JPS62163229A - 真空しや断器用接点材料 - Google Patents
真空しや断器用接点材料Info
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- JPS62163229A JPS62163229A JP61003763A JP376386A JPS62163229A JP S62163229 A JPS62163229 A JP S62163229A JP 61003763 A JP61003763 A JP 61003763A JP 376386 A JP376386 A JP 376386A JP S62163229 A JPS62163229 A JP S62163229A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は大’ｅｆｆ、流しゃ所持性に浸れた真空しゃ
断器用接点材料に関するものである。
断器用接点材料に関するものである。
真空しゃ断器は、その無保守、無公害性、優れたしゃ断
性能等の利点を持つため、適用範囲が急速に拡大してき
ている。また、それに伴い、より高耐圧化、大電流しゃ
断器の要求がきびしくなってきている。一方、真空じゃ
、ｆｒ器の性能は真空容器内の接点材料によって決定さ
れる要素がきわめて大である。
性能等の利点を持つため、適用範囲が急速に拡大してき
ている。また、それに伴い、より高耐圧化、大電流しゃ
断器の要求がきびしくなってきている。一方、真空じゃ
、ｆｒ器の性能は真空容器内の接点材料によって決定さ
れる要素がきわめて大である。
真空しゃ断器用接点材料の満足すべき特性として、（１
）シゃ新客量が大きいこと、（２）耐電圧が高いこと、
（３）接融抵抗が小さいこと、（４）溶着力が小さいこ
と、（５）さい断電流値が小さいこと、（６）加工性が
良いこと、（７）十分な機械的強度を有すること、等が
ある。
）シゃ新客量が大きいこと、（２）耐電圧が高いこと、
（３）接融抵抗が小さいこと、（４）溶着力が小さいこ
と、（５）さい断電流値が小さいこと、（６）加工性が
良いこと、（７）十分な機械的強度を有すること、等が
ある。
実際の接点材料では、これらの特性を全て満足させるこ
とは、かなり困難であって、一般には用途に応じて持に
重要な特性を満足させ、他の特性をある程度犠牲にした
材料を使用しているのが実状であり、例えば特開昭５５
−７８４２９号に記載の銅−タングステン接点材料は耐
電圧性能が憂れているため、負荷開閉器や接触器等の用
途によく用いられている。但し、電流しゃ断性能が劣る
という欠点を持っている。
とは、かなり困難であって、一般には用途に応じて持に
重要な特性を満足させ、他の特性をある程度犠牲にした
材料を使用しているのが実状であり、例えば特開昭５５
−７８４２９号に記載の銅−タングステン接点材料は耐
電圧性能が憂れているため、負荷開閉器や接触器等の用
途によく用いられている。但し、電流しゃ断性能が劣る
という欠点を持っている。
一方、例えば特開昭５４−７１３７５号に記載の調−ク
ロム接点材料は非常にしゃ断性能が浸れているため、し
ゃ断器等の用途によく用いられているが、耐電圧性能で
は上記Ｍ−タングステン接点材料に劣っている。
ロム接点材料は非常にしゃ断性能が浸れているため、し
ゃ断器等の用途によく用いられているが、耐電圧性能で
は上記Ｍ−タングステン接点材料に劣っている。
また、例えば特開昭５４−１４７４８１号に記載の銅−
クロム−ビスマス接点材料は溶着例外し力カ低いため、
真空しゃ断器の操作力を低くすることが出来、この結果
しゃ断器をコンパクトに設計出来るという利点と、さい
断電流値が低いという利点を持っているが、銅−クロム
接点材料に比べ、しゃ断性能と耐電圧性能が若干劣って
いる。
クロム−ビスマス接点材料は溶着例外し力カ低いため、
真空しゃ断器の操作力を低くすることが出来、この結果
しゃ断器をコンパクトに設計出来るという利点と、さい
断電流値が低いという利点を持っているが、銅−クロム
接点材料に比べ、しゃ断性能と耐電圧性能が若干劣って
いる。
また、例えば特願昭５９−２］０６１９号に記載の銅−
モリブデン−ニオブ接点材料はしゃ断性能、耐電圧性能
が非常に優れているため、今後広く使用されるものと思
われるが、さい断電流値及溶着例外し力が前述の鋼−ク
ロム−ビスマス接点材料に比べ若干高いという特性を示
していた。
モリブデン−ニオブ接点材料はしゃ断性能、耐電圧性能
が非常に優れているため、今後広く使用されるものと思
われるが、さい断電流値及溶着例外し力が前述の鋼−ク
ロム−ビスマス接点材料に比べ若干高いという特性を示
していた。
従来の真空しゃ所用接点は以上のように、各々の特性を
いかして使用されてきたが、近年、真空しゃ断器の大電
流化、高電圧化への要求がきびしくなり、従来の接点材
料では要求性能を十分満足させることが困難になってき
ているっ又、真空しゃ断器の小型化に対しても、より憂
れた性能をもつ接点材料が求められている。
いかして使用されてきたが、近年、真空しゃ断器の大電
流化、高電圧化への要求がきびしくなり、従来の接点材
料では要求性能を十分満足させることが困難になってき
ているっ又、真空しゃ断器の小型化に対しても、より憂
れた性能をもつ接点材料が求められている。
この発明は上記のような従来のものを改良するためにな
されたもので、しゃ断性能、耐電圧性能に夏れ、溶着例
外し力、さいｌ！ｆＴ’４流値が低く、接点消耗量が少
い真空しゃ断器用接点材料を提供することを目的として
いる。
されたもので、しゃ断性能、耐電圧性能に夏れ、溶着例
外し力、さいｌ！ｆＴ’４流値が低く、接点消耗量が少
い真空しゃ断器用接点材料を提供することを目的として
いる。
合物を添加した材料を試作し、真空しゃ断器に組込み、
厘々の実験を行った。この結果、銅とモリブデンとニオ
ブにビスマス、テルル、アンチモン、タリウム、鉛、セ
レン、セリウム及カルシウムの低融点金属を１種以上含
有した接点材料は、しゃ断、耐電圧性能に優れ、溶着例
外し力、さい断電流値が低く、接点消耗量が少ないこと
が判った。
厘々の実験を行った。この結果、銅とモリブデンとニオ
ブにビスマス、テルル、アンチモン、タリウム、鉛、セ
レン、セリウム及カルシウムの低融点金属を１種以上含
有した接点材料は、しゃ断、耐電圧性能に優れ、溶着例
外し力、さい断電流値が低く、接点消耗量が少ないこと
が判った。
この発明による真空しゃ断器用接点材料は、銅とモリブ
デンとニオブとビスマス、テルル、アンチモン、タリウ
ム、鉛、セレン、セリウム及カルシウム等の低融点金属
を１皿以上含有したことを特徴としたものである。
デンとニオブとビスマス、テルル、アンチモン、タリウ
ム、鉛、セレン、セリウム及カルシウム等の低融点金属
を１皿以上含有したことを特徴としたものである。
以下、この発明の実施例について説明する。
（接点材料の作成）
接点材料の作成は、粉末冶金法により、溶浸法、完全粉
末焼結法及びホットプレス法の３通りで行った。
末焼結法及びホットプレス法の３通りで行った。
’ＩＴ＋／Ｔ’ｌンクＷ：ａ・比ｒｒ）＠Ｈ８μ＝に＊
’Ｆ−ＩＪ＋ＸＵ±６９ｔｚ’ＦＡζＱｐｐｍのモリブ
デン粉末と粒径４０ｐｍ以下のニオブ粉末と粒径４０μ
ｍ以下の銅粉末と粒径７５μｍ以下のビスマス粉末を各
々７３．８対７．７対対１３、Ｏ対０．５の割合で秤量
した後、２時間混合を行った。つづいて、この混合粉を
所定の金型に充填し、１ｔＯｎ／６ｒＬ２の荷重でプレ
スし成形を行った。次にこの成形体に無酸素銅の塊をの
せて水素雰囲気中１２５０℃で１時間保持し、無酸素銅
を成形体に含浸させ接点材料とした。この接点材料の最
終成分比は表１のサンプルＮ−Ｂ１−１３である。なお
、表１には上記に示したものと同一方法により製造した
他の成分比の接点材料についても挙げである。
’Ｆ−ＩＪ＋ＸＵ±６９ｔｚ’ＦＡζＱｐｐｍのモリブ
デン粉末と粒径４０ｐｍ以下のニオブ粉末と粒径４０μ
ｍ以下の銅粉末と粒径７５μｍ以下のビスマス粉末を各
々７３．８対７．７対対１３、Ｏ対０．５の割合で秤量
した後、２時間混合を行った。つづいて、この混合粉を
所定の金型に充填し、１ｔＯｎ／６ｒＬ２の荷重でプレ
スし成形を行った。次にこの成形体に無酸素銅の塊をの
せて水素雰囲気中１２５０℃で１時間保持し、無酸素銅
を成形体に含浸させ接点材料とした。この接点材料の最
終成分比は表１のサンプルＮ−Ｂ１−１３である。なお
、表１には上記に示したものと同一方法により製造した
他の成分比の接点材料についても挙げである。
第２の完全粉末焼結法による接点材料製造法は平均粒径
３μｍのモリブデン粉末と粒径４０μｍ以下のニオブ粉
末と粒径７５μｍ以下の銅粉末と粒径７５μｍ以下のビ
スマス粉末を各々８８．１対１．９対５９．９対０．１
の割合で秤量した後２時間混合を行った。つづいて、こ
の混合粉を所定の形状の金型に充填しＪＩＪｔｏｎ７１
ｍ”の荷重でプレスし成形を行った。
３μｍのモリブデン粉末と粒径４０μｍ以下のニオブ粉
末と粒径７５μｍ以下の銅粉末と粒径７５μｍ以下のビ
スマス粉末を各々８８．１対１．９対５９．９対０．１
の割合で秤量した後２時間混合を行った。つづいて、こ
の混合粉を所定の形状の金型に充填しＪＩＪｔｏｎ７１
ｍ”の荷重でプレスし成形を行った。
次に、この成形体を水素雰囲気中−銅の融点直下で２時
間焼結を行い接点材料とした。この接点材料の最終成分
比は表２のサンプルＮ−Ｂ１−８９である。
間焼結を行い接点材料とした。この接点材料の最終成分
比は表２のサンプルＮ−Ｂ１−８９である。
同様にして得られた他の接点材料についても合せて表２
に示す。
に示す。
第８のホットプレス法による接点材料製造法は平均粒径
３μｍのモリブデン粉末と粒径４０μｍ以下のニオブ粉
末と粒径７５μｍ以下の銅粉末と粒径７５μｍ以下のビ
スマス粉末を各々３８．１対１．９対５９．９対０．１
の割合で秤量した後２時間混合を行った。つづいて、こ
の混合粉をカーボン製のダイスに充填し、真空中１００
０℃で２時間加熱、この間に２００ｋｇ／ｃｒｔｔ”
の荷重を加え、接点材料の塊を得た。
３μｍのモリブデン粉末と粒径４０μｍ以下のニオブ粉
末と粒径７５μｍ以下の銅粉末と粒径７５μｍ以下のビ
スマス粉末を各々３８．１対１．９対５９．９対０．１
の割合で秤量した後２時間混合を行った。つづいて、こ
の混合粉をカーボン製のダイスに充填し、真空中１００
０℃で２時間加熱、この間に２００ｋｇ／ｃｒｔｔ”
の荷重を加え、接点材料の塊を得た。
得られた接点材料の最終成分比は表８のサンプルＮ−Ｂ
ｉ−ＩＨである。同様にして得られた他の接点材料につ
いても合せて表３に示す。
ｉ−ＩＨである。同様にして得られた他の接点材料につ
いても合せて表３に示す。
また、上記本発明接点材料との性能比較のため従来用い
られている接点材料を表４に示す。製造方法は前述の完
全粉末焼結法と同一方法を用いた。
られている接点材料を表４に示す。製造方法は前述の完
全粉末焼結法と同一方法を用いた。
（接点材料の性能）
各方法により製造された上記接点材料は直径２Ｑｉｌ１
ｍの電極に機械加工された後、真空スイッチに組込み、
種々の電気特性を測定した。表６に測定結果を示す。測
定はシャ断性能、ｉｌ［圧性能、サイ断電流値、溶着用
外し力及接点消耗量について行い、その結果は従来例で
あるＣｕ−２５ＣｒＣ表４のサンプルＣ−１）の性能を
基準として倍率で表わした。従ってシャ断性能について
は倍率の高い方が優れており、その倍率が１以上のもの
は従来例であるＣｕ−２５Ｃｒより優れたシャ断性能を
有していることを表わしている。耐電圧性能についても
シャ断性能と同じく、倍率の高い方が優れていることを
