JPS62172544A - 光学的記録担体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明は支持体及び光反射層上に設けられ１こ光吸収層
を有する反射式の光学的記録担体に関するものである。

（従来技術） ことに１４！１１塚記憶及びデータ記憶といつ形態に８
ける光学「ジ方法による情報記録の可能性につい℃最近
研冗か進んでいろ。ことにこれにより達成可能の著しく
高い記録密度かこの糧の記録媒体に対する特別な興味を
もたらしている。公知のこの種の記録担体の処理方法は
、信号を書き入れるために、相当する周波数、十分な光
度のレーザー元繊を記録媒体上に集中し、これにより記
録層中に残留する成る変化をも１こりすことに基礎を直
く。一連の信号を記録するために書き入れレーザーは相
当して変調され、レーザー元巌と記録媒体との間の相対
運動が処理される。このようにして一連の光学的に確認
し得るパターンが形成されろ。この記憶された信号パタ
ーンの読出しは層の変化をもたらすには不十分な一定光
度のレーザーｘｍで行われ、その反射部分か解読される
。記録媒体中に存在する信号パターンは、反射光に対し
て、記憶されている情報に対応する変化をもたらす。こ
の情報の記憶及び再生の原理自体はすでに公知であり、
若干の刊行物に記ｖｔ！ｔすれている。

例えば米国特許４　（３９７８９５号制細薔には、いわ
ゆる分離記録媒体を有する記録担体が記載されている。

これはアルミニワム或は金のような光反射材料の層にフ
ルオレセインのような光吸収層な槓層したものである。

集中された光度変調レーザー光線、例えはアルゴンレー
サー或はヘリウム／カドミウムレーザーのようなレーザ
ー光線が記録媒体に指向されると、光吸収材料は蒸散或
は分所して孔隙を形成し、これにより元反射層が嬉出さ
れる。元吸収層の厚さは、構成素子か最少限度の反射能
力な有するように選択される。記録後におい′″Ｃ元吸
収層の最少限度の反射と元反射層の反射との間の最犬眠
度のコントラストがもたらされる。

このようにして記録担体には反射／吸収パターンが形成
される。光反射性材料が非伝導性基体上に薄層な形成す
るとぎ、元に吸収されているエネルギーは極めて薄い層
に集中されるが、この場合薄い吸収層における反射によ
るエネルギーロスも、反射層からの伝搬にもとすくエネ
ルギーロスも僅少である。従って、このような記録担体
による記録受容感度は惚めて高い。

公知のこのような記録担体は一応満是に作用してはいる
が、使用されるアルゴンレーザー及びヘリタム／カドミ
ウムレーザーの場合、その構成装置がかさ高であるとい
う欠点があり、またそれを駆動する几め犬ぎな電気エネ
ルギーを必要とする欠点がある。更にまた光電調装置を
必要とする。

史に僅少なエネルギー消費で稼動し得る装置を使用でき
れば有利である。これは固体インジェクションレーザー
、例えはアルミニウムカリウム砒素レーザの使用により
可能となり得る。このようなレーサーは７５０乃至８５
０　ｎｍの波長範囲の元を放射する。

西独特許出願公開２９５１３４（Ｊ号及び同２９５１３
４１号公報には、この半導体レーサーの放射波長転回に
おいて吸収する光学的記録担体が記載されている。この
元反射層にはフタロシアニン色素が慣用の真空蒸着によ
り厖こされ又いろ。これは薄層の形態で、使用されるレ
ーサー放射光周波数において元を吸収し、吸収層の分解
乃至浴融により平滑な孔隙な形成するような光学的ｐ４
！ｊ注を示さねばならない。しかしながら、ここに開示
された光学的記録担体は、真空蒸着処理により元吸収層
の粒度が大きくなり、これＫより信号ノイズ電圧比が小
さくなる点において不満足なものである。

従って、本発明により解決されるべきこの分野の技術的
課題は、慣用の半導体レーサーの波長帯域で吸収し、こ
のための均斎な平滑薄層を構成１゛ることかでき、慣用
の記録再生技術により最少限４０　ｄＢの信号ノイズ電
圧比の記録パターンをもたらす、上述の光学的記録担体
用吸収材料を提供することである。

