JPS62167380A - 平板接合方法 - Google Patents
平板接合方法Info
- Publication number
- JPS62167380A JPS62167380A JP953386A JP953386A JPS62167380A JP S62167380 A JPS62167380 A JP S62167380A JP 953386 A JP953386 A JP 953386A JP 953386 A JP953386 A JP 953386A JP S62167380 A JPS62167380 A JP S62167380A
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- layer
- face
- curved
- flat
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- Pending
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- Connection Of Plates (AREA)
- Standing Axle, Rod, Or Tube Structures Coupled By Welding, Adhesion, Or Deposition (AREA)
- Joining Of Glass To Other Materials (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
表面に有する熱可塑性物質の融着層を相接するように重
ね合わせた一対の平板を、湾曲凸面と平面で挟んで加熱
加圧することにより融着接合する平板接合において、 表面に異物質層を形成した際に発生する内部応力による
シリコン板の湾曲を利用することにより、使用する湾曲
凸面の形成を容易にしたものである。
ね合わせた一対の平板を、湾曲凸面と平面で挟んで加熱
加圧することにより融着接合する平板接合において、 表面に異物質層を形成した際に発生する内部応力による
シリコン板の湾曲を利用することにより、使用する湾曲
凸面の形成を容易にしたものである。
本発明は、表面に有する熱可塑性物質の融着層を相接す
るように重ね合わせた一対の平板を、湾曲凸面と平面で
挟んで加圧加熱することにより融着接合する平板接合方
法に係り、特に、その湾曲凸面の形成に関す。
るように重ね合わせた一対の平板を、湾曲凸面と平面で
挟んで加圧加熱することにより融着接合する平板接合方
法に係り、特に、その湾曲凸面の形成に関す。
上記平板接合方法により接合した接合体には、例えば二
酸化シリコン（Ｓｉ０２）または燐珪酸ガラス（Ｐ Ｓ
Ｇ）を熱可塑性物質にしたシリコン（Ｓｉ）平板を接
合して３０１ （Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎ５ｕｌａ
ｔｏｒ）構造半導体装置の基板用とするものがある。
酸化シリコン（Ｓｉ０２）または燐珪酸ガラス（Ｐ Ｓ
Ｇ）を熱可塑性物質にしたシリコン（Ｓｉ）平板を接
合して３０１ （Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎ５ｕｌａ
ｔｏｒ）構造半導体装置の基板用とするものがある。
この接合体は、融着層がＩｎ５ｕｌａｔｏｒ（絶縁体）
となるので、融着部は全面に渡り気泡などを取り込むこ
とな（確実に融着していることが必要である。
となるので、融着部は全面に渡り気泡などを取り込むこ
とな（確実に融着していることが必要である。
このため融着接合に必要な加圧加熱の際に、平板の中央
部から周辺に向かって融着が進むように、平板を挟む面
の一方を湾曲凸面にすることが提案されている。
部から周辺に向かって融着が進むように、平板を挟む面
の一方を湾曲凸面にすることが提案されている。
この場合上記湾曲凸面は、曲率半径を比較的大きく然も
