JPS62188291A - 半導体レ−ザ波長安定化装置 - Google Patents
半導体レ−ザ波長安定化装置Info
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- JPS62188291A JPS62188291A JP2971686A JP2971686A JPS62188291A JP S62188291 A JPS62188291 A JP S62188291A JP 2971686 A JP2971686 A JP 2971686A JP 2971686 A JP2971686 A JP 2971686A JP S62188291 A JPS62188291 A JP S62188291A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/0687—Stabilising the frequency of the laser
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発男は、半導体レーザ出力光の波長を安定化する半導
体レーザ安定化装置に関するものである。
体レーザ安定化装置に関するものである。
特に半導体レーザの波長を金属ガスの吸収スペクトルに
固定した量子標準型半導体レーザ安定化装置の改良に関
する。
固定した量子標準型半導体レーザ安定化装置の改良に関
する。
（従来の技術）
半導体レージは、小型、低電力動作、常温動作、高周波
における変調容易性、広い周波数調整範囲、低価格など
の特長により広い分野で利用されている。しかし、その
半面、半導体レーザの発振周波数はレーザ温度およびレ
ーザ電流に大きく依存するため、これらの微小変化でも
発振周波数は速やかに変化してしまい、その安定度は非
常に悪い。
における変調容易性、広い周波数調整範囲、低価格など
の特長により広い分野で利用されている。しかし、その
半面、半導体レーザの発振周波数はレーザ温度およびレ
ーザ電流に大きく依存するため、これらの微小変化でも
発振周波数は速やかに変化してしまい、その安定度は非
常に悪い。
この欠点は、半導体レーザを種々の計測や高分解能分光
に用いる場合に大きな問題となる。また、光通信におい
ても、将来周波数多重方式へと発展するために、半導体
レーザの周波数安定化が重要な条件となる。
に用いる場合に大きな問題となる。また、光通信におい
ても、将来周波数多重方式へと発展するために、半導体
レーザの周波数安定化が重要な条件となる。
周波数安定化の方法として、原子（または分子。
以下同じ）の吸収線を用いる方法があるが、レーザ光を
標準ガスに吸収させると、原子の熱運動のため、ドツプ
ラ拡がりのある幅広の吸収スペクトル線しか得られない
。
標準ガスに吸収させると、原子の熱運動のため、ドツプ
ラ拡がりのある幅広の吸収スペクトル線しか得られない
。
しかしながら飽和吸収分光では、吸収セルの一方向から
レーザ光をポンプ光として入射し、特定の速度の標準ガ
ス原子を励起した状態で１、反対方向から同−周波数で
強度の弱いプローブ光を入射する。レーザ周波数が原子
の共鳴周波数に一致したときのみプローブ光は吸収を受
けないので、原子の熱運動による速度分布の影響を受け
ず、ドツプラ拡がりのない鋭い吸収線を得ることができ
る。
レーザ光をポンプ光として入射し、特定の速度の標準ガ
ス原子を励起した状態で１、反対方向から同−周波数で
強度の弱いプローブ光を入射する。レーザ周波数が原子
の共鳴周波数に一致したときのみプローブ光は吸収を受
けないので、原子の熱運動による速度分布の影響を受け
ず、ドツプラ拡がりのない鋭い吸収線を得ることができ
る。
これを周波数の標準とすれば周波数安定度を大幅に高め
ることができる。（Ｔ、Ｙａｂｕｚａｋｉ。
ることができる。（Ｔ、Ｙａｂｕｚａｋｉ。
Ａ、Ｈｏｒｉ、ｌｙｌ、）（ｉｔａｎｏ、ａｎｄ Ｔ
。
。
ＯＱａｗａ：Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ５ｔａｂｉｌｉｚ
