JPS62184375A - ガス絶縁変流器 - Google Patents
ガス絶縁変流器Info
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- JPS62184375A JPS62184375A JP61024174A JP2417486A JPS62184375A JP S62184375 A JPS62184375 A JP S62184375A JP 61024174 A JP61024174 A JP 61024174A JP 2417486 A JP2417486 A JP 2417486A JP S62184375 A JPS62184375 A JP S62184375A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の技術分野」
不発明は、ガス絶縁変流器に関するものであり、特に光
磁界センサ及びその検出装置を備え、この間で光を伝送
する構成を有するガス絶縁変流器に係る。
磁界センサ及びその検出装置を備え、この間で光を伝送
する構成を有するガス絶縁変流器に係る。
し発明の技術的背鎖]
従来、ガス絶縁開閉装置に用いられるガス絶縁変流器は
、ケイ累鋼板にコイルを巻き付けて成る鉄心タイプの変
流器コアにより構成されていた。
、ケイ累鋼板にコイルを巻き付けて成る鉄心タイプの変
流器コアにより構成されていた。
この様な従来のガス絶縁変流器を、特に3相一括型のガ
ス絶縁開閉装置に用いられるガス絶縁変流器を例に取っ
て、第7図に基いて説明する。
ス絶縁開閉装置に用いられるガス絶縁変流器を例に取っ
て、第7図に基いて説明する。
円筒形のタンク1内にはU、V、W相の3相の導体2u
〜2Wが配設されている。タンク1の前後には絶縁スペ
ーサ3が設けられ、これによって導体2u〜2Wが支持
されている。タンク1は、その軸に垂直に前後に分割さ
れ、前方にあって本来の径を有するタンク1aと、後方
にあって変流器コア4の寸法分だけ径が大きくされたタ
ンク1bとから構成されている。このタンク1bの内側
端部の導体2U〜2Wの延長上に夫々変流器コア4か設
置されている。そして、この変流器コア4の前方(即ち
、後方のタンク1bの端部)には支持板5が設けられ、
変流器コア4の内側にはこれと連結して絶縁シールド6
が設けられ、これらにより変流器コア4の支持及び導体
2u〜2wとの絶縁がなされている。更に、タンク1の
下部には、変流器コア4の電流を引き出、す為の密封端
子7が設Gブられている。
〜2Wが配設されている。タンク1の前後には絶縁スペ
ーサ3が設けられ、これによって導体2u〜2Wが支持
されている。タンク1は、その軸に垂直に前後に分割さ
れ、前方にあって本来の径を有するタンク1aと、後方
にあって変流器コア4の寸法分だけ径が大きくされたタ
ンク1bとから構成されている。このタンク1bの内側
端部の導体2U〜2Wの延長上に夫々変流器コア4か設
置されている。そして、この変流器コア4の前方(即ち
、後方のタンク1bの端部)には支持板5が設けられ、
変流器コア4の内側にはこれと連結して絶縁シールド6
が設けられ、これらにより変流器コア4の支持及び導体
2u〜2wとの絶縁がなされている。更に、タンク1の
下部には、変流器コア4の電流を引き出、す為の密封端
子7が設Gブられている。
ところで、この様なガス絶縁3相変流器においては、3
箇所に設ける変流器コアが重い為、これを支える支持板
、絶縁シールド等もかなりの大きざとなり、これらを3
箇所に設ける為に機器が複雄且つ大型化し、重罪も大き
くなってしまう。また、変流器コアは1コアで1用途に
しか使用できない為、継電器用や計測用等に複数のコア
が必要となり、これも大型化の原因となる他、コスト的
にも高価となってしまう。
箇所に設ける変流器コアが重い為、これを支える支持板
、絶縁シールド等もかなりの大きざとなり、これらを3
箇所に設ける為に機器が複雄且つ大型化し、重罪も大き
くなってしまう。また、変流器コアは1コアで1用途に
しか使用できない為、継電器用や計測用等に複数のコア
が必要となり、これも大型化の原因となる他、コスト的
にも高価となってしまう。
これらの欠点に鑑み、最近では、細径性、絶縁性、無誘
導性、耐環境性等の優れた特徴を有する光ファイバーを
用いた計測技術が注目され、これを応用した光磁界セン
サにより変流器を構成する試みがなされている。
導性、耐環境性等の優れた特徴を有する光ファイバーを
用いた計測技術が注目され、これを応用した光磁界セン
サにより変流器を構成する試みがなされている。
第8図に、この様な光磁界センサによるガス絶縁変流器
を用いて3相−捨型ガス絶縁開閉装置を構成した場合の
例を示す。
を用いて3相−捨型ガス絶縁開閉装置を構成した場合の
例を示す。
同図において、主母線MBはしゃ断器CB及び断路器D
SI、DS2を介してケーブルヘッドCHdに引き出さ
れている。ケーブルヘッドCHd側の断路器DS2とケ
ーブルヘッドCHdの間からは、接地装置ES及び計器
用変圧器PTが引き出されている。断路器DS2及び接
地装置ESはタンク12内に一括して収納され、また計
器用変圧器PTは、このタンク12とケーブルヘッドの
間に設けられたタンク13の下に取付けられている。し
ゃ断器CBのタンク本体両側の口出し部タンク11a、
11bには、夫々光変流器CTI。
SI、DS2を介してケーブルヘッドCHdに引き出さ
れている。ケーブルヘッドCHd側の断路器DS2とケ
ーブルヘッドCHdの間からは、接地装置ES及び計器
用変圧器PTが引き出されている。断路器DS2及び接
地装置ESはタンク12内に一括して収納され、また計
器用変圧器PTは、このタンク12とケーブルヘッドの
間に設けられたタンク13の下に取付けられている。し
ゃ断器CBのタンク本体両側の口出し部タンク11a、
11bには、夫々光変流器CTI。
CH2が収納されている。
そして、このしゃ断器CB内の光変流器CT2の構造を
第9図に示す。光変流器CT1についてはCH2と同一
の構成を有する為、説明を省略する。
第9図に示す。光変流器CT1についてはCH2と同一
の構成を有する為、説明を省略する。
即ち、第9図において、しゃ断器CBの口出し部タンク
11bに設けられた絶縁スペーサ3に導体2u〜2Wが
取付けられ、その接続部8近傍には導体2u〜2Wを周
回する様に光磁界センサ9が設けられている。
11bに設けられた絶縁スペーサ3に導体2u〜2Wが
取付けられ、その接続部8近傍には導体2u〜2Wを周
回する様に光磁界センサ9が設けられている。
この光磁界センサ9は、第10図に示した様に、磁界強
度によりファラデー回転角を生ずる鉛ガラス等のガラス
で形成され、各コーナーに全反射面を設けたファラデー
素子18と反射ミラー19を組み合せて構成され、ファ
ラデー素子透過光が光路20で示した様に、導体2■を
周回する様な構成とされ、更に、反射ミラー19により
光路を往復させることで、外部の磁界の影響を受けるこ
となく高精度、高感度な計測が行えるようにしたもので
ある。こ口で、直線9光を全反射させた場合には、入射
面に垂直な偏光成分の電界ベクトルと入射面に平行な偏
光成分の電界ベクトルとの間に位相差を生じるために、
反射光は一般に楕円偏光となり、ファラデー効果を用い
た電流測定においては測定誤差の増大、受光強度の減少
につながる。
