JPS62164318A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS62164318A
JPS62164318A JP61005353A JP535386A JPS62164318A JP S62164318 A JPS62164318 A JP S62164318A JP 61005353 A JP61005353 A JP 61005353A JP 535386 A JP535386 A JP 535386A JP S62164318 A JPS62164318 A JP S62164318A
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JP
Japan
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data
signal
register
circuit
address
Prior art date
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Pending
Application number
JP61005353A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahiko Yoshimoto
雅彦 吉本
Shinichi Nakagawa
伸一 中川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP61005353A priority Critical patent/JPS62164318A/ja
Publication of JPS62164318A publication Critical patent/JPS62164318A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、集積回路中のバスインターフェイス回路を
改良した半導体装置に関するものである。
〔従来の技術〕
第2図はこの種のバスインターフェイス回路が構成され
た従来の半導体装置を示す回路構成図であり2図におい
て、lはアイデン)(Ident)信号の入力端子、2
はデータ転送の同期をとる基本クロック信号の入力端子
、3は転送すべきデータの入力端子で、16ビツトのデ
ータが入力され、その−F位8ビットはアドレスデータ
、下位8ビツトは格納データである。4は上記アイデン
ト信t)とクロック信号を人力して転送クロック信号を
発生するデータ転送クロック発生器で、アドレスデータ
川転送クロック信号φI 、φ2及び格納データ用転送
クロック信号φ3.φ4を出力する。5はノンオーバー
ラツプな上記2相クロック信号φ1 、φ2に同期して
入力アドレスデータを格納するアドレスレジスタ、6は
アドレスレジスタ5中にストアされたアドレスをデコー
ドしてアドレス指定信号7a〜7nを出力するアドレス
デコーダで、各々のアドレス指定信L; 7 a〜7n
により各データレジスタ8a〜8nが指定され、これら
のデータレジスタ8a〜8nには端子3から入力された
データとクロック信号φ3.φ4が入力される。
第3図は上記データレジスタ8a〜8nの詳細を示す構
成図であり、ここでは1ケのデータレジスタ8aのみを
示している。このデータレジスタ8aは、シフトレジス
タ回路9a〜9hによってシリアル入力データバッファ
が構成されており。
8ビツトの格納データが入力される。1つのレジスタ回
路9aは、Nチャンネル形MO5FETIO,11,P
チャンネル形MO3FET12.13及びインバータ回
路14,15,16.17による良く知られた構成とな
っており、MOSFETI0.12のゲート電極にはク
ロック信号φ3が与えられ、MOSFETI 1.13
のゲート電極にはクロック信号φ4が与えられる。他の
レジスタ回路9b〜9hも同様の構成となっている。
又、18a−18hはトランスファゲートとして動作す
るNチャンネル形MO5FETで、レジスタ回路9a〜
9hから出力されたデータ信りをラッチ回路19a〜1
9hへ伝達する。このMOSFET18a−18hcF
)各// (7)ゲート電極には、アドレスデコーダ6
から出力されたアドレス指定信号7a〜7nが与えられ
る。又、各ランチ回路19a−19hは、ゲート′屯様
に上記アドレス指定信号7a〜7nが与えられるPチャ
ンネル形MO5FET20及びインバータ回路21,2
2から構成され、インバータ21の出力であるノード2
3から格納データが出力される。
次に動作につい′て、第4図のタイミングチャートを参
照しながら説明する。第2図の端子lから人力されるア
イデント信号は、端子3から入力されたデータ信号のア
ドレスデータ部と格納データ部とを区別する。すなわち
、アイデント信号が“L” (低レベル)の間、端子3
からアドレスデータが入力され、アイデント信号が“H
″ (高レベル)の間、格納データが入力される。−力
データ転送クロック発生器4は、アイデント信号人力と
基本クロック信号入力により、転送クロック信号φ【 