表わしている。一方、サイ断電流値は使用上低い方が望
ましく、従って倍率の小さい方が優れている。同様に溶
着用外し力は低い方が操作機構上有利であり、接点消耗
量に関しても少ない方が望ましく、双方共倍率の値が小
さい方が優れている。
ｍの電極に機械加工された後、真空スイッチに組込み、
種々の電気特性を測定した。表６に測定結果を示す。測
定はシャ断性能、ｉｌ［圧性能、サイ断電流値、溶着用
外し力及接点消耗量について行い、その結果は従来例で
あるＣｕ−２５ＣｒＣ表４のサンプルＣ−１）の性能を
基準として倍率で表わした。従ってシャ断性能について
は倍率の高い方が優れており、その倍率が１以上のもの
は従来例であるＣｕ−２５Ｃｒより優れたシャ断性能を
有していることを表わしている。耐電圧性能についても
シャ断性能と同じく、倍率の高い方が優れていることを
表わしている。一方、サイ断電流値は使用上低い方が望
ましく、従って倍率の小さい方が優れている。同様に溶
着用外し力は低い方が操作機構上有利であり、接点消耗
量に関しても少ない方が望ましく、双方共倍率の値が小
さい方が優れている。
表５よりしゃ断性能に関しては溶浸法により製造した本
究明材料のほとんどが、従来例であるＣｕ−２５Ｃｒよ
り優れていることが判り、シャ断性能の値が１以下であ
るものについても、例えばサンプルＮ−Ｂ１−７８と同
等のＢ重量（２０ｗｔ％）を含有したＣｕ−Ｃｒ−Ｂ１
材（サンプルＣ−Ｂ１−７）Ｃ表６）を比較した場
合、Ｎ−Ｂ１−７８が０．６ （Ｃｕ−２５Ｃｒ比）で
Ｃ−Ｂ１−７が０．５１ （Ｃｕ−２５Ｃｒ比）で本発
明材料の方が優れていることが判る。第１図は本発明接
点材料のしゃ断性能を示した図であり、 Ｃｕ量が約６
０重量％の溶浸法で製造した接点材料のしゃ断性能につ
いて表わしたものである。図の縦軸は従来のＣｕ−２５
Ｃｒ接点材料（サンプルＣ−１）を基準としたしゃ断性
能を表わし、横軸はＢｉ添加量を表わしている。図中１
はＭｏに対するＮｂの添加量が４．７ｗｔ％品について
Ｂｉ添加量を変化させた靜の（サンプルＮ−Ｂ１−１
、 Ｎ−Ｂ１−１３ 、 Ｎ−Ｂ１−２５ 、 Ｎ−Ｂ
１−３７ 、 Ｎ−Ｂ１−４９ 。
究明材料のほとんどが、従来例であるＣｕ−２５Ｃｒよ
り優れていることが判り、シャ断性能の値が１以下であ
るものについても、例えばサンプルＮ−Ｂ１−７８と同
等のＢ重量（２０ｗｔ％）を含有したＣｕ−Ｃｒ−Ｂ１
材（サンプルＣ−Ｂ１−７）Ｃ表６）を比較した場
合、Ｎ−Ｂ１−７８が０．６ （Ｃｕ−２５Ｃｒ比）で
Ｃ−Ｂ１−７が０．５１ （Ｃｕ−２５Ｃｒ比）で本発
明材料の方が優れていることが判る。第１図は本発明接
点材料のしゃ断性能を示した図であり、 Ｃｕ量が約６
０重量％の溶浸法で製造した接点材料のしゃ断性能につ
いて表わしたものである。図の縦軸は従来のＣｕ−２５
Ｃｒ接点材料（サンプルＣ−１）を基準としたしゃ断性
能を表わし、横軸はＢｉ添加量を表わしている。図中１
はＭｏに対するＮｂの添加量が４．７ｗｔ％品について
Ｂｉ添加量を変化させた靜の（サンプルＮ−Ｂ１−１
、 Ｎ−Ｂ１−１３ 、 Ｎ−Ｂ１−２５ 、 Ｎ−Ｂ
１−３７ 、 Ｎ−Ｂ１−４９ 。
Ｎ−Ｂ１−６１ 、 Ｎ−Ｂ１−７３ ）Ｌ／や断性能
を示し、図中２は同じ＜Ｍｏに対しＮｂを９．４ｗｔ％
添加した材料（サンプルＮ−Ｂ１−２ 、 Ｎ−Ｂ１−
１４ 、 Ｎ−Ｂ１−２６ 、 Ｎ−Ｂ１−８８ 、
Ｎ−Ｂ１−５０ 。
を示し、図中２は同じ＜Ｍｏに対しＮｂを９．４ｗｔ％
添加した材料（サンプルＮ−Ｂ１−２ 、 Ｎ−Ｂ１−
１４ 、 Ｎ−Ｂ１−２６ 、 Ｎ−Ｂ１−８８ 、
Ｎ−Ｂ１−５０ 。
Ｎ−Ｂ１−６２． Ｎ−Ｂ１−７４ ）、図中８は同じ
（Ｍｏに対しＮｂを１３．９ｗｔ％添加した材料（サン
プルＮ−Ｂ１−８ 、Ｎ−Ｂ１−１５ 、 Ｎ−Ｂ１−
２７ 、 Ｎ−Ｂ１−８９ 、 Ｎ−Ｂ１−５１ 、
Ｎ−Ｂ１−６８ 、 Ｎ−Ｂ１−７５）、図中４は同じ
＜Ｍｏに対しＮｂを２８．５ｗｔ％添加した材料（サン
プルＮ−Ｂ１−４． Ｎ−Ｂ１−１６． Ｎ−Ｂ１−２
８゜Ｎ−Ｂ１−４０ 、 Ｎ−Ｂ１−５２ 、 Ｎ−Ｂ
１−６４ 、 Ｎ−Ｂ１−７６ ）についてＢｉ添加量
を変化させた際のしゃ断性能を示している。又、図中５
は従来例であるＣｕ−２５ＣｒにＢｉを添加した際のし
ゃ断性能を示しており、図中６は従来例であるＣｕ−Ｍ
ｏ（サンプルＭ−１）の（サンプルＣ−１、Ｃ−Ｂ１−
１ 、 Ｃ−Ｂ１−２ 、 Ｃ−Ｂ１−８ 、 Ｃ−Ｂ
１−４ 、Ｃ−Ｂ１−５ 、Ｃ−Ｂ１−６ 、 Ｃ−Ｂ
１−７） シゃ断性能を示した点である。尚、従来例の
測定結果は表６に示しである。
（Ｍｏに対しＮｂを１３．９ｗｔ％添加した材料（サン
プルＮ−Ｂ１−８ 、Ｎ−Ｂ１−１５ 、 Ｎ−Ｂ１−
２７ 、 Ｎ−Ｂ１−８９ 、 Ｎ−Ｂ１−５１ 、
Ｎ−Ｂ１−６８ 、 Ｎ−Ｂ１−７５）、図中４は同じ
＜Ｍｏに対しＮｂを２８．５ｗｔ％添加した材料（サン
プルＮ−Ｂ１−４． Ｎ−Ｂ１−１６． Ｎ−Ｂ１−２
８゜Ｎ−Ｂ１−４０ 、 Ｎ−Ｂ１−５２ 、 Ｎ−Ｂ
１−６４ 、 Ｎ−Ｂ１−７６ ）についてＢｉ添加量
を変化させた際のしゃ断性能を示している。又、図中５
は従来例であるＣｕ−２５ＣｒにＢｉを添加した際のし
ゃ断性能を示しており、図中６は従来例であるＣｕ−Ｍ
ｏ（サンプルＭ−１）の（サンプルＣ−１、Ｃ−Ｂ１−
１ 、 Ｃ−Ｂ１−２ 、 Ｃ−Ｂ１−８ 、 Ｃ−Ｂ
１−４ 、Ｃ−Ｂ１−５ 、Ｃ−Ｂ１−６ 、 Ｃ−Ｂ
１−７） シゃ断性能を示した点である。尚、従来例の
測定結果は表６に示しである。
第１図よすＭｏに対するＮｂ添加量が各々９．４Ｗｔ９
６゜１３．９ｗｔ％、２８．５ｗｔ９６である本発明接
点材料（図中２．８．４）はＢｉ添加量が２０ｗｔ％で
も従来のＣｕ−２５Ｃｒ接点材料より優れていることが
判り、Ｍｏに対するＮｂ添加量が４．７ｗｔ％である本
発明接点材料（図中１）についてもＢｉ添加量が５ｗｔ
％までなら従来例であるＣｕ−２５Ｃｒ接点材料より優
れており、Ｂｉ添加量が５ｗｔ％以上でも前述の様にＣ
ｕ−２５Ｃｒ−Ｂｉ材（図中５）に比べ優れていること
が判る。第２図は本発明接点材料のしゃ断性能を示した
図であｔ）、Ｃｕ量が約５０重量％の溶浸法で製造した
接点材料のしゃ断性能について表わしたものである。図
の樅軸及横紬は第１図と同じであり、図中７はＭｏに対
するＮｂの添加量が４．７ｗｔ％でありＢ】添加量を変
化させた本発明接点材料（サンプルＮ−Ｂ１−５ 、
Ｎ−Ｂ １−１７ 、 Ｎ−Ｂ１−２９ 、 Ｎ−Ｂ１
−４１ 、 Ｎ−Ｂ１−５１． Ｎ−Ｂ１−６５ 、
Ｎ−Ｂ ｉ −７７）のしゃ断性能を示し、図中８は同
じ（Ｍｏに対するＮｂの添刀口危が９゜４ｗｔ％であり
Ｂ１添加量を変化させたもの（サンプルＮ−Ｂ１−６
、 Ｎ−Ｂ１−１３ 、 Ｎ−Ｂ１−８０ 。
６゜１３．９ｗｔ％、２８．５ｗｔ９６である本発明接
点材料（図中２．８．４）はＢｉ添加量が２０ｗｔ％で
も従来のＣｕ−２５Ｃｒ接点材料より優れていることが
判り、Ｍｏに対するＮｂ添加量が４．７ｗｔ％である本
発明接点材料（図中１）についてもＢｉ添加量が５ｗｔ
％までなら従来例であるＣｕ−２５Ｃｒ接点材料より優
れており、Ｂｉ添加量が５ｗｔ％以上でも前述の様にＣ
ｕ−２５Ｃｒ−Ｂｉ材（図中５）に比べ優れていること
が判る。第２図は本発明接点材料のしゃ断性能を示した
図であｔ）、Ｃｕ量が約５０重量％の溶浸法で製造した
接点材料のしゃ断性能について表わしたものである。図
の樅軸及横紬は第１図と同じであり、図中７はＭｏに対
するＮｂの添加量が４．７ｗｔ％でありＢ】添加量を変
化させた本発明接点材料（サンプルＮ−Ｂ１−５ 、
Ｎ−Ｂ １−１７ 、 Ｎ−Ｂ１−２９ 、 Ｎ−Ｂ１
−４１ 、 Ｎ−Ｂ１−５１． Ｎ−Ｂ１−６５ 、
Ｎ−Ｂ ｉ −７７）のしゃ断性能を示し、図中８は同
じ（Ｍｏに対するＮｂの添刀口危が９゜４ｗｔ％であり
Ｂ１添加量を変化させたもの（サンプルＮ−Ｂ１−６
、 Ｎ−Ｂ１−１３ 、 Ｎ−Ｂ１−８０ 。
Ｎ−Ｂ１−４２ 、 Ｎ−Ｂ１−５４ 、 Ｎ−Ｂ１−
６６ 、 Ｎ−Ｂ１−７８ ）、図中９は同じ＜Ｍｏｊ
こ対するＮｂの添加量が１３．９ｗｔ９６でありＢｉ添
加量を変化させたもの（サンプルＮ−Ｂ１−７ 、Ｎ−
Ｂ１−１９． Ｎ−Ｂ１−８１ 、 Ｎ−Ｂ１−４８．
Ｎ−Ｂ１−５５． Ｎ−Ｂ１−６７、 Ｎ−Ｂ１−７
９）、図中１０は同じ＜Ｍｏに対するＮｂの添加量が２
８．５ ｗ ｔ％でありＢｉ添加量を変化させたもの（
サンプルＮ−Ｂ１−８ 、 Ｎ−Ｂ１−２０ 、 Ｎ−
Ｂ１−３２．Ｎ−Ｂ１−４４．Ｎ−Ｂ１−５６． Ｎ−
Ｂ１−６８． Ｎ−Ｂ１−８０）のしゃ断性能を示した
ものである。第２図よりＭｏに対するＮｂ添加量が各々
４．７ｗ ｔ％、 ９．４ｗｔ％、 １３．９ｗｔ％、
２８．５ｗｔ％ である本発明接点材料（図中、７，
８，９．１０）はＢ１添加量が２０ｗｔ％でも従来のＣ
ｕ−２５Ｃｒ接点材料より優れたしや断性能を有してい
ることが判る。又、第１図と比較して、Ｍｏに対するＮ
ｂ添加量が４．７ｗｔ％である本発明接点材料及９．４
ｗｔ％である本発明接点材料のしゃ断性能が向上してい
ることが判る。第８図は同じく本発明接点材料のしゃ断
性能を示した図であｔ）、Ｃｕ量が約４０ｗｔ％の溶浸
法で製造した接点材料のしゃ断性能について表わしたも
のである、図の縦軸と横軸は第１図と同じであり、図中
１１はＭｏに対するＮｂの添加量が４．７ｗｔ％であり
、Ｂｉ添加量を変化させた本発明接点材料（サンプルＮ
−Ｂ ｉ −９、Ｎ−Ｂ １−２１ 、 Ｎ−Ｂ１−８
８ 、 Ｎ−Ｂ１−４５ 、 Ｎ−Ｂ１−５７ 、 Ｎ
−Ｂ１−６９ 、 Ｎ−Ｂ１−８１）のしゃ断性能を示
し、図中１２は同じ（Ｍｏに対するＮｂの添加量が９．
４ｗｔ％でありＢｉ添加量を変化させたもの（サンプル
Ｎ−Ｂ１−１０ 、 Ｎ−Ｂ１−２２ 、 Ｎ−Ｂ１−
８４ 。
６６ 、 Ｎ−Ｂ１−７８ ）、図中９は同じ＜Ｍｏｊ
こ対するＮｂの添加量が１３．９ｗｔ９６でありＢｉ添
加量を変化させたもの（サンプルＮ−Ｂ１−７ 、Ｎ−
Ｂ１−１９． Ｎ−Ｂ１−８１ 、 Ｎ−Ｂ１−４８．
Ｎ−Ｂ１−５５． Ｎ−Ｂ１−６７、 Ｎ−Ｂ１−７
９）、図中１０は同じ＜Ｍｏに対するＮｂの添加量が２
８．５ ｗ ｔ％でありＢｉ添加量を変化させたもの（
サンプルＮ−Ｂ１−８ 、 Ｎ−Ｂ１−２０ 、 Ｎ−
Ｂ１−３２．Ｎ−Ｂ１−４４．Ｎ−Ｂ１−５６． Ｎ−
Ｂ１−６８． Ｎ−Ｂ１−８０）のしゃ断性能を示した
ものである。第２図よりＭｏに対するＮｂ添加量が各々
４．７ｗ ｔ％、 ９．４ｗｔ％、 １３．９ｗｔ％、
２８．５ｗｔ％ である本発明接点材料（図中、７，
８，９．１０）はＢ１添加量が２０ｗｔ％でも従来のＣ
ｕ−２５Ｃｒ接点材料より優れたしや断性能を有してい
ることが判る。又、第１図と比較して、Ｍｏに対するＮ
ｂ添加量が４．７ｗｔ％である本発明接点材料及９．４
ｗｔ％である本発明接点材料のしゃ断性能が向上してい
ることが判る。第８図は同じく本発明接点材料のしゃ断
性能を示した図であｔ）、Ｃｕ量が約４０ｗｔ％の溶浸
法で製造した接点材料のしゃ断性能について表わしたも
のである、図の縦軸と横軸は第１図と同じであり、図中
１１はＭｏに対するＮｂの添加量が４．７ｗｔ％であり
、Ｂｉ添加量を変化させた本発明接点材料（サンプルＮ
−Ｂ ｉ −９、Ｎ−Ｂ １−２１ 、 Ｎ−Ｂ１−８
８ 、 Ｎ−Ｂ１−４５ 、 Ｎ−Ｂ１−５７ 、 Ｎ
−Ｂ１−６９ 、 Ｎ−Ｂ１−８１）のしゃ断性能を示
し、図中１２は同じ（Ｍｏに対するＮｂの添加量が９．
４ｗｔ％でありＢｉ添加量を変化させたもの（サンプル
Ｎ−Ｂ１−１０ 、 Ｎ−Ｂ１−２２ 、 Ｎ−Ｂ１−
８４ 。
Ｎ−Ｂ１−４６ 、 Ｎ−Ｂ１−５８ 、 Ｎ−Ｂ１−
７０ 、 Ｎ−Ｂ１−８２ ）、図中１３は同じ＜Ｍｏ