度によりファラデー回転角を生ずる鉛ガラス等のガラス
で形成され、各コーナーに全反射面を設けたファラデー
素子18と反射ミラー19を組み合せて構成され、ファ
ラデー素子透過光が光路20で示した様に、導体2■を
周回する様な構成とされ、更に、反射ミラー19により
光路を往復させることで、外部の磁界の影響を受けるこ
となく高精度、高感度な計測が行えるようにしたもので
ある。こ口で、直線9光を全反射させた場合には、入射
面に垂直な偏光成分の電界ベクトルと入射面に平行な偏
光成分の電界ベクトルとの間に位相差を生じるために、
反射光は一般に楕円偏光となり、ファラデー効果を用い
た電流測定においては測定誤差の増大、受光強度の減少
につながる。
このため、第10図の例では、ファラデー素子18の各
コーナーで2回の全反射を行なわせることで、1回目の
全反射によって生じる偏光成分の位相差を2回目の全反
射時に相殺させ、この様な問題点を解消している。
コーナーで2回の全反射を行なわせることで、1回目の
全反射によって生じる偏光成分の位相差を2回目の全反
射時に相殺させ、この様な問題点を解消している。
一方、タンク11b上には、この光磁界センサ9に対応
する位置に、ガス密封端子7が設けられ、ここにレンズ
、偏光子及び検光子等から成る発受光部が内蔵されてい
る。そして、光磁界センサ9と発受光部の間で光が空間
伝送される様になっている。
する位置に、ガス密封端子7が設けられ、ここにレンズ
、偏光子及び検光子等から成る発受光部が内蔵されてい
る。そして、光磁界センサ9と発受光部の間で光が空間
伝送される様になっている。
この様に構成された光変流器CT2の作用は次の通りで
ある。即ち、タンク11bの外部に配設された検出装置
17の光発信器から、光ファイバケーブル15によって
密封端子7に導かれた光は、密封端子7内の発受光部に
おいて直線偏光となり光磁界センサ9に送られる。ぞし
て、この光はファラデー素子18を通過する際に磁界の
大きざに応じた角度の偏光となった後、再び密封端子7
内の発受光部に送られ、光ファイバケーブル16を通っ
て検出装置17に送られる。そして、検出装置17の光
受信器によって光パワーとして取り出され、演算処理さ
れ、その演算処理の大きさに比例した出力に変換される
。
ある。即ち、タンク11bの外部に配設された検出装置
17の光発信器から、光ファイバケーブル15によって
密封端子7に導かれた光は、密封端子7内の発受光部に
おいて直線偏光となり光磁界センサ9に送られる。ぞし
て、この光はファラデー素子18を通過する際に磁界の
大きざに応じた角度の偏光となった後、再び密封端子7
内の発受光部に送られ、光ファイバケーブル16を通っ
て検出装置17に送られる。そして、検出装置17の光
受信器によって光パワーとして取り出され、演算処理さ
れ、その演算処理の大きさに比例した出力に変換される
。
上述した様に、光磁界センサは絶縁性に優れる為、導体
2u〜2Wの近傍に配置でき、また密封端子7も小型化
できる。その結果、ガス絶縁変流器は大幅に縮小、軽母
化される。特に具体的に数値を示せば、長さについては
20%程度、直径については60%程度に縮小されると
考えられる。
2u〜2Wの近傍に配置でき、また密封端子7も小型化
できる。その結果、ガス絶縁変流器は大幅に縮小、軽母
化される。特に具体的に数値を示せば、長さについては
20%程度、直径については60%程度に縮小されると
考えられる。
また、光磁界センサは、信号の多重化が自由である為、
従来の様に、用途別に複数のコアを設けるものと違い、
1個のセンサを設けるだけで、これを多用途に使用でき
る。従って、この点において、変流器をより小型・簡略
化することが可能であり、ロス1〜的にも安価である。
従来の様に、用途別に複数のコアを設けるものと違い、
1個のセンサを設けるだけで、これを多用途に使用でき
る。従って、この点において、変流器をより小型・簡略
化することが可能であり、ロス1〜的にも安価である。
ところで、この様な光磁界センサを用いたガス絶縁変流
器としては、上記の様に高圧導体側にファラデー素子か
ら成る光磁界センサを設け、タンク側に発受光部を直接
取付けて光を空間伝送するもの(前者)の他に、高圧導
体側にファラデー素子、偏光子、検光子、レンズ等をひ
とまとめにして構成した光磁界セン勺を設け、この光磁
界セン畳すとタンク側に設けた発受光部とを光ファイバ
ーで接続し、この光ファイバーで光を伝送するものく後
者)が考えられる。しかしながら、後者については、光
ファイバーが高電界部に配される為、光ファイバーのク
ラッドと外被間にミクロボイド等が存在した場合に絶縁
不良を生ずる可能性があり、絶縁信頼性の点で問題があ
る。一方、空間伝送がなされるタイプの前者においては
、この様な欠点はなく、絶縁信頼性に優れている。従っ
て、この長所から空間伝送タイプのガス絶縁変流器がよ
り有望視される。
器としては、上記の様に高圧導体側にファラデー素子か
ら成る光磁界センサを設け、タンク側に発受光部を直接
取付けて光を空間伝送するもの(前者)の他に、高圧導
体側にファラデー素子、偏光子、検光子、レンズ等をひ
とまとめにして構成した光磁界セン勺を設け、この光磁
界セン畳すとタンク側に設けた発受光部とを光ファイバ
ーで接続し、この光ファイバーで光を伝送するものく後
者)が考えられる。しかしながら、後者については、光
ファイバーが高電界部に配される為、光ファイバーのク
ラッドと外被間にミクロボイド等が存在した場合に絶縁
不良を生ずる可能性があり、絶縁信頼性の点で問題があ
る。一方、空間伝送がなされるタイプの前者においては
、この様な欠点はなく、絶縁信頼性に優れている。従っ
て、この長所から空間伝送タイプのガス絶縁変流器がよ
り有望視される。
なお、上記の構成は、単相型の変流器においても同様で
おる。
おる。
[背景技術の問題点]
ところで、上記の様な構成を荷重るガス絶縁変流器にお
いては、光磁界センサ、発受光部の光学部品か進縁ガス
中に露出しているので、変流器近傍において発生するア
ーク等の閃光を発受光部で受光してしまうことがあり、
その場合に、大きな測定誤差を生じたる欠点があった。
いては、光磁界センサ、発受光部の光学部品か進縁ガス
中に露出しているので、変流器近傍において発生するア
ーク等の閃光を発受光部で受光してしまうことがあり、
その場合に、大きな測定誤差を生じたる欠点があった。
また、光磁界センサ、発受光部の工学部品が絶縁ガス中
に露出しているので、ガス絶縁開閉装置のアークしゃ断
時や地絡事故時に発生する絶縁ガスの気体分解生成物に
より、これら光学部品が侵されたり、固体分解生成物に
より先出入面や発受光面か覆われて、光の透過性が損わ
れ、空間伝送の光損失が増加してしまうという欠点もあ
った。
に露出しているので、ガス絶縁開閉装置のアークしゃ断
時や地絡事故時に発生する絶縁ガスの気体分解生成物に
より、これら光学部品が侵されたり、固体分解生成物に
より先出入面や発受光面か覆われて、光の透過性が損わ
れ、空間伝送の光損失が増加してしまうという欠点もあ
った。
また、第10図に示した様な構成を有する光磁界センサ
においては、■光路が完全に導体を周回していない、■
ファラデー素子が大形のガラスであるため、光路上のベ
ルデ定数が完全に均一でない、■導体軸方向の外部磁界
か発生した場合には、ファラデー素子の各コーナーにお
