JPS62181162A - サ−マルヘツド - Google Patents
サ−マルヘツドInfo
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- JPS62181162A JPS62181162A JP2507886A JP2507886A JPS62181162A JP S62181162 A JPS62181162 A JP S62181162A JP 2507886 A JP2507886 A JP 2507886A JP 2507886 A JP2507886 A JP 2507886A JP S62181162 A JPS62181162 A JP S62181162A
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- heating resistor
- resistance
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Links
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/375—Protection arrangements against overheating
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(技術分野)
本発明は、プリンタやファクシミリに使用され、感熱記
録方式により印字を行なうサーマルへラドに関するもの
である。
録方式により印字を行なうサーマルへラドに関するもの
である。
(従来技術)
従来のサーマルヘッドでは、例えばアルミナセラミック
基板のような基板上をグレーズ層で被覆し、その上に窒
化タンタル膜のような金属抵抗体層にてなる発熱抵抗体
素子を形成する。
基板のような基板上をグレーズ層で被覆し、その上に窒
化タンタル膜のような金属抵抗体層にてなる発熱抵抗体
素子を形成する。
通常の金属抵抗体の場合、第8図に示されるようにその
抵抗値は温度に対して殆んど変化しない。
抵抗値は温度に対して殆んど変化しない。
そこで、いま、例えば第9図(A)に示されるような入
力パルスを印加したとするにの場合入力パルスの周期を
短かくしであるので、充分に冷却される前に次の入力パ
ルスが入ってくる。そのため、発熱抵抗体素子の温度は
上昇を続け、第9図(B)に示されるように変化してい
く。同図でTSは感熱記録が行なわれるときの温度、R
Tは室温である。この図では3番目のパルスP3で既に
印字不良が発生する可能性がある。
力パルスを印加したとするにの場合入力パルスの周期を
短かくしであるので、充分に冷却される前に次の入力パ
ルスが入ってくる。そのため、発熱抵抗体素子の温度は
上昇を続け、第9図(B)に示されるように変化してい
く。同図でTSは感熱記録が行なわれるときの温度、R
Tは室温である。この図では3番目のパルスP3で既に
印字不良が発生する可能性がある。
このような連続印字の際に発生する印字不良を防止する
ために、基板にサーミスタを設け、白抜けや印字濃度低
下を発生させることにより発熱抵抗体素子の加熱を防止
している。
ために、基板にサーミスタを設け、白抜けや印字濃度低
下を発生させることにより発熱抵抗体素子の加熱を防止
している。
熱損失を無視すると、P=I2R(Pは電力、■は電流
、Rは抵抗)であるので、発熱抵抗体素子の温度上昇の
際の熱時定数はRにより制約を受ける。従来の金属抵抗
体の場合には抵抗値が温度に対してほぼ一定であるため
、感熱温度までの立上り時間を短かくすることには限界
がある。
、Rは抵抗)であるので、発熱抵抗体素子の温度上昇の
際の熱時定数はRにより制約を受ける。従来の金属抵抗
体の場合には抵抗値が温度に対してほぼ一定であるため
、感熱温度までの立上り時間を短かくすることには限界
がある。
金属抵抗体の抵抗値は一般的に低いため、駆動電圧の変
動により発熱量が変化する。
動により発熱量が変化する。
また、金属抵抗体の熱伝導度が高いため、低消費電流化
を達成する上で限界がある。
を達成する上で限界がある。
(目的)
本発明は、白抜けや印字濃度低下などの処理を施さなく
ても連続印字の際の過熱を防止し、低消費電流化を達成
することのできるサーマルヘッドを提供することを目的
とするものである。
ても連続印字の際の過熱を防止し、低消費電流化を達成
することのできるサーマルヘッドを提供することを目的
とするものである。
(構成)
本発明は、基板上に厚膜状又は薄膜状に形成された発熱
抵抗体素子に通電を行なうサーマルヘッドであって、前
記発熱抵抗体素子が抵抗値の温度変化に変曲点をもつP
TC誘電体であることに特徴をもつものである。
抵抗体素子に通電を行なうサーマルヘッドであって、前
記発熱抵抗体素子が抵抗値の温度変化に変曲点をもつP
TC誘電体であることに特徴をもつものである。
PTCvlf1体としては正特性サーミスタとして使用
されている誘電体を使用することができる。
