JPS62264525A

JPS62264525A - 真空しや断器用接点材料

Info

Publication number: JPS62264525A
Application number: JP61107208A
Authority: JP
Inventors: 納谷　榮造; 奥村　光弘; 聖一宮本
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1986-05-09
Filing date: 1986-05-09
Publication date: 1987-11-17

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕この発明は大電流しゃ所持性に優れた真空しゃ断器用接
点材料に関するものである。

〔従来の技術〕

真空しゃ断器は、その無保守、無公害性、優れ１こしゃ
断性能等の利点を持つため、適用範囲が急速に拡大して
きている。また、それに伴い、より高耐圧化、大電流し
ゃ断器の要求がきびしくなってきている。一方、真空し
ゃ断器の性能は真空容器内の接点材料によって決定され
る要素がきわめて大である。

真空しゃ断器用接点材料の満足すべき特性として、（１
）シゃ断容量が大きいこと、（２）耐電圧が高いこと、
（３）接触抵抗が小さいこと、（４）溶着力が小さいこ
と、（５）さい断電流値が小さいこと、（６）加工性が
良いこと、（７）十分な機械的強匣を有すること、等が
ある。

実際の接点材料では、これらの特性を全て満足させるこ
とは、かなり困難であって、一般には用途に応じて特に
重要な特性を満足させ、他の特性をある程度犠牲にした
材料を使用しているのが実状であり、例えば特開昭５５
−７８４２９号に記載の銅°−タングステン接点材料は
耐電圧性能が優れているため、負荷開閉器や接触器等の
用途によく用いられている。但し、電流しゃ断性能が劣
るという欠点を持っている。

一方、例えば特開昭５４−７１Ｂ７５号に記載の銅−ク
ロム接点材料は非常にしゃ断性能が優れているため、し
ゃ断器等の用途によく用いられているが。

耐電圧性能ではＬ記載−タングステン接点材料匡劣って
いる。

また１例えば特開昭５４−１４７４８１号に記載の銅−
クロム−ビスマス接点材料は溶着例外し力が低いため、
真空しゃ断器の操作力を低くすることが出来、この結果
しゃ断器をコンパクトに設計出来るという利点と、さい
断電流値が低いという利点を持っているが、銅−クロム
接点材料に比べ、しゃ断性能と耐電圧性能が若干劣って
いる。

また、例えば特願昭５９−２８０６１９号に記載の銅−
モリブデンー二オブ接点材料はしゃ断性能、耐電圧性能
が非常に優れているため、今後広く使用されるものと思
われるが、さい断電流値及溶着４外し力が前述の田−ク
ロム−ビスマス接点材料に比べ若干高いという特性を示
していた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来の真空しゃ所用接点は以ｔのように、各々の特性を
いかして使用されてきたが、近年、真空しゃ断器の大電
流化、高電圧化への要求がきびしくなり、従来の接点材
料では要求性能を十分満足させることが困難になってき
ている。又、真空１７や断器の小型化に対しても、より
優れた性能を、もつ接点材料が求められている。

この発明は上記のような従来のものを改良するためにな
されにもので、しゃ断性能、耐電圧性能に優れ、溶着例
外し力、さい断電流値が低く、接点消耗量が少い真空し
ゃ断器用接点材料を提供することを目的としている。

〔間、閉息を解決するための手段〕

発明者らは、銅に種々の金属、合金、金属間化合物を添
加した材料を試作し、真空しゃ断器にも）込み、種々の
実験を行った。この結果、銅とモリブデンとタンタルを
ζビスマス、テルル、アンチモン、タリウム及鉛の低融
点金属を１皿以り含有した接点材料は、しゃ断、耐電圧
性能に優れ、溶着例外し力、さい断電流値が低く、接点
消耗量が少ないことが判った。

〔作用〕

この発明による真空しゃ断器用接点材料は、銅とモリブ
デンとタンタルとビスマス、テルル、アンチモン、タリ
ウム及鉛等の低融点金属を１穏以上含有したことを特徴
としたものである。

〔実施例〕

以下、この発明の実施例について説明する。

（接点材料の作成）接点材料の作成は、粉末冶金法により、溶浸法、完全粉
末焼結法及びホットプレス法の８　通ｔ）　テ行った。

第１の溶浸法による接点材料は、平均粒径３Ｉ・２のモ
リブデン粉末と粒径４０μｍ以下のタンタル扮末と粒径
４０μｍ以下の銅粉末と粒径７５μｍ以下のビスマス粉
末を各々６７．６対１３．９対１３．０対０６０割合で
秤量した後、２時間混合を行った。つづいて、この混合
粉を所定の金型に充填し、１ｔｂ荷重でプレスし成形を
行った。次にこの成形体に無酸素銅の塊をのせて水素雰
囲気中１２５０℃で１時間保持し、無酸素銅を成形体に
含浸させ接点材料とし１こ。この接点材料の最終成分比
は表１のサンプルＴ−Ｂｉ　−１８である。なお、表１
にはと記に示し１こものと同一方法により製造した他の
成分比の接点材料についても挙げである。

第２の完全粉末焼結法による接点材料製造法は平均粒径
８μｍのモリブデン粉末と粒径４０μｍ以下のタンタル
粉末と粒径７５μｍ以下の銅粉末と粒径７５μｍ以下の
ビスマス粉末を各々３６．５対３．５対５９．９対０．
１の割合で秤量した後２時間混合を行った。つづいて、
この混合粉を所定の形状の金型に充填し３．８　ｔｏｎ
／ｃｍ”の荷重でプレスし成形を行つ亀次に、この成形
体を水素雰囲気中鍋の融点直下で２時間焼結を行い接点
材料とした。この接点材料の最終成分比は表２のサンプ
ルＴ−Ｂｉ−８９である。

同様にして得られた他の接点材料についても合せて表２
に示す。

第８のホットプレス法による接点材料製造法は平均粒径
８μｍのモリブデン粉末と粒径４０μｍ以下のタンタル
粉末と粒径７５μｍ以下の銅粉末と粒径７５μｍ以下の
ビスマス粉末を各々８６．５対３．５対５９．９対０．
１の割合で秤量し１こ後２時間混合を行った。つづいて
、この混合粉をカーボン製のダイスに充填し、真空中１
０００℃で２時間加熱、この間に２００　ｋｇ／　ｃｍ
”　　の荷重を加え、接点材料の塊を得１こ。得られた
接点材料の最終成分比は表３のサンプルＴ−Ｂｉ　−１
３？　である。同様にして得られた他の接点材料につい
ても合せて表３に示す。

ま１こ、上記本発明接点材料との性能比較の１こめ従来
用いられている接点材料を表４に示す。製造方法は前述
の完全粉末焼結法と同一方法を用いｊコ。

（接点材料の性能）各方法により製造され１こ上記接点材料は直径２０ｍｍ
ＣＤ電極に機械加工され１こ後、真空スイッチに組込み
１種々の電気特性を測定し１こ。表６に測定結果を示す
。測定はシャ断性能、耐電圧性能、サイ断電流値、溶着
例外し力及接点消耗量をこりいて行い、その結果は従来
例であるＣｕ　−２５Ｃ！ｒ　（表４のサンプルＣ−１
）の性能を基準として倍率で表わし１こ。従ってシャ断
性能については倍率の高い方が優れており、その倍率が
１以上のものは従来例であるｃｕ−２５Ｏｒより優れた
シャ断性能を有していることを表わしている。耐電圧性
能についてもシャ断性能と同じく、倍率の高い方が優れ
ていることを表わしている。−万、サイ断電流値は使用
と低い方が望ましく、従って倍率の小さい方が擾れてい
る。同様に溶着例外し力は低い方が操作機構と有利であ
り、接点消耗量に関しても少ない方が望ましく、双方共
倍率の値が小さい方が優れている。