ける導体軸方向の光路でファラデー回転が起こるために
、各コーナ一部での2回の全反射の組み合わせでは、全
反射により生じる偏光成分の位相差を相殺できなくなる
等の原因から、外部磁界の影響を完全に回避することは
できない。特に、第9図に示した様に、同一タンク内に
他相の導体を共に配設して構成される3相−捨型の光変
流器では、隣接する導体に多大な事故電流が流れた場合
の自相電流の測定誤差は相当大きくなることが予想され
る。
においては、■光路が完全に導体を周回していない、■
ファラデー素子が大形のガラスであるため、光路上のベ
ルデ定数が完全に均一でない、■導体軸方向の外部磁界
か発生した場合には、ファラデー素子の各コーナーにお
ける導体軸方向の光路でファラデー回転が起こるために
、各コーナ一部での2回の全反射の組み合わせでは、全
反射により生じる偏光成分の位相差を相殺できなくなる
等の原因から、外部磁界の影響を完全に回避することは
できない。特に、第9図に示した様に、同一タンク内に
他相の導体を共に配設して構成される3相−捨型の光変
流器では、隣接する導体に多大な事故電流が流れた場合
の自相電流の測定誤差は相当大きくなることが予想され
る。
[発明の目的]
本発明は、上記の様な問題点を解消するために提案され
たもので、その目的は、外部の磁界、アーク等の閃光及
び絶縁ガスの分解生成物等の影響を受けることなく、精
度の高い計測が可能なガス絶縁変流器を提供することで
ある。
たもので、その目的は、外部の磁界、アーク等の閃光及
び絶縁ガスの分解生成物等の影響を受けることなく、精
度の高い計測が可能なガス絶縁変流器を提供することで
ある。
[発明の概要]
本発明によるガス絶縁変流器は、しゃ断器等のガス絶縁
電気装置のタンク内に、絶縁物によって支持された磁気
シールドケースを配設し、この磁気シールドケースを貫
通するように導体を固定し、この導体の両端にガス絶縁
電気装置の導体と接続する接続部を設け、また、前記磁
気シールドケース内に位置する導体の周囲に光磁界セン
サを配設し、この光磁界センサとタンク外部に配設され
た検出装置とを、光の伝送手段を介して接続したことに
より、外部磁界、アーク等の閃光及び絶縁ガスの分解生
成物等の影響を受けないようにしたものである。
電気装置のタンク内に、絶縁物によって支持された磁気
シールドケースを配設し、この磁気シールドケースを貫
通するように導体を固定し、この導体の両端にガス絶縁
電気装置の導体と接続する接続部を設け、また、前記磁
気シールドケース内に位置する導体の周囲に光磁界セン
サを配設し、この光磁界センサとタンク外部に配設され
た検出装置とを、光の伝送手段を介して接続したことに
より、外部磁界、アーク等の閃光及び絶縁ガスの分解生
成物等の影響を受けないようにしたものである。
[発明の実施例]
以上述べた様な本発明によるガス絶縁変流器の実施例を
第1図乃至第6図を用いて具体的に説明する。
第1図乃至第6図を用いて具体的に説明する。
■第1実施例
1)空間伝送タイプ
第1図(A>、(B)は、本発明によるガス絶縁変流器
を空間伝送タイプの3相一括型変流器に採用した実施例
を示したものである。
を空間伝送タイプの3相一括型変流器に採用した実施例
を示したものである。
*構成*
第1図において、しゃ断器のタンク21内には、3相の
導体22u〜22Wが配設され、これらの導体22u〜
22Wの両端には、ガス絶縁開閉装置内に配設された隣
接導体と接続する為の接続部22a、22bが形成され
ている。これらの導体22u〜22Wの略中央位置には
、各導体を周回する様に取付けられる光磁界センサ23
をその内部に収納できるような磁気シールドケース26
が取付けられている。この磁気シールドケース26は銅
、アルミ等の導電材料又はこれら導電材料とケイ素綱板
等の磁性材料を組み合わせて形成されたもので、電界シ
ールドとしての機能も兼ねたものである。また、この磁
気シールドケース26は、ケース26a、フタ26b、
絶縁リング26Gの3つの部分から構成され、磁気シー
ルドケース26の2つの導体貫通部の内、一方の貫通部
は溶接によって導体とケース26aとが固定され、他方
の貫通部は絶縁リング26Gとフタ26bを介してケー
ス26aに導体が固定されている。
導体22u〜22Wが配設され、これらの導体22u〜
22Wの両端には、ガス絶縁開閉装置内に配設された隣
接導体と接続する為の接続部22a、22bが形成され
ている。これらの導体22u〜22Wの略中央位置には
、各導体を周回する様に取付けられる光磁界センサ23
をその内部に収納できるような磁気シールドケース26
が取付けられている。この磁気シールドケース26は銅
、アルミ等の導電材料又はこれら導電材料とケイ素綱板
等の磁性材料を組み合わせて形成されたもので、電界シ
ールドとしての機能も兼ねたものである。また、この磁
気シールドケース26は、ケース26a、フタ26b、
絶縁リング26Gの3つの部分から構成され、磁気シー
ルドケース26の2つの導体貫通部の内、一方の貫通部
は溶接によって導体とケース26aとが固定され、他方
の貫通部は絶縁リング26Gとフタ26bを介してケー
ス26aに導体が固定されている。
また、タンク21には、3箇所の口出し部21u、21
v、21wか円周方向に等間隔に形成され、この口出し
部のフランジに支持容器29がボルトで着脱自在に固定
されている。この支持容器29と磁気シールドケース2
6との間には、磁気シールドケース26及び導体221
J〜22Wを支持するための絶縁筒28が各導体221
J〜22Wと垂直に設けられている。更に、導体22、
磁気シールドケース26、絶縁筒28、支持容器29、
支持容器の外側に配設されるフタ34等の各接続部には
、オーリング35〜41によるガスシール部を設けて、
これらを気密状の導体ユニットとし、このユニット内に
タンク21内と同圧力のSFaガス等の絶縁ガスを封入
して、各相のユニット丹に水分、ガス圧管理を図示しな
い吸着剤ケース、密度スイッチ等で行なっている。
v、21wか円周方向に等間隔に形成され、この口出し
部のフランジに支持容器29がボルトで着脱自在に固定
されている。この支持容器29と磁気シールドケース2
6との間には、磁気シールドケース26及び導体221
J〜22Wを支持するための絶縁筒28が各導体221
J〜22Wと垂直に設けられている。更に、導体22、
磁気シールドケース26、絶縁筒28、支持容器29、
支持容器の外側に配設されるフタ34等の各接続部には
、オーリング35〜41によるガスシール部を設けて、
これらを気密状の導体ユニットとし、このユニット内に
タンク21内と同圧力のSFaガス等の絶縁ガスを封入
して、各相のユニット丹に水分、ガス圧管理を図示しな
い吸着剤ケース、密度スイッチ等で行なっている。
一方、前記磁気シールドケース26内には、ファラデー
素子からなる光磁界センサ23が、各導体22LJ〜2
2Wを周回し、且つ各導体22u〜22Wと接触しない
ように、支持台25によって固定されている。この光磁
界センサ23は、全反射面、反射ミラー等を籠えた断面
略正方形のものて市る。また、絶縁筒28内の空間を介
して対向する位置に配設された磁気シールドブース26
と支持容器29の対向面には、それぞれ光通過用の孔2
7.30が形成されている。更に、支持容器29内には
、レンズ、偏光子、検光子等より成る発受光部32が支