されている誘電体を使用することができる。
PTC誘電体の一例としてチタン酸バリウム(BaTi
O3)系磁器を挙げることができる。
O3)系磁器を挙げることができる。
チタン酸バリウム系磁器は誘電体あるいは圧電体として
広く用いられ、また、その抵抗値の正温度変化特性(P
TC)を利用してハニカムヒータなど、定温発熱体とし
ても使用されている。
広く用いられ、また、その抵抗値の正温度変化特性(P
TC)を利用してハニカムヒータなど、定温発熱体とし
ても使用されている。
チタン酸バリウム系磁器は、一般に常温でio” Ω・
cm以上の比抵抗をもっているが。
cm以上の比抵抗をもっているが。
それにY、Bi、Sb、W、Nb、Ta、La、Ce。
Pr、Nd、 SIa、 Gdなどを微量添加すると、
10〜106Ω・cmの比抵抗をもつ一種の半導体にな
り、抵抗値の温度変化に変曲点(比抵抗が極小になる温
度)をもつようになる。
10〜106Ω・cmの比抵抗をもつ一種の半導体にな
り、抵抗値の温度変化に変曲点(比抵抗が極小になる温
度)をもつようになる。
例えば、BaTiO3にSr又はpbを少量添加するこ
とにより、抵抗値の温度変化を第7図のように変化させ
うろことが知られている。第7図はまた、変曲点の移動
が容易であり、変曲点を所望の温度に設定することが可
能であることも示している。
とにより、抵抗値の温度変化を第7図のように変化させ
うろことが知られている。第7図はまた、変曲点の移動
が容易であり、変曲点を所望の温度に設定することが可
能であることも示している。
本発明では変曲点の近傍での急峻な抵抗値変化を利用し
て、その変曲点近傍の温度で印字動作を行なわせる。そ
のため、Srを少量添加した(Ba、5r)TiO3の
ように、50〜100℃に変曲点をもつチタン酸バリウ
ム系磁器が好ましい。
て、その変曲点近傍の温度で印字動作を行なわせる。そ
のため、Srを少量添加した(Ba、5r)TiO3の
ように、50〜100℃に変曲点をもつチタン酸バリウ
ム系磁器が好ましい。
以下、実施例について具体的に説明する。
第1図に厚膜印刷技術を用いて構成したサーマルヘッド
の例を示す。
の例を示す。
2はセラミックなどの基板であり、基板2上には発熱抵
抗体素子4として、抵抗値の温度変化の変曲点が50〜
100℃にあるBaTiOs系磁器が厚膜印刷法により
形成されている。
抗体素子4として、抵抗値の温度変化の変曲点が50〜
100℃にあるBaTiOs系磁器が厚膜印刷法により
形成されている。
6は発熱抵抗体素子4の電極であり、電極6としてはA
g焼付は電極が用いられている。Ag焼付は電極は機械
的強度が高く、抵抗値の経時変化も少ないという特性を
もっている。発熱抵抗体素子4と電極6の間には障壁層
を除く還元金属としてZn−8b系半田8が設けられて
いる。
g焼付は電極が用いられている。Ag焼付は電極は機械
的強度が高く、抵抗値の経時変化も少ないという特性を
もっている。発熱抵抗体素子4と電極6の間には障壁層
を除く還元金属としてZn−8b系半田8が設けられて
いる。
発熱抵抗体素子4及び電極6の上面には感熱記録紙との
接触からそれらを保護する耐摩耗膜10が設けられてい
る。
接触からそれらを保護する耐摩耗膜10が設けられてい
る。
第2図は薄膜形サーマルヘッドの例を表わす。
基板2上の発熱抵抗体素子14を形成するチタン酸バリ
ウム系磁器化合物は、真空蒸着法又はスパッタリング法
により、成膜条件を制御して形成することができる。
ウム系磁器化合物は、真空蒸着法又はスパッタリング法
により、成膜条件を制御して形成することができる。
16は電極である。電極16は、まずスパッタリング法
によりニッケル(Ni)下地を形成し、その上にニッケ
ルの無電界メッキを施すことにより形成することができ
る。
によりニッケル(Ni)下地を形成し、その上にニッケ
ルの無電界メッキを施すことにより形成することができ
る。
チタン酸バリウム系磁器発熱抵抗体素子14とニッケル
電極16とのオーム接触を得るために。
電極16とのオーム接触を得るために。
少なくとも170℃で10分間の熱処理を施す。
第3図は第1図又は第2図のように形成されたサーマル
ヘッドの平面図である。
ヘッドの平面図である。
列状に配列される発熱抵抗体素子4(又は14)の部分
において、隣接発熱抵抗体素子間に層間絶縁耐熱性樹脂
20が設けられている。層間絶縁耐熱性樹脂20として
は断熱効果の高いポリイミド系樹脂などを用いることが
できる。
において、隣接発熱抵抗体素子間に層間絶縁耐熱性樹脂
20が設けられている。層間絶縁耐熱性樹脂20として
は断熱効果の高いポリイミド系樹脂などを用いることが
できる。
層間絶縁耐熱性樹脂20を設けることにより、隣接発熱
抵抗体素子間の相互作用を防ぎ、コントラストの高い印
字を行なうことが可能になる。
抵抗体素子間の相互作用を防ぎ、コントラストの高い印
字を行なうことが可能になる。
次に1本発明のサーマルヘッドの作用について説明する
。
。
本発明で発熱抵抗体素子として作用するPTC誘電体の
