JPH02115771A - ガス絶縁変流器 - Google Patents
ガス絶縁変流器Info
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- JPH02115771A JPH02115771A JP63268065A JP26806588A JPH02115771A JP H02115771 A JPH02115771 A JP H02115771A JP 63268065 A JP63268065 A JP 63268065A JP 26806588 A JP26806588 A JP 26806588A JP H02115771 A JPH02115771 A JP H02115771A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、ガス絶縁変流器に関するものであり、特に光
磁界センサ及びその検出装置を幅え、この間で光を伝送
する構成を有するガス絶縁変流器に係る。
磁界センサ及びその検出装置を幅え、この間で光を伝送
する構成を有するガス絶縁変流器に係る。
(従来の技術)
従来、ガス絶縁開閉装置に用いられるガス絶縁変流器は
、ケイ素鋼板にコイルを巻き付()て成る鉄心タイプの
変流器コアにより構成されていた。
、ケイ素鋼板にコイルを巻き付()て成る鉄心タイプの
変流器コアにより構成されていた。
この様な従来のガス絶縁変流器を、特に3相−括型のガ
ス絶縁開閉装置に用いられるガス絶縁変流器を例に取っ
て、第2図に基いて説明する。
ス絶縁開閉装置に用いられるガス絶縁変流器を例に取っ
て、第2図に基いて説明する。
円筒形のタンク1内にはU、V、W相の3相の導体2u
〜2Wが配設されている。タンク1の前後には絶縁スペ
ーサ3が設けられ、これによって導体2u〜2Wが支持
されている。タンク1は、その軸に垂直に前後に分割さ
れ、前方におって本来の径を有するタンク1aと、後方
にあって変流器コア4の寸法分だけ径か大きくされたタ
ンク1bとから構成されている。このタンク1bの内側
端部の導体2u〜2Wの延長上に大々変流器コア4が設
置されている。そして、この変流器コア4の前方(即ら
、後方のタンク1bの端部)には支持板5が設けられ、
変流器コア4の内側にはこれと連結して絶縁シールド6
が設けられ、これらにより変流器コア4の支持及び導体
2u〜2Wとの絶縁がなされている。更に、タンク1の
下部には、変流器コア4の電流を引き出す為の蜜月端子
7が設けられている。
〜2Wが配設されている。タンク1の前後には絶縁スペ
ーサ3が設けられ、これによって導体2u〜2Wが支持
されている。タンク1は、その軸に垂直に前後に分割さ
れ、前方におって本来の径を有するタンク1aと、後方
にあって変流器コア4の寸法分だけ径か大きくされたタ
ンク1bとから構成されている。このタンク1bの内側
端部の導体2u〜2Wの延長上に大々変流器コア4が設
置されている。そして、この変流器コア4の前方(即ら
、後方のタンク1bの端部)には支持板5が設けられ、
変流器コア4の内側にはこれと連結して絶縁シールド6
が設けられ、これらにより変流器コア4の支持及び導体
2u〜2Wとの絶縁がなされている。更に、タンク1の
下部には、変流器コア4の電流を引き出す為の蜜月端子
7が設けられている。
ところで、この様なガス絶縁3相変流器においては、3
箇所に設ける変流器コアが重い為、これを支える支持板
、絶縁シールド等もかなりの大きざとなり、これらを3
箇所に設ける為に機器が複雑且つ大型化し、重信も大き
くなってしまう。また、変流器コアはココアで1用途に
しか使用できない為、継電器用や計測用等に複数のコア
が必要となり、これも大型化の原因となる他、コスト的
にも高価となってしまう。
箇所に設ける変流器コアが重い為、これを支える支持板
、絶縁シールド等もかなりの大きざとなり、これらを3
箇所に設ける為に機器が複雑且つ大型化し、重信も大き
くなってしまう。また、変流器コアはココアで1用途に
しか使用できない為、継電器用や計測用等に複数のコア
が必要となり、これも大型化の原因となる他、コスト的
