * | 1991-04-15 | 1993-07-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光波長変換装置 |
US5243611A (en) * | 1991-05-10 | 1993-09-07 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Optical wavelength converting apparatus |
US6018413A (en) * | 1997-04-23 | 2000-01-25 | Sony Corporation | Light source unit, optical measurement apparatus and exposure apparatus using the same unit |
JP2008536322A (ja) * | 2005-04-15 | 2008-09-04 | オキシウス ソシエテ・アノニム | 単周波数モノリシック線形レーザ・デバイス、および該デバイスを備えた装置 |
WO2009016709A1 (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-05 | Mitsubishi Electric Corporation | 波長変換レーザ装置 |
WO2014091540A1 (ja) * | 2012-12-10 | 2014-06-19 | 三菱電機株式会社 | 平面導波路型レーザ装置 |
US9172201B2 (en) | 2011-03-17 | 2015-10-27 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Wavelength conversion laser light source, and image display device |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5355246A (en) * | 1988-10-12 | 1994-10-11 | Fuji Electric Co., Ltd. | Wavelength conversion device |
US5060233A (en) * | 1989-01-13 | 1991-10-22 | International Business Machines Corporation | Miniature blue-green laser source using second-harmonic generation |
US5070505A (en) * | 1990-04-30 | 1991-12-03 | Amoco Corporation | Self-doubling micro-laser |
US5063566A (en) * | 1990-04-30 | 1991-11-05 | Amoco Corporation | Internally-doubled, composite-cavity microlaser |
US5341393A (en) * | 1990-05-10 | 1994-08-23 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Laser-diode-pumped solid-state laser |
JP2893862B2 (ja) * | 1990-05-16 | 1999-05-24 | ソニー株式会社 | 固体レーザー発振器 |
DE4032323A1 (de) * | 1990-10-11 | 1992-04-16 | Adlas Gmbh & Co Kg | Einzelmode-laser |
US5299221A (en) * | 1991-01-09 | 1994-03-29 | Sony Corporation | Laser light generating apparatus |
US5488626A (en) * | 1991-01-14 | 1996-01-30 | Light Age, Inc. | Method of and apparatus for pumping of transition metal ion containing solid state lasers using diode laser sources |
US5164947A (en) * | 1991-02-28 | 1992-11-17 | Amoco Corporation | Single-frequency, frequency doubled laser |
JP3082865B2 (ja) * | 1991-04-09 | 2000-08-28 | ソニー株式会社 | レーザ光発生装置 |
US5377212A (en) * | 1991-10-17 | 1994-12-27 | Hitachi, Ltd. | Solid-state laser device including uniaxial laser crystal emitting linearly polarized fundamental wave and nonlinear optical crystal emitting linearly polarized harmonic wave |
JPH05145148A (ja) * | 1991-11-25 | 1993-06-11 | Sony Corp | 固体レーザ共振器 |
US5179562A (en) * | 1991-12-19 | 1993-01-12 | Spectra-Physics Lasers | Frequency doubled ultraviolet laser |
DE9202949U1 (de) * | 1992-03-02 | 1992-05-27 | LAR-Laser and Analytical Research Analytik & Umweltmeßtechnik GmbH, 1000 Berlin | Vorrichtung zur Auswahl einer vorbestimmten Oberwelle einer einfallenden Laserstrahlung |
EP0592766B1 (en) * | 1992-06-19 | 1998-09-16 | Sony Corporation | Method for adjusting the optical axis of an optical system |
EP0574921B1 (en) * | 1992-06-19 | 2002-01-16 | Sony Corporation | Laser beam generator |
JPH06309690A (ja) * | 1993-04-26 | 1994-11-04 | Sony Corp | 光ピックアップ |
EP0712183B1 (en) * | 1994-11-14 | 2002-08-21 | Mitsui Chemicals, Inc. | Wavelength stabilized light source |
US5692005A (en) * | 1995-03-04 | 1997-11-25 | Carl-Zeiss-Stiftung | Solid-state laser |
US5790303A (en) * | 1997-01-23 | 1998-08-04 | Positive Light, Inc. | System for amplifying an optical pulse using a diode-pumped, Q-switched, intracavity-doubled laser to pump an optical amplifier |
US6122097A (en) * | 1998-04-16 | 2000-09-19 | Positive Light, Inc. | System and method for amplifying an optical pulse using a diode-pumped, Q-switched, extracavity frequency-doubled laser to pump an optical amplifier |
US5991318A (en) † | 1998-10-26 | 1999-11-23 | Coherent, Inc. | Intracavity frequency-converted optically-pumped semiconductor laser |
EP1763116B1 (en) * | 2005-03-30 | 2015-04-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Mode control waveguide laser |
KR100764424B1 (ko) * | 2006-08-30 | 2007-10-05 | 삼성전기주식회사 | 파장변환 레이저 장치 및 이에 사용되는 비선형 광학결정 |
US20080080571A1 (en) * | 2006-10-03 | 2008-04-03 | Yingjun Ma | Intracavity frequency-doubling laser device |
DE102009032803A1 (de) | 2009-07-10 | 2011-01-13 | Friedrich-Schiller-Universität Jena | Vorrichtung zum Verstärken und/oder Transportieren von elektromagnetischer Strahlung |
GB202015745D0 (en) | 2020-10-05 | 2020-11-18 | British Telecomm | A telecommunications network |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61253878A (ja) * | 1985-05-01 | 1986-11-11 | スペクトラ−フイジツクス・インコ−ポレイテツド | Nd−YAGレ−ザ |
JPS62104092A (ja) * | 1985-04-17 | 1987-05-14 | クワントロニツクス コ−ポレ−シヨン | 周波数2倍レ−ザ |
JPS62189783A (ja) * | 1985-12-19 | 1987-08-19 | スペクトラ−フイジツクス・インコ−ポレイテツド | レ−ザ−ダイオ−ドポンピング固体レ−ザ− |