持部材31により支持容器29に固定され、この発受光
部32と光磁界センサ23の先出入面24とは、光路の
光軸上に対向する様に配置され、絶縁筒28内の空間を
介して光の伝送が行なわれる様に構成されている。
素子からなる光磁界センサ23が、各導体22LJ〜2
2Wを周回し、且つ各導体22u〜22Wと接触しない
ように、支持台25によって固定されている。この光磁
界センサ23は、全反射面、反射ミラー等を籠えた断面
略正方形のものて市る。また、絶縁筒28内の空間を介
して対向する位置に配設された磁気シールドブース26
と支持容器29の対向面には、それぞれ光通過用の孔2
7.30が形成されている。更に、支持容器29内には
、レンズ、偏光子、検光子等より成る発受光部32が支
持部材31により支持容器29に固定され、この発受光
部32と光磁界センサ23の先出入面24とは、光路の
光軸上に対向する様に配置され、絶縁筒28内の空間を
介して光の伝送が行なわれる様に構成されている。
また、支持容器29に取付けられたフタ34には密封端
子33か設【プられ、この沖ytt端子33を介して発
受光部32とタンク21の外部に設けられた検出装置4
4とが送光用及び受光用の光ファイバー42.43によ
り接続されている。
子33か設【プられ、この沖ytt端子33を介して発
受光部32とタンク21の外部に設けられた検出装置4
4とが送光用及び受光用の光ファイバー42.43によ
り接続されている。
なお、第1図の実施例においては、絶縁@28の軸と空
間伝送部の光軸とが、ある角度を持つように、光磁界セ
ン4123及び発受光部32が傾けられて固定されてい
る。
間伝送部の光軸とが、ある角度を持つように、光磁界セ
ン4123及び発受光部32が傾けられて固定されてい
る。
*作用*
以上の様な構成を有する本実施例の作用は次の通りで必
る。即ち、導体22u〜22Wの両側に接続部22a、
22bを設けて、導体22u〜22Wの長さを磁気シー
ルドケース26を取り付けるだけの最小限の長さとし、
且つ、絶@筒28の軸と空間伝送部の光軸がある角度を
もつように光磁界センサ23及び発受光部32を傾けて
固定することで、磁気シールドケース26、絶縁筒28
を最小限の大きざにしているで、従来の変流器に比べて
大幅な縮小、軽母化がなされる。
る。即ち、導体22u〜22Wの両側に接続部22a、
22bを設けて、導体22u〜22Wの長さを磁気シー
ルドケース26を取り付けるだけの最小限の長さとし、
且つ、絶@筒28の軸と空間伝送部の光軸がある角度を
もつように光磁界センサ23及び発受光部32を傾けて
固定することで、磁気シールドケース26、絶縁筒28
を最小限の大きざにしているで、従来の変流器に比べて
大幅な縮小、軽母化がなされる。
また、支持容器29及び磁気シールドケース26の内外
のガス圧力は同一で必るため、これらが圧力の違いによ
って変形する恐れはなく、またその高精度の加工が可能
であり、これらを堅牢な絶縁筒28で接続しているので
、光磁界センサ23と発受光部32との位置ずれも生じ
ず、高精度の調芯あわぜが可能Cある。また、発受光部
32を支持容器29内に設けた為、従来の様にしゃ断器
の製缶精度が変流器精度に影響を及ぼすことがなく、し
ゃ断器の製缶精度を高める必要がなくなり、製缶作業が
容易になるという利点もめる。
のガス圧力は同一で必るため、これらが圧力の違いによ
って変形する恐れはなく、またその高精度の加工が可能
であり、これらを堅牢な絶縁筒28で接続しているので
、光磁界センサ23と発受光部32との位置ずれも生じ
ず、高精度の調芯あわぜが可能Cある。また、発受光部
32を支持容器29内に設けた為、従来の様にしゃ断器
の製缶精度が変流器精度に影響を及ぼすことがなく、し
ゃ断器の製缶精度を高める必要がなくなり、製缶作業が
容易になるという利点もめる。
更に、導体22u〜22wの両側に接続部22a、 2
2bが設けられ、且つ、タンク21の口出し部21u〜
21Wの径を、導体22U〜22Wを容易に取り出すこ
とができる大きざとし、この口出し部21LI〜21w
のフランジに前記支持容器29をポルi・等で着脱自在
に固定しているので、導体22u〜22W、磁気シール
ドケース26、絶縁筒28及び支持容器29は、ぞれぞ
れが接続された隣接導体又はタンク21から容易に取り
外すことか可能で(従って容易に組立てることも可能で
ある)、小型・や¥最の変流器ユニットを構成している
。この結果、変流器の交換が必要な際にも、しゃ断器全
体を取替える必要はなく、交換が必要な相の小型のユニ
ット部分だけを交換するだけで良い為、しゃ断器等の運
転時間に与える悪影響も最小限に止められる。このこと
は試験調整についても同様であるが、この点については
後に図面を用いて説明する。また、光磁界センサ23、
発受光部32等の光学部品がユニツ1−の中に納められ
ているので、変流器の組込み、取り外しを行なう際に、
これらの光学部品を破損することも防止できる。
2bが設けられ、且つ、タンク21の口出し部21u〜
21Wの径を、導体22U〜22Wを容易に取り出すこ
とができる大きざとし、この口出し部21LI〜21w
のフランジに前記支持容器29をポルi・等で着脱自在
に固定しているので、導体22u〜22W、磁気シール
ドケース26、絶縁筒28及び支持容器29は、ぞれぞ
れが接続された隣接導体又はタンク21から容易に取り
外すことか可能で(従って容易に組立てることも可能で
ある)、小型・や¥最の変流器ユニットを構成している
。この結果、変流器の交換が必要な際にも、しゃ断器全
体を取替える必要はなく、交換が必要な相の小型のユニ
ット部分だけを交換するだけで良い為、しゃ断器等の運
転時間に与える悪影響も最小限に止められる。このこと
は試験調整についても同様であるが、この点については
後に図面を用いて説明する。また、光磁界センサ23、
発受光部32等の光学部品がユニツ1−の中に納められ
ているので、変流器の組込み、取り外しを行なう際に、
これらの光学部品を破損することも防止できる。
更に、本実施例においては、光磁界センサ23を電界シ
ールドを兼ねた磁気シールドケース26内に配置したの
で、光磁界センサ23が外部磁界の影響を受けることを
回避できると共に、光磁界センサ23が高電界中に曝さ
れることも防止できるので、絶縁を考慮する必要がなく
、簡単で安価な光磁界センυを組込むことが可能となる
。また、この磁気シールドケース26は、ケース26a
とフタ26b@肴税自在に構成しであるので、その内部
に配設された光磁界センサ23の取付け、取り外しも容
易に行うことができる。
ールドを兼ねた磁気シールドケース26内に配置したの
で、光磁界センサ23が外部磁界の影響を受けることを
回避できると共に、光磁界センサ23が高電界中に曝さ
れることも防止できるので、絶縁を考慮する必要がなく
、簡単で安価な光磁界センυを組込むことが可能となる
。また、この磁気シールドケース26は、ケース26a
とフタ26b@肴税自在に構成しであるので、その内部
に配設された光磁界センサ23の取付け、取り外しも容
易に行うことができる。
また、光磁界センサ23は支持台25によって磁気シー
ルドケース26内に固定され、導体22と接触しないよ
うに構成されているので、導体の伸縮、撓み等が、光磁
界セン1ノ23の光学特性に影響を与えたり、光軸をず
らせたりすることも防止できる。