にも高価となってしまう。
これらの欠点に鑑み、最近では、細径性、絶縁性、無誘
導性、耐環境性等の優れた特徴を右する光ファイバーを
用いた甜測技術が注目され、これを応用した光磁界セン
サにより変流器を構成する試みがなされている。
導性、耐環境性等の優れた特徴を右する光ファイバーを
用いた甜測技術が注目され、これを応用した光磁界セン
サにより変流器を構成する試みがなされている。
第3図に、この様な光磁界センサによるガス絶縁変流器
の構成を示した。
の構成を示した。
第3図(B)において、しゃ断器のタンク21内には、
3相の導体22u〜22Wが配設され、これらの導体2
21J〜22Wの両端には、ガス絶縁開閉装置内に配設
された隣接導体と接続する為の接続部22a、22bが
形成されている。これらの導体22u〜22Wの略中央
位置には、各々休を周回する様に取付(プられる光磁界
センサ−23をその内部に収納できるようなシールドケ
ース26が取付けられている。このシールドケース26
は銅、アルミ等の導電材料又はこれら導電材料とケイ素
綱板等の磁性材料を組み合わUて形成されたもので、電
界シールドとしての機11ヒも兼ねたものである。また
、このシールドケース26は、ケース26a、フタ26
b、絶縁リング26Gの3つの部分から構成され、シー
ルドケース26の2つの置体貫通部の内、一方の貫通部
は溶接によって導体とケース26aとが固定され、他方
の貫通部は絶縁リング26Gとフタ26bを介してケー
ス26aに導体が固定されている。
3相の導体22u〜22Wが配設され、これらの導体2
21J〜22Wの両端には、ガス絶縁開閉装置内に配設
された隣接導体と接続する為の接続部22a、22bが
形成されている。これらの導体22u〜22Wの略中央
位置には、各々休を周回する様に取付(プられる光磁界
センサ−23をその内部に収納できるようなシールドケ
ース26が取付けられている。このシールドケース26
は銅、アルミ等の導電材料又はこれら導電材料とケイ素
綱板等の磁性材料を組み合わUて形成されたもので、電
界シールドとしての機11ヒも兼ねたものである。また
、このシールドケース26は、ケース26a、フタ26
b、絶縁リング26Gの3つの部分から構成され、シー
ルドケース26の2つの置体貫通部の内、一方の貫通部
は溶接によって導体とケース26aとが固定され、他方
の貫通部は絶縁リング26Gとフタ26bを介してケー
ス26aに導体が固定されている。
また、第3図(△)に示した様に、タンク21には、3
箇所の口出し部21u、21v、21wか円周ブ)向に
等間隔に形成され、この口出し部の一ノランジに支持容
器29かボルトでる脱自在に固定されている。この支持
容器29とシールドケース26との間には、シールドケ
ース26及び導体221J〜22Wを支1存するための
絶縁筒28が各)9体22u〜22Wと垂直に設けられ
ている。更に、尊体22、シールドケース26、絶縁筒
28、支持容器2つ、支持容器の外側に配設されるフタ
34等の各接続部には、オーリング35〜41によるガ
スシール部を設けて、これらを気密状の導体ユニットと
し、このユニット内にタンク21内と同圧力のSF6ガ
ス等の絶縁ガスを封入して、各相のユニツ1〜毎に水分
、ガス圧管理を図示しない吸石剤ケース、密度スイッチ
等で行なっている。
箇所の口出し部21u、21v、21wか円周ブ)向に
等間隔に形成され、この口出し部の一ノランジに支持容
器29かボルトでる脱自在に固定されている。この支持
容器29とシールドケース26との間には、シールドケ
ース26及び導体221J〜22Wを支1存するための
絶縁筒28が各)9体22u〜22Wと垂直に設けられ
ている。更に、尊体22、シールドケース26、絶縁筒
28、支持容器2つ、支持容器の外側に配設されるフタ
34等の各接続部には、オーリング35〜41によるガ
スシール部を設けて、これらを気密状の導体ユニットと
し、このユニット内にタンク21内と同圧力のSF6ガ
ス等の絶縁ガスを封入して、各相のユニツ1〜毎に水分
、ガス圧管理を図示しない吸石剤ケース、密度スイッチ
等で行なっている。