ａｔｉｏｎ ｏｆ ［）ｉｏｄｅ １−ａ
ｓｅｒＳ ＵｓｉｎＱ ｏｏｐｐｌｅｒ−１”
ｒｅｅ Ａｔｏｍ＋ｃ ５ｐｅＣｔｒａ、Ｐｒ
０Ｃ，Ｉｎｔ。
ａｔｉｏｎ ｏｆ ［）ｉｏｄｅ １−ａ
ｓｅｒＳ ＵｓｉｎＱ ｏｏｐｐｌｅｒ−１”
ｒｅｅ Ａｔｏｍ＋ｃ ５ｐｅＣｔｒａ、Ｐｒ
０Ｃ，Ｉｎｔ。
Ｃｏｎｆ、Ｌａ５ｅｒ−ｓ ８３／堀、開田、北野、
薮崎、小川：飽和吸収分光を用いた半導体レーザの周波
数安定化、信学技報 ０ＱＥ８２−１（発明が解決しよ
うとする問題点） しかしながら、上記のような構成の半導体レーザ波長安
定化装置では、偶成が複雑で５Ａ置が大きく、光学系の
調整が面倒という欠点がある。
薮崎、小川：飽和吸収分光を用いた半導体レーザの周波
数安定化、信学技報 ０ＱＥ８２−１（発明が解決しよ
うとする問題点） しかしながら、上記のような構成の半導体レーザ波長安
定化装置では、偶成が複雑で５Ａ置が大きく、光学系の
調整が面倒という欠点がある。
本発明はこのような問題点を解決するためになされたも
ので、構成が簡単で小型の半導体レーザ波長安定化装置
を実現することを目的とする。
ので、構成が簡単で小型の半導体レーザ波長安定化装置
を実現することを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明に係る半導体レーザ波長安定化装置は標準物質の
吸収スペクトル線に半導体レーザの波長をｖＩ Ｉｊす
ることにより波長を安定化する半導体レーザ波長安定化
装置に係るもので、その特徴とするところは半導体レー
ザの出力光を入射する偏光ビームスプリッタと、この偏
光ビームスプリッタの一方の出力光の一部を入射する標
準物質を封入した吸収セルおよび１／４波長板と、この
吸収セルおよび１／４波長板を通過した光が入射するミ
ラーと、このミラーで反射した光を前記１／４波長板、
前記吸収セルおよび前記偏光ビームスプリッタを介して
入射する第１の受光素子と、前記偏光ビームスプリッタ
の前記一方の出力光の他の一部が前記吸収セルを透過し
た光に関連する光を入射する第２の受光素子とを備え、
２つの前記受光素子の出力を演算し、この演粋出カに対
応して前記半導体レーザの電流または温度を駆動するこ
とにより前記吸収セル内の吸収スペクトル線に発掘周波
数を制御するように構成した点にある。
吸収スペクトル線に半導体レーザの波長をｖＩ Ｉｊす
ることにより波長を安定化する半導体レーザ波長安定化
装置に係るもので、その特徴とするところは半導体レー
ザの出力光を入射する偏光ビームスプリッタと、この偏
光ビームスプリッタの一方の出力光の一部を入射する標
準物質を封入した吸収セルおよび１／４波長板と、この
吸収セルおよび１／４波長板を通過した光が入射するミ
ラーと、このミラーで反射した光を前記１／４波長板、
前記吸収セルおよび前記偏光ビームスプリッタを介して
入射する第１の受光素子と、前記偏光ビームスプリッタ
の前記一方の出力光の他の一部が前記吸収セルを透過し
た光に関連する光を入射する第２の受光素子とを備え、
２つの前記受光素子の出力を演算し、この演粋出カに対
応して前記半導体レーザの電流または温度を駆動するこ
とにより前記吸収セル内の吸収スペクトル線に発掘周波
数を制御するように構成した点にある。
（実施例）
以下本発明を図面を用いて詳しく説明する。
第１図は本発明に係る半導体レーザ波長安定化装置の一
実施例を示す構成ブロック図である。ＬＤｌは半導体レ
ーザ素子、ＬＳｌはこの半導体レーザ素子ＬＤ１の出力
光を集光するレンズ、ＢＳｌはこのレンズＬＳＩを通過
した光を入射する（偏光ビームスプリッタ、ＣＬｌはこ
の偏光ビームスプリッタ８８１の透過光を入射しＲｂ、
Ｃｓなどの金属ガスが封入された吸収セル、Ｐｌはこの
吸収セルＣＬ１を通過する光の一部（図で上側の部分）
が入射する１／４波長板、Ｆｌはこの１／４波長板Ｐ１
の出力光を入射するＮＤフィルタ、ＭｌはこのＮＤフィ