接合対象平板に適合した値にする必要がある。
接合対象平板に適合した値にする必要がある。
〔従来の技術と発明が解決しようとする問題点〕第３図
は上述した平板接合方法の説明図である。
は上述した平板接合方法の説明図である。
この方法による接合は、基板ｌａ上に熱可塑性物質の融
着層１ｂを有して接合対象となる平板１を、２枚１組に
して融着層１ｂが相接するように重ね合わせ、それを加
圧体°２および３で挟み加圧体３側にあるヒータ４で加
熱しながら矢印Ａ方向に加圧し、融着層１ｂを互いに融
着させて行う。
着層１ｂを有して接合対象となる平板１を、２枚１組に
して融着層１ｂが相接するように重ね合わせ、それを加
圧体°２および３で挟み加圧体３側にあるヒータ４で加
熱しながら矢印Ａ方向に加圧し、融着層１ｂを互いに融
着させて行う。
この際、加圧体２の加圧面を平面にし加圧体３の加圧面
を湾曲凸面５にすることにより、融着層１ｂの融着が中
央部から始まり周辺に向かって進むので、融着部の全面
に渡り気泡などを取り込むことな（確実に融着させるこ
とが出来る。
を湾曲凸面５にすることにより、融着層１ｂの融着が中
央部から始まり周辺に向かって進むので、融着部の全面
に渡り気泡などを取り込むことな（確実に融着させるこ
とが出来る。
この場合湾曲凸面５の曲率半径は、融着接合の後にも平
板１の全面に渡り融着層１ｂが存在するように、例えば
１０ｍと言った大きな値にする必要がある（図では湾曲
凸面５を誇張して示しである）。
板１の全面に渡り融着層１ｂが存在するように、例えば
１０ｍと言った大きな値にする必要がある（図では湾曲
凸面５を誇張して示しである）。
そして現実には、曲率半径の異なる湾曲凸面５を具える
複数の加圧体３を用意し、試行を経てその中から融着接
合する平板１に最も適合した加圧体３が選択されている
。
複数の加圧体３を用意し、試行を経てその中から融着接
合する平板１に最も適合した加圧体３が選択されている
。
加圧体３の湾曲凸面５を形成のには、従来、湾曲凸面５
に等しい曲面を有する型板を用意し、研摩粉を用いた研
摩によりこの型板の曲面を加圧体３に転写する方法が採
用されている。このため上記複数の加圧体３を用意する
には、それぞれに対応した複数の型板を用意する必要が
ある。
に等しい曲面を有する型板を用意し、研摩粉を用いた研
摩によりこの型板の曲面を加圧体３に転写する方法が採
用されている。このため上記複数の加圧体３を用意する
には、それぞれに対応した複数の型板を用意する必要が
ある。
しかしながらこの型板の曲面の形成は高度の熟練に依存
しているため、適切な湾曲凸面５を選択するのに多額の
費用を要する問題がある。
しているため、適切な湾曲凸面５を選択するのに多額の
費用を要する問題がある。
本発明は、Ｓｉ板の一主面に５ｉＯｚ層を形成して該５
ｉ０２層側を凸に湾曲させ、更にその反対主面が形成す
る凹部をゲルマニウム（Ｇｅ）層で平面に充填してなる
片凸レンズ状体の該５ｉＯｚ層側なる凸面、または該凸
面を元に転写形成されてなる凸面を加圧体３の湾曲凸面
５にすることによって、上記問題点を解決したものであ
る。
ｉ０２層側を凸に湾曲させ、更にその反対主面が形成す
る凹部をゲルマニウム（Ｇｅ）層で平面に充填してなる
片凸レンズ状体の該５ｉＯｚ層側なる凸面、または該凸
面を元に転写形成されてなる凸面を加圧体３の湾曲凸面
５にすることによって、上記問題点を解決したものであ
る。
Ｓｉ板は、その表面に５ｉ０２層を形成すると表面層に
引張力が働き、Ｇｅ層を形成すると圧縮力が働くので、
ＳｉＯ２層の形成が一主面に限られた際には５ｉ０２層
側が凸に湾曲し、反対主面にＧｅ層が追加されるとその
湾曲の度合が強まる。
引張力が働き、Ｇｅ層を形成すると圧縮力が働くので、
ＳｉＯ２層の形成が一主面に限られた際には５ｉ０２層
側が凸に湾曲し、反対主面にＧｅ層が追加されるとその
湾曲の度合が強まる。