ルドケース26内に固定され、導体22と接触しないよ
うに構成されているので、導体の伸縮、撓み等が、光磁
界セン1ノ23の光学特性に影響を与えたり、光軸をず
らせたりすることも防止できる。
その上、本実施例にd3いては、導体22、磁気シール
ドケース26、絶縁筒28、支持容器29、フタ34等
の各接続部にオーリング35〜41によるガスシール部
を設けて、これらを気密一体ユニッ1〜とし、このユニ
ットの中に光磁界センサ23、発受光部32等の光学部
品を納めることにより、変流器近傍において発生するア
ーク等の閃光や、ガス絶縁開閉装置のアークしゃ断時や
地絡事故++7に発生する絶縁ガスの気体及び固体分解
生成物から、これらの光学部品を保護することがCきる
。ここで、絶縁ガスの気体分解生成物が発生する可能性
が少ない場合には、上述したオーリングによるガスシー
ル部を省略することも可能であり、この場合には更にv
Ig造が簡単な変流器を提供することができる。
ドケース26、絶縁筒28、支持容器29、フタ34等
の各接続部にオーリング35〜41によるガスシール部
を設けて、これらを気密一体ユニッ1〜とし、このユニ
ットの中に光磁界センサ23、発受光部32等の光学部
品を納めることにより、変流器近傍において発生するア
ーク等の閃光や、ガス絶縁開閉装置のアークしゃ断時や
地絡事故++7に発生する絶縁ガスの気体及び固体分解
生成物から、これらの光学部品を保護することがCきる
。ここで、絶縁ガスの気体分解生成物が発生する可能性
が少ない場合には、上述したオーリングによるガスシー
ル部を省略することも可能であり、この場合には更にv
Ig造が簡単な変流器を提供することができる。
なお、本実施例においては、周回積分型の光磁界センサ
を使用したか、ポイント磁界測定用の小型の光磁界セン
1ノ゛を使用した場合でも、優れた光変流器を構成する
ことができる。
を使用したか、ポイント磁界測定用の小型の光磁界セン
1ノ゛を使用した場合でも、優れた光変流器を構成する
ことができる。
2)光ファイバー伝送タイプ
第2図(A>、(B)は、本発明によるガス絶縁変流器
を光ファイバー伝送タイプの3相一括型変流器に採用し
た実施例を示す。
を光ファイバー伝送タイプの3相一括型変流器に採用し
た実施例を示す。
*溝成*
本実施例では、レンズ、偏光子、検光子等よりなる発受
光部45が、磁気シールドケース26内に配設された光
磁界センサ23に直接取付けられ、この発受光部45と
タンク21の外部に配設された検出装置44とが、支持
容器29に取付【プられだフタ34に設けられた密封端
子33を介して、光ファイバー46.=17によって直
感接続され、この光ファイバー46.47によって発受
光部45と検出装置44の間の光の伝送を行なうように
構成されている。なお、他の構成については、前記の空
間伝送タイプの実施例と同一て必るので、説明は省略す
る。
光部45が、磁気シールドケース26内に配設された光
磁界センサ23に直接取付けられ、この発受光部45と
タンク21の外部に配設された検出装置44とが、支持
容器29に取付【プられだフタ34に設けられた密封端
子33を介して、光ファイバー46.=17によって直
感接続され、この光ファイバー46.47によって発受
光部45と検出装置44の間の光の伝送を行なうように
構成されている。なお、他の構成については、前記の空
間伝送タイプの実施例と同一て必るので、説明は省略す
る。
*作用1;
本実施例においても、光の伝送方法が代るだけで、その
作用は前実施例と略同様でおる。もちろん、従来技術に
ついて前述した様に、絶縁信頼性の面で、空間伝送タイ
プに比べてやや劣る点もめるが、光ファイバーを用いる
ことで、光磁界センサ23と発受光部との調芯が不要で
おるという製造成いは組立作業における大きな長所を有
している。
作用は前実施例と略同様でおる。もちろん、従来技術に
ついて前述した様に、絶縁信頼性の面で、空間伝送タイ
プに比べてやや劣る点もめるが、光ファイバーを用いる
ことで、光磁界センサ23と発受光部との調芯が不要で
おるという製造成いは組立作業における大きな長所を有
している。
3)審問伝送タイプ・・・単相型変流器の場合第3図(
A>、(B)は、本発明によるガス絶縁変流器を空間伝
送タイプの単相型変流器に採用した実施例を示す。
A>、(B)は、本発明によるガス絶縁変流器を空間伝
送タイプの単相型変流器に採用した実施例を示す。
本実施例においては、タンク48が、その内部に単相の
導体49を収納した単相型のものであること以外は、第
1図に示した空間伝送タイプの3相一括型変流器の実施
例と同一の構成でおる。特に変流器ユニットは3相一括
型変流器で使用したものと同一の構成のものを、そのま
ま単相型変流器に適用することが可能でおる。
4)変流器ユニットの試験方法 第4図は、第1図乃至第3図に示した本発明の実施例に
おける変流器ユニットの試験方法の一例を示す図である
。即ら、しゃ断器のタンク21から取り外された変流器
ユニットCTUにおいて、導体の接続部22a、22b
に電源Eが接続されている。この様に本実施例では、変
流器lニットCTUだけで試験調整を実施できるので、
交換時と同様、しゃ断器等への影響を最小限に止めるこ
とができる。
導体49を収納した単相型のものであること以外は、第
1図に示した空間伝送タイプの3相一括型変流器の実施
例と同一の構成でおる。特に変流器ユニットは3相一括
型変流器で使用したものと同一の構成のものを、そのま
ま単相型変流器に適用することが可能でおる。
4)変流器ユニットの試験方法 第4図は、第1図乃至第3図に示した本発明の実施例に
おける変流器ユニットの試験方法の一例を示す図である
。即ら、しゃ断器のタンク21から取り外された変流器
ユニットCTUにおいて、導体の接続部22a、22b
に電源Eが接続されている。この様に本実施例では、変
流器lニットCTUだけで試験調整を実施できるので、
交換時と同様、しゃ断器等への影響を最小限に止めるこ
とができる。
5)他の実施例
なお、上記三つの実施例では、共に変流器ユニットをし
ゃ断器タンク内に収納したが、本発明はこれに限るもの
ではなく、例えば計器用変圧器付近のタンク内に変流器
コニツトを収納することも考えられる。
ゃ断器タンク内に収納したが、本発明はこれに限るもの
ではなく、例えば計器用変圧器付近のタンク内に変流器
コニツトを収納することも考えられる。
■第2実施例
1)室間伝送タイプ
第5図(A>、(B)は、本発明によるガス絶縁変流器
を空間伝送タイプの3相一括型変流器に採用した実施例
を示したものである。
を空間伝送タイプの3相一括型変流器に採用した実施例
を示したものである。
*組成*
第5図に示した様に、()や断器のタンク51内には、
同タンク51と同心円をなす金属リング52が、同タン
ク51と一定の間隔をおいて設けられている。この金属
リング52内には3相の導体53u〜53Wが配設され
、これらの導体53u〜53Wの両端には、ガス絶縁開
閉装置内に配設された隣接導体と接続する為の接続部5
3a、53bが形成されている。これらの導体53u〜
53Wの略中央位置には、各導体を周回する様に取付け
られる光磁界センサ55をその内部に収納できるような
磁気シールドケース57が取付りられている。この磁気
シールドケース57は、■第1実施例に示した磁気シー
ルドケース26と同様に構成されている。
