JPS6218027A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

Info

Publication number
JPS6218027A
JPS6218027A JP60156113A JP15611385A JPS6218027A JP S6218027 A JPS6218027 A JP S6218027A JP 60156113 A JP60156113 A JP 60156113A JP 15611385 A JP15611385 A JP 15611385A JP S6218027 A JPS6218027 A JP S6218027A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ray
exposure
resist
wafer
rays
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60156113A
Other languages
English (en)
Inventor
Mitsuaki Amamiya
光陽 雨宮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP60156113A priority Critical patent/JPS6218027A/ja
Publication of JPS6218027A publication Critical patent/JPS6218027A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (発明の分野) 本発明は、半導体装置の製造等に使用される露光装置に
関し、特にマスク基板やX線吸収材等の影響を含めて的
確にレジストの感度およびγ値を測定する手段を備えた
露光装置に関する。
〈発明の背景) 半導体装置の製造過程において使用されるレジストの感
度やγ値を測定する方法としては、例えば第5図に示す
ような方法が考えられる。この方法は、レジストを塗布
したウェハ 1の上に、X線しやへい根2を置ぎ、X線
3を一定時間照射した後ウェハ1を所定距離だけ移動し
、再びX線3の照射を繰り返すことにより、X線をレジ
ストに照射する時間を段階的に変化させレジストの感度
等を測定するものである。
しかしながら、このような方法ではマスク基板やX線吸
収材を実際に透過したX線に対するレジストの感度およ
びγ値等を測定することが困難であり、したがって、実
際の半導体装置の製造過程において的確な露光を行なう
ことが不可能であるという不都合があった。さらに、従
来のX線露光装Uには、上述の第5図に示されるような
方法によるレジスト感度測定手段が設けられていないた
め、照射X線の出力低下量の測定や新しいレジストの感
度特性等の評価を行なうことも困難であった。
(発明の概要および目的) 本発明の目的は、前述の従来形における問題点に鑑み、
X線透過膜およびX線吸収材等を複数種類設けた開口部
を有するX線じゃへい板と被露光体とを相対的に移動し
ながら順次試験露光を行なうという構想に基づき、X線
透過膜やX線吸収材等を通過したX線に対するレジスト
の感度等を測定できるようにし、レジストとX線吸収材
やX線透過膜との適合性、照射X線の明るさ、およびレ
ジストの感度評価等を容易に行なうことができるように
して的確な露光を可能にすることを目的とする。
(発明の構成) 本発明に係わる露光装置は、単数または複数の開口部を
有し、該開口部に単数または複数種類のX線透過膜およ
び/またはX線吸収材を設けたX線じゃへい板、該X線
じゃへい板と被露光体とを相対的に移動する搬送手段、
およびX線照射手段を具備し、前記X線じゃへい板を介
して被露光体に所定時間露光した後該X線じゃへい板と
被露光体とを相対的に所定距離だけ移動し再び露光を行
なうことを繰り返し露光試験を行なうことを特徴とする
(実施例の説明) 以下、図面により本発明の詳細な説明する。
第1図(a)および(b)は、それぞれ、本発明の1実
施例に係わる露光装置に使用されるX線しやへい板等を
示すものである。これらの図においては、ウェハ1にX
線しやへい板2aを介してX線3が照射される状態が示
されている。X線じゃへい板2aは複数の窓4−1.l
l−2,4−3,・・・を有し、例えば窓4−1にはX
a透過膜5とx1!jI吸収材6とが取付けられており
、窓4−2にはX線透過膜5が取付けられており、また
窓4−3には何も取付けられていない。ウェハ1上には
レジスト 7が塗布されている。
上述のようにレジスト 7を塗布したウェハ1上にX線
しやへい板2aが配置され、該X線じゃへい板2aを介
してウェハ1上のレジスト 7にX1il 3が照射さ
れて露光が行なわれる。次に、ウェハ1を所定距離だけ
移動し、再び露光が行なわれ、この4なウェハの移動お
よび露光が繰り返される。これにより、X線しやへい板
2の多窓4−1.4−2.4−3゜・・・に取付けられ
たX線透過膜5およびX線吸収材6等を通過したX線が
種々の露光時間だけレジスト 7に照射される。そして
、このような露光後に、レジスト 7を現像すると、種
々のX線吸収材6やX線透過膜5を透過したX線に対す
るレジストの感度およびγ値等を測定することかできる
。また、X線じゃへい板2aには複数の窓4−1.4−
2.4−3.・・・が設けられており、多窓には多種類
のX線透過膜やX線吸収材が設けられているため、上述
のような一連の露光および例えば1回の現像により種々
の条件における測定が可能となる。
第2図は、第1図のようなレジスト評価装置を有するX
線露光装置の1例を示す。同図の装置は、図示しない電
子ビーム発生装置と、ターゲット8と、第1図に示すレ
ジスト評価手段9とを具備する。
第2図の露光装置においては、図示しない電子ビーム発
生装置から出力された電子ビーム10がターゲット 8
に照射され、XI 3が発生する。このX線3がレジス
ト評価手段のX線じゃへい板2aを介してウェハ1上の
レジスト 7に照射され前述のような露光およびレジス
トの評価が行なわれる。
第3図は、本発明の伯の実施例に係わる露光装置に使用
されたX線しやへい板の他の例を示す。
同図のX線じゃへい板2bにおいては、第1図に示され
るものとは異なり、1つの窓4に複数種類のX線透過膜
等が取付けられている。このような構造とすることによ
り、X線しやへい根2bの構造が簡単になり、またサイ
ズを小さくすることも可能となる。
第4図は、本発明のさらに伯の実施例に係わる露光装置
を示す。同図の装置は、露光用の精密ステージ11、お
よびレジスト評価手段9を例えば左右に移動させる移動
手段12を備えている。
第4図の装置においては、レジスト評価を行なう場合に
はレジスト評価手段9が移動手段12により例えば左側
方向に移動され、X線3が照射されて前述のようにレジ
スト評価が行なわれる。この場合、精密ステージ11は
、例えばレジスト評価手段9の側面等に移動されるか、
あるいは精密ステージ11に窓等を設は露光試験時には
この窓を通してX線3を照rAfる等の方法が用いられ
る。これに対して、実際の製造過程で露光を行なう場合
には、レジスト評価手段9は例えば第4図の右端へ移動
されて精密ステージ11上に置かれた図示しないウェハ
に露光が行なわれる。
なお、以上の各実施例においてレジスト評価を行なう場
合には、X線じゃへい仮を固定しウェハを順次移動して
露光を行なってもよく、あるいはウェハ 1を固定して
おきX線じゃへい板2を順次移動して露光を行なっても
よいことは明らかである。
また、前述の露光操作において行なわれる複数回の露光
の内、各回の露光量はすべて同じにしてもよく、あるい
は各回の露光量を変化させてもよい。後者の場合には、
例えば初回の露光量のみ伯の回の露光機の1/2等とす
ることにより、レジストの露光量の変化ピッチを細かく
することが可能となり、少ない露光回数でよりきめ細か
な露光試験を行なうことが可能になる。
(発明の効果) 以上説明したように、本発明によれば、多種類または種
々の厚さのX線透過膜あるいはX線吸収材等を実際に通
過したX線に対するレジストの感度およびγ値等の測定
を1度にかつ極めて的確に行なうことが可能となる。ま
た、予め各特性が知られたX線じゃへい板および感度が
知られているレジストを用いることにより、ターゲット
から放射されたX線の強度低下を測定することも可能に
なる。ざらに、本発明によれば、感度またはγ値等が未
知の新しいレジストについてもその評価を的確に行なう
ことが可能となり、かつ広範囲の感度およびγ値等の測
定を的確に行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)および(b )はそれぞれ本発明に係わる
露光装置に使用されるレジスト評価手段を示す斜視図お
よび八−A線から見た断面図、第2図は第1図のレジス
ト評価手段を使用した露光装置を示す概略的説明図、第
3図はレジスト評価手段の他の例を示す斜視図、第4図
は本発明の使の実施例に係わる露光装置を示す概略的説
明図、そして第5図は従来形のレジスト評価手段を示す
斜視図である。 1:ウェハ、2.2a、2b : X線しヤヘい板、3
:X線、4.4−1.4−2.’4−3.・・・:窓、
5:X線透過膜、6:X線吸収材、7:レジスト、8:
ターゲット、9ニレジスト評価手段、10:電子ビーム
、11:精密ステージ、12:移動手段。 第2図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、単数または複数の開口部を有し、該開口部に単数ま
    たは複数種類のX線透過膜および/またはX線吸収材を
    備えたX線しゃへい板、該X線しゃへい板と被露光体と
    を相対的に移動する搬送手段、およびX線照射手段を具
    備し、前記X線しゃへい板を介して被露光体に所定時間
    露光した後該X線しゃへい板と被露光体とを相対的に所
    定距離だけ移動し再び露光を行なうことをくり返すこと
    により露光試験を行なうことを特徴とする露光装置。 2、前記複数回の露光の内少なくとも1回は露光量を他
    の回の露光量と異ならしめた特許請求の範囲第1項に記
    載の露光装置。
JP60156113A 1985-07-17 1985-07-17 露光装置 Pending JPS6218027A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60156113A JPS6218027A (ja) 1985-07-17 1985-07-17 露光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60156113A JPS6218027A (ja) 1985-07-17 1985-07-17 露光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6218027A true JPS6218027A (ja) 1987-01-27