この際の引張力または圧縮力は、それぞれ５ｉ０２層ま
たはＧｅ層の厚さを変えることにより制御出来るので、
Ｓｉ板と５ｉ０２層とＧｅ層との厚さを適宜選定するこ
とにより、上記片凸レンズ状体の凸面の曲率半径を所望
の大きさにすることが可能になる。
たはＧｅ層の厚さを変えることにより制御出来るので、
Ｓｉ板と５ｉ０２層とＧｅ層との厚さを適宜選定するこ
とにより、上記片凸レンズ状体の凸面の曲率半径を所望
の大きさにすることが可能になる。
然もこの片レンズ状体は、その形成に先に述べた転写用
の型板の如き熟練を必要としないので、曲率半径の異な
る複数のものを用意するのが容易である。
の型板の如き熟練を必要としないので、曲率半径の異な
る複数のものを用意するのが容易である。
そしてこの片レンズ状体は、Ｇｅ層表面が平面であるこ
とから、従来方法における加圧体３の湾曲凸面５部分を
平面にしてその上に載せることにより、そのまま湾曲凸
面５として使用することが可能であり、また上記型板と
して使用することも可能である。
とから、従来方法における加圧体３の湾曲凸面５部分を
平面にしてその上に載せることにより、そのまま湾曲凸
面５として使用することが可能であり、また上記型板と
して使用することも可能である。
かくして、融着接合する平板１に最も適合した湾曲凸面
５の選択を経済的に行うことが可能になる。
５の選択を経済的に行うことが可能になる。
第１図は本発明実施例の説明図、第２図は実施例に使用
する片凸レンズ状体形成の工程順側断面図（ａｌ〜ｆｄ
）、である。全図を通じ同一符号は同一対象物を示す。
する片凸レンズ状体形成の工程順側断面図（ａｌ〜ｆｄ
）、である。全図を通じ同一符号は同一対象物を示す。
第１図は第３図に対応する図であり、第１図に示す方法
は、第３図における加圧体３を湾曲凸面５の部分が平面
である加圧体３ａに替え、その上に湾曲凸面５を有する
片面レンズ状体６を載せ、両者を合わせて加圧体３に相
当させたものである。
は、第３図における加圧体３を湾曲凸面５の部分が平面
である加圧体３ａに替え、その上に湾曲凸面５を有する
片面レンズ状体６を載せ、両者を合わせて加圧体３に相
当させたものである。
加圧体３ａと片面レンズ状体６とは互いに平面で接して
いるため、ヒータ４による加熱は湾曲凸面５に十分に伝
達され、然も矢印へ方向の加圧に際して湾曲凸面５の形
状前れがないので、平板１の融着接合は、第３図図示の
場合と同様に行われる。
いるため、ヒータ４による加熱は湾曲凸面５に十分に伝
達され、然も矢印へ方向の加圧に際して湾曲凸面５の形
状前れがないので、平板１の融着接合は、第３図図示の
場合と同様に行われる。
片面レンズ状体６は、第２図の（ａｌ〜（ｄｌの手順で
形成する。即ち、 先ず〔図ｆａｌ参照〕、Ｓｉ板７の表面にＳｉＯ２層８
を形成する。通宝の方法では５ｉ０２屓８が両面に形成
される。
形成する。即ち、 先ず〔図ｆａｌ参照〕、Ｓｉ板７の表面にＳｉＯ２層８
を形成する。通宝の方法では５ｉ０２屓８が両面に形成
される。
次いで〔図（ｂ）参照〕、片面の５ｉ０２屓８を残すよ
うに反対面のＳｉＯ２層、８を除去する。さすればＳｉ
板７は３１０２層８側を凸の球面に湾曲する。
うに反対面のＳｉＯ２層、８を除去する。さすればＳｉ
板７は３１０２層８側を凸の球面に湾曲する。
次いで〔図（Ｃ）参照〕、３１０２層８が除去されて凹
側となった面に６０層９ａを堆積する。
側となった面に６０層９ａを堆積する。
次いで〔図ｆｄ）参照〕、６０層９ａを上に向は約１１
００℃に加熱して６０層９ａを溶融した後冷却して表面
が平面となるＧｅ層９を形成し、片面レンズ状体６を完
成する。Ｇｅ層９は結晶状態にあり、５ｉ０２屓８の曲
率半径は図（ｂｌの時より小さくなっている。
００℃に加熱して６０層９ａを溶融した後冷却して表面
が平面となるＧｅ層９を形成し、片面レンズ状体６を完
成する。Ｇｅ層９は結晶状態にあり、５ｉ０２屓８の曲
率半径は図（ｂｌの時より小さくなっている。