ルタＦ１の出力光を入射するミラー、ＰＤｌはこのミラ
ーＭ１の反射光が前記のフィルタＦ１，１／４波長板Ｐ
１．吸収セルｃ ｌ−１およびビームスプリッタＢＳ１
を介して入射する受光素子、ＢＳ２は前記吸収セルＣｌ
−１を透過ける尤の他の一部（図の下側の部分）を入射
するビームスプリッタ、ＰＯ２はこのビームスプリッタ
ＢＳ２で反射した光が入射する第２の受光素子、ＯＰｌ
は前記受光素子ＰＤ１．ＰＤ２の出力の演算を行う演算
回路、ＤＰＩはこの演算回路ＯＰ１の出力を入力して半
導体レーザＬＤ１の注入゛層流制御を行う駆動回路であ
る。
実施例を示す構成ブロック図である。ＬＤｌは半導体レ
ーザ素子、ＬＳｌはこの半導体レーザ素子ＬＤ１の出力
光を集光するレンズ、ＢＳｌはこのレンズＬＳＩを通過
した光を入射する（偏光ビームスプリッタ、ＣＬｌはこ
の偏光ビームスプリッタ８８１の透過光を入射しＲｂ、
Ｃｓなどの金属ガスが封入された吸収セル、Ｐｌはこの
吸収セルＣＬ１を通過する光の一部（図で上側の部分）
が入射する１／４波長板、Ｆｌはこの１／４波長板Ｐ１
の出力光を入射するＮＤフィルタ、ＭｌはこのＮＤフィ
ルタＦ１の出力光を入射するミラー、ＰＤｌはこのミラ
ーＭ１の反射光が前記のフィルタＦ１，１／４波長板Ｐ
１．吸収セルｃ ｌ−１およびビームスプリッタＢＳ１
を介して入射する受光素子、ＢＳ２は前記吸収セルＣｌ
−１を透過ける尤の他の一部（図の下側の部分）を入射
するビームスプリッタ、ＰＯ２はこのビームスプリッタ
ＢＳ２で反射した光が入射する第２の受光素子、ＯＰｌ
は前記受光素子ＰＤ１．ＰＤ２の出力の演算を行う演算
回路、ＤＰＩはこの演算回路ＯＰ１の出力を入力して半
導体レーザＬＤ１の注入゛層流制御を行う駆動回路であ
る。
次に上記のような構成の装置の動作を詳しく説明する。
半導体レーザＬＤ１から出力された光はレンズＬＳＩで
集光されたのち、偏光ビームスプリッタＢＳ１に入射す
る。このとき半導体レーザＬ Ｄ １の偏波面はその出
力光が偏光ビームスプリッタＢＳＩを全部透過する方向
となっている。偏光ビームスプリッタＢＳ１を透過した
光は吸収セルＣＬ１に飽和光（ポンプ光）として入射し
吸収セルＣＬＩ内の原子の吸収を受ける。吸収セルＣＬ
１を通過した光の一部（上半分）は１／４波長板Ｐ１に
入射して円偏光となり、ＮＤフィルタＦ１を介してミラ
ーＭ１で反射される。ミラーＭ１の反射光は再びＮＤフ
ィルタＦ１および１／４波長板Ｐ１を介してポンプ光と
逆向きのプローブ光として吸収セルＣＬＩに入射する。
集光されたのち、偏光ビームスプリッタＢＳ１に入射す
る。このとき半導体レーザＬ Ｄ １の偏波面はその出
力光が偏光ビームスプリッタＢＳＩを全部透過する方向
となっている。偏光ビームスプリッタＢＳ１を透過した
光は吸収セルＣＬ１に飽和光（ポンプ光）として入射し
吸収セルＣＬＩ内の原子の吸収を受ける。吸収セルＣＬ
１を通過した光の一部（上半分）は１／４波長板Ｐ１に
入射して円偏光となり、ＮＤフィルタＦ１を介してミラ
ーＭ１で反射される。ミラーＭ１の反射光は再びＮＤフ
ィルタＦ１および１／４波長板Ｐ１を介してポンプ光と
逆向きのプローブ光として吸収セルＣＬＩに入射する。
このとき吸収セルＣＬＩ中で飽和光とプローブ光の光軸
が重なるように調節されている。吸収セルＣＬ１から出
ツノされるプローブ光は１／４波長板Ｐ１を２回通過す
る間に偏波面を９０’回転されているので、−ａ光ビー
ムスプリッタＢＳ１で反射され、受光素子ＰＤ１に入射
する。吸収セルＣＬ１を通過した光の他の一部（下半分
）はビームスプリッタＢＳ２に入″Ｈし、その透過光は
外部への出力光となり、反射光は参照光として受光素子
ＰＤ２に入用する。
が重なるように調節されている。吸収セルＣＬ１から出
ツノされるプローブ光は１／４波長板Ｐ１を２回通過す
る間に偏波面を９０’回転されているので、−ａ光ビー
ムスプリッタＢＳ１で反射され、受光素子ＰＤ１に入射
する。吸収セルＣＬ１を通過した光の他の一部（下半分
）はビームスプリッタＢＳ２に入″Ｈし、その透過光は