に対するＮｂの添加量が１３．９ｗｔ％でありＢｉ添加
量を変化させたもの（サンプルＮ−Ｂ ｉ −１１、Ｎ
−Ｂ１−２８ 、 Ｎ−Ｂ１−８５ 、 Ｎ−Ｂ１−４
７ 、 Ｎ−Ｂ１−５９ 、 Ｎ−Ｂ１−７１ 、 Ｎ
−Ｂ１−８８）、図中１４は同じ（Ｍｏに対するＮｂの
添加量が２８．５ ｗ ｔ％でありＢｉ添加量を変化さ
せたもの（サンプルＮ−Ｂ１−１２ 、 Ｎ−Ｂｊ−２
４、Ｎ−Ｂ１−８６ 、 Ｎ−Ｂ１−４８ 、 Ｎ−Ｂ
１−６０ 、 Ｎ−Ｂ１−７２ 、 Ｎ−Ｂ１−８４
）のしゃ断性能を示したものである。第３図よりＭｏに
対するＮｂ添加量が各々９．４ｗｔ％、１３．９ｗｔ％
、２８．５ｗｔ％である本発明接点材料（図中、１２．
１３．１４ ）はＢｆ添加量が２０ｗｔ％でも従来のＣ
ｕ−２５Ｃｒ接点材料より優れたしゃ断性能を有してお
り、 Ｍｏに対するＮｂ添加量が４．７ｗｔ％である本
発明接点材料（図中１１）についてもＢｉ添加量が１１
．５ｗｔ％までなら従来例であるＣｕ−２５Ｃｒ接点材
料より優れており、Ｂｉ添加量が１１．５ｗｔ％以上で
もＣｕ−２５Ｃｒ−Ｂｉ材（第１図図中５）と比較して
同−Ｂｉ添加量の点に於て優れていることが判る。又、
第２図と比較して、全般的にしゃ断性能が低下しており
、第１図と合せて比較すると、 Ｃｕ量５０ｗｔ％近傍
がしゃ断性能について最適と考えられる。一方、第１図
、第２図及第３図に於て、Ｂｉ添加量が増加した場合の
しゃ断性能の低下の度合いはＣｕｉが４０ｗｔ％の方が
他に比べて少ない傾向にあることが判る。尚、本発明接
点材料（サンプルＮ−Ｂ１−１〜Ｎ−Ｂ１−８４）と従
来のＣｕ−Ｍｏ接点材料（サンプルＭ−１）を比較する
と本発明接点材料すべてがＣｕ−Ｍｏ接点材料より優れ
たしゃ断性能を有していることをつけ加えておく。
７０ 、 Ｎ−Ｂ１−８２ ）、図中１３は同じ＜Ｍｏ
に対するＮｂの添加量が１３．９ｗｔ％でありＢｉ添加
量を変化させたもの（サンプルＮ−Ｂ ｉ −１１、Ｎ
−Ｂ１−２８ 、 Ｎ−Ｂ１−８５ 、 Ｎ−Ｂ１−４
７ 、 Ｎ−Ｂ１−５９ 、 Ｎ−Ｂ１−７１ 、 Ｎ
−Ｂ１−８８）、図中１４は同じ（Ｍｏに対するＮｂの
添加量が２８．５ ｗ ｔ％でありＢｉ添加量を変化さ
せたもの（サンプルＮ−Ｂ１−１２ 、 Ｎ−Ｂｊ−２
４、Ｎ−Ｂ１−８６ 、 Ｎ−Ｂ１−４８ 、 Ｎ−Ｂ
１−６０ 、 Ｎ−Ｂ１−７２ 、 Ｎ−Ｂ１−８４
）のしゃ断性能を示したものである。第３図よりＭｏに
対するＮｂ添加量が各々９．４ｗｔ％、１３．９ｗｔ％
、２８．５ｗｔ％である本発明接点材料（図中、１２．
１３．１４ ）はＢｆ添加量が２０ｗｔ％でも従来のＣ
ｕ−２５Ｃｒ接点材料より優れたしゃ断性能を有してお
り、 Ｍｏに対するＮｂ添加量が４．７ｗｔ％である本
発明接点材料（図中１１）についてもＢｉ添加量が１１
．５ｗｔ％までなら従来例であるＣｕ−２５Ｃｒ接点材
料より優れており、Ｂｉ添加量が１１．５ｗｔ％以上で
もＣｕ−２５Ｃｒ−Ｂｉ材（第１図図中５）と比較して
同−Ｂｉ添加量の点に於て優れていることが判る。又、
第２図と比較して、全般的にしゃ断性能が低下しており
、第１図と合せて比較すると、 Ｃｕ量５０ｗｔ％近傍
がしゃ断性能について最適と考えられる。一方、第１図
、第２図及第３図に於て、Ｂｉ添加量が増加した場合の
しゃ断性能の低下の度合いはＣｕｉが４０ｗｔ％の方が
他に比べて少ない傾向にあることが判る。尚、本発明接
点材料（サンプルＮ−Ｂ１−１〜Ｎ−Ｂ１−８４）と従
来のＣｕ−Ｍｏ接点材料（サンプルＭ−１）を比較する
と本発明接点材料すべてがＣｕ−Ｍｏ接点材料より優れ
たしゃ断性能を有していることをつけ加えておく。
以上の事よりＭｏに対する励添加量が９．４ｗｔ％以上
であればＢｉ添加量に依らず、Ｃｕ量も４０〜６０ｗｔ
％の範囲で従来例であるＣｕ−２５Ｃｒ接点材料より優
れたしゃ断性能を示し、Ｍｏに対するＮｂ添加量が４．
７ｗｔ９６＠であればＣｕ量が４０ｗｔ％の場合Ｂｉ添
加量は５ｗｔ％まで、Ｃｕ量が６０ｗｔ％の場合は１１
．５ｗｔ％まで従来のＣｕ−２５Ｃｒ接点材料より優れ
たしゃ断性能を示し、同じく１〜４ｏに対するＮｂ添加
量が４．７ｗｔ％でＣｕ量が５０ｗｔ％であればＢｉ添
加量に依らず、従来例より優れたしゃ断性能を示してお
り、従来例であるＣｕ−２５Ｃｒ−Ｂｉと同−Ｂ重量で
比較すれば、本発明接点材料は全ての成分範囲で優れた
しゃ断性能を示している。
であればＢｉ添加量に依らず、Ｃｕ量も４０〜６０ｗｔ
％の範囲で従来例であるＣｕ−２５Ｃｒ接点材料より優
れたしゃ断性能を示し、Ｍｏに対するＮｂ添加量が４．
７ｗｔ９６＠であればＣｕ量が４０ｗｔ％の場合Ｂｉ添
加量は５ｗｔ％まで、Ｃｕ量が６０ｗｔ％の場合は１１
．５ｗｔ％まで従来のＣｕ−２５Ｃｒ接点材料より優れ
たしゃ断性能を示し、同じく１〜４ｏに対するＮｂ添加
量が４．７ｗｔ％でＣｕ量が５０ｗｔ％であればＢｉ添
加量に依らず、従来例より優れたしゃ断性能を示してお
り、従来例であるＣｕ−２５Ｃｒ−Ｂｉと同−Ｂ重量で
比較すれば、本発明接点材料は全ての成分範囲で優れた
しゃ断性能を示している。
又、表５より耐電圧性能に関しても本発明接点材料が従
来例であるＣｕ−２５Ｃｒより優れていることが判り、
耐電圧性能が１以下のものについても、例えばサンプル
Ｎ−Ｂ１−８７と同等のＢ重量（１ｗｔ９６）を含有し
たＣｕ−２５Ｃｒ−ＩＢｉ材（サンプルＣ−Ｂ１−４）
を比較した場合、Ｎ−Ｂ１−３７が０．５５ （Ｃｕ−
２５Ｃｒ比）であるのに対し、Ｃ−Ｂ１−４ がＯＪ
（Ｃｕ−２５Ｃｒ比）であり、本発明接点材料の方が
優れた耐電圧性能を示していることが判る。尚、耐電圧
性能の測定方法は次のサイクルを多数回行うことにより
得た。（Ｄ電流投入、■無負荷しゃ断、■高電圧印加、
（■高電圧印加による放電の有無チェック。以上の（Ｄ
〜■で１サイクルとし、このサイクルを多数回繰返すこ
とで（放電を起こしたサイクル回数）／（全サイクル回
数）を計算し、この確率が５０％になるように印加電圧
を調整した。表５には従来例であるＣｕ−２５Ｃｒの５
０％放電確率電圧値を基準として本発明接点材料の値を
示している。ここで電流条件、接点間隔等の条件は同一
で行った。第４図はＣｕ量が６０ｗｔ％である溶浸法に
より製造された本発明接点材料の耐電圧性能を示した図
であり、縦軸は従来例であるＣｕ−２５Ｃｒ接点材料の
性能を基準とした際の耐電圧性能を示し、横軸はＢｉの
添加量を示している。尚Ｂｉ添加遣による耐電圧性能変
化を表わすため第４図は第４−１図と第４−２図にＢｉ
添加量１ｗｔ％の点で分割している。図中１〜６は第１
図と同一接点材料に関するものである。第４−１ 、４
−２図より本発明接点材料（図中１．２，８．４）が従
来例であるＣｕ−２５Ｃｒ−Ｂｉ接点材料（図中５）よ
り優れていることが判る。又、従来のＣｕ−２５Ｃｒ接
点材料と比較して、Ｍｏに対するＮｂ添加量が４．７ｗ
ＬＪのものはＢｉ添加量が０．２ｗｔ％まで、Ｍｏに対
するＮｂ添加量が９．４ｗｔ％のものはＢｉ添加量がＯ
，，１１５ｗｔ％まで、Ｍｏに対するＮｂ添加量が１３
．９ｗｔ％のものはＢｉ添加量が０．５ｗｔ％まで、Ｍ
ｏに対する歯添加量が２８．５ｗｔ％のものはＢｉ添加
量が０．６５ｗｔ％までの範囲で従来のＣｕ−２５Ｃｒ
接点材料より優れた耐電圧性能を有していることが判る
。又、゛第４−１ 、４−２図よりＭｏに対するＮｂ添
加１が多い方が、Ｂｉ添加量の増加による耐電圧性能低
下の度合が少ないことが判る。第５図はＣｕ量が５０ｗ
ｔ％である溶浸法により製造した本発明接点材料の耐電
圧性能を示した図であり、縦軸と横軸は第４−０．４−
２図と同一である。：２５図も第４図と同様にＢｉ添加
量１ｗｔ％の点で分割してあり、図中７〜１０は第２図
と同一接点材料に関するものである。第５−１ 、５−
２図より本発明接点材料（図中、７．８，９．１０）が
従来例であるＣｕ−２５Ｃｒ−Ｂｉ接点材料（図中５）
より優れていることが判る。又、従来のＣｕ−２５Ｃｒ
接点材料と比較して、Ｍｏに対するＮｂ添加量が４．７
ｗｔ％のものはＢｉ添加量が０．８ｗｔ％まで、Ｍｏに
対するＮｂ添加量が９．４ ｗ ｔ％のものはＢｉ添加
量が０．５５Ｗｔ９６まで、Ｍｏに対するＮｂ添加量が
１３．９ｗｔ％のものはＢｉ添加量が８ｗｔ９６まで、
Ｍｏに対するＮｂ添加量が２８．５ ｗ ｔ９６のもの
はＢｉ添加量が１１．５ｗｔ％までの範囲で従来のＣｕ
−２５Ｃｒ接点材料より優れた耐電圧性能を有している
ことが判る。又、第５−１．５−２図より第４−１．４
−２図と同様にＭｏに対するＮｂ添加量が多い方が、Ｂ
ｉ添加量の増加による耐電圧性能低下の度合が少ないこ
とが判る。又第４−１．４−２図と第５−１ 、５−２
図を比較すると、第５−１ 、５−２図の方が全般的に
耐電圧性能が高く、これは本発明接点材料のＣｕ量によ
るものと思われ、Ｃｕｔが５０ｗｔ％の方が６０ｗｔ％
より優れた耐電圧性能を有している。Ｍ６図はＣｕ量が
４０ｗｔ％である溶浸法により製造した本発明接点材料
の耐電圧性能を示した図であり、縦軸と横軸は第４−１
、４−２図と同一であり、図中１１〜１４ は第３図
と同一接点材料に関するものである。
来例であるＣｕ−２５Ｃｒより優れていることが判り、
耐電圧性能が１以下のものについても、例えばサンプル
Ｎ−Ｂ１−８７と同等のＢ重量（１ｗｔ９６）を含有し
たＣｕ−２５Ｃｒ−ＩＢｉ材（サンプルＣ−Ｂ１−４）
を比較した場合、Ｎ−Ｂ１−３７が０．５５ （Ｃｕ−
２５Ｃｒ比）であるのに対し、Ｃ−Ｂ１−４ がＯＪ
（Ｃｕ−２５Ｃｒ比）であり、本発明接点材料の方が
優れた耐電圧性能を示していることが判る。尚、耐電圧
性能の測定方法は次のサイクルを多数回行うことにより
得た。（Ｄ電流投入、■無負荷しゃ断、■高電圧印加、
（■高電圧印加による放電の有無チェック。以上の（Ｄ
〜■で１サイクルとし、このサイクルを多数回繰返すこ
とで（放電を起こしたサイクル回数）／（全サイクル回
数）を計算し、この確率が５０％になるように印加電圧
を調整した。表５には従来例であるＣｕ−２５Ｃｒの５
０％放電確率電圧値を基準として本発明接点材料の値を
示している。ここで電流条件、接点間隔等の条件は同一
で行った。第４図はＣｕ量が６０ｗｔ％である溶浸法に
より製造された本発明接点材料の耐電圧性能を示した図
であり、縦軸は従来例であるＣｕ−２５Ｃｒ接点材料の
性能を基準とした際の耐電圧性能を示し、横軸はＢｉの
添加量を示している。尚Ｂｉ添加遣による耐電圧性能変
化を表わすため第４図は第４−１図と第４−２図にＢｉ
添加量１ｗｔ％の点で分割している。図中１〜６は第１
図と同一接点材料に関するものである。第４−１ 、４
−２図より本発明接点材料（図中１．２，８．４）が従
来例であるＣｕ−２５Ｃｒ−Ｂｉ接点材料（図中５）よ
り優れていることが判る。又、従来のＣｕ−２５Ｃｒ接
点材料と比較して、Ｍｏに対するＮｂ添加量が４．７ｗ
ＬＪのものはＢｉ添加量が０．２ｗｔ％まで、Ｍｏに対
するＮｂ添加量が９．４ｗｔ％のものはＢｉ添加量がＯ
，，１１５ｗｔ％まで、Ｍｏに対するＮｂ添加量が１３
．９ｗｔ％のものはＢｉ添加量が０．５ｗｔ％まで、Ｍ
ｏに対する歯添加量が２８．５ｗｔ％のものはＢｉ添加
量が０．６５ｗｔ％までの範囲で従来のＣｕ−２５Ｃｒ
接点材料より優れた耐電圧性能を有していることが判る
。又、゛第４−１ 、４−２図よりＭｏに対するＮｂ添
加１が多い方が、Ｂｉ添加量の増加による耐電圧性能低
下の度合が少ないことが判る。第５図はＣｕ量が５０ｗ
ｔ％である溶浸法により製造した本発明接点材料の耐電
圧性能を示した図であり、縦軸と横軸は第４−０．４−
２図と同一である。：２５図も第４図と同様にＢｉ添加
量１ｗｔ％の点で分割してあり、図中７〜１０は第２図