表５よりしゃ断性能に関しては溶浸法により製造し１こ
本光明材料のほとんどが、従来例であるＣｕ−２５Ｃｒ
より侵れていることが判り、シャ断性能の値が１以下で
あるもの１こついても、例えばサンプルＴ−Ｂｉ−７８
と同等のＢｉｊｉ　（２０ｗｔ％）を含有し１こＣ，ｕ
−Ｃ，−Ｂｉ材（サンプルｏ−Ｂｉ　−７）　（表６）
を比較しｒ、＝場合、Ｔ−Ｂｉ−７３が０．６　（Ｃｕ
−２５０ｒ比）でＣ−Ｂ１−７が０．５１　（Ｃｕ−２
５Ｏｒ比）で本発明材料ノ方カ優れていることが判る。

第１図は本発明接点材料のしゃ断性能を示し１こ図であ
り、　Ｃｕ量が約６０重量％の溶浸法で製造し１こ接点
材料のしゃ断性能について表わしたものである。図の縦
軸は従来のＣｕ−２５Ｏｒ　　接点材料（サンプルＣ−
１）を基準としにしゃ断性能を表わし、横軸はＢｉ添加
量を表わしている。図中１はＭｏに対するＴａの添加量
が３．８ｗｔ％品ｆこついてＢｉ添加量を変化させ１こ
際の（サンプルＴ−Ｂｉ　−１、Ｔ−Ｂｉ−１８、Ｔ−
Ｂｉ　−２５、Ｔ−Ｂｉ−８７、Ｔ　Ｂｉ　−４９。

Ｔ−Ｂ　ｉ　−６１、Ｔ−Ｂ　ｉ　−７８）　Ｌ／や断
性能を示し、図中２は同じ（Ｍｏ　１こ対しＴａを１７
．０ｗｔの添加し１こ材料（サンプルＴ−Ｂｉ　−２、
Ｔ−Ｂｉ　−１４、Ｔ−Ｂｉ　−２６、Ｔ−Ｂｉ　−８
８、Ｔ−Ｂｉ　−５０、Ｔ−Ｂｉ　−６２、Ｔ−Ｂｉ　
−７４）　、図中３は同じ＜Ｍｏに対しＴａを３１．５
ｗｔ％添加し１こ材料（サンプルＴ−ＢＨ−３゜Ｔ−Ｂ
ｉ　−１５、Ｔ−Ｂｉ　−２７、Ｔ−Ｂｉ　−３９、Ｔ
−Ｂｉ−５１、Ｔ−Ｂｉ　−６８。

Ｔ−ｆ３ｉ−７５）　１図中４は同じ＜　Ｍｏに対しＴ
ａを４４．１ｗｔ％添加し１こ材料（サンプルＴ−Ｂｉ
　−４、Ｔ−Ｂｉ−１６、Ｔ−Ｂｉ　−２８、Ｔ−Ｂｉ
　−４０、Ｔ−Ｂｉ　−５２、Ｔ−Ｂｉ　−６４、Ｔ−
Ｂｉ−７６）についてＢｉ添加量を変化させた際のしゃ
断性能を示している。又、図中５は従来例であるＣｕ−
２５ＯｒにＢｉを添加しＴこ際（サンプルＯ−１、Ｃ−
Ｂ１−１　、　ｃ−ＢＢ−２。

Ｃ−Ｂ１−３　、０−Ｂｉ−４、Ｃ−Ｂ１−５　、０−
Ｂｉ−６，ｃ−１３ｉ−７）のしや断性能を示しており
、図中６は従来例であるＯｕ−Ｍ□　（サンプルＭ−１
）のしゃ断性能を示した点である。尚、従来例の測定結
果は表６に示しである。

第１図よりＭｏｆこ対するＴａ添加量が各々１７．０ｗ
ｔ％。

８１．５ｗｔ％、　４４．１ｗｔ％である本発明接点材
料（図中２．３．４）はＢｉ添加量が２ｏｗｔ’Ｊ　で
も従来のＣｕ−２５Ｃｒ接点材料より優れていることが
判り、Ｍ。

に対するＴａ添加量が３．８　ｗ　ｔ％である本発明接
点材料（図中１）についてもＢｉ添加量が５ｗｔ％まで
なら従来例であるＣｕ−２５Ｃｒ接点材料より優れてお
り、Ｂｉ添加量が５ｗｔ％以上でも前述の様にＣｕ−２
５Ｃｒ−Ｂｉ材（図中５）に比べ優れていることが判る
。第２図は本発明接点材料のしゃ断性能を示しに図であ
り、ｃｕｍが約５０重量％の溶浸法で製造し１こ接点材
料のしゃ断性能について表わしｆこものである。図の縦
軸及横軸は第１図と同じであり、図中７はＭｏに対する
Ｔａの添加量が３．８ｗｔ％でありＢｉ添加量を変化さ
せた本発明接点材料（サンプルＴ−Ｂｉ−５゜Ｔ−Ｂｉ
−１７、Ｔ−Ｂｉ−２９、Ｔ−Ｂｉ−４１、Ｔ−Ｂｉ　
−５８、Ｔ−Ｂｉ　６５　。

Ｔ−Ｂｉ−７７）のしゃ断性能を示し、図中８は同じく
Ｍｏに対するＴａの添加量が１７．０ｗｔ％であ１）Ｂ
ｉ添加量を変化させ１こもの（サンプルＴ−１３ｉ−６
，Ｔ−Ｂｉ−１８。

Ｔ−Ｂｉ　−８０、Ｔ−Ｂｉ　−４２、Ｔ−Ｂｉ　−５
４、Ｔ−Ｂｉ−６６、Ｔ−Ｂｉ　−７８）、図中９は同
じ＜　Ｍｏに対するＴａの添加量が８１．５ｗｔ％であ
りＢｉ添加量を変化させにもの（サンプルＴ−Ｂｉ−７
、Ｔ−Ｂｉ−１９、Ｔ−Ｂｉ−８Ｌ　、　Ｔ−Ｂｉ−４
８、Ｔ−Ｂｉ　−５５、Ｔ−Ｂ−６７、Ｔ−Ｂｉ　−７
９）　、図中１０は同じ＜　Ｍｏに対するＴａの添加量
が４４．１ｗｔ％でありＢｉ添加量を変化させたもの（
サンプルＴ−Ｂｉ　−Ｂ　、　Ｔ−Ｂｉ　−２０、Ｔ−
Ｂｉ−８２、Ｔ−Ｂｉ　−４４、Ｔ−Ｂｉ　−５６、Ｔ
−Ｂｉ−６８、Ｔ−Ｂｉ−８０）のしゃ断性能を示した
ものである。第２図よりＭｏに対するＴａ添加量が各々
３．８ｗｔ％、１７．０ｗｔ％、８１．５ｗｔ％、４４
．１ｗｔ％である本発明接点材料（図中、７，８，９．
１０）はＢｉ添加量が２０ｗｔ％でも従来の０ｕ−２５
Ｃｒ接点材料より優れ１こしゃ断性能を有していること
が判る。

又、第１図と比較して、　Ｍｏに対するＴａ添加量が３
．８ｗｔ％である本発明接点材料及１７．０ｗｔ％であ
る本発明接点材料のしゃ断性能が向上していることが判
る。第８図は同じく本発明接点材料のしゃ断性能を示し
た図であり、Ｃｕ量が約４０ｗｔ％の溶浸法で製造し１
こ接点材料のしゃ断性能について表わしたものである、
図の縦軸と横軸は第１図と同じであり、図中１１はＭｏ
に対するＴａの添加量が３．８ｗｔ％であす、Ｂ１１１
１５Ｓ加量を変化させ１こ本発明接点材料（サンプルＴ
−Ｂｉ　−９、Ｔ−Ｂｉ−２１、Ｔ−Ｂｉ−８３、Ｔ−
Ｂｉ−４５。