、φ2.φ3.φ4を発生する。その内、アドレスデー
タ転送クロック信号φ1 、φ2はノンオーバーラツプ
な2相クロツクであり、端子3から入力された8ビツト
のアドレスデータをアドレスレジスタ5にシレスルに入
力する。そして、アトレイレジスタ5は格納されたアド
レスデータをパラレルにアドレスデコーダ6に出力する
。このアドレスデコーダ6は上記アドレスデータをデコ
ードして、アドレス指定信号7a〜7nを出力し、nヶ
のデータレジスタ8a〜8nのうち、いずれかを格納デ
ータのストア可f指状態にする。
今、アドレス指定信号7aが活性状態になったとすると
、データレジスタ8aが、端子3から入力された格納デ
ータをストア可能状態になる。
次にこのデータレジスタ8aの動作について説明すると
、先ずノンオーバーラツプな2相クロツクである転送ク
ロック信号Φ3.φ4により、第3図のデータレジスタ
9a〜9hで構成されるシリアル人力データバッフ7中
に8ビツトの格納データがストアされる。この動作は一
般によく知られているので省略するがこの時トランスフ
ァゲートであるMOSFET18a−18hは、アドレ
ス指定信号9aが活性状態になっているので、4通状態
にあり、データレジスタ9a〜9hの出力データをラッ
チ回路19a−19hに伝達する。そして、アドレス指
定信号7aの非活性状態への移行とともにトランスファ
ゲートであるMOSFET18a 〜18hはオフし、
ラッチ回路19a〜19hは8ビツトの格納データを保
持する。このようにして、バスインタースイス回路のデ
ータレジスタ9a〜9hに格納データがストアされる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、上記のような従来の半導体装置にあって
は、データの種類に応じて複数個用意しなければならな
いデータレジスタ8a〜8nに多くのラッチ回路19a
−19hが必要となり、素子数が多く、大面積を要する
という問題点があった。
この発明は、このような問題点を解消するためになされ
たもので、データレジスタの素子数が減少し、小面積で
バスイン−タフエイステ回路構成が回部な半導体装置を
提供することを目的としている。
〔問題点を解決するための手段〕
アドレスレジスタと、該アドレスレジスタ中に格納され
たアドレスをデコードしてアドレス指定信号を出力する
アドレスデコーダと、そのアドレス指定信号によりアド
レスが指定されるデータレジスタとを有し、クロック信
号に従ってデータ転送を行う半導体装置において、前記
データレジスタが2相クロック信号により制御されるシ
フトレジスタ回路で構成され、アドレス指定信号が活性
状態にある時のみこのシフトレジスタ回路にデータを転
送する論理回路が設けられている。
〔作用〕
論理回路は、アドレス指定信号が活性状態にある時のみ
格納データをシフトレジスタ回路によって構成されたシ
リアル人カデータノヘツファに人力し、アドレス指定信
号の非活性時には該バッファに格納データをストアする
。このため、データ毎の多くのラッチ回路が省略でき、
素子数が低減する。
〔実施例〕
以下、この発1!11の一実施例を図面について説明す
る。
第1図はこの発明の半導体装置の要部を示す構成図であ
り、第2図で示したデータレジスタ8a〜8nのうち1
ケのレジスタ8aを代表して示している。このデータレ
ジスタ8aは、シフトレジスタ回路24a〜24h及び
論理回路25から構成されており、シフトレジスタ回路
24a〜24hの直列接続によりシリアル入力データバ
ッファが構成されている。レジスタ回路24aは、Nチ
ャンネル形MO3FET26.27、Pチャンネル形M
O5FET28.29及びイン/く一タ回路30,31
,32.33から構成されており。
MOSFET26.28のゲート電極にはデータ転送り
口7り信号φ3aが与えられ、MOSFET27.29
のゲート電極にはデータ転送クロック信号φ4aが与え
られる。これらのクロック信号φ3a、φ4aは、各々
論理回路25のZNOR回路34,35.インバータ回
路36及びZNAND回路37.インバータ回路38に
より、アトレイ指定信号7aが“H” (活性状態)の
時は入力クロック信号φ3.φ4と同一信号となり。
アドレス指定信号7aがL” (非活性状態)の時には
それぞれ“L″、“H”となるように固定される。又、
第2図の端子3から入力された格納データは、論理回路
25のZNAND回路39及びインバータ回路40を経
てレジスタ回路24aに入力される。そしてレジスタ回
路24aの出力部41aはインバータ回路33の出力部
と連結されており、同様の回路構成で各レジスタ回路2
4a〜24hは出力部41a〜41hから格納データを
転送できるようになっている。
次に動作について説明する。データレジスタ7aが指定
される手順は、従来と全く同一である。
第2IAの端子3から人力されたアドレスデータがデコ
ードされた後、アドレス指定信号7a力く“H”になり
活性状態となると、第4図に示すように信号[42,4
3のクロック信号φ3a、φdaはクロック信号φ3.