= Jj、前記シールドケース26内には、ファラデー
素子からなる光磁界センサ23か、各η休22u〜22
Wを周回し、且つ各導体22u〜22Wと接触しないよ
うに、支持台25によって固定されている。この光磁界
センサ23は、全反射面、反射ミラー等を備えた断面略
正方形のものである。
素子からなる光磁界センサ23か、各η休22u〜22
Wを周回し、且つ各導体22u〜22Wと接触しないよ
うに、支持台25によって固定されている。この光磁界
センサ23は、全反射面、反射ミラー等を備えた断面略
正方形のものである。
また、光(磁界センサ23は磁界強度により)1ラデ一
回転角を生ずる鎗ガラス害のガラスで形成され、各]−
ナーに全反射面を設けたノフ・ラブ−索子と反射ミラー
を組み合せて構成され、ノj・ラブ−÷; −1’ ;
Δ送光か導体を周回する様な構成とされ、更に、反射ミ
ラーにより光路を往復さUることで、外部の磁界の影響
を受けることなく高精度、高感度な胴側が行えるように
したものでおる。
回転角を生ずる鎗ガラス害のガラスで形成され、各]−
ナーに全反射面を設けたノフ・ラブ−索子と反射ミラー
を組み合せて構成され、ノj・ラブ−÷; −1’ ;
Δ送光か導体を周回する様な構成とされ、更に、反射ミ
ラーにより光路を往復さUることで、外部の磁界の影響
を受けることなく高精度、高感度な胴側が行えるように
したものでおる。
また、絶縁筒28内の空間を介して対向プる位置に配設
されたシールドケース26と支持容器29の対向面には
、それぞれ光通過用の孔27.30が形成されている。
されたシールドケース26と支持容器29の対向面には
、それぞれ光通過用の孔27.30が形成されている。
更に、支持容器29内には、レンズ、偏光子、検光子等
より成る発受光部32が支持部材31により支持容器2
9に固定され、この発受光部32と光磁界センサ23の
先出入面24とは、光路の光軸上に対向する様に配置さ
れ、絶縁筒28内の空間を介して光の伝送が行なわれる
様に構成されている。
より成る発受光部32が支持部材31により支持容器2
9に固定され、この発受光部32と光磁界センサ23の
先出入面24とは、光路の光軸上に対向する様に配置さ
れ、絶縁筒28内の空間を介して光の伝送が行なわれる
様に構成されている。
また、支持容器29に取付けられたフタ34には密封端
子33が設けられ、この密封端子33を介して発受光部
32とタンク21の外部に設けられた検出装置44とが
送光用及び受光用の光ファイバー42.43により接続
されている。
子33が設けられ、この密封端子33を介して発受光部
32とタンク21の外部に設けられた検出装置44とが
送光用及び受光用の光ファイバー42.43により接続
されている。
以上の様な構成を有するガス絶縁変流器においては、光
磁界センサ23を電界シールドを兼ねたシールドケース
26内に配置したので、光磁界センサ23が外部磁界の
影響を受()ることを回避できると共に、光磁界センサ
23が高電界中に曝されることも防止できる。
磁界センサ23を電界シールドを兼ねたシールドケース
26内に配置したので、光磁界センサ23が外部磁界の
影響を受()ることを回避できると共に、光磁界センサ
23が高電界中に曝されることも防止できる。
また、光磁界センサ23は支持台25によってシールド
ケース26内に固定され、導体22と接触しないように
構成されているので、導体の伸縮、撓み等が、光磁界セ
ンサ23の光学特性に影響を′jえたり、光軸をザらU
たすすることも防止できる。
ケース26内に固定され、導体22と接触しないように
構成されているので、導体の伸縮、撓み等が、光磁界セ
ンサ23の光学特性に影響を′jえたり、光軸をザらU
たすすることも防止できる。
その上、導体22、シールドケース26、絶縁6128
、支持容器29、フタ34等の各接続部にオーリング3
5〜41によるカスシール部を設けて、これらを気密一
体ユニットとし、このユニツ(〜の中に光磁界センυ2
3、発受光部32等の光学部品を納めることにより、変
流器近傍にJ5いて発生するアーク等の閃光や、ガス絶
縁聞開菰買のアークしゃ断時や地絡事故時に発生する絶