と同一接点材料に関するものである。第５−１ 、５−
２図より本発明接点材料（図中、７．８，９．１０）が
従来例であるＣｕ−２５Ｃｒ−Ｂｉ接点材料（図中５）
より優れていることが判る。又、従来のＣｕ−２５Ｃｒ
接点材料と比較して、Ｍｏに対するＮｂ添加量が４．７
ｗｔ％のものはＢｉ添加量が０．８ｗｔ％まで、Ｍｏに
対するＮｂ添加量が９．４ ｗ ｔ％のものはＢｉ添加
量が０．５５Ｗｔ９６まで、Ｍｏに対するＮｂ添加量が
１３．９ｗｔ％のものはＢｉ添加量が８ｗｔ９６まで、
Ｍｏに対するＮｂ添加量が２８．５ ｗ ｔ９６のもの
はＢｉ添加量が１１．５ｗｔ％までの範囲で従来のＣｕ
−２５Ｃｒ接点材料より優れた耐電圧性能を有している
ことが判る。又、第５−１．５−２図より第４−１．４
−２図と同様にＭｏに対するＮｂ添加量が多い方が、Ｂ
ｉ添加量の増加による耐電圧性能低下の度合が少ないこ
とが判る。又第４−１．４−２図と第５−１ 、５−２
図を比較すると、第５−１ 、５−２図の方が全般的に
耐電圧性能が高く、これは本発明接点材料のＣｕ量によ
るものと思われ、Ｃｕｔが５０ｗｔ％の方が６０ｗｔ％
より優れた耐電圧性能を有している。Ｍ６図はＣｕ量が
４０ｗｔ％である溶浸法により製造した本発明接点材料
の耐電圧性能を示した図であり、縦軸と横軸は第４−１
、４−２図と同一であり、図中１１〜１４ は第３図
と同一接点材料に関するものである。
第６図も第４図と同様にＢｉ添加［ｔｗｔ％の点で分割
しである。第６−１ 、６−２図より本発明接点材料（
図中、１１．１２．１３．１４ ）が従来例であるＣｕ
−２５Ｃｒ−Ｂｉ接点材料（図中５）より優れているこ
とが判る。又、従来のＣｕ−２５Ｃｒ接点材料と比較し
て、Ｍｏに対するＮｂ添加量が４．７ｗｔ％のものはＢ
ｉ添加量がＯＪ２ｗｔ％まで、Ｍｏに対するＮｂ添加量
が９．４ｗｔ％のものはＢｉ添加量が０．７５ｗｔ％ま
で、八１ｏに対するＮｂ添加量が１３．９ｗｔ％のもの
はＢｉ添加量が１２ｗｔ％まで、Ｍ。
しである。第６−１ 、６−２図より本発明接点材料（
図中、１１．１２．１３．１４ ）が従来例であるＣｕ
−２５Ｃｒ−Ｂｉ接点材料（図中５）より優れているこ
とが判る。又、従来のＣｕ−２５Ｃｒ接点材料と比較し
て、Ｍｏに対するＮｂ添加量が４．７ｗｔ％のものはＢ
ｉ添加量がＯＪ２ｗｔ％まで、Ｍｏに対するＮｂ添加量
が９．４ｗｔ％のものはＢｉ添加量が０．７５ｗｔ％ま
で、八１ｏに対するＮｂ添加量が１３．９ｗｔ％のもの
はＢｉ添加量が１２ｗｔ％まで、Ｍ。
に対するＮｂ添加量が２８．５ｗｔ％のものはＢｉ添加
量が２０ｗｔ％までの範囲で従来のＣｕ−２５Ｃｒ接点
材料より便れた＃ｌ電圧性能を有していることが判る。
量が２０ｗｔ％までの範囲で従来のＣｕ−２５Ｃｒ接点
材料より便れた＃ｌ電圧性能を有していることが判る。
又第６−１．２図に於てもＭｏに対するＮｂ添加量の多
い方が、Ｂｉ添加量の増加による耐電圧性能低下の度合
が少ないことが判る。又、第５−１．５−２図と第６−
１．６−２を比較すると、第６−１ 、６−２図の方が
全般的に耐電圧性能が高く、前述の第４−１ 、４−２
図と第５−１．５−２図の比較と合せると、Ｃｕｆｆ１
が少ない方、即ちＣｕ［４０ｗｔ％の方が耐″シ圧性能
が優れていることが判る。
い方が、Ｂｉ添加量の増加による耐電圧性能低下の度合
が少ないことが判る。又、第５−１．５−２図と第６−
１．６−２を比較すると、第６−１ 、６−２図の方が
全般的に耐電圧性能が高く、前述の第４−１ 、４−２
図と第５−１．５−２図の比較と合せると、Ｃｕｆｆ１
が少ない方、即ちＣｕ［４０ｗｔ％の方が耐″シ圧性能
が優れていることが判る。
又、溶浸法で製造した本発明接点材料（サンプルＮ−Ｂ
１−１〜Ｎ−Ｂ１−８４）のさい断電流値は表６よりＢ
ｉ添加量に依存していることが判り、Ｂｉ添加による効
果としては１ｗｔ％程度から現れ、以降Ｂｉ添加、量の
増加と共にさい断電流値が減少して行く。さい断電流値
に影響を与える成分としてはＢｉが主で、他のＣｕ 、
Ｍｏ 、 Ｎｂについては本発明接点材料の成分比範
囲内ではあまり影響を与えていない。又、溶着用外し力
については本発明接点材料は、Ｂｉ添加量として０．１
ｗｔ９６でかなり効果を示し、それ以上では測定値が（
０）となっている。ここで溶着用外し力の測定はしゃ断
器に組込まれた真空スイッチの接点を閉じた状態で１２
．５ ｋＡの電流を８秒間通電し、その後しゃ断器より
真空スイッチを取り外し、引張試験機機により接点間の
溶着用外し力を計測した。従って表５中の溶着用外し力
の欄で（０）とあるものは、引張試験機でテストした際
に溶着を起こしていなかったか、もしくは非常に低い溶
着用外し力のためハンドリングで溶着がはずれたものと
考えられる、接点消耗量については溶浸法で得た本発明
接点材料はＢｉ添加量には依らず従来例であるＣｕ−２
５Ｃｒ接点材料より優れていることが表５より判る。こ
れは接点材料を構成している成分、主としてＭｏ、１ｊ
Ｊｂ及Ｃｕに依るものであると考えられる。
１−１〜Ｎ−Ｂ１−８４）のさい断電流値は表６よりＢ
ｉ添加量に依存していることが判り、Ｂｉ添加による効
果としては１ｗｔ％程度から現れ、以降Ｂｉ添加、量の
増加と共にさい断電流値が減少して行く。さい断電流値
に影響を与える成分としてはＢｉが主で、他のＣｕ 、
Ｍｏ 、 Ｎｂについては本発明接点材料の成分比範
囲内ではあまり影響を与えていない。又、溶着用外し力
については本発明接点材料は、Ｂｉ添加量として０．１
ｗｔ９６でかなり効果を示し、それ以上では測定値が（
０）となっている。ここで溶着用外し力の測定はしゃ断
器に組込まれた真空スイッチの接点を閉じた状態で１２
．５ ｋＡの電流を８秒間通電し、その後しゃ断器より
真空スイッチを取り外し、引張試験機機により接点間の
溶着用外し力を計測した。従って表５中の溶着用外し力
の欄で（０）とあるものは、引張試験機でテストした際
に溶着を起こしていなかったか、もしくは非常に低い溶
着用外し力のためハンドリングで溶着がはずれたものと
考えられる、接点消耗量については溶浸法で得た本発明
接点材料はＢｉ添加量には依らず従来例であるＣｕ−２
５Ｃｒ接点材料より優れていることが表５より判る。こ
れは接点材料を構成している成分、主としてＭｏ、１ｊ
Ｊｂ及Ｃｕに依るものであると考えられる。
従って、溶浸法で製造した本発明接点材料はさい断電流
値についてはＢｉ添加量が１ｗｔ９６以上で効果を示し
、溶着用外し力についてはＢｉ添加量が０．１ｗｔ％以
上で充分効果があり、接点消耗量については、接点材料
の成分としてのＣｕ、Ｍｏ、Ｎｔ）及Ｂｉを含有した表
４に示す成分範囲すなわちＣｕｊｔが４０〜６０ｗｔ％
。
値についてはＢｉ添加量が１ｗｔ９６以上で効果を示し
、溶着用外し力についてはＢｉ添加量が０．１ｗｔ％以
上で充分効果があり、接点消耗量については、接点材料
の成分としてのＣｕ、Ｍｏ、Ｎｔ）及Ｂｉを含有した表
４に示す成分範囲すなわちＣｕｊｔが４０〜６０ｗｔ％
。
Ｍｏに対するＮｂ１Ｗ加量が４．７〜２８．５ ｗ ｔ
％Ｂｉが０．１〜２０ｗｔ９６の範囲で良好な性能を示
した。
％Ｂｉが０．１〜２０ｗｔ９６の範囲で良好な性能を示
した。
以上の事より溶浸法で製造した本発明接点材料はＣｕが
４０〜６０ｗｔ％、 Ｍｏが２８．６〜５７．２ｗｔ％
、励が１．９〜１７．１ｗｔ％、Ｂｉが０．１〜２０ｗ
ｔ％の範囲で良好な性能を示すことが判る。
４０〜６０ｗｔ％、 Ｍｏが２８．６〜５７．２ｗｔ％
、励が１．９〜１７．１ｗｔ％、Ｂｉが０．１〜２０ｗ
ｔ％の範囲で良好な性能を示すことが判る。
第２の粉末焼結法で製造した本９ｇ明接点材料の諸性能
についても表５にＮ−Ｂ１−８５〜Ｎ−Ｂ１−１１２の
サンプルとして掲げである。しゃ断性能については表５
より明らかなように、サンプルＮ−Ｂ１−１２９を除き
、全て、従来例であるＣｕ−２５Ｃｒ（サンプルＣ−１
）より優れたしゃ断性能を有していることが判る。
についても表５にＮ−Ｂ１−８５〜Ｎ−Ｂ１−１１２の
サンプルとして掲げである。しゃ断性能については表５
より明らかなように、サンプルＮ−Ｂ１−１２９を除き
、全て、従来例であるＣｕ−２５Ｃｒ（サンプルＣ−１
）より優れたしゃ断性能を有していることが判る。
又、サンプルＮ−Ｂ１−１２９ もサンプルＣ−Ｂ１
−７ と同一 Ｂ ｉ添加量で比較すると優れたしゃ
断性能を示していることが判る。第７図はＣｕｆｉが７
５ｗｔ％である粉末焼結法により製造した本発明接点材
料のしゃ断性能を示したもので、縦軸は従来のＣｕ−２
５Ｃｒ接点材料の性能を基準とした際のしゃ断性能を表
わし、横軸はＢｉ添加量を示している。図中１５はＭｏ
に対するＮｂ添加量が４．７ｗｔ％でＢｉ添加量を変化
させた材料（サンプルＮ−Ｂ１−８５ 、Ｎ−Ｂ１−９
８ 、 Ｎ−Ｂ１−１０１ 、 Ｎ−Ｂ１−１０９．Ｎ
−Ｂ１−１１７．Ｎ−Ｂ１−１２５ ）について示し、
図中１６は同じ＜ Ｍｏに対するＮｂ添加量が９．４ｗ
ｔ％でＢｉ添加量を変化させた材料（サンプルＮ−Ｂ１
３６．Ｎ−Ｂ１−９４゜Ｎ−Ｂ１−１０２ 、 Ｎ−Ｂ
１−１１０ 、 Ｎ−Ｂ１−１１３ 、 Ｎ−Ｂ１−１
２６ ）について、図中１７はＭｏに対するＮｂ添加量
が１３．９ｗｔ４でＢｉ添加量を変化させた材料（サン
プルＮ−Ｂ１−８７． Ｎ−Ｂ１−９５ 、 Ｎ−Ｂ１
−１０８ 、 Ｎ−Ｂ１−１１１ 、 Ｎ−Ｂ１−１１
９ 、 Ｎ−Ｂｉ−１２７）について、図中１３はＭｏ
に対するＮｂ添加量が２８．５ｗｔ％でＢｉ添加量を変
化させた材料（サンプルＮ−Ｂ１−８８ 、 Ｎ−Ｂ１
−９６ 、 Ｎ−Ｂ１−１０４ 、 Ｎ−Ｂ１−１１２
、 Ｎ−Ｂ１−１２０ 、 Ｎ−Ｂ１−１２８）につ
いて各々示している。第７図より、Ｂｉ添加量の増加と
共に、本発明接点材料のしゃ断性能が低下しているが、
従来例であるＣｕ−２５Ｃｒ接点材料より優れた性能を
示していることが判る。
−７ と同一 Ｂ ｉ添加量で比較すると優れたしゃ
断性能を示していることが判る。第７図はＣｕｆｉが７
５ｗｔ％である粉末焼結法により製造した本発明接点材
料のしゃ断性能を示したもので、縦軸は従来のＣｕ−２
５Ｃｒ接点材料の性能を基準とした際のしゃ断性能を表
わし、横軸はＢｉ添加量を示している。図中１５はＭｏ
に対するＮｂ添加量が４．７ｗｔ％でＢｉ添加量を変化
させた材料（サンプルＮ−Ｂ１−８５ 、Ｎ−Ｂ１−９
８ 、 Ｎ−Ｂ１−１０１ 、 Ｎ−Ｂ１−１０９．Ｎ
−Ｂ１−１１７．Ｎ−Ｂ１−１２５ ）について示し、
図中１６は同じ＜ Ｍｏに対するＮｂ添加量が９．４ｗ
ｔ％でＢｉ添加量を変化させた材料（サンプルＮ−Ｂ１
３６．Ｎ−Ｂ１−９４゜Ｎ−Ｂ１−１０２ 、 Ｎ−Ｂ
１−１１０ 、 Ｎ−Ｂ１−１１３ 、 Ｎ−Ｂ１−１
２６ ）について、図中１７はＭｏに対するＮｂ添加量
が１３．９ｗｔ４でＢｉ添加量を変化させた材料（サン
プルＮ−Ｂ１−８７． Ｎ−Ｂ１−９５ 、 Ｎ−Ｂ１
−１０８ 、 Ｎ−Ｂ１−１１１ 、 Ｎ−Ｂ１−１１
９ 、 Ｎ−Ｂｉ−１２７）について、図中１３はＭｏ
に対するＮｂ添加量が２８．５ｗｔ％でＢｉ添加量を変
化させた材料（サンプルＮ−Ｂ１−８８ 、 Ｎ−Ｂ１
−９６ 、 Ｎ−Ｂ１−１０４ 、 Ｎ−Ｂ１−１１２
、 Ｎ−Ｂ１−１２０ 、 Ｎ−Ｂ１−１２８）につ
いて各々示している。第７図より、Ｂｉ添加量の増加と
共に、本発明接点材料のしゃ断性能が低下しているが、
従来例であるＣｕ−２５Ｃｒ接点材料より優れた性能を
示していることが判る。
又、これよすＣｕｆｊＬが７５ｗｔ％である粉末焼結法
により製造された本発明接点材料はＭｏに対するＮｂ添
加量が４．７〜２８．５ ｗ ｔ％でＢ１添加量が２０
ｗｔ９６までの範囲で優れたしゃ断性能を有しているこ