Ｔ−Ｂｉ−５７、’ｒ−１３ｉ−５９　、　Ｔ　Ｂ１−
８１）のしゃ断性能を示し、図中１２は同じ＜Ｍｏに対
するＴａの添加量が１７．０ｗｔ％でありＢｉ添加量を
変化させ１こもの（サンプルＴ−Ｂｉ　−１０、Ｔ−Ｂ
ｉ　−２２、Ｔ−Ｂｉ−８４、Ｔ−Ｂｉ−４６、Ｔ−Ｂ
ｉ　−５８、Ｔ−Ｂｉ　−７０、Ｔ−Ｂｉ　−８２）　
、図中１８は同じ＜Ｍｏに対するＴａ（７）添加量がａ
ｉ、ｓｗｔ％でありＢｉ添加量を変化させにもの（サン
プルＴ−Ｂｉ−１１、Ｔ−Ｂｉ　−２８、Ｔ−Ｂｉ−８
５、Ｔ−Ｂｉ　−４７、Ｔ　Ｂ１−５９　、　Ｔ−Ｂｉ
　−７１、Ｔ　Ｂ１−８８）、図中１４ハ同じ＜　Ｍｏ
に対するＴａの添加量が４４．１ｗｔ％でありＢｉ添加
量を変化させ丁こもの（サンプＪｌ／　Ｔ−Ｂｉ−１２
、Ｔ−Ｂｉ　−２４、Ｔ−Ｂｉ　−８６、Ｔ−Ｂｉ　−
４８、Ｔ−Ｂｉ　−６０、Ｔ　Ｂｉ　−７２、Ｔ−Ｂｉ
−８４）のしゃ断性能を示し１こものである。第３図よ
りＭ６に対するＴａ添加量が各々３．８ｗｔ％、１７．
０ｗｔ％、　８１．５ｗｔ％、４４．１ｗｔ％である本
発明接点材料（図中、　１１　、１２　、１８　、１４
　）はＢｉ添加量が２０ｗｔ％でも従来のＣｕ−２５Ｃ
ｒ接点材料より優れたしゃ断性能を有していることが判
る。又、第２図と比較して、Ｍｏに対するＴａ添加量が
３．８ｗｔ％である本発明接点材料のしゃ断性能が低下
しており、第１図と合せて比較すると％　Ｃｕｆｆ１５
０ｗｔ％近傍がしゃ断性能について最適と考えられる。

−万、第１図、灯２図及＠３図に於て、”Ｉ添加量が増
加した場合のしゃ断性能の低下の度合いはＣｕｉが４０
ｗｔ％の万が他に比べて少ない傾向にあることが判る。

尚、本発明接点材料（サンプルＴ−Ｂ　ｉ−１〜Ｔ−Ｂ
ｉ−８４）と従来のＣｕ−Ｍｏ接点材料（サンプルｈｔ
　ｔ　）を比較すると本発明接点材料すべてがＣ（１−
Ｍｏ接点材料より優れ１こしゃ断性能を有していること
をっけＤＯえてお（。

以上の事よりＭｏに対するＴａ添加量が１７．０ｗｔ％
以上であればＢｉ添加量に依らず、Ｃｕｆｌも４０〜６
０ｗｔ％の範囲で従来例である０ｕ−２５Ｃｒ接点材料
より優れたしゃ断性能を示し、Ｍｏに対するＴａ添加量
が８，８ｗｔ％であればＣｕ量が６０ｗｔ％の場合Ｂｉ
添加量は５ｗｔ％まで従来のＣｕ−２５Ｃｒ接点材料よ
り優れ１こしゃ断性能を示し、同じ＜Ｍｏに対するＴａ
添加量が３．８ｗｔ％テ０ｕｉｌが６０及び４０　ｗｔ
％であればＢｉ添加量に依らず、従来例より優れたしゃ
断性能を示しており、従来例であるＣｕ−２５Ｏｒ−Ｂ
ｉ　　と同−Ｂｉ量で比較すれば、本発明接点材料は全
ての成分範囲で優れたしゃ断性能を示している。

又、表５より耐電圧性能に関しても本発明接点材料が従
来例であるＣｕ−２５Ｏｒより優れていることが判り、
耐電圧性能が１以下のものについても、例えばサンプル
Ｔ−Ｂｉ−８７と同等のＢｉ量（１ｗｔ％）を含有しｆ
コＣｕ−２５Ｏｒ−ＩＢｉ材（サンプ／Ｉ／　Ｃ−Ｂ１
−４　　）を比較し１こ場合、Ｔ−Ｂｉ−８７が０．６
４　（Ｃｕ−２５０ｒ比）であルノニ対し、Ｃ−Ｂ１−
４　　が０．８　（Ｃｕ−２５０ｒ比）であり、本発明
接点材料の方が優れ１こ耐電圧性能を示していることが
判る。尚、耐電圧性能の測定方法は次のサイクルを多数
回行うことにより得１こ。■電流投入、■無負荷しゃ断
、■高電圧印加、■高電圧印加による放電の有無チェッ
ク。以上の■〜■で１サイクルとし、このサイクルを多
数回繰返すことで（放電を起こし１こサイクル回数）／
（全サイクル回数）を計算し、この確率が５０％になる
ように印加電圧を調整しに。表６には従来例であるＣｕ
−２５Ｏｒの５０％放電確率電圧値を基準として本発明
接点材料の値を示している。ここで電流条件、接点間隔
等の条件は同一で行つ１こ。第４図はｃｕｂが６０ｗｔ
％である溶浸法により製造され１こ本発明接点材料の耐
電圧性能を示し１５図であり、縦軸は従来例であるＣｕ
−２５Ｃｒ接点材料の性能を基準としＴこ際の耐電圧性
能を示し、横軸はＢｉの添加量を示している。尚Ｂ！添
加量による耐電圧性能変化を表わすため第４図は第４−
１図と第４−２図にＢｉ添加量１ｗｔ％の点で分割して
いる。図中１〜６は第１図と同一接点材料に関するもの
である。第４−１゜４−２図より本発明接点材料（図中
１．２　、　ａ　、　４）゛　が従来例である０ｕ−２
５Ｃτ−Ｂｉ　　接点材料（図中５）より優れているこ
とが判る。又、従来のＣｕ−２５Ｃｒ接点材料と比較し
て、Ｍ□に対するＴａ添加量が３．８ｗｔ％のものはＢ
ｉ添加量が０．２７ｗｔ％まで％Ｍｏに対するＴａ添加
量が１７．０ｗｔ％のものはＢｉ添加量がＱ、４ｗｔ％
まで、　Ｍ□に対するＮｂ添加量が３１．５ｗｔ％のも
のはＢｉ添加量が０．６ｗｔ％まで、　Ｍ□に対するＴ
ａ添加量が４４．１ｗｔ％のものはＢｉ添加量が１．４
ｗｔ％　までの範囲で従来のＣｕ−２５Ｃｒ接点材料よ
り優れた耐電圧性能を有していることが判る。又、第４
−１　、４−２図よりＭｏｌこ対する添加量が多い方が
、Ｂｉ添加量の増加による耐電圧性能低下の度合が少な
いことが判る。