外部への出力光となり、反射光は参照光として受光素子
ＰＤ２に入用する。
受光素子１） Ｄ １の出力と受光素子ＰＤ２の出力は
演算回路ＯＰ１で演算され、その出力は駆動回路ＤＲ１
に人力する。駆動回路ＤＲ１の出力で半導体レーザの電
流を駆動することにより、吸収セルＣＬｌ内の基準ガス
の飽和吸収スペクトル信号に半導体１・−ザの発振周波
数を制御する。
演算回路ＯＰ１で演算され、その出力は駆動回路ＤＲ１
に人力する。駆動回路ＤＲ１の出力で半導体レーザの電
流を駆動することにより、吸収セルＣＬｌ内の基準ガス
の飽和吸収スペクトル信号に半導体１・−ザの発振周波
数を制御する。
上記ＨＨにＪ５いて、吸収セルＣＬ１に入射した光はポ
ンプ光として働き、原子を励起して飽和状態にする。そ
の結果、吸収セルＣＬ１の出射光を検出する受光素子Ｐ
Ｄ２の出力は第２図の１に示すような線形吸収（ドツプ
ラ広がりのある吸収）を受ける。吸収セルＣＬ１の上側
の出力光はＮＤフィルタを２回通過する際に充分減衰さ
れた後、ポンプ光として逆方向から吸収セルＣＬ１に人
制し飽和吸収を受ける。すなわち前述のように、レーザ
周波数が吸収セル内の原子の共鳴周波数に一致したとき
のみプローブ光が吸収を受けないので、ドツプラ拡がり
のない鋭い吸収線を得ることが、きる。口の結果、第１
の受光素子ＰＤ１の出力は第３図の実線２に示すような
飽和吸収特性となる。
ンプ光として働き、原子を励起して飽和状態にする。そ
の結果、吸収セルＣＬ１の出射光を検出する受光素子Ｐ
Ｄ２の出力は第２図の１に示すような線形吸収（ドツプ
ラ広がりのある吸収）を受ける。吸収セルＣＬ１の上側
の出力光はＮＤフィルタを２回通過する際に充分減衰さ
れた後、ポンプ光として逆方向から吸収セルＣＬ１に人
制し飽和吸収を受ける。すなわち前述のように、レーザ
周波数が吸収セル内の原子の共鳴周波数に一致したとき
のみプローブ光が吸収を受けないので、ドツプラ拡がり
のない鋭い吸収線を得ることが、きる。口の結果、第１
の受光素子ＰＤ１の出力は第３図の実線２に示すような
飽和吸収特性となる。
演算回路ＯＰ１で例えば受光素子ＰＤ２の出力を調整し
、第３１Ａの破線３に一致させて受光素子ＰＤ１の出力
から引算し、増幅すると第４図の特性が得られる。この
特性のピーク圃になるように駆動回路Ｄ ＲＩ内のＰＩ
Ｄ回路を介して半導体レーザＬＤＩの電流を制御する。
、第３１Ａの破線３に一致させて受光素子ＰＤ１の出力
から引算し、増幅すると第４図の特性が得られる。この
特性のピーク圃になるように駆動回路Ｄ ＲＩ内のＰＩ
Ｄ回路を介して半導体レーザＬＤＩの電流を制御する。
このような構成の半導体レーザ波長安定化装置によれば
、Ｒｂ、Ｃｓなどの標準ガスあるいはＮＨ３，１−１２
０などの飽和吸収スペクトルに周波数を固定するので、
半導体レーザの発振波長が安定となる。
、Ｒｂ、Ｃｓなどの標準ガスあるいはＮＨ３，１−１２
０などの飽和吸収スペクトルに周波数を固定するので、
半導体レーザの発振波長が安定となる。
また吸収セルと平行あるいは直交するような光路がなく
、従来の装置より光学系の構成が簡単で小型になる。ま
た光軸の調整等も簡単になる。
、従来の装置より光学系の構成が簡単で小型になる。ま
た光軸の調整等も簡単になる。
また参照光がポンプ光やプローブ光と直交Ｖず、外乱を
受けないので、精度・安定性がよい。
受けないので、精度・安定性がよい。
／ＪＪ５上記の実施例において駆動回路などにロックイ
ンアンプを用いて、飽和吸収信号の１次微分波形のゼロ
クロスポイントに周波数を制御してもよい。
ンアンプを用いて、飽和吸収信号の１次微分波形のゼロ
クロスポイントに周波数を制御してもよい。
またミラーＭ１の反割率を小さくすればＮＤフィルタＥ
１を不要にすることもできる。
１を不要にすることもできる。
また上記の実施例とは逆に偏光ビームスプリッタＢＳ１
において、半導体レーザしＤｌの出力を反射させて吸収
セルＣＬ１に導き、プローブ光を透過させて受光素子Ｐ
Ｄ１に導いてもよい。
において、半導体レーザしＤｌの出力を反射させて吸収