とが判る。第８図はＣｕ量が６０ｗｔ％である粉末焼結
法により製造した本発明接点材料のしゃ断性能を示した
もので、縦軸及横軸は第７図と同一である。図中１９は
Ｍｏに対するＮｂ添加量が４．７ｗｔ％でＢｉ添加量を
変化させた材料（サンプルＮ−Ｂ１−８９ 、 Ｎ−Ｂ
１−９７ 、 Ｎ−Ｂ１−１０５ 、 Ｎ−Ｂ１−１１
３ 、 Ｎ−Ｂ１−１２１ 、 Ｎ−Ｂ１−１２９ ）
について示し、図中２ Ｏｆ！ Ｍｏに対するＮｂ添加
量が９．４ｗｔ％でＢｉ添加量を変化させた材料（サン
プルＮ−Ｂ１−９０ 、 Ｎ−Ｂ１−９８ 、 Ｎ−Ｂ
１−１０６． Ｎ−Ｂ１−１１４． Ｎ−Ｂ１−１２２
． Ｎ−Ｂ１−１３０）について示し、図中２１は［〜
ｌＯに対するＮｂ添加量が１３．９ｗｔ％でＢｉ添加孟
を変化させた材料（サンプルＮ−Ｂ１−９１゜Ｎ−Ｂ１
−９９ 、 Ｎ−Ｂ１−１０７ 、 Ｎ−Ｂ１−１１５
、 Ｎ−Ｂ１−１２３ 、 Ｎ−Ｂ１−１３１）につ
いて示し、図中２２はＭｏに対するＮｂ添加量が２８．
５ｗｔ％でＢ１添加量を変化させた材料（サンプルＮ−
Ｂ１−９２ 、 Ｎ−Ｂ１−１００ 、 Ｎ−Ｂ１−１
０８． Ｎ−Ｂ１−１１６ 、 Ｎ−Ｂ１−１２４．
Ｎ−Ｂ１−１３２ ）について示している。第８図よす
、Ｂｉ添加量の増加と共に、本発明接点材料のしゃ断性
能が低下しているが、従来例であるＣｕ−２５Ｃｒ
接点材料と比較して、Ｍｏに対するＮｂ添加量が９．４
、１３．９ 、２８．５ｗｔ％のものは優れたしゃ断
性能を示し、Ｍｏに対するＮｂ添加量が４．７ｗｔ％の
ものについても、Ｂｉ添加量が１７ｗｔ％までの範囲で
優れたしゃ断性能を示していることが判る。又、Ｍｏに
対するＮｂ添加量が４．７ｗｔ％のものについて、従来
の同−Ｂ重量を添加したＣｕ−２５Ｃｒ−Ｂｉ接点材料
（図中５）と比較した場合、充分優れた性能を有してい
ることが判る。Ｃｕｆｉの違いによるしゃ断性能の差は
第７図及第８図よす、Ｍｏに対するＮｂ添加量が４．７
ｗｔ％及９．４ｗｔ％品についてＢｉ添加量が少い場合
はＣｕ量が７５ｗｔ％の方が優れており、Ｂｉ添加量が
多くなるとしゃ断性能の差が少なくなる、もしくはほぼ
同一になる傾向があり、Ｍｏに対するＮｂ添加量が１３
．９ｗｔ％及２８．５ｗｔ％品については、Ｃｕｆｉが
６０ｗｔ％の方が同等もしくはそれ以上の性能を示して
いる。但し、Ｂｉ添加量の増加によるしゃ断性能低下の
度合はＣｕ１６０ｗｔ％の方が小さい。以上の事よりＭ
ｏに対するＮｂ添加量が９．４ｗｔ％以上であればＢｉ
添加量に依らず、Ｃｕ量も６０−７５ｗｔ％の範囲で従
来例であるＣｕ−２５Ｃｒ接点材料より優れたしゃ断性
能を示し、Ｍｏに対するＮｂ添加量が４．７ｗ ｔ％で
あればＣｕ量が７５ｗｔ％であれば、Ｂｉ添加量に依ら
ず、Ｃｕ量が６０ｗｔ％であればＢｉ添加屋が１７ｗｔ
９６まで、従来のＣｕ−２５Ｃｒ接点材料より優れたし
ゃ断性能を示し、同−Ｂｉ含有量といった点で従来のＣ
ｕ−２５Ｃｒ −Ｂ ｉ 接点材料と比較すれば、本
発明接点材料は全ての成分範囲で優れたしゃ断性能を有
している。
により製造された本発明接点材料はＭｏに対するＮｂ添
加量が４．７〜２８．５ ｗ ｔ％でＢ１添加量が２０
ｗｔ９６までの範囲で優れたしゃ断性能を有しているこ
とが判る。第８図はＣｕ量が６０ｗｔ％である粉末焼結
法により製造した本発明接点材料のしゃ断性能を示した
もので、縦軸及横軸は第７図と同一である。図中１９は
Ｍｏに対するＮｂ添加量が４．７ｗｔ％でＢｉ添加量を
変化させた材料（サンプルＮ−Ｂ１−８９ 、 Ｎ−Ｂ
１−９７ 、 Ｎ−Ｂ１−１０５ 、 Ｎ−Ｂ１−１１
３ 、 Ｎ−Ｂ１−１２１ 、 Ｎ−Ｂ１−１２９ ）
について示し、図中２ Ｏｆ！ Ｍｏに対するＮｂ添加
量が９．４ｗｔ％でＢｉ添加量を変化させた材料（サン
プルＮ−Ｂ１−９０ 、 Ｎ−Ｂ１−９８ 、 Ｎ−Ｂ
１−１０６． Ｎ−Ｂ１−１１４． Ｎ−Ｂ１−１２２
． Ｎ−Ｂ１−１３０）について示し、図中２１は［〜
ｌＯに対するＮｂ添加量が１３．９ｗｔ％でＢｉ添加孟
を変化させた材料（サンプルＮ−Ｂ１−９１゜Ｎ−Ｂ１
−９９ 、 Ｎ−Ｂ１−１０７ 、 Ｎ−Ｂ１−１１５
、 Ｎ−Ｂ１−１２３ 、 Ｎ−Ｂ１−１３１）につ
いて示し、図中２２はＭｏに対するＮｂ添加量が２８．
５ｗｔ％でＢ１添加量を変化させた材料（サンプルＮ−
Ｂ１−９２ 、 Ｎ−Ｂ１−１００ 、 Ｎ−Ｂ１−１
０８． Ｎ−Ｂ１−１１６ 、 Ｎ−Ｂ１−１２４．
Ｎ−Ｂ１−１３２ ）について示している。第８図よす
、Ｂｉ添加量の増加と共に、本発明接点材料のしゃ断性
能が低下しているが、従来例であるＣｕ−２５Ｃｒ
接点材料と比較して、Ｍｏに対するＮｂ添加量が９．４
、１３．９ 、２８．５ｗｔ％のものは優れたしゃ断
性能を示し、Ｍｏに対するＮｂ添加量が４．７ｗｔ％の
ものについても、Ｂｉ添加量が１７ｗｔ％までの範囲で
優れたしゃ断性能を示していることが判る。又、Ｍｏに
対するＮｂ添加量が４．７ｗｔ％のものについて、従来
の同−Ｂ重量を添加したＣｕ−２５Ｃｒ−Ｂｉ接点材料
（図中５）と比較した場合、充分優れた性能を有してい
ることが判る。Ｃｕｆｉの違いによるしゃ断性能の差は
第７図及第８図よす、Ｍｏに対するＮｂ添加量が４．７
ｗｔ％及９．４ｗｔ％品についてＢｉ添加量が少い場合
はＣｕ量が７５ｗｔ％の方が優れており、Ｂｉ添加量が
多くなるとしゃ断性能の差が少なくなる、もしくはほぼ
同一になる傾向があり、Ｍｏに対するＮｂ添加量が１３
．９ｗｔ％及２８．５ｗｔ％品については、Ｃｕｆｉが
６０ｗｔ％の方が同等もしくはそれ以上の性能を示して
いる。但し、Ｂｉ添加量の増加によるしゃ断性能低下の
度合はＣｕ１６０ｗｔ％の方が小さい。以上の事よりＭ
ｏに対するＮｂ添加量が９．４ｗｔ％以上であればＢｉ
添加量に依らず、Ｃｕ量も６０−７５ｗｔ％の範囲で従
来例であるＣｕ−２５Ｃｒ接点材料より優れたしゃ断性
能を示し、Ｍｏに対するＮｂ添加量が４．７ｗ ｔ％で
あればＣｕ量が７５ｗｔ％であれば、Ｂｉ添加量に依ら
ず、Ｃｕ量が６０ｗｔ％であればＢｉ添加屋が１７ｗｔ
９６まで、従来のＣｕ−２５Ｃｒ接点材料より優れたし
ゃ断性能を示し、同−Ｂｉ含有量といった点で従来のＣ
ｕ−２５Ｃｒ −Ｂ ｉ 接点材料と比較すれば、本
発明接点材料は全ての成分範囲で優れたしゃ断性能を有
している。
又、表５より耐電圧性能に関しても、粉末焼結法により
製造された本発明接点材料はＢｉ添加量が少い場合、従
来例であるＣｕ−２５Ｃｒ接点材料より優れでいること
が判る。第９図はＣｕｆｆ１が７５ｗｔ％である粉末焼
結法により得られた本発明接点材料の耐電圧性能を示し
た図であり、縦軸は従来例であるＣｕ−２５Ｃｒ接点材
料の性能を基準とした際の耐゛鑞圧性能を示し、横軸は
Ｂｉの添加量を示している。尚第９図は前述の第４図と
同様にＢ重量１ｗｔ％の点で第９−１図と第９−２図に
分割している。図中１５〜１３は第７図と同一接点材料
に関するものである。第９−１．９−２図より本発明接
点材料（図中１５．１６．１７゜１３）が従来例である
Ｃｕ−２５Ｃｒ−Ｂｉ 接点材料（図中５）より優れ
た耐電圧性能を有していることが判る。又、従来のＣｕ
−２５Ｃｒ接点材料と比較してＭｏに対するＮｂ添加量
が４．７ｗｔ％のものはＢｉ添加量が０．２５ｗｔ％ま
で、Ｍｏに対するＮｂ添加量が９．４ｗｔ％のものはＢ
ｉ添加量が０．２８ｗｔ％まで、Ｍｏに対するＮｂ添加
量が１３．９ｗｔ ｑ６のものはＢｉ添加量が０，３５
ｗｔ％まで、Ｍｏに対するＮｂ添加環が２８．５ Ｗ
ｔ％のものはＢｉ添加量が０．８２ｗｊ％までの範囲で
従来のＣｕ−２５Ｃｒ接点材料より優れた耐電圧性能を
有していることが判る。又、第９−１．９−２図より、
Ｍｏに対するＮｂ添加量の多い方が、Ｂｉ添加量の増加
による耐電圧性能低下の度合が少ないことが判る。第１
０図はＣｕｉが６０ｗｔ％である粉末焼結法により？ｌ
られた本発明接点材料の耐電圧性能を示した図であり、
縦軸及び横軸は第９図と同一である。又、第１０図もＢ
１１１ｗｔ％の点で第１０−１図と第１０−２図に分割
している。図中１９〜２２は第８図と同一接点材料に関
するものである。第１０−１ 、１０−２図より本発明
接点材料（図中１９．２０，２１．２２＞が従来例であ
るＣｕ−２５Ｃｒ−Ｂ ｉ接点材料（図中５）より優れ
た耐電圧性能を有していることが判る。又、従来のＣｕ
−２５Ｃｒ接点材料と比較して、Ｍｏに対するＮｂ添加
量が４．７ｗｔ％のものはＢｉ添加量が０．２２ｗｔ％
まで、Ｍｏに対するＮｂ添加量が９．４ｗｔ％のものは
Ｂｉ添加量がＯＪ５ｗｔ％まで、Ｍｏに対するＮｂ添加
量が１３．９ｗｔ％のものはＢｉ添加量が０．６５ｗｔ
％まで、Ｍｏに対するＮｂ添加量が２８．５ ｗ ｔ％
のものはＢｉ添加量が０．７５ｗｔ％までの範囲で従来
のＣｕ−２５Ｃｒ接点材料より憂れた耐電圧性能を有し
ていることが判る。又、第１０−１．１０−２ 図より
Ｍｏに対するＮｂ添加量の多い方が、Ｂｉ添加量の増加
による耐電圧性能低下の度合が少ないことが判る。又、
第９−１．９−２図と第１０−１ 、１０−２図を比較
すると、Ｃｕ量が６０ｗｔ％品の方が７５ｗｔ％品より
耐電圧性能が高いことが判る。
製造された本発明接点材料はＢｉ添加量が少い場合、従
来例であるＣｕ−２５Ｃｒ接点材料より優れでいること
が判る。第９図はＣｕｆｆ１が７５ｗｔ％である粉末焼
結法により得られた本発明接点材料の耐電圧性能を示し
た図であり、縦軸は従来例であるＣｕ−２５Ｃｒ接点材
料の性能を基準とした際の耐゛鑞圧性能を示し、横軸は
Ｂｉの添加量を示している。尚第９図は前述の第４図と
同様にＢ重量１ｗｔ％の点で第９−１図と第９−２図に
分割している。図中１５〜１３は第７図と同一接点材料
に関するものである。第９−１．９−２図より本発明接
点材料（図中１５．１６．１７゜１３）が従来例である
Ｃｕ−２５Ｃｒ−Ｂｉ 接点材料（図中５）より優れ
た耐電圧性能を有していることが判る。又、従来のＣｕ
−２５Ｃｒ接点材料と比較してＭｏに対するＮｂ添加量
が４．７ｗｔ％のものはＢｉ添加量が０．２５ｗｔ％ま
で、Ｍｏに対するＮｂ添加量が９．４ｗｔ％のものはＢ
ｉ添加量が０．２８ｗｔ％まで、Ｍｏに対するＮｂ添加
量が１３．９ｗｔ ｑ６のものはＢｉ添加量が０，３５
ｗｔ％まで、Ｍｏに対するＮｂ添加環が２８．５ Ｗ
ｔ％のものはＢｉ添加量が０．８２ｗｊ％までの範囲で
従来のＣｕ−２５Ｃｒ接点材料より優れた耐電圧性能を
有していることが判る。又、第９−１．９−２図より、
Ｍｏに対するＮｂ添加量の多い方が、Ｂｉ添加量の増加
による耐電圧性能低下の度合が少ないことが判る。第１
０図はＣｕｉが６０ｗｔ％である粉末焼結法により？ｌ
られた本発明接点材料の耐電圧性能を示した図であり、
縦軸及び横軸は第９図と同一である。又、第１０図もＢ
１１１ｗｔ％の点で第１０−１図と第１０−２図に分割
している。図中１９〜２２は第８図と同一接点材料に関
するものである。第１０−１ 、１０−２図より本発明
接点材料（図中１９．２０，２１．２２＞が従来例であ
るＣｕ−２５Ｃｒ−Ｂ ｉ接点材料（図中５）より優れ
た耐電圧性能を有していることが判る。又、従来のＣｕ
−２５Ｃｒ接点材料と比較して、Ｍｏに対するＮｂ添加
量が４．７ｗｔ％のものはＢｉ添加量が０．２２ｗｔ％
まで、Ｍｏに対するＮｂ添加量が９．４ｗｔ％のものは
Ｂｉ添加量がＯＪ５ｗｔ％まで、Ｍｏに対するＮｂ添加
量が１３．９ｗｔ％のものはＢｉ添加量が０．６５ｗｔ
％まで、Ｍｏに対するＮｂ添加量が２８．５ ｗ ｔ％
のものはＢｉ添加量が０．７５ｗｔ％までの範囲で従来
のＣｕ−２５Ｃｒ接点材料より憂れた耐電圧性能を有し
ていることが判る。又、第１０−１．１０−２ 図より
Ｍｏに対するＮｂ添加量の多い方が、Ｂｉ添加量の増加
による耐電圧性能低下の度合が少ないことが判る。又、