抵抗値の温度変化は第4図に示されるようになる。Tb
は変曲点であり、変曲点Tbは印字を行なう感熱温度T
Sより若干高い温度になるように、P T、C誘電体の
組成が設定されている。
抵抗値の温度変化は第4図に示されるようになる。Tb
は変曲点であり、変曲点Tbは印字を行なう感熱温度T
Sより若干高い温度になるように、P T、C誘電体の
組成が設定されている。
第5図(A)に示されるように発熱抵抗体素子に入力パ
ルス信号を与えると、温度Ta”Tbで印字に必要な昇
温か行なわれる。温度T a ” T bで初期電圧を
印加すると、温度上昇に伴う発熱抵抗体素子の抵抗値の
低下により、発熱抵抗体素子には加速的に大電流が流れ
、第5図(B)の温度立上がり部のように温度が急速に
上昇する。
ルス信号を与えると、温度Ta”Tbで印字に必要な昇
温か行なわれる。温度T a ” T bで初期電圧を
印加すると、温度上昇に伴う発熱抵抗体素子の抵抗値の
低下により、発熱抵抗体素子には加速的に大電流が流れ
、第5図(B)の温度立上がり部のように温度が急速に
上昇する。
温度Tbが感熱温度TSより高く設定されているので、
感熱温度以上ですばやく定温状態を示す。
感熱温度以上ですばやく定温状態を示す。
入力パルスをオフとすると入力エネルギーがなくなるた
め1発熱抵抗体素子温度の冷却時間は発熱抵抗体素子の
熱容量Hと熱放散係数りの比H/ D =τで決まる。
め1発熱抵抗体素子温度の冷却時間は発熱抵抗体素子の
熱容量Hと熱放散係数りの比H/ D =τで決まる。
τは熱時定数と称される。
チタン酸バリウム系磁器は金属抵抗体より熱容量Hが小
さく、また、基板とチタン酸バリウム系磁器発熱抵抗体
素子の間にグレーズ層が設けられていないので、熱放散
係数りが金属抵抗体を用いた場合より大きいため、熱時
定数τが小さくなり。
さく、また、基板とチタン酸バリウム系磁器発熱抵抗体
素子の間にグレーズ層が設けられていないので、熱放散
係数りが金属抵抗体を用いた場合より大きいため、熱時
定数τが小さくなり。
冷却時間も短縮される。
第6図には本発明のサーマルヘッドの発熱抵抗体素子に
交流電圧を印加した場合の電流値の経時変化を示す。発
熱抵抗体素子の温度が変曲点Tbを越えると、抵抗値が
増大するため電流値が低下していき、一定電流値に落ち
着く。このことは、連続印字の際に低消費電流となるこ
とを示している。なお、電流値が一定値に落ち着くまで
の時間tは5発熱抵抗体素子の熱容量Hと熱放散係数り
が小さく、印加電圧が大きい程、短かくすることができ
る。
交流電圧を印加した場合の電流値の経時変化を示す。発
熱抵抗体素子の温度が変曲点Tbを越えると、抵抗値が
増大するため電流値が低下していき、一定電流値に落ち
着く。このことは、連続印字の際に低消費電流となるこ
とを示している。なお、電流値が一定値に落ち着くまで
の時間tは5発熱抵抗体素子の熱容量Hと熱放散係数り
が小さく、印加電圧が大きい程、短かくすることができ
る。
(効果)
本発明は、発熱抵抗体素子の材料として抵抗値の温度変
化に変曲点をもつPTC誘電体を用いたので、次のよう
な効果を達成することができる。
化に変曲点をもつPTC誘電体を用いたので、次のよう
な効果を達成することができる。
(1)過熱を防止することのできる自己制御型のサーマ
ルヘッドとすることができる。
ルヘッドとすることができる。
(2)PTC誘電体への添加物の種類と量により、感熱
温度を自由に設定することができる。
温度を自由に設定することができる。
(3)連続印字に際し、低消費電力化を達成することが
できる。
できる。
(4)高周波、高速印字を行なうことができる。
第1図及び第2図はそれぞれ実施例を示す断面図、第3
図は一実施例の平面図、第4図は本発明で使用されるP
TC誘電体としてのチタン酸バリウム系磁器の抵抗値の
温度変化を示す図、第5図(A)及び同図(B)はそれ
ぞれ本発明における入力パルス信号と発熱抵抗体素子温
度を示す図、第6図は本発明における発熱抵抗体素子の
連続印字の際の電流値の変化を示す図、第7図はチタン
酸バリウム系磁器の抵抗値の温度変化を示す図。 第8図は従来の発熱抵抗体素子の抵抗値の温度変化を示
す図、第9図(A)及び同図(B)は従来の発熱抵抗体
素子における入力パルス信号と温度を示す図である。 2・・・・・・基板。 4.14・・・・・・チタン酸バリウム系磁器発熱抵抗
体素子、 6.16・・・・・・電極。
図は一実施例の平面図、第4図は本発明で使用されるP
TC誘電体としてのチタン酸バリウム系磁器の抵抗値の
温度変化を示す図、第5図(A)及び同図(B)はそれ
ぞれ本発明における入力パルス信号と発熱抵抗体素子温
度を示す図、第6図は本発明における発熱抵抗体素子の
連続印字の際の電流値の変化を示す図、第7図はチタン
酸バリウム系磁器の抵抗値の温度変化を示す図。 第8図は従来の発熱抵抗体素子の抵抗値の温度変化を示
す図、第9図(A)及び同図(B)は従来の発熱抵抗体
素子における入力パルス信号と温度を示す図である。 2・・・・・・基板。 4.14・・・・・・チタン酸バリウム系磁器発熱抵抗