（発明の要約） 上述した技術的課題は、支持体及び光反射層上に設けら
れ１こ元吸収層を有する光学的記録担体であって、上記
元吸収層が光吸収材料とじ又ポリピロールを含有するこ
とを特徴とする不発明記録担体により解決され得ること
が見出されＴこ。

ポリピロールは総体的に可視スペクトル鎖酸の元を吸収
し、従って記録用として在米の丁べてのレーサーを使用
することができる。また本発明記録担体に使用されるビ
ロール亜合体自体は公知である。これは０．０１乃至ｔ
Ｊ、３μｍの平均粒径を有する粉末である。これより粒
度の大きいものは信号ノイズ比が悪く、下限より小粒径
のもσ）かり成る層は半導体レーザー用として光吸収挙
動が良好でない。

ビロール類の化合物であって、好ましい１合体を製造す
るために過当なものは、ビロール自体とｔｉｔｆｉビロ
ール、Ｎ−アルキルビロール、Ｎ−アリールビロール、
Ｃ原子で七ノアルキル乃至トリアルキル置侠されたビロ
ール及びＣ原子でモノハロゲン乃至ジハロゲン直換され
たビロールとである。

ビロールは単独で或は上述し１こビロール類化合物との
混合物として使用される。！２ｆｆ：Ｌいのは非置挨ビ
ロールそれ自体である。置換ビロールを使用する場合に
は３．４−ジアルキルビロール、コトにアルキル基に１
乃至４個の原糸原子を有するも０）、７．ＣラヒｉＣ３
、４−ジハロゲンビロール、コトに３，４−ジクロルビ
ロールが好ましい。ま１こ場合により少友の、例えはビ
ロール／七ルに対し℃υ・１乃至１υ七ル程度の他の汲
系環式化合物であって、フラン、チオフェン、ナアゾー
ルのよ５な可′電子共役結合を百するもの？：硼加する
こともできる。

微粒ビロールポリマーを製造する１こめに、上述ビロー
ル類化合物を溶液とし、酸素含有酸化剤で処理スる。１
モルのビロール或はビロール混合物或はビロールと共電
合し得る化合物との混合物に対し、０．２乃至１０モル
の酸化剤を使用するのが好ユしい。１モルより少量を使
用する場合には使用した出発物質の一部分がポリマーに
転化し７．ｃいことが確認され得る。ポリマーに転化す
べき出発物質の全体量が十分であるからこれより大量の
酸化剤を使用する必要はない。上述した量を超える過剰
量は一般に必要ではないが、場合によっては一定の効来
がある。酸基な含有する酸化剤によりペルオクソ酸及び
その塩、ベルオクソニ懺酸及びそのアルカリ塩、アンモ
ニウム塩が形成されろ。また酸化剤として、ペルオクン
硼酸ナトリワム、■クロム酸カリワムのようなベルオク
ソ硼酸塩或はペルオクソクロム酸塩を使用することも有
利である。そのほか過マンカン酸刀すウムのような過マ
ンカン酸塩を食型の塩に硝加され得ろ。また過酸化水素
を使用ｊ７）ことも好ましいが、この場合は導電性塩の
存在が不可欠である。更にベンゾイル過酸化物、ラワロ
イル過酸化物のような有機過酸化物、更にはペルヒバリ
ン酸エステルのようなベルエステルの如きも使用し得る
。有機俗媒中におけろ処理の場合には、過塩素酸鉄の如
き可溶性過塩素酸塩も使用され得る。

粉末状ビロールポリマーの製造は、浴媒として水を使用
し、或は場合により水と混合可能の有機温媒との混合温
媒を使用して、溶液中で行われる。

ジメチルスルホキシド、メチレンクロル、メタノール、
エタノール、アセトニトリル、スルホラン、エチレンカ
ルボナート、プロピレンカルボナート、ジオキサン、テ
トラヒドロフランのような有機温媒そのものも使用可能
である。ビロール、ビロール類混合物或はその他の化合
物との混合物′ｆ！：０．１乃至５０亜重チ、ことに１
乃至５］［重チ含有する溶液中で処理するのが好ましい
。添加されるべき酸化剤の童は、前述し１こ原則に従っ
て決定される。

反応は０乃至１００℃、ことに１５乃至４０　℃の温度
で行われろ。一般に反応を室温で行っとき、満足すべき
結果が得られる。

得られ１こポリマー粉末は、■合体結合剤と共に基板上
に薄層状に展張される。層の厚さは０．０２乃至１．０
μｍである。ポリピロールと結合剤の割合は１０：１乃
至１　：　１０の軸回である。