セルＣＬ１に導き、プローブ光を透過させて受光素子Ｐ
Ｄ１に導いてもよい。
また上記の実施例において、１／４波長板Ｐ１を吸収セ
ルＣＬ１の前に配置してもよい。また吸収セルのＣ１０
後ろの場合でも、ミラーＭ１の手前に配置してもよい。
ルＣＬ１の前に配置してもよい。また吸収セルのＣ１０
後ろの場合でも、ミラーＭ１の手前に配置してもよい。
また半導体レーザＬＤ１の出射光の（−波面を完全に偏
光ビームスプリッタＢＳ１と合せずに一部を反射させて
外部への出力光とし、ビームスプリッタＢＳ２の代りに
同じ位買に受光素子「〕Ｄ２を配置することにより、ビ
ームスプリッタを１つ省略するとともに吸収などの外乱
を受けない出力光を１りることができる。
光ビームスプリッタＢＳ１と合せずに一部を反射させて
外部への出力光とし、ビームスプリッタＢＳ２の代りに
同じ位買に受光素子「〕Ｄ２を配置することにより、ビ
ームスプリッタを１つ省略するとともに吸収などの外乱
を受けない出力光を１りることができる。
第５図は本発明の第２の実施例を示すための要部構成γ
１視図である。第１図装置に対し、１／４波長板））２
．ＮＤフィルタＦ２Ｊ５よびミラーＭ２を吸収セルの出
射光の中心部に配置して、中心部の光を飽和吸収１ｇ号
に用いるようにしＩζらので、動作は第１図の場合と同
様である。第６図はこれと逆に、ドーナツ型の１／４波
長板Ｐ３．ＮＤフィルタＦ３およびミラーＭ３を用いる
ことにより、周辺部の光を飽和吸収信号に用いるように
したものである。Ｐ４．Ｆ４およびＭ４は第１図の場合
と同様のそれぞれ１／４波長板、ＮＤフィルタおよびミ
ラーである。
１視図である。第１図装置に対し、１／４波長板））２
．ＮＤフィルタＦ２Ｊ５よびミラーＭ２を吸収セルの出
射光の中心部に配置して、中心部の光を飽和吸収１ｇ号
に用いるようにしＩζらので、動作は第１図の場合と同
様である。第６図はこれと逆に、ドーナツ型の１／４波
長板Ｐ３．ＮＤフィルタＦ３およびミラーＭ３を用いる
ことにより、周辺部の光を飽和吸収信号に用いるように
したものである。Ｐ４．Ｆ４およびＭ４は第１図の場合
と同様のそれぞれ１／４波長板、ＮＤフィルタおよびミ
ラーである。
第７図は本発明の第３の実施例を示すための要部構成ブ
ロック図である。第１図装置と異なり、ビームスプリッ
タ８８２を用いずに、入射光を３部分に分け、ミラーＭ
５で反射した光を参照光とし、吸収セルＣＬ１の出力光
の一部を直接外部への出力光として取出すものである。
ロック図である。第１図装置と異なり、ビームスプリッ
タ８８２を用いずに、入射光を３部分に分け、ミラーＭ
５で反射した光を参照光とし、吸収セルＣＬ１の出力光
の一部を直接外部への出力光として取出すものである。
なお上記の各実施例では吸収セル内にガスを封入した場
合を示したが、吸収線はガスに限らないので、液体や固
体を用いてもよい。
合を示したが、吸収線はガスに限らないので、液体や固
体を用いてもよい。
（発明の効果）
以上述べたように本発明にＪ、れば、高ｍ度かつ構成が
筒中で小型の半導体レーリ′波＆安定化装置を簡Ｉｌｌ
な構成で実Ｊ９することがでさる。
筒中で小型の半導体レーリ′波＆安定化装置を簡Ｉｌｌ
な構成で実Ｊ９することがでさる。
第１図は本発明に係る半導体レーザ波長安定化装置の一
実施例を示す構成ブロック図、第２図〜第４図は第１図
装置の動作を説明するための特性曲線図、第５図および
第６図は本発明の第２の実施例を示すための要ｔ＠構成
斜視図、第７図は本発明の第３の実施例を示すための要
部構成ブロック図である。 １−Ｄｌ・・・半導体レーザ、ＢＳｌ・・・偏光ビーム
スプリッタ、ＣＬｌ・・・吸収セル、Ｐｌ・・・１．／
４波長板、Ｍｌ・・・ミラー、ＰＤｌ・・・第１の受光
素子、ＰＤ２・・・第２の受光素子。
実施例を示す構成ブロック図、第２図〜第４図は第１図
装置の動作を説明するための特性曲線図、第５図および
第６図は本発明の第２の実施例を示すための要ｔ＠構成
斜視図、第７図は本発明の第３の実施例を示すための要