Family

ID=15620594

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60156113A Pending JPS6218027A (ja) 1985-07-17 1985-07-17 露光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6218027A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH033374B2 (ja)
DE68929356T2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Belichtung
JPH04312947A (ja) 光レジスト内潜像形成モニタ方法
JP2002267754A (ja) 強度変調療法用吸収線量測定装置
JP2002350373A (ja) 複合x線分析装置
JPS6218027A (ja) 露光装置
JPH0722109B2 (ja) 感光性ラツカ−層の露光量決定方法
JPH01308951A (ja) 透過性の放射線による対象物体検査装置
JP3384880B2 (ja) 写真製版における焦点合わせ方法
JPH0689839A (ja) 微細パターン形成方法および微細パターン露光装置
Cranberg et al. Calibration of photographic emulsions for low energy electrons
JPH0455743A (ja) エックス線検査装置
JPH06283585A (ja) 半導体評価装置
US6728333B2 (en) Film density template and method for comparison of film exposure
JPS61167846A (ja) X線による被測定物の組成分析方法
Hawkesworth et al. Some measurements of the resolving power of the intensifying screens used for radiography with beams of thermal neutrons
JPH1151883A (ja) 蛍光x線分析装置および方法
Lane et al. Conventional novolak resists for storage ring x‐ray lithography
JPH09119906A (ja) X線小角散乱装置
SU693487A1 (ru) Счетчик гейгера-мюллера с экраном
JPS5870530A (ja) レジストパタ−ン形成方法
SU834472A1 (ru) Способ измерени толщины сло КРАТНОгО ОСлАблЕНи РЕНТгЕНОВСКОгОизлучЕНи
JP2877352B2 (ja) X線露光装置
JPH04184155A (ja) 全反射スペクトル測定装置
JPS6319833A (ja) 半導体集積回路の試験方法