JPH01130582A (ja) * | 1987-11-17 | 1989-05-23 | Toshiba Corp | レーザ発振装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3609586A (en) * | 1969-06-18 | 1971-09-28 | Bell Telephone Labor Inc | Laser with pulsed transmission mode q-switching |
JPS5123638B2 (ja) * | 1972-03-18 | 1976-07-17 | ||
US4127827A (en) * | 1977-04-07 | 1978-11-28 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Optimized mode-locked, frequency doubled laser |
US4413342A (en) * | 1980-11-20 | 1983-11-01 | Quantronix Corporation | Method and apparatus for frequency doubling a laser beam |
US4739507A (en) * | 1984-11-26 | 1988-04-19 | Board Of Trustees, Stanford University | Diode end pumped laser and harmonic generator using same |
US4809291A (en) * | 1984-11-26 | 1989-02-28 | Board Of Trustees, Of Leland Stanford Jr U. | Diode pumped laser and doubling to obtain blue light |
US4637026A (en) * | 1985-04-17 | 1987-01-13 | Quantronix Corporation | Frequency doubling a Q-switched laser beam by using intracavity Type II phase matching |
US4617666A (en) * | 1985-04-17 | 1986-10-14 | Quantronix Corporation | Frequency doubling a laser beam by using intracavity type II phase matching |
US4618957A (en) * | 1985-04-17 | 1986-10-21 | Quantronix Corporation | Frequency doubling a laser beam by using intracavity type II phase matching |
US4756003A (en) * | 1985-05-01 | 1988-07-05 | Spectra-Physics, Inc. | Laser diode pumped solid state laser |
FR2589290B1 (fr) * | 1985-10-29 | 1990-08-17 | Quantronix Corp | Laser a doublement de frequence par accord de phase de type ii |
US4701929A (en) * | 1985-12-19 | 1987-10-20 | Spectra-Physics, Inc. | Laser diode pumped solid state laser |
US4682336A (en) * | 1986-05-29 | 1987-07-21 | Hughes Aircraft Company | Q-switched laser resonator of integral construction |
US4764933A (en) * | 1986-08-15 | 1988-08-16 | Stanford University | Diode pumped low doped Nd 3+ glass laser |
-
1988
- 1988-02-29 JP JP63046594A patent/JP3066966B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-02-10 US US07/308,545 patent/US4910740A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-02-13 EP EP89301344A patent/EP0331303B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-02-13 DE DE68929398T patent/DE68929398T2/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62104092A (ja) * | 1985-04-17 | 1987-05-14 | クワントロニツクス コ−ポレ−シヨン | 周波数2倍レ−ザ |
JPS61253878A (ja) * | 1985-05-01 | 1986-11-11 | スペクトラ−フイジツクス・インコ−ポレイテツド | Nd−YAGレ−ザ |
JPS62189783A (ja) * | 1985-12-19 | 1987-08-19 | スペクトラ−フイジツクス・インコ−ポレイテツド | レ−ザ−ダイオ−ドポンピング固体レ−ザ− |
JPH01130582A (ja) * | 1987-11-17 | 1989-05-23 | Toshiba Corp | レーザ発振装置 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0391978A (ja) * | 1989-09-04 | 1991-04-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
JPH03155687A (ja) * | 1989-11-14 | 1991-07-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
JPH0417379A (ja) * | 1990-05-10 | 1992-01-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | レーザーダイオードポンピング固体レーザー |
JP2670637B2 (ja) * | 1990-06-25 | 1997-10-29 | 富士写真フイルム株式会社 | レーザーダイオードポンピング固体レーザー |
JPH0462880A (ja) * | 1990-06-25 | 1992-02-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | レーザーダイオードポンピング固体レーザー |
JPH05188421A (ja) * | 1991-04-15 | 1993-07-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光波長変換装置 |
US5243611A (en) * | 1991-05-10 | 1993-09-07 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Optical wavelength converting apparatus |
US6018413A (en) * | 1997-04-23 | 2000-01-25 | Sony Corporation | Light source unit, optical measurement apparatus and exposure apparatus using the same unit |
JP2008536322A (ja) * | 2005-04-15 | 2008-09-04 | オキシウス ソシエテ・アノニム | 単周波数モノリシック線形レーザ・デバイス、および該デバイスを備えた装置 |
WO2009016709A1 (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-05 | Mitsubishi Electric Corporation | 波長変換レーザ装置 |
US8073024B2 (en) | 2007-07-30 | 2011-12-06 | Mitsubishi Electronics Corporation | Wavelength conversion laser device |
US9172201B2 (en) | 2011-03-17 | 2015-10-27 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Wavelength conversion laser light source, and image display device |
WO2014091540A1 (ja) * | 2012-12-10 | 2014-06-19 | 三菱電機株式会社 | 平面導波路型レーザ装置 |
JP5933754B2 (ja) * | 2012-12-10 | 2016-06-15 | 三菱電機株式会社 | 平面導波路型レーザ装置 |
US9450370B2 (en) | 2012-12-10 | 2016-09-20 | Mitsubishi Electric Corporation | Planar waveguide laser device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0331303A2 (en) | 1989-09-06 |
EP0331303A3 (en) | 1990-01-03 |
DE68929398D1 (de) | 2002-06-20 |
JP3066966B2 (ja) | 2000-07-17 |
DE68929398T2 (de) | 2002-12-19 |
EP0331303B1 (en) | 2002-05-15 |
US4910740A (en) | 1990-03-20 |
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