第５図はＣｕ量が５０ｗｔ％である溶浸法により製造し
１こ本発明接点材料の耐電圧性能を示しに図であり、縦
軸と横軸は第４−１　、４−２図と同一である。

第５図も第４図と同様にＢｉ添加量１ｗｔ％の点で分割
してあり、図中７〜１０は第２図と同一接点材料に関す
るものである。第５−１　、５−２図より本発明る０ｕ
−２５Ｃｒ−Ｂｉ　　接点材料（図中５）より優れてい
ることが判る。又、従来のＣｕ−２６Ｃｒ接点材料と比
較して、Ｍｏに対するＴａ添加量が３．８　ｗ　ｔ％の
ものはＢｉ添加量が０．４１ｈｖｔ％まで、Ｍｏに対す
るＴａ添加量が１７．０ｗｔ％のものはＢｉ添加量が０
．９４ｗｔ％まで、Ｍｏニ対するＴａ添加量が８１．５
ｗｔ％のものはＢｉ添加量が３．９ｗｔ％まで、　Ｍｏ
に対する’ｒａＴａ添加量４．１ｗｔ％のものはＢｉ添
加量が２０ｗｔ％までの範囲で従来のＣｕ−２５Ｏｒ　
接点材料より優れ１こ耐電圧性能をイボしていることが
判る。又、第５−１　、５−２図より第４−１゜４−２
図と同様にＭｏｌこ対するＴａ添加量が多い方が、Ｂｉ
添加量の増加による耐電圧性能低下の度合が少ないこと
が判る。又第４−１．４−２図とｆｆ１５−１１５−２
図を比較すると、＠５−１．５−２図の方が全般的に耐
電圧性能が高く、これは本発明接点材料のＣｕ量による
ものと思われ、Ｃｕｆｉが５０ｗｔ％の方が６０Ｗ【％
より優れ１こ耐電圧性能を有している。第６図はＣｕ１
１．が４０ｗｔ％である溶浸法により製造し１こ本発明
接点材料の耐電圧性能を示し１こ図であり、縦軸と横軸
は第４−１．４−２図と同一であり、図中１１〜１４は
第３図と同一接点材料に関するものである。

第６図も第４図と同様にＢｉ添加量ＩＷｊ％の点で分割
しである。第６−１　、６−２図より本発明接点材料（
図中、１１　、１２　、１８　、１４　）が従来例であ
るＣｕ−２５Ｏｒ−Ｂｉ接点材料（図中５）より優れて
いることが判る。又、従来のＣｕ−２５Ｃｒ接点材料と
比較して、Ｍｏに対するＴａ添加量が３．８ｗｔ％のも
のはＢｉ添加量が０．２ｗｔ％まで、Ｍｏに対するＴａ
添加量が１７．０ｗｔ％のものはＢｉ添加量が０．８６
ｗ（％まで、Ｍｏに対するＴａ添加量がａｌ、５ｗｔ％
のものはＢｉ添加量が０．４４ｗｔ％まで、Ｍｏｆこ対
するＴａ添加量が４４．１ｗｔ％のものはＢｉ添加量が
０．５４ｗｔ％までの範囲で従来のＣｕ−２５Ｃｒ接点
材料より優れ１こ耐電圧性能を有していることが判る。

又第６−１　、６−２図に於てもＭｏ　Ｅこ対するＴａ
添加量の多い方が、Ｂｉ添加量の増加による耐電圧性能
低下の度合が少ないことが判る。又、第５−１゜５−２
図と第６−１．６−２を比較すると、第５−１゜５−２
図の方が全般的に耐電圧性能が高く、前述の第４−１　
、４−２図と第５−１　、５−２図の比較と合せると、
ｃｕｉが５０ｗｔ％付近が耐電圧性能が優れていること
が判る。

又、溶浸法で製造した本発明接点材料（サンプルＴ−Ｂ
ｉ　−１＝　Ｔ−１３ｔ−ｓ４）のさい断電流値は表５
よりＢｉ添加量１こ依存していることが判り、Ｂｉ添加
Ｉζよる効果としては１ｗｔ％程度から現れ、以降Ｂｉ
添加ｍ：の増加と共にさい断電流値が減少して行く。さ
い断電流値に影響を与える成分としてはＢｉが主で。

他のＣｕ　、Ｍｏ　、　’ｒａについては本発明接点材
料の成分比範囲内ではあまり影響を与えていない。又、
溶着例外し力については本発明接点材料は、Ｂｉ添加量
として０．１ｗｔ％でかなり効果を示し、それ以ｔでは
測定値が（０）となっている。ここで溶着例外し力の測
定はしゃ断器に組込まれた真空スイッチの接点を閉じた
状態で１２．５　ｋＡの電流を３秒間通電し、その後し
ゃ断器より真空スイッチを取り外し、引張試験機Ｅこよ
り接点間の溶着例外し力を計測し１こ。

従って表５中の浴着例外し力の欄で（０）とあるものは
、引張試験機でテストした際に溶着を起こしていなかつ
ｆこか、もしくは非常に低い溶着例外し力の１こめハン
ドリングで溶着がはずれにものと考えられる、接点消耗
量については溶浸法で得た本発明接点材料はＢｉ添添加
には依らず従来例である０ｕ−２５Ｃｒ接点材料より優
れていることが表５より判る。これは接点材料を構成し
ている成分、主としてＭｏ、Ｔａ及Ｏｕに依るものであ
ると考えられる。

従って、溶浸法で製造した本発明接点材料はさい断電流
値についてはＢｉ添加量が１ｗｔ％以上で効果を示し、
溶着例外し力についてはＢｉ添加量が０．１ｗｔ％以上
で充分効果があり、接点消耗量については、接点材料の
成゛分としてのＣｕ　、　Ｍｏ，’ｌ’、１及Ｂｉを含
有した表４に示す成分範囲すなわちＣｕ層が４０〜６０
ｗｔ％。

Ｍｏに対するＴａ添加量が３．８〜４４．１　ｗ　ｔ％
Ｂｉが０．１〜２０ｗｔ％の範囲で良好な性能を示した
。

以上の事より溶浸法で製造した本発明接点材料はＯｕが
８２．６〜６５．９ｗｔ％、Ｍｏが２６．８〜６１．５
ｗｔ％、Ｔａが３．９〜２９．７ｗｔ％、Ｂｉが０．１
〜２０ｗｔ％の範囲で良好な性能を示すことが判る。