同タンク51と同心円をなす金属リング52が、同タン
ク51と一定の間隔をおいて設けられている。この金属
リング52内には3相の導体53u〜53Wが配設され
、これらの導体53u〜53Wの両端には、ガス絶縁開
閉装置内に配設された隣接導体と接続する為の接続部5
3a、53bが形成されている。これらの導体53u〜
53Wの略中央位置には、各導体を周回する様に取付け
られる光磁界センサ55をその内部に収納できるような
磁気シールドケース57が取付りられている。この磁気
シールドケース57は、■第1実施例に示した磁気シー
ルドケース26と同様に構成されている。
一方、前記磁気シールドケース57内には、ファラデー
累子かうなる光磁界センサ55か、各導体53u〜53
wを周回するように、支持台56によって固定されてい
る。この光磁界センサ55は、全反射面、反射ミラー等
を備えた断面略正方形のものである。また、磁気シール
ドケース57の下面には、光通過用の孔54が形成され
ている。
累子かうなる光磁界センサ55か、各導体53u〜53
wを周回するように、支持台56によって固定されてい
る。この光磁界センサ55は、全反射面、反射ミラー等
を備えた断面略正方形のものである。また、磁気シール
ドケース57の下面には、光通過用の孔54が形成され
ている。
更に、磁気シールドケース57と金属リング52との間
には、導体支持用の絶縁筒58が各導体53u〜53W
と垂直に設けられている。
には、導体支持用の絶縁筒58が各導体53u〜53W
と垂直に設けられている。
一方、金属リング52の光磁界センサ55に対応する位
置に、レンズ、偏光子、検光子等より成る発受光部59
が設けられ、この発受光部59と光磁界センサ55の先
出入面55aとは、光路の光軸上に対向する様に配置さ
れ、絶縁筒58内の空間を介して光の伝送が行なわれる
様に構成されている。
置に、レンズ、偏光子、検光子等より成る発受光部59
が設けられ、この発受光部59と光磁界センサ55の先
出入面55aとは、光路の光軸上に対向する様に配置さ
れ、絶縁筒58内の空間を介して光の伝送が行なわれる
様に構成されている。
なお、金属リング52における発受光部59の取付は部
の両側には、夫々タンク51側に突出した断面り字形の
固定部60a、60bが設けられており、金属リング5
2は、これらの固定部60a、60bでボルト等ににす
l IIR自在にタンク51に固定されている。
の両側には、夫々タンク51側に突出した断面り字形の
固定部60a、60bが設けられており、金属リング5
2は、これらの固定部60a、60bでボルト等ににす
l IIR自在にタンク51に固定されている。
また、タンク51上には密封端子61が設けられ、この
密封端子61を介して、発受光部59とタンク51の外
部に設けられた検出装置63とか光ファイバー62によ
って接続されている。
密封端子61を介して、発受光部59とタンク51の外
部に設けられた検出装置63とか光ファイバー62によ
って接続されている。
*作用*
以上の様な構成を有する本実施例の作用は次の通りでお
る。即ち、導体53u〜53Wの両側に接続部53a、
53bを設けて、導体53u〜53Wの長ざを磁気シー
ルドケース57を取り付けるだけの最小限の長さとし、
且つ、金属リング52の長さも導体53LJ〜53Wを
支えるだけの最小限の長さとし、更に、絶縁筒58の軸
と空間伝送部の光軸とがある角度を持つように、光磁界
センサ55及び発受光部59を傾(プて固定しておるの
で、磁気シールドク゛−ス57及び絶縁筒58も最小限
の大きざにでき、従来の変流器に比較して大幅な縮小、
軽量化がなされる。従って、導体、磁気シールドケース
等の重ωを支える金属リングが変型する恐れはなく、ま
たその高精度の加工が可能でおるので、光磁界センサを
設けた導体と金属リング上に配設された発受光部との位
置ずれも生じず、高精度の調芯あわせが可能である。ま
たミ発受光部59を金属リング52に設りた為、従来の
様にしゃ断器の製缶精度が変流器精度に影響を及ぼすこ
とがなく、しゃ断器の製缶精度を高める必要がなくなり
、製缶作業が容易になるという利点もめる。
る。即ち、導体53u〜53Wの両側に接続部53a、
53bを設けて、導体53u〜53Wの長ざを磁気シー
ルドケース57を取り付けるだけの最小限の長さとし、
且つ、金属リング52の長さも導体53LJ〜53Wを
支えるだけの最小限の長さとし、更に、絶縁筒58の軸
と空間伝送部の光軸とがある角度を持つように、光磁界
センサ55及び発受光部59を傾(プて固定しておるの
で、磁気シールドク゛−ス57及び絶縁筒58も最小限
の大きざにでき、従来の変流器に比較して大幅な縮小、
軽量化がなされる。従って、導体、磁気シールドケース
等の重ωを支える金属リングが変型する恐れはなく、ま
たその高精度の加工が可能でおるので、光磁界センサを
設けた導体と金属リング上に配設された発受光部との位
置ずれも生じず、高精度の調芯あわせが可能である。ま
たミ発受光部59を金属リング52に設りた為、従来の
様にしゃ断器の製缶精度が変流器精度に影響を及ぼすこ
とがなく、しゃ断器の製缶精度を高める必要がなくなり
、製缶作業が容易になるという利点もめる。
特に、本実施例では、発受光部59を、導体53u〜5
3Wと金属リング52とを接続する絶縁筒58の直近に
設けた為、より高精度の調芯合せが可能でおる。
3Wと金属リング52とを接続する絶縁筒58の直近に
設けた為、より高精度の調芯合せが可能でおる。
更に、導体53Ll〜53Wの両側に接続部53a、5
3bが設けられ、且つ、金属リング52がボルト等で着
脱自在にタンク51に固定されている為、導体53u〜
53W及び金属リング52は、接続された隣接導体又は
タンクから夫々容易に取り外すことが可能で(従って容
易に組立てることも可能でおる)、小型・軽母の変流器
ユニットを構成している。この結果、変流器の交換が必
要な際にも、しゃ断器全体を取替える必要がなく、小型
のユニット部分だけを容易に交換するだけで良い為、し
ゃ断器等の運転時間に与える悪影響も最小限に止められ
る。
3bが設けられ、且つ、金属リング52がボルト等で着
脱自在にタンク51に固定されている為、導体53u〜
53W及び金属リング52は、接続された隣接導体又は
タンクから夫々容易に取り外すことが可能で(従って容
易に組立てることも可能でおる)、小型・軽母の変流器
ユニットを構成している。この結果、変流器の交換が必
要な際にも、しゃ断器全体を取替える必要がなく、小型
のユニット部分だけを容易に交換するだけで良い為、し
ゃ断器等の運転時間に与える悪影響も最小限に止められ
る。
更に、本実施例においては、光磁界センサ55を電界シ
ールドを兼ねた磁気シールドケース57内に配置したの
で、光磁界センサ55が外部磁界の影響を受けることを
回避できると共に、光磁界センサ55が高電界中に曝さ
れることも防止できるので、絶縁を考慮する必要がなく
、簡単で安価な光磁界センサを組込むことが可能となる
。
ールドを兼ねた磁気シールドケース57内に配置したの
で、光磁界センサ55が外部磁界の影響を受けることを
回避できると共に、光磁界センサ55が高電界中に曝さ
れることも防止できるので、絶縁を考慮する必要がなく
、簡単で安価な光磁界センサを組込むことが可能となる
。
なお、この他にも■第1実施例の空間伝送タイプの項で
説明したと同様の効果が得られる。