体素子、 6.16・・・・・・電極。
Claims (3)
- (1)基板上に厚膜状又は薄膜状に形成された発熱抵抗
体素子に通電を行なうサーマルヘッドにおいて、 前記発熱抵抗体素子は抵抗値の温度変化に変曲点をもつ
PTC誘電体であることを特徴とするサーマルヘッド。 - (2)前記PTC誘電体がチタン酸バリウム系磁器であ
る特許請求の範囲第1項記載のサーマルヘッド。 - (3)隣接発熱抵抗体素子間に層間絶縁耐熱性樹脂を設
けた特許請求の範囲第1項記載のサーマルヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2507886A JPS62181162A (ja) | 1986-02-06 | 1986-02-06 | サ−マルヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2507886A JPS62181162A (ja) | 1986-02-06 | 1986-02-06 | サ−マルヘツド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62181162A true JPS62181162A (ja) | 1987-08-08 |
Family
ID=12155886
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2507886A Pending JPS62181162A (ja) | 1986-02-06 | 1986-02-06 | サ−マルヘツド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62181162A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2645302A1 (fr) * | 1989-03-31 | 1990-10-05 | Mutoh Ind Ltd | Procede de controle de la tete a dessiner d'un traceur thermique |
EP0423708A2 (en) * | 1989-10-17 | 1991-04-24 | Seiko Instruments Inc. | Method and apparatus for thermally recording data in a recording medium |
EP0451778A2 (en) * | 1990-04-09 | 1991-10-16 | Seiko Instruments Inc. | Driving method for thermal printer element |
US5220349A (en) * | 1989-10-17 | 1993-06-15 | Seiko Instruments Inc. | Method and apparatus for thermally recording data utilizing metallic/non-metallic phase transition in a recording medium |
CN103963478A (zh) * | 2014-05-05 | 2014-08-06 | 邱荣健 | 热敏打印机打印头 |
-
1986
- 1986-02-06 JP JP2507886A patent/JPS62181162A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2645302A1 (fr) * | 1989-03-31 | 1990-10-05 | Mutoh Ind Ltd | Procede de controle de la tete a dessiner d'un traceur thermique |
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US5220349A (en) * | 1989-10-17 | 1993-06-15 | Seiko Instruments Inc. | Method and apparatus for thermally recording data utilizing metallic/non-metallic phase transition in a recording medium |
EP0451778A2 (en) * | 1990-04-09 | 1991-10-16 | Seiko Instruments Inc. | Driving method for thermal printer element |
CN103963478A (zh) * | 2014-05-05 | 2014-08-06 | 邱荣健 | 热敏打印机打印头 |
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