第２の粉末焼結法で製造しｒ、＝本発明接点材料の諸性
能についても表５にＴ−Ｂｉ−８５〜Ｔ−Ｂｉ−１８２
のサンプルとして掲げである。しゃ断性能については表
５より明らかなよう（こ、全て、従来例であるＣｕ−２
５Ｃｒ　（サンプルＣ−１）より優れｔこしゃ断性能を
有していることが判る。＠７図はＣｕ量が７５ｗｔ％で
ある粉末焼結法により製造し１こ本発明接点材料のしゃ
断性能を示したもので、縦軸は従来のＣｕ−２５Ｃｒ接
点材料の性能を基準とした際のしゃ断性能を表わし、横
軸はＢｉ添加量を示している。図中１５はＭｏｆこ対す
るＴａ添加量が３．８ｗｔ％でＢｉ添加旦を変化させた
材料（サンプルＴ−Ｂｉ−８５、Ｔ−Ｂｉ−９８、Ｔ−
Ｂｉ　−１０１、Ｔ−Ｂｉ−１０９、Ｔ−Ｂｉ−１１７
、Ｔ−Ｂｉ−１２５）について示し、図中１６は同じ＜
　Ｍｏに対する’ｒａＴａ添加量７．０ｗｔ％でＢｉ津
加量を変化させた材料（サンプルＴ−Ｂｉ−８６、Ｔ−
Ｂｉ−９４、Ｔ−Ｂｉ−１０２、Ｔ−Ｂｆ−１１０、Ｔ
−Ｂｉ−１１８、Ｔ−Ｂｉ−１２６）について、図中１
７はＭ□＋ζ対するＴａ添加量が８１．５ｗｔ％でＢｉ
添加量を変化させ１こ材料（サンプルＴ−Ｂｉ−ｓ７．
　Ｔ−Ｂｔ−ｓ５．　Ｔ−Ｂｉ−１ｏａ　、　Ｔ−Ｂｔ
−ｏｘ　、　Ｔ−Ｂｉ−１１９、ＴＪｉ−１２７）につ
いて、図中１８はＭｏに対するＴａ添加量が４４．１ｗ
ｔ％でＢｉ添加量を変化させた材料（サンプルＴ−Ｂｉ
　−８８、Ｔ−Ｂｉ−９６、Ｔ−Ｂｉ−１０４、Ｔ−Ｂ
ｉ−１１２、Ｔ−Ｂｉ　−１２０、Ｔ−Ｂｉ−１２１３
）について各々示している。第７図より、Ｂｉ添加量の
増加と共に、本発明接点材料のしゃ断性能が低下してい
るが、従来例であるＣｕ−２５Ｏｒ接点材料より優れた
性能を示していることが判る。又、これよりＣｕ量が７
５ｗｔ％である粉末焼結法により製造された本発明接点
材料はＭｏに対する’ｒａＴａ添加量、８〜４４．１ｗ
ｔ％でＢｉ添加量が２０ｗｔ％までの範囲で優れたしゃ
断性能を有していることが判る。第８図はＣｕ量が６ｏ
ｗｔ％である粉末焼結法により製造した本発明接点材料
のしゃ断性能を示したもので、縦軸及横軸は第７図と同
一である。図中１９はＭｏに対するＴａ添ＴＭ象が３．
８ｗｔ％でＢｉ添加量を変化させた材料（サンプルＴ−
Ｂｉ−８９゜Ｔ−Ｂｉ−９７、Ｔ−Ｂｉ−１０５、Ｔ−
Ｂｉ−１１８、Ｔ−Ｂｉ−１２１、Ｔ−Ｂｉ−１２９）
について示し、図中２０はＭｏに対するＴａ添加量が１
７．０ｗｔ％でＢｉ添加量を変化させた材料（サンプ／
ｌ／　Ｔ−Ｂｔ−９ｏ　、　Ｔ−Ｂｉ−９ｓ　、　Ｔ−
Ｂｉ−ｔｏｅ　、　Ｔ−Ｂｔ−ｔ１４．　Ｔ−Ｂｉ−１
２２、Ｔ−Ｂｉ−１８０）　ｆζついて示し、図中２１
はＭｏに対するＴａ添加量が８１．５ｗｔ％でＢｉ添加
凰を変化させ１こ材料（サンプ／Ｌ／　Ｔ−Ｂｉ−９１
、Ｔ−Ｂｉ−９９、Ｔ−Ｂｉ−１０７。

Ｔ−Ｂｉ−１１５、Ｔ−Ｂｉ−１２８、Ｔ−Ｂｉ−１８
１）について示し、図中２２はＭｏに対するＴａ添加量
が４４．１ｗｔ％でＢｉ添加量を変化させた材料（サン
プルＴＪｉ−９２、Ｔ−Ｂｉ　−１００、Ｔ−Ｂｉ−１
０８、Ｔ−Ｂｉ−１１６、’Ｉ’−Ｂｉ−１２４　、　
’Ｉ’−Ｂｉ−１８２）について示している。第８図よ
り、Ｂｉ添加量の増加と共に１本発明接点材料のしゃ断
性能が低下しているが、従来例であるＣｕ−２５Ｃ！ｒ
接点材料より優れたしゃ断性能を示していることが判る
。又、これよすＣｕ！Ｌが６０ｗｔ％である粉末焼結法
により製造された本発明接点材料はＭｏに対するＴａ添
加量が３．８〜４４．１ｗｔ％でＢｉ添加量が２０ｗｔ
％までの範囲で便れたしゃ断性能を有していることが判
る。０ｕｆｉｌの違いによるしゃ断性能の差は第７図及
第８図より。

絢に対するＴａ添加量が３．８　Ｗ　ｔ％品についてＢ
ｉ添加量が少い場合はＣｕ量が７５ｗｔ％の方が優れて
おり、Ｂ１添加量が多くなるとしゃ断性能の差が少なく
なる、もしくはほぼ同一（ζなる傾向があり、Ｍｏに対
するＴａｉ加１が１７．０ｗｔ％、８１．５ｗｔ％及４
４．１ｗｔ％品については、Ｃｕ量が６０ｗｔ％の方が
同等もしくはそれ以上の性能を示している。但し、Ｂｉ
添加量の増加によるしゃ断性能低下の度合はＯｕ量６０
ｗｔ％の方が小さい。以上の事よりＭｏに対するＴａ添
加量が３．８ｗｔ％以上であればＢｉ添加量に依らず、
Ｃｕ量も６０〜７５ｗｔ％の範囲で従来例であるＣｕ−
２５Ｏｒ接点材料より優れたしゃ断性能を示し、同−Ｂ
ｉ含有量といった点で従来のＣｕ−２５Ｏｒ−Ｂｉ接点
材料と比較しても、本発明接点材料は全ての成分範囲で
優れたしゃ断性能を有している。

又、表５よりｉ電圧性能に関しても、粉末焼結法により
製造されＴコ本発明接点材料はＢｉ添加量が少い場合、
従来例であるＣｕ−２５Ｏｒ接点材料より優れているこ
とが判る。第９図はＯｕｉが７５ｗｔ％である粉末焼結
法により得られた本発明接点材料の耐電圧性能を示し１
こ図であり、縦軸は従来例であるＣｕ−２５Ｏｒ接点材
料の性能を基準とした際の耐電圧性能を示し、横軸はＢ
ｉの添加量を示している。尚＠９図は前述の第４図と同
様にＢｉ（ｉ１ｗｔ％の点で第９−１図と第９−２図に
分割してい゛る。図中１６〜１８は第７図と同一接点材
料に関するものである。第９−１　、９−２図より本発
明接点材料（図中１５　、１６　。

１７　、　ｔ８　）が従来例である０ｕ−２５Ｏｒ−Ｂ
ｉ接点材料（図中６）より優れ７：１ｔｆｌ！圧性能を
有していることが判る。又、従来のＣｕ−２５Ｏｒ接点
材料と比較してＭｏに対するＴａ添加量が３．８ｗｔ％
のものはＢｉ添加量が０．１８ｗｔ％まで１Ｍｏｆζ対
するＴａ添加量が１７．０ｗｔ％のものはＢｉ添加量が
０．２８ｗｔ％まで、Ｍｏに対するＴａ添加量が８１．
５ｗｔ％のものはＢｉ添加量が０４１ｗｔ％まで１Ｍｏ
に対するＴａ添加量が４４．１ｗｔ％のものはＢｉ添加
量が０．８２ｗｔ％までの範囲で従来のＣｕ−２５Ｏｒ
接点材料より優れた耐電圧性能を有していることが判る
。又、第９−１　、９−２図より１Ｍｏに対する’ｒａ
Ｔａ添加量い方が、Ｂｉ添加量の増加による耐電圧性能
低下の度合が少ないことが判る。第１０図はＣｕ量が６
０ｗｔ％である粉末焼結法により得られた本発明接点材
料の耐電圧性能を示した図であり、縦軸及び横軸は第９
図と同一である。又、第１０図もＢｉ凰１ｗｔ％の点で
第１０−１図と第１０−２図に分割している。図中１９
〜２２は第８図と同一接点材料に関するものである。＠
　１０−１　、１０−２　　図より本発明接点材料（図
中１９　、２０　、２１　、２２　）が従来例であるＣ
ｕ−２５Ｏｒ−Ｂｉ接点材料（図中５）より優れた耐電
圧性能を有していることが判る。又、従来ＧＤＣｕ−２
５Ｏｒ接点材料と比較して、Ｍｏｌζ対するＴａ添加量
が３．８ｗｔ％のものはＢｉ添加量が０．２６ｗｔ％ま
で、Ｍｏに対するＴａ添加量が１７．０ｗｔ％のものは
Ｂｉ添加量が０．５ｗｔ％まで、Ｍｏに対するＴａ添加
量が８１．５ｗｔ％のものはＢｉ添加量が１．２ｗｔ％
　まで、Ｍｏに対するＴａ添加量が４４．１ｗｔ％のも
のはＢｉ添加量が３．６　ｗ　ｔ％までの範囲で従来の
Ｃｕ−２５Ｃｒ接点材料より優れた耐電圧性能を有して
いることが判る。又、第１０−１．１０−２図よりＭｏ
に対するＴａ添加量の多い方が、Ｂｉ添加量の増加によ
る耐電圧性能低下の度合が少ないことが判る。又、＠　
９−１　、９−２図と第１０−１．１０−２図を比較す
ると、Ｃｕ量が６０ｗｔ％品の方が７５ｗｔ％品より耐
電圧性能が高いことが判る。