第９−１．９−２図と第１０−１ 、１０−２図を比較
すると、Ｃｕ量が６０ｗｔ％品の方が７５ｗｔ％品より
耐電圧性能が高いことが判る。
又、粉末焼結法で製造した本発明接点材料（サンプルＮ
−Ｂ１−８５〜Ｎ−Ｂ１−１３２）のさい断電流値は表
５よりＢｉ添加量に依存していることが判り、Ｂ＋添加
による効果としては１ｗｔ％程度から現れ、以降Ｂｉ添
加量の増加と共にさい断電流値が減少して行く。又、溶
着用外し力については本発明接点材料はＢｉ添加量とし
て０．１ｗｔ％でかなり効果を示し、それ以上では測定
値が（０）となっている。接点消耗量については粉末焼
結法で得た本発明材料はＢｉ添加量には依らず、Ｃｕ量
及成分に依存している。ここでＣｕ量が６０ｗｔ％品に
ついては接点消耗量が従来のＣｕ−２５Ｃｒ接点材料１
ζ比べ０．２〜Ｏ，ａ倍という侵れた性能を示し、かつ
前述の溶浸法により得た本発明接点材料と同じ性能を示
しており、一方ＣｕＪｌが７５ｗｔ％品については０．
５〜０．７倍という性能であることから、Ｃｕｆｉが６
０ｗｔ％より少なくなると接点消耗量の変化が余り見ら
れないようになることが判る。
−Ｂ１−８５〜Ｎ−Ｂ１−１３２）のさい断電流値は表
５よりＢｉ添加量に依存していることが判り、Ｂ＋添加
による効果としては１ｗｔ％程度から現れ、以降Ｂｉ添
加量の増加と共にさい断電流値が減少して行く。又、溶
着用外し力については本発明接点材料はＢｉ添加量とし
て０．１ｗｔ％でかなり効果を示し、それ以上では測定
値が（０）となっている。接点消耗量については粉末焼
結法で得た本発明材料はＢｉ添加量には依らず、Ｃｕ量
及成分に依存している。ここでＣｕ量が６０ｗｔ％品に
ついては接点消耗量が従来のＣｕ−２５Ｃｒ接点材料１
ζ比べ０．２〜Ｏ，ａ倍という侵れた性能を示し、かつ
前述の溶浸法により得た本発明接点材料と同じ性能を示
しており、一方ＣｕＪｌが７５ｗｔ％品については０．
５〜０．７倍という性能であることから、Ｃｕｆｉが６
０ｗｔ％より少なくなると接点消耗量の変化が余り見ら
れないようになることが判る。
又、Ｃｕ量が７５ｗｔ％である本発明接点材料と従来例
であるＣｕ−２５ＣｒもしくはＣｕ−２５Ｃｒ−Ｂｉ接
点材料を比較すると、本発明接点材料の接点消耗量が０
． ｈ ０．７という事で、この違いは接点材料を構成
している成分の違いによるものと考えられる。従って粉
末焼結法で製造した本発明接点材料はさい断電流値につ
いてはＢｉ添加量が１ｗｔ％以上で効果を示し、溶着用
外し力についてはＢｉ添加量が０．１ｗｔ％以上で充分
効果があり、接点消耗量についてはＣｕ量が６０〜７５
ｗｔ％、Ｍｏに対するＮｂ添加量が４．７〜２８．５
ｗｔ％、Ｂｉが０．１〜２０ｗｔ％の範囲で良好な性能
を示した。
であるＣｕ−２５ＣｒもしくはＣｕ−２５Ｃｒ−Ｂｉ接
点材料を比較すると、本発明接点材料の接点消耗量が０
． ｈ ０．７という事で、この違いは接点材料を構成
している成分の違いによるものと考えられる。従って粉
末焼結法で製造した本発明接点材料はさい断電流値につ
いてはＢｉ添加量が１ｗｔ％以上で効果を示し、溶着用
外し力についてはＢｉ添加量が０．１ｗｔ％以上で充分
効果があり、接点消耗量についてはＣｕ量が６０〜７５
ｗｔ％、Ｍｏに対するＮｂ添加量が４．７〜２８．５
ｗｔ％、Ｂｉが０．１〜２０ｗｔ％の範囲で良好な性能
を示した。
以上の事より、粉末焼結法で製造した本発明接点材料は
Ｃｕが６０〜７５Ｗｊ％、Ｍｏが１７．９〜８８．１ｗ
ｔ％、Ｎｂが１．１〜１１．４ｗｔ％、Ｂｉが０．１〜
２０ｗｔ％の範囲で良好な性能を示すことが判る。
Ｃｕが６０〜７５Ｗｊ％、Ｍｏが１７．９〜８８．１ｗ
ｔ％、Ｎｂが１．１〜１１．４ｗｔ％、Ｂｉが０．１〜
２０ｗｔ％の範囲で良好な性能を示すことが判る。
第３の真空ホットプレス法で製造した本発明接点材料の
諸性能についても表５にＮ−Ｂ１−１３８〜Ｎ−Ｂ１−
１３０のサンプルとして掲げである。しゃ断性能ｌｒ４
＋）丁ｌ＋寞ζトｈ囲ロ嘴＼ｒｒ ）ろＬγ 本丁僅
＝訓であるＣｕ−２５Ｃｒ接点材料より優れたしゃ断性
能を有していることが判る。第１１図はＣｕ量が７５ｗ
ｔ９６である真空ホットプレス法により得られた本発明
接点材料のしゃ断性能を示したもので、縦軸は従来のＣ
ｕ−２５Ｃｒ接点材料の性能を基準とした際のしゃ断性
能を表わし、横軸はＢｉ添加量を示している。
諸性能についても表５にＮ−Ｂ１−１３８〜Ｎ−Ｂ１−
１３０のサンプルとして掲げである。しゃ断性能ｌｒ４
＋）丁ｌ＋寞ζトｈ囲ロ嘴＼ｒｒ ）ろＬγ 本丁僅
＝訓であるＣｕ−２５Ｃｒ接点材料より優れたしゃ断性
能を有していることが判る。第１１図はＣｕ量が７５ｗ
ｔ９６である真空ホットプレス法により得られた本発明
接点材料のしゃ断性能を示したもので、縦軸は従来のＣ
ｕ−２５Ｃｒ接点材料の性能を基準とした際のしゃ断性
能を表わし、横軸はＢｉ添加量を示している。
図中２８はＭｏに対するＮｂ添加量が４．７ｗｔ％でＢ
ｉ添加量を変化させた材料（サンプルＮ−Ｂ１−１３８
． Ｎ−Ｂ１−１４１゜Ｎ−Ｂ１−１４９ 、 Ｎ−Ｂ
１−１５７ 、 Ｎ−Ｂ１−１６５ 、 Ｎ−Ｂ１−１
７３ ）について示し、図中２４はＭｏに対するＮｂ添
加量が９．４ｗｔ９６でＢｉ添加１を変化させた材料（
サンプルＮ−Ｂ１−１３４゜Ｎ−Ｂ１−１４２ 、 Ｎ
−Ｂ１−１５０ 、 Ｎ−Ｂ１−１５８ 、 Ｎ−Ｂ１
−１６６ 、 Ｎ−Ｂ１−１７４）について示し、図中
２５はＭｏに対するＮｂ添加量が１３．９ｗｔ％でＢｉ
添加量を変化させた材料（サンプルＮ−Ｂ１−１３５
、 Ｎ−Ｂ１−１４８ 、 Ｎ−Ｂ１−１５１ 、 Ｎ
−Ｂ１−１５９ 。
ｉ添加量を変化させた材料（サンプルＮ−Ｂ１−１３８
． Ｎ−Ｂ１−１４１゜Ｎ−Ｂ１−１４９ 、 Ｎ−Ｂ
１−１５７ 、 Ｎ−Ｂ１−１６５ 、 Ｎ−Ｂ１−１
７３ ）について示し、図中２４はＭｏに対するＮｂ添
加量が９．４ｗｔ９６でＢｉ添加１を変化させた材料（
サンプルＮ−Ｂ１−１３４゜Ｎ−Ｂ１−１４２ 、 Ｎ
−Ｂ１−１５０ 、 Ｎ−Ｂ１−１５８ 、 Ｎ−Ｂ１
−１６６ 、 Ｎ−Ｂ１−１７４）について示し、図中
２５はＭｏに対するＮｂ添加量が１３．９ｗｔ％でＢｉ
添加量を変化させた材料（サンプルＮ−Ｂ１−１３５
、 Ｎ−Ｂ１−１４８ 、 Ｎ−Ｂ１−１５１ 、 Ｎ
−Ｂ１−１５９ 。
Ｎ−Ｂ１−１６７ 、 Ｎ−Ｂ１−１７５ ）について
示し、図中２６はＭ。
示し、図中２６はＭ。
に対するＮｂｉ加量が２８．５ｗｔ％でＢｉ添加量を変
化させた材料（サンプルＮ−Ｂ１−１３６． Ｎ−Ｂ１
−１４４． Ｎ−Ｂ１−１５２、 Ｎ−Ｂ１−１６０
、 Ｎ−Ｂ１−１６８ 、 Ｎ−Ｂ１−１７６ ）につ
いて示している。、筆１１図よりＢｉ添加量の増加と＃
に、太発明接点材料のしゃ断性能が低下しているが、従
来例であるＣｕ−２５Ｃｒ接点材料より優れたしゃ断性
能を有していることが判る。又、第１１図よりＣｕｉが
７５ｗｔ％である真空ホットプレス法により製造された
本発明接点材料はＭｏに対するＮｂ添加量が４．７〜２
８．５ｗｔ％でＢｉ添加倶が２０Ｗ【％までの範囲で優
れたしゃ断性能を有していることが判る。第１２図はＣ
ｕ量が６０ｗｔ％である真空ホットプレス法により得ら
れた本発明接点材料のしゃ断性能を示したもので、縦軸
及び横軸は第１１図と同一である。図中２７はＭｏに対
するＮｂ添加量が４．７ｗｔ％でＢｉ添加量を変化させ
た材料（サンプルＮ−Ｂ１−１３７ 、 Ｎ−Ｂ１−１
４５ 、 Ｎ−Ｂ１−１５８ 。
化させた材料（サンプルＮ−Ｂ１−１３６． Ｎ−Ｂ１
−１４４． Ｎ−Ｂ１−１５２、 Ｎ−Ｂ１−１６０
、 Ｎ−Ｂ１−１６８ 、 Ｎ−Ｂ１−１７６ ）につ
いて示している。、筆１１図よりＢｉ添加量の増加と＃
に、太発明接点材料のしゃ断性能が低下しているが、従
来例であるＣｕ−２５Ｃｒ接点材料より優れたしゃ断性
能を有していることが判る。又、第１１図よりＣｕｉが
７５ｗｔ％である真空ホットプレス法により製造された
本発明接点材料はＭｏに対するＮｂ添加量が４．７〜２
８．５ｗｔ％でＢｉ添加倶が２０Ｗ【％までの範囲で優
れたしゃ断性能を有していることが判る。第１２図はＣ
ｕ量が６０ｗｔ％である真空ホットプレス法により得ら
れた本発明接点材料のしゃ断性能を示したもので、縦軸
及び横軸は第１１図と同一である。図中２７はＭｏに対
するＮｂ添加量が４．７ｗｔ％でＢｉ添加量を変化させ
た材料（サンプルＮ−Ｂ１−１３７ 、 Ｎ−Ｂ１−１
４５ 、 Ｎ−Ｂ１−１５８ 。
Ｎ−Ｂ１−１６１ 、 Ｎ−Ｂ１−１６９ 、 Ｎ−Ｂ
１−１７７ ）について示し、図中２８はＭｏに対する
Ｎｂ添加量が９．４ｗｔ９６でＢｉ添加量を変化させた
材料（サンプルＮ−Ｂ１−１９８ 、 Ｎ−Ｂ１−１４
６゜Ｎ−Ｂ１−１５４ 、 Ｎ−Ｂ１−１６２ 、 Ｎ
−Ｂ１−１７０ 、 Ｎ−Ｂ１−１７８ ）について示
し、図中２９はＭｏに一対するＮｂ添加量が１３．９ｗ
ｔ％でＢｉ添加盪を変化させた材料（サンプルＮ−Ｂ１
−１３９ 、 Ｎ−Ｂ１−１４７ 、 Ｎ−Ｂ１−１５
５ 、 Ｎ−Ｂ１−１６８ 、 Ｎ−Ｂ１−１７１ 。
１−１７７ ）について示し、図中２８はＭｏに対する
Ｎｂ添加量が９．４ｗｔ９６でＢｉ添加量を変化させた
材料（サンプルＮ−Ｂ１−１９８ 、 Ｎ−Ｂ１−１４
６゜Ｎ−Ｂ１−１５４ 、 Ｎ−Ｂ１−１６２ 、 Ｎ
−Ｂ１−１７０ 、 Ｎ−Ｂ１−１７８ ）について示
し、図中２９はＭｏに一対するＮｂ添加量が１３．９ｗ
ｔ％でＢｉ添加盪を変化させた材料（サンプルＮ−Ｂ１
−１３９ 、 Ｎ−Ｂ１−１４７ 、 Ｎ−Ｂ１−１５
５ 、 Ｎ−Ｂ１−１６８ 、 Ｎ−Ｂ１−１７１ 。
Ｎ−Ｂ１−１７９）について示し、図中８０はＭｏに対
するＮｂ添加量が２８５ｗｔ％でＢｉ添加量を変化させ
た材料（サンプルＮ−Ｂ１−１４０ 、 Ｎ−Ｂ１−１
４８ 、 Ｎ−Ｂ１−１５６ 、Ｎ−Ｂ１−１６４、
Ｎ−Ｂ１−１７２． Ｎ−Ｂ１−１３０ ）について示
している。
するＮｂ添加量が２８５ｗｔ％でＢｉ添加量を変化させ
た材料（サンプルＮ−Ｂ１−１４０ 、 Ｎ−Ｂ１−１
４８ 、 Ｎ−Ｂ１−１５６ 、Ｎ−Ｂ１−１６４、
Ｎ−Ｂ１−１７２． Ｎ−Ｂ１−１３０ ）について示
している。
第１２図よりＢｉ添加量の増加と共に、本発明接点材料
のしゃ断性能が低下しているが、従来例であるＣｕ−２
５Ｃｒ接点材料より優れたしゃ断性能を有していること
が判る。又、第１２図よりＣｕｆｆ１が６０ｗｔ％であ
る真空ホットプレス法により製造された本発明接点材料
はＭｏに対するＮｂ添加量が４．７〜２８．５ｗｔ％で
Ｂｉ添加量が２０ｗｔ％までの範囲で優れたしゃ断性能
を有していることが判る。Ｃｕｆｉの違いによるしゃ断
性能の差は第１１図及び第１２図より、全般的にＣｕｔ
が６０ｗｔ％品の方が高い傾向にある。以上の事よりＣ
ｕ量が６（１〜７５ｗｔ％で、Ｍｏに対するＮｂ添加量
が４．７〜２ｇ、５ｗｔ％で、Ｂｉ添加量が２０ｗｔ％
までの範囲の本発明接点材料は従来のＣｕ−２５Ｃｒ接
点材料より優れたしゃ断性能を有している。
のしゃ断性能が低下しているが、従来例であるＣｕ−２
５Ｃｒ接点材料より優れたしゃ断性能を有していること
が判る。又、第１２図よりＣｕｆｆ１が６０ｗｔ％であ
る真空ホットプレス法により製造された本発明接点材料
はＭｏに対するＮｂ添加量が４．７〜２８．５ｗｔ％で
Ｂｉ添加量が２０ｗｔ％までの範囲で優れたしゃ断性能
を有していることが判る。Ｃｕｆｉの違いによるしゃ断
性能の差は第１１図及び第１２図より、全般的にＣｕｔ
が６０ｗｔ％品の方が高い傾向にある。以上の事よりＣ
ｕ量が６（１〜７５ｗｔ％で、Ｍｏに対するＮｂ添加量
が４．７〜２ｇ、５ｗｔ％で、Ｂｉ添加量が２０ｗｔ％
までの範囲の本発明接点材料は従来のＣｕ−２５Ｃｒ接