縁ガスの気体及び固体分解生成物から、これらの光学部
品を保護することもできる。
、支持容器29、フタ34等の各接続部にオーリング3
5〜41によるカスシール部を設けて、これらを気密一
体ユニットとし、このユニツ(〜の中に光磁界センυ2
3、発受光部32等の光学部品を納めることにより、変
流器近傍にJ5いて発生するアーク等の閃光や、ガス絶
縁聞開菰買のアークしゃ断時や地絡事故時に発生する絶
縁ガスの気体及び固体分解生成物から、これらの光学部
品を保護することもできる。
しかしながら1、以上の様な構成を41する従来の/j
ス絶縁変流器においては、各相の導体22u〜22Wに
電流が流れると、それらの導体の周囲の温磨か上背する
。それに伴って、各尊体を周回するように取付けられて
いる光磁界セン1)23の近傍においても温度分イ1j
か変化する。ぞの結果、光磁界センサ23を構成するフ
ッ・ラブ−素子等の光学素子の光学的パラメーターが不
均一なものとなり、ファラデー素子透過光の偏光度が変
化してしまい、第4図に示した様に、変流器の出力誤差
か増大し、精度の高い測定が行えないといった欠点がお
った。
ス絶縁変流器においては、各相の導体22u〜22Wに
電流が流れると、それらの導体の周囲の温磨か上背する
。それに伴って、各尊体を周回するように取付けられて
いる光磁界セン1)23の近傍においても温度分イ1j
か変化する。ぞの結果、光磁界センサ23を構成するフ
ッ・ラブ−素子等の光学素子の光学的パラメーターが不
均一なものとなり、ファラデー素子透過光の偏光度が変
化してしまい、第4図に示した様に、変流器の出力誤差
か増大し、精度の高い測定が行えないといった欠点がお
った。
即も、第4図に示した様に、導体に一定の電流を流した
場合に、通電時間か長くなるに従って導体の温度が上背
し、それに伴って変流器の出力にに(差が生ずる。
場合に、通電時間か長くなるに従って導体の温度が上背
し、それに伴って変流器の出力にに(差が生ずる。
そこで、光磁界センサ近傍にお【プる温度変化の影響を
考慮した精度の高いガス絶縁変流器の閃光が切望されて
いた。
考慮した精度の高いガス絶縁変流器の閃光が切望されて
いた。
(発明が解決しようとする問題点)
上記の様に、従来のガス絶縁変流器においては、導体に
電流が流れた場合に導体の温度が上界し、それに伴って
、光磁界センサを構成するファラデーi子等の光学素子
の光学的パラメーターが不均一なものとなり、ファラデ
ー素子透過光の偏光度が変化して、変流器の出力誤差が
増大し、精度の高い測定が行えなかった。
電流が流れた場合に導体の温度が上界し、それに伴って
、光磁界センサを構成するファラデーi子等の光学素子
の光学的パラメーターが不均一なものとなり、ファラデ
ー素子透過光の偏光度が変化して、変流器の出力誤差が
増大し、精度の高い測定が行えなかった。
そこで、本発明は上記の様な従来技術の問題点をr〆〆
)大するために提案されたもので、その目的は、導体表
面の温度を測定して、その値に基づいてガス絶縁変流器
の出力(直を補正することにより、変流器の測定精度を
大幅に向上させたガス絶縁変流器を提供することにある
。
)大するために提案されたもので、その目的は、導体表
面の温度を測定して、その値に基づいてガス絶縁変流器
の出力(直を補正することにより、変流器の測定精度を
大幅に向上させたガス絶縁変流器を提供することにある
。
[発明の構成1
(問題点を解決するための手段)
上記の目的を達成するために、本発明のカス絶縁変流器
は、シールドケースを貫通する導体表面の光磁界センサ
近傍に、温度セン1ノとその測定値を光信gに変換する
変換部を配設し、その光信号を受光するための受光部を
設け、光磁界セン4ノ及び温度セン1すよりの出力信号
を共にタンク外部に配設した受信器に送るようにしたも
のである。
は、シールドケースを貫通する導体表面の光磁界センサ
近傍に、温度セン1ノとその測定値を光信gに変換する
変換部を配設し、その光信号を受光するための受光部を
設け、光磁界セン4ノ及び温度セン1すよりの出力信号
を共にタンク外部に配設した受信器に送るようにしたも
のである。
(作用)