ちなみに、半導体装置に使用される厚さ約５００μｍの
ＳｉウェーハをＳｉ板７とし、ＳｉＯ：ｚ眉８を熱酸化
により厚さ約１μｍとなし、６０層９ａを蒸着または化
学気相成４ｕ（ＣＶＤ）などにより厚さ約３０μｍとし
た場合、ＳｉＯ２層８の曲率半径は図（ｂ）の特約２０
ｍとなり完成体で約１０ｍとなる。
ＳｉウェーハをＳｉ板７とし、ＳｉＯ：ｚ眉８を熱酸化
により厚さ約１μｍとなし、６０層９ａを蒸着または化
学気相成４ｕ（ＣＶＤ）などにより厚さ約３０μｍとし
た場合、ＳｉＯ２層８の曲率半径は図（ｂ）の特約２０
ｍとなり完成体で約１０ｍとなる。
そして５ｉ０２ｉ８および６０層９ａの厚さを上記より
厚くすると完成時のＳｉＯ２層８の曲率半径は上記より
小さくなり、薄くすると大きくなる。その際、Ｓｉ板７
と３１０２層８と６０層９ａの厚さにより上記曲率半径
が定まるので、所望の曲率半径にするためのそれぞれの
厚さは予め求めることが出来る。
厚くすると完成時のＳｉＯ２層８の曲率半径は上記より
小さくなり、薄くすると大きくなる。その際、Ｓｉ板７
と３１０２層８と６０層９ａの厚さにより上記曲率半径
が定まるので、所望の曲率半径にするためのそれぞれの
厚さは予め求めることが出来る。
従って５ｉ０２ＪｉＷ８の曲率半径を任意の湾曲凸面５
に一致させた片面レンズ状体６の形成は、熟練を要せず
して極めて容易である。
に一致させた片面レンズ状体６の形成は、熟練を要せず
して極めて容易である。
第１図図示の方法では、この片面レンズ状体６を加圧体
３ａに載せる際に、Ｇ６層９の表面を加圧体３ａに接し
せしめて５ｉ０２眉８の表面を湾曲凸面５にする。この
方法で複数の湾曲凸面５を用意するには、５ｉＯ２Ｊｉ
８の曲率半径をその湾曲凸面５に合わせた複数の片面レ
ンズ状体６を用意すれば良い。
３ａに載せる際に、Ｇ６層９の表面を加圧体３ａに接し
せしめて５ｉ０２眉８の表面を湾曲凸面５にする。この
方法で複数の湾曲凸面５を用意するには、５ｉＯ２Ｊｉ
８の曲率半径をその湾曲凸面５に合わせた複数の片面レ
ンズ状体６を用意すれば良い。
また、第３図図示のように湾曲凸面５を具える加圧体３
を使用するとして、複数の湾曲凸面５を用Δする場合に
は、ＳｉＯ２層８の曲率半径をその湾曲凸面５に合わせ
た複数の片面レンズ状体６を作成し、これを先に述べた
型板と同様に扱って二液転写すれば良い。この際Ｇｅ１
５９の表面が平面であるので、転写の際の取扱いに具合
が良い。
を使用するとして、複数の湾曲凸面５を用Δする場合に
は、ＳｉＯ２層８の曲率半径をその湾曲凸面５に合わせ
た複数の片面レンズ状体６を作成し、これを先に述べた
型板と同様に扱って二液転写すれば良い。この際Ｇｅ１
５９の表面が平面であるので、転写の際の取扱いに具合
が良い。
以上説明したように本発明の構成によれば、表面に有す
るＦへ可塑性物質の融着層を相接するように重ね合わせ
た一対の平板を、湾曲凸面と平面で挟んで加熱加圧する
ことにより融着接合する平板接合において、使用する湾
曲凸面の形成が容易になり、融着接合する平板に最も適
した湾曲凸面の選択を経済的に行うことが出来る効果が
ある。
るＦへ可塑性物質の融着層を相接するように重ね合わせ
た一対の平板を、湾曲凸面と平面で挟んで加熱加圧する
ことにより融着接合する平板接合において、使用する湾
曲凸面の形成が容易になり、融着接合する平板に最も適
した湾曲凸面の選択を経済的に行うことが出来る効果が
ある。
第１図は本発明実施例の説明図、
第２図は実施例に使用する片面レンズ状体形成の工程順
側断面図（ａ）〜（ｄｌ、 第３図は本発明に係る平板接合方法の説明図、である。 図において、 ■は平板、 １ｂは融着層、２．３．３ａ
は加圧体、 ４はヒータ、５は湾曲凸面、
６は片面レンズ状体、７はＳｉ板、 ８
は５ｉＯｚ層、９．９ａはＧｅＪ’ｉ５、 Ａは
加圧方向、である。 本盲トＨＨ１−イ丞３１乙４斥」妄イト万；夫の亀を昭
ト４某３ 酊