又、粉末焼結法で製造した本発明接点材料（サンプルＴ
−Ｂｉ−８５〜Ｔ−Ｂｉ−１８２）のさい断電流値は表
５よりＢｉ添加量に依存していることが判り、Ｂｉ添加
による効果としては１ｗｔ％程度から現れ、以降Ｂｉ添
加量の増加と共にさい断電流値が減少して行く。又、溶
着４外し力については本発明接点材料はＢｉ添加量とし
て０．１　Ｗ　ｔ％でかなり効果を示し、それ以とでは
測定値が（０）となっている。接点消耗量については粉
末焼結法で得た本発明材料はＢｉ添加量には依らず、Ｃ
ｕ量及成分に依存している。ここでＣＵ量が６０ｗｔ％
品については接点消耗量が従来のＣｕ−２５Ｃｒ接点材
料に比べ０．２〜０．８倍という優れｔこ性能を示し、
かつ前述の溶浸法により得た本発明接点材料と同じ性能
を示しており、一方Ｃｕｂが７５ｗｔ％品については０
．５〜０．７倍という性能であることから、Ｃｕ量が６
０ｗｔ％より少なくなると接点消耗量の変化が余り見ら
れないようになることが判る。又、ＣＵａが７５ｗ（％
である本発明接点材料と従来例であ７，０ｕ−２５Ｏｒ
もしくはＣｕ−２５Ｃｒ−ＩＪ接点材料を比較すると１
本発明接点材料の接点消耗量が０．５〜０゜７という事
で、この違いは接点材料を構成している成分の違いによ
るものと考えられる。従って粉末焼結法で製造した本発
明接点材料はさい断電流値についてはＢｉ添加量が１ｗ
ｔ％以とで効果を示し、溶着４外し力についてはＢｉ添
加量が０．１ｗｔ％以上で充分効果があり、接点消耗量
についてはＣＵ量が６０〜７５ｗｔ％、Ｍｏに対する’
ｒａ添加量が３．８〜４４．１ｗｔ％、Ｂｉが０．１〜
２０ｗｔ％の範囲で良好な性能を示した。

以との事より、粉末焼結法で製造した本発明接点材料は
Ｃｕが６０〜７５ｗｔ％、Ｍｏが１４．０〜Ｂ　６．５
　ｗｔ％、Ｔａが２．２〜１７．６ｗｔ％、Ｂｉが０．
１〜２０ｗｔ％の範囲で良好な性能を示すことが判る。

第８の真空ホットプレス法で製造した本発明接点材料の
諸性能についても表５にＴ−Ｂｉ−ｔａｇ〜Ｔ−Ｂｉ−
１８０のサンプルとして掲げである。しゃ断性能につい
ては表５より明らかなように、全て従来例である０ｕ−
２５Ｃｒ接点材料より優れたしゃ断性能を有しているこ
とが判る。第１１図はＯｕｉが７５ｗｔ％である真空ホ
ットプレス法により得られた本発明接点材料のしゃ断性
能を示したもので、縦軸は従来のＣｕ−２５Ｃｒ接点材
料の性能を基準としに際のしゃ断性能を表わし、横軸は
Ｂｉ添加量を示している。

図中２８はＭｏに対するＴａ添加量が３．８ｗｔ％でＢ
ｉ添加量を変化させた材料（サンプルＴ　Ｂ１−１ｆ３
３　、　Ｔ−Ｂｉ　−ｑＪｑ　　　ＩＴ＋−ロ！　１１
＾　　甲−ｎニー９ｅｎ　　　甲−ロ：ｑｅｅ　　　甲
　ロニ　ｑＰＩｎ＼について示し１図中２４はＭｏに対
するＴ、添加量が１７．０ｗｔ％でＢｉ添加量を変化さ
せた材料（サンプルＴ−Ｂｉ−１８４、Ｔ−Ｂｉ−１４
２、Ｔ−Ｂｉ−１５０、Ｔ−Ｂｉ−１５８、Ｔ−Ｂｉ−
１６６、’Ｔ−Ｂｉ　−１７４）について示し、図中２
５はＭｏに対するＴ、添加量が８１．５ｗｔ％でＢｉ添
加量を変化させた材料（サンプルＴ−Ｂｉ−１８５、Ｔ
−Ｂｉ−１４８、Ｔ−Ｂｉ−１５１。

Ｔ−Ｂｉ−１５９、Ｔ−Ｂｉ−１６７、Ｔ−Ｂｉ−ｔ７
５　）について示し、図中２６はＭｏに対するＴａ添加
量が４４．１ｗｔ％でＢｉ添加保を変化させずこ材料（
サンプルＴ＝Ｂｉ−１３６、Ｔ−ＪＪ　−１４４、Ｔ−
Ｂｉ−１５２、Ｔ−Ｂｉ−１６０、Ｔ−Ｂｉ−１６８、
Ｔ−Ｂｉ−１７６）について示している。第１１図より
Ｂｉ添加量の増加と共に、本発明接点材料のしゃ断性能
が低下しているが、従来例であるＣ！ｕ−２５Ｃｒ接点
材料より優れ１こしゃ断性能を有していることが判る。

又、第１１図よりＣｕ量が７５ｗｔ％である真空ホット
プレス法により製造された本発明接点材料はＭｏに対す
るＴａ添加量が３．８〜４４．１ｗｔ％でＢｉ添加量が
２０ｗｔ％までの範囲で優れｔこしゃ断性能を有してい
ることが判；６゜第１２図はＣｕｉが６０ｗｔ％である
真空ホットプレス法ｒｒ　　＋−ｈ　　４Ｍ　　己　稍
　ず−　十ｘ８　日日　序　占　太オｖ１　の　１、（
ｂ　涼丘　ゼ七　含旨　ル　示したもので、縦軸及び横
軸は第１１図と同一である。

図中２７はＭｏに対するＴａ添加量が３．８　ｗ　ｔ％
でＢｉ添加量を変化させた材料（サンプルＴ−Ｂｉ−１
８７、Ｔ−Ｂｉ　−１４５、Ｔ−Ｂｉ−１５８、Ｔ−Ｂ
ｉ−１６１、Ｔ−Ｂｉ−１６９、Ｔ−Ｂｉ−１７７）に
ついて示し、図中２８はＭｏに対するＴａ添加量が１７
．０ｗｔ％でＢｉ添加量を変化させた材料（サンプルＴ
−Ｂｉ−１８８、Ｔ−Ｂｉ　−１４６、Ｔ−Ｂｉ−１５
４、Ｔ−Ｂｉ−１６２、Ｔ−Ｂｉ−１７０、Ｔ−Ｂｉ　
−１７８）について示し、図中２９はＭｏに対するＴａ
添加量が３１．５ｗｔ％でＢｉ添加量を変化させた材料
（サシプルＴ−Ｂｉ−１８９、Ｔ−Ｂｉ−１４７、Ｔ−
Ｂｉ−１５５。