上記の様な構成を有する本発明のガス絶縁変流器は、導
体に電流が流れて、々体部分の温度か変化した場合に、
導体表面の光磁界セン1ノ近傍に配設した温度センサに
よる測定値を光信号に変換して、光磁界センサ及び温度
センサよりの出力信号を共にタンク外部に配設した受信
器に送り、前記温度センサの出力信号に基づいて、光磁
界センサの出力信号を導体部分の温度変化に伴って補正
できるように構成したものである。
体に電流が流れて、々体部分の温度か変化した場合に、
導体表面の光磁界セン1ノ近傍に配設した温度センサに
よる測定値を光信号に変換して、光磁界センサ及び温度
センサよりの出力信号を共にタンク外部に配設した受信
器に送り、前記温度センサの出力信号に基づいて、光磁
界センサの出力信号を導体部分の温度変化に伴って補正
できるように構成したものである。
(実施例)
以下、本発明の一実施例を第1図に基づいて具体的に説
明する。なお、第3図に示した従来型と同一の部材につ
いては同一の符号を付し、説明は省略する。
明する。なお、第3図に示した従来型と同一の部材につ
いては同一の符号を付し、説明は省略する。
本実施例の構成*
第1図において、シールドケース26内に、その内部に
配設された導体22Vの温度を測定するための温度はン
サ51が、光磁界センサ23近(Zの導体表面に配設さ
れている。また、温度セン4)−51の下部には、その
測定値を増幅し、光信号に変換するE10変換部52が
設けられている。
配設された導体22Vの温度を測定するための温度はン
サ51が、光磁界センサ23近(Zの導体表面に配設さ
れている。また、温度セン4)−51の下部には、その
測定値を増幅し、光信号に変換するE10変換部52が
設けられている。
一方、光磁界センサ23の発受光部32を支持している
支持容器2つ内に、前記E10変換部52と対向する位
置に、その光信号を受光するための受光部53が支持固
定されている。そして、前記受光部53よりの出力が光
ファイバ54を介し、光磁界センサ23の発受光部32
よりの光ファイバが貫通している同一の蜜月端子33を
通して、光ファイバ55によってタンク外部に配設され
た受信器56に接続されている。
支持容器2つ内に、前記E10変換部52と対向する位
置に、その光信号を受光するための受光部53が支持固
定されている。そして、前記受光部53よりの出力が光
ファイバ54を介し、光磁界センサ23の発受光部32
よりの光ファイバが貫通している同一の蜜月端子33を
通して、光ファイバ55によってタンク外部に配設され
た受信器56に接続されている。
この受信器56には、光磁界セン丈23よりの光信号だ
けでなく、光磁界センサ近傍の置体温度の変化を示す光
信号が入力され、第4図に示した様な尊体の温度変化に
伴う出力値の変化量を示すデータに基づいて、光磁界セ
ンサよりの出力信号に補正を加え、正しい測定値を示す
ことがでさるように構成されている。
けでなく、光磁界センサ近傍の置体温度の変化を示す光
信号が入力され、第4図に示した様な尊体の温度変化に
伴う出力値の変化量を示すデータに基づいて、光磁界セ
ンサよりの出力信号に補正を加え、正しい測定値を示す
ことがでさるように構成されている。
本実施例の作用*
上記の様な構成を有する本実施例のガス絶縁変流器にお
いては、導体22Vに電流が流れて導体部分の温度が1
弄した場合でも、光磁界センサ23の近傍に配設された
温度センサ51によって導体表面の温度が測定され、こ
の測定値がE10変換部52によって光信号に変換され
、その光信号が支持容器29内部に配設された受光部5
3によって受光され、さらに、光磁界センサ23より発
受光部32に送られた光信号と共に光フッ・イバ55に
よってタンク外部に配設された受信器56に送られる。
いては、導体22Vに電流が流れて導体部分の温度が1
弄した場合でも、光磁界センサ23の近傍に配設された
温度センサ51によって導体表面の温度が測定され、こ
の測定値がE10変換部52によって光信号に変換され
、その光信号が支持容器29内部に配設された受光部5
3によって受光され、さらに、光磁界センサ23より発
受光部32に送られた光信号と共に光フッ・イバ55に