点材料より優れたしゃ断性能を有している。
又、表５より耐電圧性能に関しても、真空ホットプレス
法により製造された本発明接点材料はＢｉ添加量が少い
場合、従来例であるＣｕ−２５Ｃｒ接点材料より優れて
いることが判る。第１３図はＣｕｊｌが７５ｗｔ％であ
る真空ホットプレス法により得られた本発明接点材料の
耐電圧性能を示した図であり、縦軸は従来例であるＣｕ
−２５Ｃｒ接点材料の性能を基準とした際の＃電圧性能
を示し、横軸はＢｉの添加量を示している。尚第１３図
は第４図と同様にＢｉｆｉ１ｗｔ９６の点で第１３−１
図と第１３−２図に分割している。図中２３〜２６は第
１１図と同一接点材料に関するものである。第１３−１
．１３−２図より本発明接点材料（図中２１．２４．２
５．２６ ）が従来例であるＣｕ−２５Ｃｒ−Ｂｉ接点
材料（図中５）より優れた耐電圧性能を有していること
が判る。又、従来のＣｕ−２５Ｃｒ接点材料と比較して
Ｍｏに対するＮｂ添加量が４．７ｗｔ％のものはＢｉ添
加量が０．２８ｗｔ％まで、Ｍｏに対するＮｂ添加量が
９．４ｗｔ％のものはＢｉ添加量が０．８６ｗｔ％まで
、Ｍｏに対するＮｂ添加量が１３．９ｗｔ％のものはＢ
ｉ添加量が０．５ｗｔ％まで、Ｍｏに対するＮｂ添加量
が２８．５ｗｔ％のものはＢｉ添加量が０．４ｗｔ％ま
での範囲で従来のＣｕ−２５Ｃｒ接点材料より連れた耐
電圧性能を有していスｒ Ｊ−％皇ＩＩス−Ｖ竿１Ｑ−
１１１−！＞ Ｉ上ｈ −Ｍｏに対するＮｂ添加量の多
い方がＢｉ添加による耐電圧性能低下の度合が少ないこ
とが判る。第１４図はＣｕｉが６０ｗｔ％である真空ホ
ットプレス法より得られた本発明接点材料の耐電圧性能
を示した図であり、縦軸及び横軸は第１３図と同一であ
る。又、第１４図もＢ重量１ｗｔ％の点で第１４−１図
と第１４−２図に分割している。図中２７〜３０は第１
２図と同一接点材料に関するものである。第１４−１
、１４−２図より本発明接点材料（図中２７．２８．２
９．８０）が従来例であるＣｕ−２５Ｃｒ −Ｂ ｉ接
点材料（図中５）より優れた耐電圧性能を有しているこ
とが判る。又、従来のＣｕ−２５Ｃｒ接点材料と比較し
て、Ｍｏに対するＮｂ添加量が４．７ｗｔ％のものはＢ
ｉ添加量が０．２２ｗｔ％まで、Ｍｏに対するＮｂ添加
量が９．４ｗｔ％のものはＢｉ添加量が０．４ｗＬＪま
で、Ｍｏに対するＮｂ添加量が１３．９ｗｔ％のものは
Ｂｉ添加量が１ｗｔ％まで、Ｍｏに対するＮｂ添加量が
２８．５ｗｔ％のものはＢｉ添加量が０．４２ｗｔ％ま
での範囲で従来のＣｕ−２５Ｃｒ接点材料より優れた耐
電圧性能を有していることが判る。又、第１４−１．１
４−２図よりＭｏに対するＮｂ添加量の多い方がＢｉ添
加による耐電圧性能低下の度合が少ないことが判る。又
、１３−１．１３−２図と１４−１．１４−２図を比較
すると、Ｃｕ量が６０ｗｔ％品の方が７５ｗｔ％品より
優れた耐１理圧性能を有することが判る。
法により製造された本発明接点材料はＢｉ添加量が少い
場合、従来例であるＣｕ−２５Ｃｒ接点材料より優れて
いることが判る。第１３図はＣｕｊｌが７５ｗｔ％であ
る真空ホットプレス法により得られた本発明接点材料の
耐電圧性能を示した図であり、縦軸は従来例であるＣｕ
−２５Ｃｒ接点材料の性能を基準とした際の＃電圧性能
を示し、横軸はＢｉの添加量を示している。尚第１３図
は第４図と同様にＢｉｆｉ１ｗｔ９６の点で第１３−１
図と第１３−２図に分割している。図中２３〜２６は第
１１図と同一接点材料に関するものである。第１３−１
．１３−２図より本発明接点材料（図中２１．２４．２
５．２６ ）が従来例であるＣｕ−２５Ｃｒ−Ｂｉ接点
材料（図中５）より優れた耐電圧性能を有していること
が判る。又、従来のＣｕ−２５Ｃｒ接点材料と比較して
Ｍｏに対するＮｂ添加量が４．７ｗｔ％のものはＢｉ添
加量が０．２８ｗｔ％まで、Ｍｏに対するＮｂ添加量が
９．４ｗｔ％のものはＢｉ添加量が０．８６ｗｔ％まで
、Ｍｏに対するＮｂ添加量が１３．９ｗｔ％のものはＢ
ｉ添加量が０．５ｗｔ％まで、Ｍｏに対するＮｂ添加量
が２８．５ｗｔ％のものはＢｉ添加量が０．４ｗｔ％ま
での範囲で従来のＣｕ−２５Ｃｒ接点材料より連れた耐
電圧性能を有していスｒ Ｊ−％皇ＩＩス−Ｖ竿１Ｑ−
１１１−！＞ Ｉ上ｈ −Ｍｏに対するＮｂ添加量の多
い方がＢｉ添加による耐電圧性能低下の度合が少ないこ
とが判る。第１４図はＣｕｉが６０ｗｔ％である真空ホ
ットプレス法より得られた本発明接点材料の耐電圧性能
を示した図であり、縦軸及び横軸は第１３図と同一であ
る。又、第１４図もＢ重量１ｗｔ％の点で第１４−１図
と第１４−２図に分割している。図中２７〜３０は第１
２図と同一接点材料に関するものである。第１４−１
、１４−２図より本発明接点材料（図中２７．２８．２
９．８０）が従来例であるＣｕ−２５Ｃｒ −Ｂ ｉ接
点材料（図中５）より優れた耐電圧性能を有しているこ
とが判る。又、従来のＣｕ−２５Ｃｒ接点材料と比較し
て、Ｍｏに対するＮｂ添加量が４．７ｗｔ％のものはＢ
ｉ添加量が０．２２ｗｔ％まで、Ｍｏに対するＮｂ添加
量が９．４ｗｔ％のものはＢｉ添加量が０．４ｗＬＪま
で、Ｍｏに対するＮｂ添加量が１３．９ｗｔ％のものは
Ｂｉ添加量が１ｗｔ％まで、Ｍｏに対するＮｂ添加量が
２８．５ｗｔ％のものはＢｉ添加量が０．４２ｗｔ％ま
での範囲で従来のＣｕ−２５Ｃｒ接点材料より優れた耐
電圧性能を有していることが判る。又、第１４−１．１
４−２図よりＭｏに対するＮｂ添加量の多い方がＢｉ添
加による耐電圧性能低下の度合が少ないことが判る。又
、１３−１．１３−２図と１４−１．１４−２図を比較
すると、Ｃｕ量が６０ｗｔ％品の方が７５ｗｔ％品より
優れた耐１理圧性能を有することが判る。
又、真空ホットプレス法で製造した本発明接点材料（サ
ンプルＮ−Ｂ１−１１３〜Ｎ−Ｂ１−１３０）のさい断
電流値は表５よりＢｉ添加量に依存していることが判り
、Ｂｉ添加による効果としてはＩｗｔ％程度から現れ、
以降Ｂｉ添加量の増加と共にさい断電流値が減少して行
く。又、溶着領外し力については本発明接点材料はＢｉ
添加量として０．１ｗｔ％でかなり効果を示し、それ以
上では測定値が（０）となっている。接点消耗量につい
てはＢ重量に依らず、Ｃｕ量及成分に依存している。こ
こでＣｕ量が６０ｗｔ％品については粉末焼結により得
られた本発明接点材料の場合と同じく、接点消耗量が従
来のＣｕ−２５Ｃｒ接点材料に比べ０．２〜０．３倍と
いう優れた性能を示し、前述した本発明接点材料と同等
の性能を示しており、一方Ｃｕ量が７５ｗｔ％品につい
ては０．５〜０．７倍と、これも粉末焼結法で得られた
本発明接点材料と同等の性能を示していることから、Ｃ
ｕ量が６０ｗｔ％より減少すると接点消耗量の変化が余
り見られないようになることが判る。又、Ｃｕｆｉが７
５ｗｔ％である本発明接点材料と従来例であるＣｕ−２
５ＣｒもしくはＣｕ−２５Ｃｒ−Ｂｉ接点材料を比較す
ると、本発明接点材料の接点消耗量が０．５〜０．７倍
と低く、この違いは接点材料を構成している成分の違い
によるものと考えられる。従って真空ホットプレス法で
製造した本発明接点材料はさい断電流値についてはＢｉ
添加量が１ｗｔ％以上で効果を示し、溶着領外し力につ
いてはＢｉ添加量が０．１ｗｔ％以上で充分効果があり
、接点消耗量についてはＣｕ量が６０〜７５ｗｔ％、Ｍ
ｏに対するＮ１加量が４．７〜２８．５ｗｔ％、Ｂ重量
がＱ、１〜２０ｗｔ％の範囲で良好な性能を示した。
ンプルＮ−Ｂ１−１１３〜Ｎ−Ｂ１−１３０）のさい断
電流値は表５よりＢｉ添加量に依存していることが判り
、Ｂｉ添加による効果としてはＩｗｔ％程度から現れ、
以降Ｂｉ添加量の増加と共にさい断電流値が減少して行
く。又、溶着領外し力については本発明接点材料はＢｉ
添加量として０．１ｗｔ％でかなり効果を示し、それ以
上では測定値が（０）となっている。接点消耗量につい
てはＢ重量に依らず、Ｃｕ量及成分に依存している。こ
こでＣｕ量が６０ｗｔ％品については粉末焼結により得
られた本発明接点材料の場合と同じく、接点消耗量が従
来のＣｕ−２５Ｃｒ接点材料に比べ０．２〜０．３倍と
いう優れた性能を示し、前述した本発明接点材料と同等
の性能を示しており、一方Ｃｕ量が７５ｗｔ％品につい
ては０．５〜０．７倍と、これも粉末焼結法で得られた
本発明接点材料と同等の性能を示していることから、Ｃ
ｕ量が６０ｗｔ％より減少すると接点消耗量の変化が余
り見られないようになることが判る。又、Ｃｕｆｉが７
５ｗｔ％である本発明接点材料と従来例であるＣｕ−２
５ＣｒもしくはＣｕ−２５Ｃｒ−Ｂｉ接点材料を比較す
ると、本発明接点材料の接点消耗量が０．５〜０．７倍
と低く、この違いは接点材料を構成している成分の違い
によるものと考えられる。従って真空ホットプレス法で
製造した本発明接点材料はさい断電流値についてはＢｉ
添加量が１ｗｔ％以上で効果を示し、溶着領外し力につ
いてはＢｉ添加量が０．１ｗｔ％以上で充分効果があり
、接点消耗量についてはＣｕ量が６０〜７５ｗｔ％、Ｍ
ｏに対するＮ１加量が４．７〜２８．５ｗｔ％、Ｂ重量
がＱ、１〜２０ｗｔ％の範囲で良好な性能を示した。
以上の事により、真空ホットプレス法で製造した本発明
接点材料はＣｕが６（１−７５ｗｔ％、Ｍｏが１７．９
〜８８．１ ｗｔ％、Ｎｂが１．１〜１１．４ｗｔ％、
Ｂｉが０．１〜２０ｗｔ％の範囲で良好な性能を示すこ
とが判る。
接点材料はＣｕが６（１−７５ｗｔ％、Ｍｏが１７．９
〜８８．１ ｗｔ％、Ｎｂが１．１〜１１．４ｗｔ％、
Ｂｉが０．１〜２０ｗｔ％の範囲で良好な性能を示すこ
とが判る。
尚、上記実施例ではＣｕ −Ｍｏ−Ｎｂ ）ｉ：Ｂｉを
添加した接点材料を示したが、Ｂｉに代えて、Ｔｅ、
Ｓｂ、 Ｔｅ 。
添加した接点材料を示したが、Ｂｉに代えて、Ｔｅ、
Ｓｂ、 Ｔｅ 。
Ｐｂでもよく、又これら低融点材料を１種以上添加して
もよい。表７にそのサンプルを示す。成分配合比は上記
実施例を参考にし、サンプルとして低融点材料の添加量
を最大２０ｗｔ％とし、この点で従来例と比較した。製
造方法は各サンプルＮｏ末尾１〜３が溶着法、４，５が
粉末焼結法、６，７が真空ホットプレス法である。接点
形状、実験方法も上記実施例と同一であり、測定結果を
表８に示す。
もよい。表７にそのサンプルを示す。成分配合比は上記
実施例を参考にし、サンプルとして低融点材料の添加量
を最大２０ｗｔ％とし、この点で従来例と比較した。製
造方法は各サンプルＮｏ末尾１〜３が溶着法、４，５が
粉末焼結法、６，７が真空ホットプレス法である。接点
形状、実験方法も上記実施例と同一であり、測定結果を
表８に示す。
表８より、Ｔｅ、 Ｓｂ、 Ｔｌ、 Ｐｂ、 Ｓｅ及Ｂ
１−Ｔｅを添加した本発明接点材料はしゃ断性能につい
ては各低融点成分を２０ｗｔ％含有したもの（Ｎ−Ｔｅ
−２、Ｎ−Ｔｅ−８。
１−Ｔｅを添加した本発明接点材料はしゃ断性能につい
ては各低融点成分を２０ｗｔ％含有したもの（Ｎ−Ｔｅ
−２、Ｎ−Ｔｅ−８。
Ｎ−Ｔｅ−５、Ｎ−Ｔｅ −７、Ｎ−５ｂ−２、Ｎ−５
ｂ−８、Ｎ−５ｂ−５、Ｎ−８ｂ −７、Ｎ−Ｔｌ−２
、Ｎ−Ｔｌ−３、Ｎ−Ｔｌ−５、Ｎ−Ｔｌ−７、Ｎ−Ｐ
ｂ−２、Ｎ −Ｐｂ−３、Ｎ−Ｐｂ−５、Ｎ−Ｐｂ−７
、Ｎ−ＢＴ−２、Ｎ−ＢＴ−８、Ｎ−ＢＴ−５。
ｂ−８、Ｎ−５ｂ−５、Ｎ−８ｂ −７、Ｎ−Ｔｌ−２
、Ｎ−Ｔｌ−３、Ｎ−Ｔｌ−５、Ｎ−Ｔｌ−７、Ｎ−Ｐ
ｂ−２、Ｎ −Ｐｂ−３、Ｎ−Ｐｂ−５、Ｎ−Ｐｂ−７
、Ｎ−ＢＴ−２、Ｎ−ＢＴ−８、Ｎ−ＢＴ−５。
Ｎ−ＢＴ−７１が従来例であるサンプルＣ−８−７より
優れたしゃ断性能を有し、＃Ｊイ圧注性能ついても同様
に本発明接点材料が優れていることが判る。又、低融点
成分の種類により、しゃ断性能についてはＢｉとＴｅを