φ4と同一信号となり、又レジスタ回路24aの人力部
には格納データが伝達される。そして、クロック信号φ
3.φ4の8サイクル後にシフトレジスト動作が完了し
、レジスタ回路24a〜24hに格納データがストアさ
れ、出力Ra l a〜4thからストアされたデータ
が出力される。
一方、アドレス指定信号7aが“L”の状態。
すなわち、非活性時には、信号線43は“L”4こ固定
され、信号線42は“H”に固定され、又。
信号線44もL”に固定される。このため、シフトレジ
スト動作は行なわれず、既にストアされている格納デー
タは、ディスターブされることな<MOSFET29.
インバータ32.33で構成されるラッチ回路に維持さ
れる。
このように、論理回路25にてアドレス指定信号7a〜
7nと転送クロック信号φ3.φ4とのロジックを組み
、又アドレス指定信号7a〜7nと入力データとのロジ
ックを組むことにより、データの格納及び出力を制御で
き、従って従来のように多くのラッチ回路を持つ必要は
ない。
なお、クロック信号φ3a、φ4a及びデータ信号発生
のための論理回路25は、上記実施例に限定されるもの
ではなく、同様の機能をもつ論理回路ならどのようなも
のでもよい。
又、レジスタ回路24a〜24hは第1図に示されるも
のに限定されず、スタティック型レジスタ回路ならどの
ようなものでもよい。
更にE記実施例では、アドレス指定信号7a〜7nの非
活性時に信号線42及び43を各々°“H”及び“L”
レベルに設定したが、逆に各々を“L”H”レベルに設
定するよう構成してもよい、その場合には、出力部41
a〜41hはインバータ31の出力部に連結するなどす
ればよい。
〔発明の効果〕
以、1−説明したように、この発明によれば、データレ
ジスタを2相クロック信号により制御されるシフトレジ
スタ回路で構成すると共に、アドレス信号が活性状態に
ある時のみこのレジスタ回路にデータを転送する論理回
路を設けたため、データレジスタのラッチ回路が不実と
なり、従ってデータレジスタの素子数が減少し、小面積
でバスインターフェース回路の回路構成が可能になると
いう効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を示す回路構成図、第2図
はバスインターフェイス回路の構成図、第3図は従来の
データレジスタを示す回路構成図、第4図はバスイン−
タフェイス回路の動作を示すタイムチャートである。 4・・・・・・データ転送クロック発生器5・・・・・
・アドレスレジスタ 6・・・・・・アドレスデコーダ 7a〜7n・・・・・・アドレス指定信号8a〜8n・
・・・・・データレジスタ24a〜24h・・・・・・
シフトレジスタ回路25・・・・・・論理回路 なお1図中同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)アドレスレジスタと、該アドレスレジスタ中に格
    納されたアドレスをデコードしてアドレス指定信号を出
    力するアドレスデコーダと、そのアドレス指定信号によ
    りアドレスが指定されるデータレジスタとを有し、クロ
    ック信号に従ってデータ転送を行う半導体装置において
    、前記データレジスタを2相クロック信号により制御さ
    れるシフトレジスタ回路で構成すると共に、アドレス指
    定信号が活性状態にある時のみこのシフトレジスタ回路
    にデータを転送する論理回路を設けたことを特徴とする
    半導体装置。
  2. (2)論理回路は、アドレス指定信号が非活性状態にあ
    る時に2相クロック信号の一方を高レベルに他方を低レ
    ベルに設定するようにしたことを特徴とする特許請求の
    範囲第1項記載の半導体装置。
JP61005353A 1986-01-14 1986-01-14 半導体装置 Pending JPS62164318A (ja)

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JP61005353A JPS62164318A (ja) 1986-01-14 1986-01-14 半導体装置

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JP61005353A JPS62164318A (ja) 1986-01-14 1986-01-14 半導体装置

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JPS62164318A true JPS62164318A (ja) 1987-07-21

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