よってタンク外部に配設された受信器56に送られる。
その際、光磁界セン昏す23よりの出力信号に、前記2
り体表面に配設された温度センサ51よりの出力信号に
基づいて、導体の温度変化に伴う補正か施される。
り体表面に配設された温度センサ51よりの出力信号に
基づいて、導体の温度変化に伴う補正か施される。
この柱に、導体22 LJ〜22Wに電流が流れて導体
部分の温度が変化しても、導体表面に配82された温度
センサ51によって導体表面の温度が正確に測定され、
その湿度変化に伴う測定値の補正が光磁界センサからの
光信号に加えられるので、導体近傍の温度変化に影響さ
れない精度の高い測定が可能となる。
部分の温度が変化しても、導体表面に配82された温度
センサ51によって導体表面の温度が正確に測定され、
その湿度変化に伴う測定値の補正が光磁界センサからの
光信号に加えられるので、導体近傍の温度変化に影響さ
れない精度の高い測定が可能となる。
*他の実施例*
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
く、光磁界センサ及び温度センサのE10変換部からの
光信号を光ファイバによって伝送しても良い。
く、光磁界センサ及び温度センサのE10変換部からの
光信号を光ファイバによって伝送しても良い。
1発明の効果1
以上説明した様に、本発明によれば、光磁界セン4ノが
配設されている近傍の導体表面に、その温mを測定する
温度セン4ノを配設し、その出力を光信号に変えて、光
磁界センサよりの出力と共にタンク外部に配設された受
信器に送り、光磁界センサの出力信号に導体の温度変化
に伴う補正を施すという曲中な手段によって、導体の温
度が変化した1易合においても、変流器の測定精度を大
幅に向上させることが可能なガス絶縁変流器を提供する
ことができる。
配設されている近傍の導体表面に、その温mを測定する
温度セン4ノを配設し、その出力を光信号に変えて、光
磁界センサよりの出力と共にタンク外部に配設された受
信器に送り、光磁界センサの出力信号に導体の温度変化
に伴う補正を施すという曲中な手段によって、導体の温
度が変化した1易合においても、変流器の測定精度を大
幅に向上させることが可能なガス絶縁変流器を提供する
ことができる。
第1図は、本発明によるガス絶縁変流器の一実施例を示
す断面図、第2図(A>、(B)は、夫々変流器コアを
用いた従来のガス絶縁変流器を示す正面図と側断面図、
第3図<A>、(B)は光磁界セン昏すを用いた従来の
ガス絶縁変流器を示す縦断面図と側断面図、第4図は従
来の光磁界セン1ノを用いたガス絶縁変流器による出力
測定例を示す図でおる。 1・・・タンク、2u〜2W・・・導体、3・・・絶縁
スペーサ、4・・・変流器コア、5・・・支持板、6・
・・絶縁シールド、7・・・密封端子、21・・・タン
ク、22u〜22w・・・導体、22a、22b・・・
接続部、23・・・光磁界センサ、24・・・先出入面
、25・・・支持台、26・・・磁気シールドケース、
26a・・・ケース、26b・・・フタ、26G・・・
絶縁リング、27・・・孔、28・・・絶縁筒、29・
・・支持容器、30・・・孔、31・・・支持部材、3
2・・・発受光部、33・・・密封端子、34・・・フ
タ、35〜41・・・オーリング、42,43・・・光
フフイバー、44・・・検出装置、51・・・温度セン
サ、52・・・E10変換部、53・・・受光部、54
.55・・・光ファイバ、56・・・受信器。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 第子丸 健 (A) 第 図 (A) 3・図 (B) 第 図 1硫1(B1闇 f;tJfalPJ (H) 第 図
す断面図、第2図(A>、(B)は、夫々変流器コアを
用いた従来のガス絶縁変流器を示す正面図と側断面図、
第3図<A>、(B)は光磁界セン昏すを用いた従来の
ガス絶縁変流器を示す縦断面図と側断面図、第4図は従
来の光磁界セン1ノを用いたガス絶縁変流器による出力
測定例を示す図でおる。 1・・・タンク、2u〜2W・・・導体、3・・・絶縁