結合剤としては（メタ）アクリル酸エステルの単一１合
体或は共重合体、ポリビニル化合物、可溶性ポリカルボ
ナート、ボデスチレン、可溶性セルローズ誘導体、ポリ
オレフィン等が使用される。

本発明による光学的記録担体に特徴的な光吸収層の丈に
他の形成法として、反射層上にポリピロールを直接電解
的に沈積させる方法がある。この場合温媒とし℃水を使
用し、これにアルコール或は水溶性ケトン及び導電性塩
を芥加する。適当な導電性塩としてはＫＨＳＯ３、ＫＢ
Ｆ４　、Ｌｉ　０１０４が或はま１こＨＣｌＯ４、ＨＯ
ｔＯＯＨ、Ｈ２８０４、ＨＮＯ３、Ｈ３ＰＯ４（７）如
き酸も使用される。

未発明泣よる光学的記録担体のその他の構成につい壬は
従来の慣用技術による。記録層は従来通りの担持体上に
形成される。このための基体としては、光学的に平滑均
斉な表面を有するものでなければならない。−双にこの
１こめにはガラス或は合成樹脂製の板体或はティスフが
適当である。このような基体上に、記録及び再生のため
に使用される元を反射する元反射層が形成される。適当
な材料はアルミニウム、ロジウム、金などである。

この反射層の厚さは、入射光ｆｆＭを反射し得るもので
なければならない。これは−牧に５乃至１００　ｎｍの
波長を有する。この光反射材料がそれ自体自立性の光学
的に平滑な層を形成する場合には、担持体材料は省略さ
れ得ろ。

光反射層上には本発明による光学的記録担体に特徴的な
光吸収層が上述した方法で積層される。

しかしながら、好ましい構成態様として反射層と吸収層
との間に中間層を設けまたそれ自体公知の被曖層乃至保
贋層を光吸収層の上に設けることが推奨される。

以下の実施例により本発明を史に詳細かつ具体的に説明
する。

実施例１ 水５０〇−及びエタノ−／Ｌ’５００りにビロール２５
１及びＮａ２８０４０．１ｒを溶解させ１こ＃液から、
金を蒸着したガラス板体を陽極とし又、これに０．１μ
ｍ厚さのポリピロール層を沈積形成した。この場合電流
密度を０．０３　ｍＡ／−とし１こ。２５　ｍＷ　（７
）　Ｈｅ／Ｎｔレーザー（λ”＝　６３３　ｎｍ　）と
３　ｍＷ　＋７）　Ｇａ／Ａｓ半導体レーザーの元＋Ｗ
を集中照射し′″Ｃ０１６μｍ径の吸収層孔隙を形成し
てデータ書入れすることができ１こ。

゛実施例２ ７０重量饅のメチルメタクリラート及び３０ｍ童チのメ
タクリル酸から成るに値４０の共重合体５２と、ジシク
ロヘキシルペルオキシカルボナート４５ｆと、トリクロ
ル醋酸０．２２とをエタノール１００２に溶解させ１こ
溶液に、攪拌しつつ１時間にわ１こ９１．５２のビロー
ルを滴下し１こ。この間溶液は縁から黒に変色しＬｏそ
の後直ちにフォトレジスト投射機により上記溶液をアク
リルガラス版上に塗布し、この水体？：１夜８０Ｃの温
度に保持する。得られた入球色の均蒼な層は０．５μｍ
の厚さのものであり、波長８３０　ｎｍの吸光度は０．
８を示した。

１３　ｍＷのＧａ／Ａｓ半導体レーザー（λ＝　８３０
　ｎｍ　）の集中光により該層には０，８μｍ径の孔隙
が穿ｆこれｆこ。

感度は１孔隙当り約１　ｎＪであった。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持体及び光反射層上に設けられた光吸収層を有
   する光学的記録担体であつて、上記光吸収層が光吸収材
   料としてポリピロールを含有することを特徴とする光学
   的記録担体。
2. （２）特許請求の範囲（１）による光学的記録担体であ
   つて、上記ポリピロールが平均粒径０．０１乃至０．３
   μｍを有することを特徴とする光学的記録担体。