説明したと同様の効果が得られる。
2)光フン・イバー伝送タイプ
第6図(A>、(B)は、本発明によるガス絶縁変流器
を光ファイバー伝送タイプの3相一括型変流器に採用し
た実施例を示す。
を光ファイバー伝送タイプの3相一括型変流器に採用し
た実施例を示す。
*構成*
本実施例では、レンズ、偏光子、検光子等よりなる発受
光部70が光磁界センυ55に直接取付けられ、この発
受光部70とタンク51の外部に配設された検出装置6
3とが、タンク51に取付けられた密封端子61を介し
て、光ファイバー71によって直接接続され、この光フ
ァイバー71によって発受光部70と検出装置63の間
の光の伝送を行なうように構成されている。また、磁気
シールドケース57及び金属リング52の中央部には、
前記光ファイバー71を通すための孔72゜73が形成
されている。なお、他の構成については、前記の空間伝
送タイプの実施例と同一となっている。
光部70が光磁界センυ55に直接取付けられ、この発
受光部70とタンク51の外部に配設された検出装置6
3とが、タンク51に取付けられた密封端子61を介し
て、光ファイバー71によって直接接続され、この光フ
ァイバー71によって発受光部70と検出装置63の間
の光の伝送を行なうように構成されている。また、磁気
シールドケース57及び金属リング52の中央部には、
前記光ファイバー71を通すための孔72゜73が形成
されている。なお、他の構成については、前記の空間伝
送タイプの実施例と同一となっている。
*作用*
本実施例においても、光の伝送方法が代るだけで、その
作用は前実施例と略同様である。もちろん、従来技術に
ついて前述した様に、絶縁信頼性の面で、空間伝送タイ
プに比べてやや劣る点もあるが、光ファイバーを用いる
ことで、光磁界センサと発受光部との調芯が不要である
という製造成いは組立作業における大きな長所を有して
いる。
作用は前実施例と略同様である。もちろん、従来技術に
ついて前述した様に、絶縁信頼性の面で、空間伝送タイ
プに比べてやや劣る点もあるが、光ファイバーを用いる
ことで、光磁界センサと発受光部との調芯が不要である
という製造成いは組立作業における大きな長所を有して
いる。
3)他の実施例
なお、本発明は、上述の実施例に限定されるものではな
く、変流器ユニットを計器用変圧器付近のタンク内に収
納することも考えられる。また、3相−捨型に限らず単
相型のガス絶縁開閉装置にも採用可能であり、その場合
にも同様の効果が得られる。
く、変流器ユニットを計器用変圧器付近のタンク内に収
納することも考えられる。また、3相−捨型に限らず単
相型のガス絶縁開閉装置にも採用可能であり、その場合
にも同様の効果が得られる。
[発明の効果]
以上説明した様に、本発明によれば、外部の磁界、アー
ク等の閃光及び絶縁ガスの分解生成物等の影響を受ける
ことなく、精度の高い計測が可能で、しかも、高精度の
調芯や交換作業及び試験作業が容易なガス絶縁変流器を
提供することができる。
ク等の閃光及び絶縁ガスの分解生成物等の影響を受ける
ことなく、精度の高い計測が可能で、しかも、高精度の
調芯や交換作業及び試験作業が容易なガス絶縁変流器を
提供することができる。
第1図(A>、(B)は、夫々本発明によるガス絶縁変
流器を空間伝送タイプの変流器に採用した一実施例を示
す断面図と側面図、第2図(A)。 (B)は、夫々本発明によるガス絶縁変流器を光ファイ
バー伝送タイプの変流器に採用した一実施例を示す断面
図と側面図、第3図(A>、(B)は、夫々本発明によ
るガス絶縁変流器を室間伝送タイプの単相型変流器に採
用した一実施例を示す断面図と側面図、第4図は第1図
に示したガス絶縁変流器における試験方法の一例を示す
斜視図、第5図(A)、(B)は、夫々本発明によるガ
ス絶縁変流器を空間伝送タイプの変流器に採用した一実
施例を示す断面図と側面図、第6図(A)。 (8)は、夫々本発明によるガス絶縁変流器を光ファイ
バー伝送タイプの変流器に採用した一実施例を示す断面
図と側面図、@7図(A>、(B)は夫々変流器コアを
用いた従来のガス絶縁変流器を示す正面図と側断面図、
第8図は光磁界センサを用いてガス絶縁変流器を構成し
た場合のガス絶縁開閉装置の溝成例を示す側面図、第9
図(A><8)は夫々第8図に使用し得るガス絶縁変流
器を示す正面図と側断面図、第10図は第9図のガス絶
縁変流器に使用される光磁界センサの構成を示す斜視図
で必る。 1.11a、11b、12.13−・・タンク、2U〜
2W・・・導体、3・・・絶縁スペーサ、4・・・変流
器コア、5・・・支持板、6・・・絶縁シールド、7・
・・密封端子、8・・・接続部、9・・・光磁界センサ
、14・・・窓、15.16・・・光ファイバー、17
・・・検出装置、18・・・ファラデー素子、19・・
・反射ミラー、20・・・光路、21・・・タンク、2
21J〜22w・・・導体、22a、22b・・・接続
部、23・・・・・・光磁界センサ、24・・・先出入
面、25・・・支持台、26・・・磁気シールドクース
、26a・・・ケース、26b・・・フタ、26C・・
・絶縁リング、27・・・孔、28・・・絶縁間、29
・・・支持容器、30・・・孔、31・・・支持部材、
32・・・発受光部、33・・・密封端子、34・・・
フタ、35〜41・・・オーリング、42.43・・・
光ファイバー、44・・・検出装置、45・・・発受光
部、46.47・・・光ファイバー、48・・・タンク
、49・・・導体、49a、49b・・・接続部、51
・・・タンク、52・・・金属リング、53u〜53w
・・・導体、54・・・孔、55・・・光磁界センサ、
56・・・支持台、57・・・磁気シールドケース、5
8・・・絶縁筒、59・・・発受光部、60・・・固定
部、61・・・密封端子、62・・・光ファイバー、6
3・・・検出装置、70・・・発受光部、71・・・光
ファイバー、72.73・・・孔。 MB・・・主母線、CB・・・しゃ断器、DSl、DS
2・・・断路器、CHd・・・ケーブルヘッド、ES・
・・接地装置、PT・・・計器用21土器、CT1.C
T2・・・光変流器、E・・・電源。 第 1 図 (A) 第 IEJ(B) 第2図 (A) 第2図 (B) 第3図 (A) 第3図 (B) 第4図 第5図 (A) 第5図 (B) 7J 第6図 (A) 第6図 (B) (A) 第7図 CB) 第8図 (A)第9図 (B) 第10図
流器を空間伝送タイプの変流器に採用した一実施例を示
す断面図と側面図、第2図(A)。 (B)は、夫々本発明によるガス絶縁変流器を光ファイ
バー伝送タイプの変流器に採用した一実施例を示す断面
図と側面図、第3図(A>、(B)は、夫々本発明によ
るガス絶縁変流器を室間伝送タイプの単相型変流器に採
用した一実施例を示す断面図と側面図、第4図は第1図
に示したガス絶縁変流器における試験方法の一例を示す
斜視図、第5図(A)、(B)は、夫々本発明によるガ
ス絶縁変流器を空間伝送タイプの変流器に採用した一実
施例を示す断面図と側面図、第6図(A)。 (8)は、夫々本発明によるガス絶縁変流器を光ファイ
バー伝送タイプの変流器に採用した一実施例を示す断面
図と側面図、@7図(A>、(B)は夫々変流器コアを
用いた従来のガス絶縁変流器を示す正面図と側断面図、
第8図は光磁界センサを用いてガス絶縁変流器を構成し
た場合のガス絶縁開閉装置の溝成例を示す側面図、第9