スペーサ、4・・・変流器コア、5・・・支持板、6・
・・絶縁シールド、7・・・密封端子、21・・・タン
ク、22u〜22w・・・導体、22a、22b・・・
接続部、23・・・光磁界センサ、24・・・先出入面
、25・・・支持台、26・・・磁気シールドケース、
26a・・・ケース、26b・・・フタ、26G・・・
絶縁リング、27・・・孔、28・・・絶縁筒、29・
・・支持容器、30・・・孔、31・・・支持部材、3
2・・・発受光部、33・・・密封端子、34・・・フ
タ、35〜41・・・オーリング、42,43・・・光
フフイバー、44・・・検出装置、51・・・温度セン
サ、52・・・E10変換部、53・・・受光部、54
.55・・・光ファイバ、56・・・受信器。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 第子丸 健 (A) 第 図 (A) 3・図 (B) 第 図 1硫1(B1闇 f;tJfalPJ (H) 第 図
Claims (1)
- しゃ断器等のガス絶縁電気装置のタンク内に、絶縁物に
よつて支持されたシールドケースを配設し、このシール
ドケースを貫通するように導体を固定し、この導体の両
端に隣接するガス絶縁電気装置の導体と接続する接続部
を設け、また、前記シールドケース内に位置する導体の
周囲に光磁界センサを配設したガス絶縁変流器において
、前記シールドケースを貫通する導体表面の光磁界セン
サ近傍に、温度センサとその測定値を光信号に変換する
変換部を配設し、前記光磁界センサ及び前記温度センサ
の変換部を共にタンク外部に配設した受信器に接続し、
前記温度センサの出力信号に基づいて、光磁界センサの
出力信号を導体部分の温度変化に伴つて補正するように
構成したことを特徴とするガス絶縁変流器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63268065A JPH02115771A (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 | ガス絶縁変流器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63268065A JPH02115771A (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 | ガス絶縁変流器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02115771A true JPH02115771A (ja) | 1990-04-27 |
Family
ID=17453401
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63268065A Pending JPH02115771A (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 | ガス絶縁変流器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02115771A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014008718A1 (zh) * | 2012-07-10 | 2014-01-16 | 宁夏电力公司电力科学研究院 | 六氟化硫电流互感器植入式特高频局放传感器的信号引出装置及方法 |
-
1988
- 1988-10-26 JP JP63268065A patent/JPH02115771A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014008718A1 (zh) * | 2012-07-10 | 2014-01-16 | 宁夏电力公司电力科学研究院 | 六氟化硫电流互感器植入式特高频局放传感器的信号引出装置及方法 |
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