Ｔ−Ｂｉ−１６８、Ｔ−Ｂｉ−１７１、Ｔ−Ｂｉ−１７
９）について示し、図中８０はＭｏに対するＴａ添加量
が４４．１ｗｔ％でＢｉ添加量を変化させた材料（サン
プルＴＪｉ−１４０、Ｔ−Ｂｉ−１４８、Ｔ’−Ｂｉ−
ｔ５６　、　Ｔ−Ｂｉ−１６４、Ｔ−Ｂｉ−１Ｔ２　、
　Ｔ−Ｂｉ−１８０）について示している。第１２図よ
りＢｉ添加量の増加と共に、本発明接点材料のしゃ断性
能が低下しているが、従来例であるＣｕ−２５Ｏｒ接点
材料より優れ１こしゃ断性能を有していることが判る。

又、第１２図よりＣｕ量が６０ｗｔ％である真空ホット
プレス法により製造された本発明接点材料はＭｏに対す
るＴａ添加量が３．８〜４４．１ｗｔ％でＢｉ添加量が
２０ｗｔ％までの範囲で優れたしゃ断性能を有している
ことが判る。

Ｃｕ量の違いによるしゃ断性能の差は第１１図及び第１
２図より、全般的にＣｕ量が６０ｗｔ％品の方が高い傾
向にある。以との事よりＣｕ量が６０〜７５ｗｔ％で、
　Ｍｏに対するＮｂ添加量が３．８〜４４．１ｗｔ％で
％Ｂｌ添加量が２０ｗｔ％までの範囲の本発明接点材料
は従来のＣｕ−２５Ｏｒ接点材料より優れＴこしゃ断性
能を有している。

又、表５より耐電圧性能に関しても、真空ホットプレス
法により製造された本発明接点材料はＢｉ添加量が少い
場合、従来例である０ｕ−２５Ｏｒ接点材料より優れて
いることが判る。第１８図はＣｕ量が７５ｗｔ％である
真空ホットプレス法により得られた本発明接点材料の耐
電圧性能を示し１こ図であり、縦軸は従来例であるＣｕ
−２５Ｏｒ接点材料の性能を基準とした際の耐電圧性能
を示し、横軸はＢｉの添加量を示している。尚第１ａ図
は第４図と同様にＢ１１１ｗｔ％の点で第１８−１図と
第１８−２図に分割している。図中２３〜２６は第１１
図と同一接点材料に関するものである。第１８−１　、
１８−２　図より本発明接点材料（図中ｊｌｌｌ　、　
２４　、２５　、２６　）が従来例であるＣｕ−２５Ｏ
ｒ　−Ｂ　ｉ接点材料（図中５）より優れ１こ耐電圧性
能を有していることが判る。又、従来のＣｕ−２５Ｏｒ
接点材料と比較してＭｏに対するＴａ添加量が３．８ｗ
ｔ％のものはＢｉ添加量が０．１５ｗｔ％まで、Ｍｏに
対するＴａ添加量が１７．０ｗｔ％のものはＢｉ添加量
が０．２５ｗｔ％まで、Ｍｏに対するＴａ添加量が８１
．５ｗｔ％のものはＢｉ添加量が０．２８ｗｔ％まで、
Ｍｏに対する’ｒａＴａ添加量４．１ｗｔ％のものはＢ
ｉ添加量が０．２９ｗｔ％までの範囲で従来のＣｕ−２
５Ｏｒ接点材料より優れた耐電圧性能を有していること
が判る。又、第１８−１．１３−２図より、Ｍｏに対す
るＴａ添加量の多い方がＢｉ添加による耐電圧性能低下
の度合が少ないことが判る。第１４図はＣｕ量が６０ｗ
ｔ％である真空ホットプレス法より得られ１こ本発明接
点材料の耐電圧性能を示した図であり、縦軸及び横軸は
第１８図と同一である。又、第１４図もＢ１ｆｆ１１ｗ
ｔ％の点で第１４−１図と第１４−２図に分割している
。図中２７〜８０は第１２図と同一接点材料に関するも
のである。第１４−１　、１４−２　図より本発明接点
材料（図中２７　、２８　、２９　、８０　）が従来例
である０ｕ−２５Ｏｒ−Ｂｉ接点材料（図中５）より優
れた耐電圧性能を有していることが判る。又、従来（７
）　Ｃｕ−２５Ｏｒ接点材料と比較して、Ｍｏに対する
Ｔａｉ加量がｓ、ｓｗｔ％のものはＢｉ添加量がＯＪ２
ｗｔ％まで、鳩に対するＴａ添加量が１７．０ｗｔ％の
ものはＢｉ添加量が０．５４ｗｔ％まで、　Ｎｏに対す
る’ｒａ添加１が３１．５ｗｔ％のものはＢｉ添加量が
２．５ｗｔ％まで、Ｍｏ）こ対するＴａ添加量が４４．
１ｗｔ％のものはＢｉ添加量が７ｗｔ％までの範囲で従
来の０ｕ−２５Ｏｒ接点材料より優れ１こ耐電圧性能を
有していることが判る。又、第１４−１　。

１４−２図よりＭｏに対するＴａ添加量の多い方がＢｉ
添加による耐電圧性能低下の度合が少ないことが判る。

又％１．ａ−１、１８−２図と１４−１．１４−２図を
比較すると、０ｕｆｆｉが６０ｗｔ％品の方が７５ｗｔ
％品より優れた耐電圧性能を有していることが判る。

又、真空ホットプレス法で製造した本発明接点材料（サ
ンプルＴ−Ｂｉ−１１８〜Ｔ−Ｂｉ　−１８０）のさい
断電流値は表５よりＢｉ添加量に依存していることが判
り、Ｂｉ添加による効果としてはＩｗｔ％程度から現れ
、以降Ｂｉ添加量の増加と共にさい断電流値が減少して
行く。又、溶着例外し力については本発明接点材料はＢ
ｉ添加量として０．１ｗｔ％でかなり効果を示し、それ
以上では測定値が（０）となっている。

接点消耗量についてはＢｉｆｉに依らず、ＣｕＱ及成分
成分存している。ここでＣｕｔが６０ｗｔ％品について
は粉末焼結により得られＴコ本発明接点材料の場合と同
じく、接点消耗量が従来のＣｕ−２５Ｃｒ接点材料に比
べ０．２〜０．８倍という優れＴこ性能を示し、前述し
１こ本発明接点材料と同等の性能を示しており、一方Ｃ
ｕ量が７５ｗｔ％品については０．５〜０．７倍と、こ
れも粉末焼結法で得られた本発明接点材料と同等の性能
を示していることから、Ｃｕ量が６０ｗｔ％より減少す
ると接点消耗風の変化が余り見られないようになること
が判る。又、Ｃｕｔが７５ｗｔ％である本発明接点材料
と従来例であるＣｕ−２５ＣｒもしくはＣｕ−２５Ｏｒ
−Ｂｉ　　接点材料を比較すると、本発明接点材料の接
点消耗量が０．５〜０．７倍と低く、この違いは接点材
料゛を構成している成分の違いによるものと考えられる
。従って真空ホットプレス法で製造し１こ本発明接点材
料はさい断電流値についてはＢｉ添加量がＸｗｔ％以と
で効果を示し、溶着例外し力１こついてはＢｉ添加量が
０．１ｗｔ％以とで充分効果があり、接点消耗量につい
てはＣｕ量が６０〜７５Ｗ【％、Ｍ。

に対するＴａ添加量が３．８〜４４．１　ｗ　ｔ％、Ｂ
ｉ量が０．１〜２Ｑｗｔ％の範囲で良好な性能を示しｆ
二。

以との事により、真空ホットプレス法で製造した本発明
接点材料はＣＵが６０〜７５ｗｔ％、Ｍｏが１４．０〜
Ｂ６．５ｗｔ％、Ｔａが２．２〜１７．６ｗｔ％、Ｂｉ
が０．１〜２０ｗｔ％の範囲で良好な性能を示すことが
判る。