図(A><8)は夫々第8図に使用し得るガス絶縁変流
器を示す正面図と側断面図、第10図は第9図のガス絶
縁変流器に使用される光磁界センサの構成を示す斜視図
で必る。 1.11a、11b、12.13−・・タンク、2U〜
2W・・・導体、3・・・絶縁スペーサ、4・・・変流
器コア、5・・・支持板、6・・・絶縁シールド、7・
・・密封端子、8・・・接続部、9・・・光磁界センサ
、14・・・窓、15.16・・・光ファイバー、17
・・・検出装置、18・・・ファラデー素子、19・・
・反射ミラー、20・・・光路、21・・・タンク、2
21J〜22w・・・導体、22a、22b・・・接続
部、23・・・・・・光磁界センサ、24・・・先出入
面、25・・・支持台、26・・・磁気シールドクース
、26a・・・ケース、26b・・・フタ、26C・・
・絶縁リング、27・・・孔、28・・・絶縁間、29
・・・支持容器、30・・・孔、31・・・支持部材、
32・・・発受光部、33・・・密封端子、34・・・
フタ、35〜41・・・オーリング、42.43・・・
光ファイバー、44・・・検出装置、45・・・発受光
部、46.47・・・光ファイバー、48・・・タンク
、49・・・導体、49a、49b・・・接続部、51
・・・タンク、52・・・金属リング、53u〜53w
・・・導体、54・・・孔、55・・・光磁界センサ、
56・・・支持台、57・・・磁気シールドケース、5
8・・・絶縁筒、59・・・発受光部、60・・・固定
部、61・・・密封端子、62・・・光ファイバー、6
3・・・検出装置、70・・・発受光部、71・・・光
ファイバー、72.73・・・孔。 MB・・・主母線、CB・・・しゃ断器、DSl、DS
2・・・断路器、CHd・・・ケーブルヘッド、ES・
・・接地装置、PT・・・計器用21土器、CT1.C
T2・・・光変流器、E・・・電源。 第 1 図 (A) 第 IEJ(B) 第2図 (A) 第2図 (B) 第3図 (A) 第3図 (B) 第4図 第5図 (A) 第5図 (B) 7J 第6図 (A) 第6図 (B) (A) 第7図 CB) 第8図 (A)第9図 (B) 第10図
Claims (13)
- (1)しゃ断器等のガス絶縁電気装置のタンク内に、絶
縁物によって支持された磁気シールドケースを配設し、
この磁気シールドケースを貫通するように導体を固定し
、この導体の両端にガス絶縁電気装置の導体と接続する
接続部を設け、また、前記磁気シールドケース内に位置
する導体の周囲に光磁界センサを配設し、この光磁界セ
ンサとタンク外部に配設した検出装置との間を、光伝送
手段を介して接続したことを特徴とするガス絶縁変圧器
。 - (2)前記導体、光磁界センサ、磁気シールドケース及
び絶縁物がユニットとして構成されたものであり、この
変流器ユニットが、前記タンクに対し着脱自在に固定さ
れている特許請求の範囲第1項記載のガス絶縁変流器。 - (3)前記変流器ユニットが、光ファイバ密封端子を配
設した支持容器によって、タンクに着脱自在に固定され
ている特許請求の範囲第2項記載のガス絶縁変流器。 - (4)前記変流器ユニットが、タンク内に配設されたタ
ンク内径より径の小さい金属リングを介して、着脱自在
にタンク内壁に固定されている特許請求の範囲第2項記
載のガス絶縁変流器。 - (5)磁気シールドケースが導電材料によって形成され
、電界シールドとしての機能も兼ねたものである特許請
求の範囲第3項又は第4項記載のガス絶縁変流器。 - (6)絶縁物が、導体の軸方向に対し、その軸方向が垂
直になる様に配置された絶縁筒である特許請求の範囲第
3項又は第4項記載のガス絶縁変流器。 - (7)支持容器がその内部に、光磁界センサに対応する
位置に発受光部を有するもので、且つこの発受光部と光
磁界センサ間の光伝送手段が、空間伝送で行なわれるも
のである特許請求の範囲第3項記載のガス絶縁変流器。 - (8)金属リングがその表面上に、光磁界センサに対応
する位置に発受光部を有するもので、且つこの発受光部
と光磁界センサ間の光伝送手段が、空間伝送で行なわれ
るものである特許請求の範囲第4項記載のガス絶縁変流
器。 - (9)光磁界センサと検出装置との間の光伝送手段が、
光ファイバーで行なわれるものである特許請求の範囲第
3項又は第4項記載のガス絶縁変流器。 - (10)光磁界センサ及び発受光部が、前記絶縁筒の軸
と空間伝送部の光軸とが、ある角度を持つように固定さ
れている特許請求の範囲第6項記載のガス絶縁変流器。 - (11)磁気シールドケースと導体の接続部、磁気シー
ルドケースと絶縁筒の固定部、絶縁筒と支持容器の固定
部がオーリングによるガスシール部を有するものである
特許請求の範囲第3項又は第4項記載のガス絶縁変流器
。 - (12)タンクが、その内部に単相の導体を収納してな
る単相型のものである特許請求の範囲第3項又は第4項
記載のガス絶縁変流器。 - (13)タンクが、その内部に3相の導体を一括して収
納してなる3相一括型のものである特許請求の範囲第3
項又は第4項記載のガス絶縁変流器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61024174A JPS62184375A (ja) | 1986-02-07 | 1986-02-07 | ガス絶縁変流器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61024174A JPS62184375A (ja) | 1986-02-07 | 1986-02-07 | ガス絶縁変流器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62184375A true JPS62184375A (ja) | 1987-08-12 |
Family
ID=12130986
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61024174A Pending JPS62184375A (ja) | 1986-02-07 | 1986-02-07 | ガス絶縁変流器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62184375A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8191383B2 (en) | 2008-03-13 | 2012-06-05 | Denso Corporation | Ejector device and refrigeration cycle apparatus using the same |
-
1986
- 1986-02-07 JP JP61024174A patent/JPS62184375A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8191383B2 (en) | 2008-03-13 | 2012-06-05 | Denso Corporation | Ejector device and refrigeration cycle apparatus using the same |
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