部構成ブロック図である。 １−Ｄｌ・・・半導体レーザ、ＢＳｌ・・・偏光ビーム
スプリッタ、ＣＬｌ・・・吸収セル、Ｐｌ・・・１．／
４波長板、Ｍｌ・・・ミラー、ＰＤｌ・・・第１の受光
素子、ＰＤ２・・・第２の受光素子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 標準物質の吸収スペクトル線に半導体レーザの波長を制
御することにより波長を安定化する半導体レーザ波長安
定化装置において、 半導体レーザの出力光を入射する偏光ビームスプリッタ
と、この偏光ビームスプリッタの一方の出力光の一部を
入射する標準物質を封入した吸収セルおよび１／４波長
板と、この吸収セルおよび１／４波長板を通過した光が
入射するミラーと、このミラーで反射した光を前記１／
４波長板、前記吸収セルおよび前記偏光ビームスプリッ
タを介して入射する第１の受光素子と、前記偏光ビーム
スプリッタの前記一方の出力光の他の一部が前記吸収セ
ルを透過した光に関連する光を入射する第２の受光素子
とを備え、２つの前記受光素子の出力を演算し、この演
算出力に対応して前記半導体レーザの電流または温度を
駆動することにより前記吸収セル内の吸収スペクトル線
に発振周波数を制御するように構成したことを特徴とす
る半導体レーザ波長安定化装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2971686A JPS62188291A (ja) | 1986-02-13 | 1986-02-13 | 半導体レ−ザ波長安定化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2971686A JPS62188291A (ja) | 1986-02-13 | 1986-02-13 | 半導体レ−ザ波長安定化装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62188291A true JPS62188291A (ja) | 1987-08-17 |
| JPH0462477B2 JPH0462477B2 (ja) | 1992-10-06 |
Family
ID=12283833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2971686A Granted JPS62188291A (ja) | 1986-02-13 | 1986-02-13 | 半導体レ−ザ波長安定化装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62188291A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04116173U (ja) * | 1991-03-26 | 1992-10-16 | 横河電機株式会社 | 周波数安定化レ―ザ光源 |
| JPWO2015015628A1 (ja) * | 2013-08-02 | 2017-03-02 | 株式会社日立製作所 | 磁場計測装置 |
-
1986
- 1986-02-13 JP JP2971686A patent/JPS62188291A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04116173U (ja) * | 1991-03-26 | 1992-10-16 | 横河電機株式会社 | 周波数安定化レ―ザ光源 |
| JPWO2015015628A1 (ja) * | 2013-08-02 | 2017-03-02 | 株式会社日立製作所 | 磁場計測装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0462477B2 (ja) | 1992-10-06 |
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