JPS6216598A - 多層セラミツク回路基板の接続ピン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 多層セラミック回路基板本体に導体ペーストを介して接
続ピンを接着して焼成する接続ピン形成方法であって、
ピン接続位置に貫通孔をあけたグリーンシートを形成し
、この貫通孔に接続ピンを挿入して基板本体の上の導体
ペーストに接続ピンを整合させた積層体を形成し、焼成
して接続ピンを固定する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は多層セラ引ツク回路基板の接続ピン形成方法に
関する。

〔従来の技術〕

多層セラミック回路基板零′体に接続ピンを形成すると
き、接続ピンの固定が問題となる。従来は平坦な基板本
体面にメタライズしてパッドを形成し、接続ピンの偏平
な頭部をパッドにはんだづけする方法、または、基板本
体に穴をあけ、ここに導体ペーストを充填して棒状の接
続ピンを挿入する方法が行なわれていた。接続ピンを固
定するには、前者はパッドの面積を大きくとる必要があ
り、これによってピンの実装密度が制限され、後者は実
装密度を高めることができるが、穴あけがセラミック焼
成前であれば焼締めによる収縮がおき、焼成後であれば
セラミックスに穴あけすることが困難である。

〔解決しようとする問題点〕

多層セラミック回路基板の接続ピン実装密度を高めるこ
とができ、かつ容易に形成できる接続ピン形成方法を提
供することである。

〔問題点を解決するための手段〕

上記問題点は、多層セラミック回路基板本体に導体ペー
ストを介して接続ピンを接着し、焼成する接続ピン形成
方法であって、 （ａ）　　焼成した多層セラミック回路基板本体（１）
の接続ピン（２）を接着すべき所定の位置に導体ペース
ト（３）のバットを形成し、 （ｂ）　　この導体ペースト（３）のバンドに対応する
位置に貫通孔をあけたグリーンシート（４）を形成し、
（ｃ）　　このグリーンシート（４）の貫通孔に接続ピ
ン（２）を挿入し、接続ピン（２）を導体ペースト（３
）のパッドに整合させてグリーンシート（４）を基板本
体（１）に積層し、 （ｄ）　　基板本体＋１）の焼成温度より低い温度で焼
成して接続ピン（２）を固定することを特徴とする多層
セラミック回路基板の接続ピン形成方法によって解決す
ることができる。

グリーンシート（４）は焼成後のセラミックスの曲げ強
さが基板本体（１）のセラミックスの曲げ強さより大き
いことが有利である。

以下余白 〔実施例〕 大立桝土 第１図は本発明の接続ピン形成方法を説明するための分
解断面図である。

多層セラミック回路基板本体１は、絶縁材料セラミック
スとして、α−アルミナ５０重量％、軟化点約８００℃
のはうけい酸ガラス５０重量％からなるガラス−セラミ
ックス、導体材料として、金を用いた。この多層セラミ
ック回路基板は層数３０層、厚み４．８鰭、寸法１００
　Ｘ　ｔｏｏｌであり、焼成条件は、温度９５０℃、２
時間とした。

接続ピン２を接着すべき位置に厚み５０μ糟、直径４０
０μ鍋の金・パラジウム導体ペースト３をスクリーン印
刷してパッドとした。このピン形成位置のピッチは１．
２５ｍであった。

グリーンシート４は、α−アルミナ４３重量％、軟化点
約７００℃のはうけい酸ガラス４３重量％、バインダと
してポリビニルブチラール１０重量％、可塑剤としてジ
ブチルフタレート４重量％の組成とし、厚み０．３鶴、
基板本体１と同形の寸法に形成し、基板本体１の導体ペ
ースト３に対応する位置に直径Ｑ、５　ｕ＋の貫通孔を
あけた。

積層用金型の下型５には、グリーンシート４の貫通孔に
対応する位置に直径０．５　ｍ、深さ３１■の穴を予め
あけ、この穴に貫通孔を整合させて、グリーンシート４
を３枚重ね、貫通孔に直径０．５　ｔｍ、長さ４鶴のニ
ッケル接続ピン２を挿入し、基板本体１の導体ペースト
３面をグリーンシート４に対與させて導体ペースト３を
接続ピン２に整合させてグリーンシート４に重ね、さら
にゴム緩衝板６、上型７を重ね、１２０℃、５ＭＰａで
熱間押圧し、基板本体１、接続ピン２およびグリーンシ
ートを一体化して、接続ピン２を導体ペースト３に接着
させた。

、この一体化した基板を温度８５０℃で２時間焼成し、
基板本体面のグリーンシートおよび導体ペーストを焼結
させて、接続ピンを固定させるとともに、基板内部配線
と電気的接続をとった。

大川±１ 多層セラミック回路基板本体１を厚み６Ｉｍ、寸法９６
Ｘ９６ｍｍとし、導体ペースト３を金・白金ペーストと
し、グリーンシート４の組成をα−アルミナ５９重量％
、軟化魚釣７００℃のはうけい酸ガラス２５％とし、積
層は１３０℃、５ＭＰａで押圧し、焼成条件を９００℃
、３０分としたことの他は、実施例１と同様にして多層
セラミック回路基板に接続ピンを形成した。このグリー
ンシート４から別に形成して焼成したセラミック板は曲
げ強さが２５０ＭＰａであり、基板本体のセラミックス
の曲゛げ強さ２００ＭＰａより大きかった。

〔発明の効果〕

本発明にれば、グリーンシートを焼成したセラミックス
に接続ピンの頭部がはめ込まれているので十分に高い密
着力が得られ、また焼成時に基板本体の寸法に変化がな
いので所定位置に精度よく接続ピンを形成することがで
き、かつ棒状の頭部で接続ピンがパッドに接続するので
高密度に実装することができ、しかも伝送特性を悪化さ
せることがない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の多層セラミック回路基板の接続ピン形
成方法を説明する分解断面図である。 １・・・回路基板本体、　　　２・・・接続ピン、３・
・・導体ペースト、　　　４・・・グリーンシート、５
・・・下型、　　　　　　６・・・緩衝板、７・・・上
型。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、多層セラミック回路基板本体に導体ペーストを介し
   て接続ピンを接着し、焼成する接続ピン形成方法であっ
   て、 （ａ）焼成した多層セラミック回路基板本体（１）の接
   続ピン（２）を接着すべき所定の位置に導体ペースト（
   ３）のパッドを形成し、 （ｂ）この導体ペースト（３）のパッドに対応する位置
   に貫通孔をあけたグリーンシート（４）を形成し、（ｃ
   ）このグリーンシート（４）の貫通孔に接続ピン（２）
   を挿入し、接続ピン（２）を導体ペースト（３）のパッ
   ドに整合させてグリーンシート（４）を基板本体（１）
   に積層し、 （ｄ）基板本体（１）の焼成温度より低い温度で焼成し
   て接続ピン（２）を固定することを特徴とする多層セラ
   ミック回路基板の接続ピン形成方法。 ２、グリーンシート（４）は焼成後のセラミックスの曲
   げ強さが基板本体（１）のセラミックスの曲げ強さより
   大きい、特許請求の範囲第１項記載の接続ピン形成方法
   。