側断面図（ａ）〜（ｄｌ、 第３図は本発明に係る平板接合方法の説明図、である。 図において、 ■は平板、 １ｂは融着層、２．３．３ａ
は加圧体、 ４はヒータ、５は湾曲凸面、
６は片面レンズ状体、７はＳｉ板、 ８
は５ｉＯｚ層、９．９ａはＧｅＪ’ｉ５、 Ａは
加圧方向、である。 本盲トＨＨ１−イ丞３１乙４斥」妄イト万；夫の亀を昭
ト４某３ 酊
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 表面に有する熱可塑性物質の融着層を相接するように重
ね合わせた一対の平板を、湾曲凸面と平面で挟んで加熱
加圧することにより融着接合するに際して、 シリコン板の一主面に二酸化シリコン層を形成して該二
酸化シリコン層側を凸に湾曲させ、更にその反対主面が
形成する凹部をゲルマニウム層で平面に充填してなる片
凸レンズ状体の該二酸化シリコン層側なる凸面、または
該凸面を元に転写形成されてなる凸面を上記湾曲凸面と
して使用することを特徴とする平板接合方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP953386A JPS62167380A (ja) | 1986-01-20 | 1986-01-20 | 平板接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP953386A JPS62167380A (ja) | 1986-01-20 | 1986-01-20 | 平板接合方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62167380A true JPS62167380A (ja) | 1987-07-23 |
Family
ID=11722904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP953386A Pending JPS62167380A (ja) | 1986-01-20 | 1986-01-20 | 平板接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62167380A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015049123A (ja) * | 2013-08-30 | 2015-03-16 | 株式会社東芝 | 検出器モジュール製造方法、検出器モジュール及び医用画像診断装置 |
| CN105275935A (zh) * | 2015-07-21 | 2016-01-27 | 深圳市优米佳自动化设备有限公司 | 显示屏与边框热压粘合装置及其模板更换方法 |
| WO2022030390A1 (ja) * | 2020-08-06 | 2022-02-10 | Ａｇｃ株式会社 | 積層体の製造方法、積層体および半導体パッケージの製造方法 |
-
1986
- 1986-01-20 JP JP953386A patent/JPS62167380A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015049123A (ja) * | 2013-08-30 | 2015-03-16 | 株式会社東芝 | 検出器モジュール製造方法、検出器モジュール及び医用画像診断装置 |
| CN105275935A (zh) * | 2015-07-21 | 2016-01-27 | 深圳市优米佳自动化设备有限公司 | 显示屏与边框热压粘合装置及其模板更换方法 |
| WO2022030390A1 (ja) * | 2020-08-06 | 2022-02-10 | Ａｇｃ株式会社 | 積層体の製造方法、積層体および半導体パッケージの製造方法 |
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