尚、Ｌ記実流側ではＣｕ−Ｍｏ−Ｔａ　　にＢｉを添加
し１こ接点材料を示し１こが、Ｂｉに代えて、Ｔｅ、８
ｂ、Ｔｉ！。

Ｐｂでもよく、又これら低融点材料を１挿置と添加して
もよい。表７にそのサンプルを示す。成分配合比は上記
実施例を参考にし、サンプルとして低融点材料の添加量
を最大２０ｗｔ％とし、この点で従来例と比較した。製
造方法は各サンプルＮＯ末尾１〜８が溶着法、４，６が
粉末焼結法、６．７が真空ホットプレス法である。接点
形状、実験方法もと記実流側と同一であり、測定結果を
表８Ｉこ示す。

表８より、’ｒｅ、　８ｂ　、　ＴＪ　、　Ｐｂ　、及
Ｂ１−Ｔｅを添加した本発明接点材料はしゃ断性能につ
いては各低融点成分を２Ｑｗｔ％含有しｙ、＝もの（Ｔ
−Ｔ、−２、’ｒ−’ｒｅ−Ｂ　。

Ｔ−’ｒ、−５　、　Ｔ−Ｔｇ−７、Ｔ−８ｂ　−２、
、Ｔ−８ｂ−８、’ｒ−ｓｂ−ｓ　、　Ｔ−８ｂ−７、
Ｔ−ＴＪ−２、Ｔ−Ｔｌ−８、’ｒ−’ｒｇ−ｓ　、　
Ｔ−Ｔｇ−７、Ｔ−Ｐｂ−２。

’ｒ、ｐｂ−Ｂ　、　Ｔ−Ｐｂ−５、Ｔ−Ｐｂ−’ｙ　
、　Ｔ−ＢＴ−２、Ｔ−ＢＴ　−８、Ｔ−ＢＴ−５、Ｔ
−ＢＴ−７）が従来例であるサンプルＣ−Ｂ〜７より優
れ１こしゃ断性能を有し、耐電圧性能ｌこついても同様
に本発明接点材料が優れていることが判る。

又、低融点成分の種類により、しゃ断性能についてはＢ
ｉとＴｅを含有しているものがしゃ断性能の低下が比較
的少なく　、　Ｐｂを含有しているものが、本発明接点
材料の中では劣っていることが判る。又、Ｂｉもしくは
Ｔｅ単体で２０ｗｔ％添加するより、各々１０ｗｔ％づ
つ全体で２０ｗｔ％添加し１こ方がしゃ断性能が優れて
おり、他の低融点成分についても同様の効果が期待出来
る。一方、さい断電流値、溶着例外し力、接点消耗量に
ついては添加する低融点成分に余り依存していないこと
が表８より判る。

従って、表８で示し１こ本発明接点材料の性能は基本的
には先に表１９表２９表８で示したＢｉを添加した接点
材料と同様と考えられ、溶浸法により製造されたものは
０．量が３２．６〜６５．９　ｗ　ｔ％、Ｍｏに対する
Ｔａ添加量が３．８〜４４．Ｉｗｔ％即ちＭｏが２６．
８〜６１．５ｗｔ％　％Ｔ３が１９〜２９．７　ｗ　ｔ
％で’ｒｅ　、８ｂ　、’ｒ／　、　Ｐｂ、　Ｂｉ等の
１挿置との低融点材料が０．１−２０ｗｔ％　までの範
囲で優れ１こ性能を示し、粉末焼結法もしくは真空ホッ
トプレス法ｌζより製造されｆこものはＣｕ量が６０〜
７５ｗ【％、Ｍｏに対するＴａ添加量が３．８〜４４．
１　ｗ　ｔ％即ちＭｏが１４．０〜３６．５ｗｔ％、Ｔ
ａが２．２〜１７．６　ｗ　ｔ％でＴｅ、　Ｓｂ　。

Ｔｌ　、　Ｐｉ）　、　Ｂｉ等の１種以上の低融点材料
が２０ｗｔ％までの範囲で優れ１こ性能を示す。

以上のように、Ｌ記説明はＣ，が８２．６〜７５ｗｔ％
。

Ｍｏが１４．０〜６１．５ｗｔ％、Ｔａが２．２〜２９
．７　ｗ　ｔ％、１種以上の低融点材料が０．１〜２０
ｗｔ％　の範囲の本発明接点材料について行ったが、実
用と優効な接点材料の成分範囲はさらに広いものと考え
られ、例えばＯｕは３０〜８０ｗｔ％　、Ｍｏに対する
Ｔａ添加量としては２〜５５ｗｔ％、即ちＭｏが９〜６
３．６ｗｔ％、Ｔａが０．４〜８３．５ｗｔ％、１挿置
りの低融点材料は０．０５〜２５ｗｔ％といつた範囲で
も、用途に合わせて選択出来るものと考えられる。

〔発明の効果〕

以とのように、この発明によれば真空しゃ断器の電極に
ＣｕとＭｏとＴａと１挿置との低融点材料を含有しＴこ
接点材料を用い１二ので、性能の優れた真空しゃ断器を
得られた。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図、第３図はこの発明の一実施例である溶
浸法により製造された接点材料のしゃ断性能を示すグラ
フ、第４図、第６図、第６図はこの発明の一実施例であ
る溶浸法により製造された接点材料の耐電圧性能を示す
グラフ、第７図、第８図はこの発明の一実施例である粉
末焼結法により製造された接点材料のしゃ断性能を示す
グラフ、第９図、第１０図はこの発明の一実施例である
粉末焼結法により製造された接点材料の耐電圧性能を示
すグラフ、第１１図、第１２図はこの発明の一実施例で
ある真空ホットプレス法により製造された接点材料のし
ゃ断性能を示すグラフ、第１８図、第１４図はこの発明
の一実施例である真空ホットプレス法により製造された
接点材料の耐電圧性能を示すグラフである。

Claims

【特許請求の範囲】１、銅とモリブデンとタンタルを含有し、低融点材料を
１種以上含有したことを特徴とする真空しや断器用接点
材料。２、銅が３０重量％から８０重量％、Ｍｏが９重量％か
ら６８．６重量％、Ｔａが０．４重量％から３８．５重
量％、１種以上の低融点材料が０．０５重量％から２５
重量％の範囲にあることを特徴とする特許請求の範囲第
１項に記載の真空しや断器用接点材料。３、銅が３２．６重量％から７５重量％、Ｍｏが１４重
量％から６１．５重量％、Ｔａが２．２重量％から２９
．７重量％、１種以上の低融点材料が０．１重量％から
２０重量％の範囲にあることを特徴とする特許請求の範
囲第１項に記載の真空しや断器用接点材料。４、銅が３２．６重量％から６５．９重量％、Ｍｏが２
６．８重量％から６１．５重量％、Ｔａが３．９重量％
から２９．７重量％、１種以上の低融点材料が０．１重
量％から２０重量％の範囲にあり、溶浸法で製造したこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の真空しや
断器用接点材料。５、銅が６０重量％から７５重量％、Ｍｏが１４重量％
から８６．５重量％、Ｔａが２．２重量％から１７．６
重量％、１種以上の低融点材料が０．１重量％から２０
重量％の範囲にあり、粉末焼結法で製造したことを特徴
とする特許請求の範囲第１項に記載の真空しや断器用接
点材料。６、銅が６０重量％から７５重量％、Ｍｏが１４重量％
から３６．５重量％、Ｔａが２．２重量％から１７．６
重量％、１種以上の低融点材料が０．１重量％から２０
重量％の範囲にあり、真空ホットプレス法で製造したこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の真空しや
断器用接点材料。７、低融点材料がビスマス、テルル、アンチモン、鉛、
タリウムの中から選ばれることを特徴とする特許請求の
範囲第１項、第２項、第３項、第４項、第５項、第６項
のいづれかに記載の真空しや断器用接点材料。