含有しているものがしゃ断性能の低下が比較的少なく、
Ｐｂを含有しているものが、本発明接点材料の中では劣
っていることが判る。又、Ｂｉもしくは１゛ｅ単体で２
０ｗｔ９６添加するより、各々１０ｗｔ％づつ全体で２
０ｗｔ％添加した方がしゃ断性能が優れており、他の低
融点成分についても同様の効果が期待出来る。一方、さ
い断電流値、溶着領外し力、接点消耗量については添加
する低融点成分に余り依存していないことが表８より判
る。
優れたしゃ断性能を有し、＃Ｊイ圧注性能ついても同様
に本発明接点材料が優れていることが判る。又、低融点
成分の種類により、しゃ断性能についてはＢｉとＴｅを
含有しているものがしゃ断性能の低下が比較的少なく、
Ｐｂを含有しているものが、本発明接点材料の中では劣
っていることが判る。又、Ｂｉもしくは１゛ｅ単体で２
０ｗｔ９６添加するより、各々１０ｗｔ％づつ全体で２
０ｗｔ％添加した方がしゃ断性能が優れており、他の低
融点成分についても同様の効果が期待出来る。一方、さ
い断電流値、溶着領外し力、接点消耗量については添加
する低融点成分に余り依存していないことが表８より判
る。
従って、表８で示した本発明接点材料の性能は基本的に
は先に表１１表２２表３で示したＢｉを添加した接点材
料と同様と考えられ、溶浸法により製造されたものはＣ
ｕ量が４０〜６０ｗｔ％、Ｍｏに対するＮｂ添加量が４
．７〜２８．５ｗｔｑ６ 即ちＭｏが２８．６〜５７．
２ｗ ｔ％、Ｎｂが１．９〜１７．１ ｗｔ％でＴｅ
、 Ｓｂ、 Ｔ１． Ｐｂ、 Ｂｉ等の１皿以上の低融
点材料が０．１−２０ｗｔ％までの範囲で優れた性能を
示し、粉末焼結法もしくは真空ホットプレス法により製
造されたものはＣｕ量が６０〜７５ｗｔ％、Ｍｏに対す
るＮｂ添加量が４．７〜２８．５ｗｔ％即ちＭｏが１７
．ト８８．１ｗｔ％、Ｎｂが１．１〜１１．４ ｗｔ％
でＴｅ、 Ｓｂ、 Ｔｌ、 Ｐｂ、 Ｂｉ等の１種以上
の低融点材料が２０ｗｔ％すでの範囲で慶れた性能を示
す。
は先に表１１表２２表３で示したＢｉを添加した接点材
料と同様と考えられ、溶浸法により製造されたものはＣ
ｕ量が４０〜６０ｗｔ％、Ｍｏに対するＮｂ添加量が４
．７〜２８．５ｗｔｑ６ 即ちＭｏが２８．６〜５７．
２ｗ ｔ％、Ｎｂが１．９〜１７．１ ｗｔ％でＴｅ
、 Ｓｂ、 Ｔ１． Ｐｂ、 Ｂｉ等の１皿以上の低融
点材料が０．１−２０ｗｔ％までの範囲で優れた性能を
示し、粉末焼結法もしくは真空ホットプレス法により製
造されたものはＣｕ量が６０〜７５ｗｔ％、Ｍｏに対す
るＮｂ添加量が４．７〜２８．５ｗｔ％即ちＭｏが１７
．ト８８．１ｗｔ％、Ｎｂが１．１〜１１．４ ｗｔ％
でＴｅ、 Ｓｂ、 Ｔｌ、 Ｐｂ、 Ｂｉ等の１種以上
の低融点材料が２０ｗｔ％すでの範囲で慶れた性能を示
す。
以上のように、上記説明はＣｕが４０〜７５ｗｔ％、Ｍ
。
。
が１７．９〜５７．２ｗｔ％、Ｎｂが１．１〜１７．１
ｗｔ％、１種以上の低融点材料が０．１〜２０ｗｔ％の
範囲の本発明接点材料について行ったが、実用上優効な
接点材料の成分範囲はさらに広いものと考えられ、例え
ばＣｕは８０〜８０ｗｔ９６、Ｍｏに対するＮｂ添加量
としては２〜３５Ｗｔ９６、即ちＭｏが１３〜６８．６
ｗｔ％、歯が０．４〜２４．５ｗｔ％、１種以上の低融
点材料は０．０５〜２５ ｗｔ４といった範囲でも、用
途に合わせて選択出来るものと考えられる。
ｗｔ％、１種以上の低融点材料が０．１〜２０ｗｔ％の
範囲の本発明接点材料について行ったが、実用上優効な
接点材料の成分範囲はさらに広いものと考えられ、例え
ばＣｕは８０〜８０ｗｔ９６、Ｍｏに対するＮｂ添加量
としては２〜３５Ｗｔ９６、即ちＭｏが１３〜６８．６
ｗｔ％、歯が０．４〜２４．５ｗｔ％、１種以上の低融
点材料は０．０５〜２５ ｗｔ４といった範囲でも、用
途に合わせて選択出来るものと考えられる。
以上のように、この発明によれば真空しゃ断器の′ｆｉ
ｌ極にＣｕとＭｏとＮｂとｘ１ｇ以上の低融点材料を含
有した接点材料を用いたので、性能の優れた真空しゃ断
器を得られた。
ｌ極にＣｕとＭｏとＮｂとｘ１ｇ以上の低融点材料を含
有した接点材料を用いたので、性能の優れた真空しゃ断
器を得られた。
第１図、第２図、第８図はこの発明の一実施例である溶
浸法により製造された接点材料のしゃ断性能を示すグラ
フ、第４図、第５図、第６図はこの発明の一実施例であ
る溶浸法により製造された接点材料の耐電圧性能を示す
グラフ、第７図、第８図はこの発明の一実施例である粉
末焼結法により製造された接点材料のしゃ断性能を示す
グラフ、第９図、第１０図はこの発明の一実施例である
粉末焼結法により製造された接点材料の耐イ圧性能を示
すグラフ、第１１図、第１２図はこの発明の一実施例で
ある真空ホットプレス法により製造された接点材料のし
ゃ断性能を示すグラフ、第１３図、第１４図はこの究明
の一実施例である真空ホットプレス法により製造された
接点材料の耐遣圧性能を示すグラフである。
浸法により製造された接点材料のしゃ断性能を示すグラ
フ、第４図、第５図、第６図はこの発明の一実施例であ
る溶浸法により製造された接点材料の耐電圧性能を示す
グラフ、第７図、第８図はこの発明の一実施例である粉
末焼結法により製造された接点材料のしゃ断性能を示す
グラフ、第９図、第１０図はこの発明の一実施例である
粉末焼結法により製造された接点材料の耐イ圧性能を示
すグラフ、第１１図、第１２図はこの発明の一実施例で
ある真空ホットプレス法により製造された接点材料のし
ゃ断性能を示すグラフ、第１３図、第１４図はこの究明
の一実施例である真空ホットプレス法により製造された
接点材料の耐遣圧性能を示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、銅とモリブデンとニオブを含有し、低融点材料を１
種以上含有したことを特徴とする真空しゃ断器用接点材
料。 ２、銅が３０重量％から８０重量％、Ｍｏが１３重量％
から６８．６重量％、Ｎｂが０．４重量％から２４．５
重量％、１種以上の低融点材料が０．０５重量％から２
５重量％の範囲にあることを特徴とする特許請求の範囲
第１項に記載の真空しゃ断器用接点材料。 ３、銅が４０重量％から７５重量％、Ｎｂが１７．９重
量％から５７．２重量％、Ｎｂが１．１重量％から１７
．１重量％、１種以上の低融点材料が０．１重量％から
２０重量％の範囲にあることを特徴とする特許請求の範
囲第１項に記載の真空しゃ断器用接点材料。 ４、銅が４０重量％から６０重量％、Ｍｏが２８．６重
量％から５７．２重量％、Ｎｂが１．９重量％から１７
．１重量％、１種以上の低融点材料が０．１重量％から
２０重量％の範囲にあり、溶浸法で製造したことを特徴
とする特許請求の範囲第１項に記載の真空しゃ断器用接
点材料。 ５、銅が６０重量％から７５重量％、Ｍｏが１７．９重
量％から３８．１重量％、Ｎｂが１．１重量％から１１
．４重量％、１種以上の低融点材料が０．１重量％から
２０重量％の範囲にあり、粉末焼結法で製造したことを
特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の真空しゃ断器
用接点材料。 ６、銅が６０重量％から７５重量％、Ｍｏが１７．９重
量％から３８．１重量％、Ｎｂが１．１重量％から１１
．４重量％、１種以上の低融点材料が０．１重量％から
２０重量％の範囲にあり、真空ホットプレス法で製造し
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の真空
しゃ断器用接点材料。 ７、低融点材料がビスマス、テルル、アンチモン、鉛、
タリウムの中から選ばれることを特徴とする特許請求の
範囲第１項、第２項、第３項、第４項、第５項、第６項
のいづれかに記載の真空しゃ断器用接点材料。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61003763A JPS62163229A (ja) | 1986-01-10 | 1986-01-10 | 真空しや断器用接点材料 |
| KR1019860008634A KR900001613B1 (ko) | 1986-01-10 | 1986-10-15 | 진공차단기용 접점재료 |
| EP89121008A EP0365043B1 (en) | 1986-01-10 | 1987-01-12 | Contact material for vacuum circuit breaker |
| DE87100259T DE3785372T2 (de) | 1986-01-10 | 1987-01-12 | Kontaktwerkstoff für Vakuumschalter. |
| EP87100259A EP0231767B1 (en) | 1986-01-10 | 1987-01-12 | Contact material for vacuum circuit breaker |
| DE3750336T DE3750336T2 (de) | 1986-01-10 | 1987-01-12 | Kontaktwerkstoff für Vakuumschalter. |
| US07/336,517 US4927989A (en) | 1986-01-10 | 1989-04-11 | Contact material for vacuum circuit breaker |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61003763A JPS62163229A (ja) | 1986-01-10 | 1986-01-10 | 真空しや断器用接点材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62163229A true JPS62163229A (ja) | 1987-07-20 |
Family
ID=11566209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61003763A Pending JPS62163229A (ja) | 1986-01-10 | 1986-01-10 | 真空しや断器用接点材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62163229A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05190061A (ja) * | 1992-01-10 | 1993-07-30 | Mitsubishi Electric Corp | 真空バルブの接点材料の製法 |
| JP2002161327A (ja) * | 2000-11-21 | 2002-06-04 | Toshiba Corp | 遮断器用接点材料，その製造方法および遮断器 |
-
1986
- 1986-01-10 JP JP61003763A patent/JPS62163229A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05190061A (ja) * | 1992-01-10 | 1993-07-30 | Mitsubishi Electric Corp | 真空バルブの接点材料の製法 |
| JP2002161327A (ja) * | 2000-11-21 | 2002-06-04 | Toshiba Corp | 遮断器用接点材料，その製造方法および遮断器 |
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