JPS62162308A - 電圧非直線抵抗体の製造方法 - Google Patents
電圧非直線抵抗体の製造方法Info
- Publication number
- JPS62162308A JPS62162308A JP61004534A JP453486A JPS62162308A JP S62162308 A JPS62162308 A JP S62162308A JP 61004534 A JP61004534 A JP 61004534A JP 453486 A JP453486 A JP 453486A JP S62162308 A JPS62162308 A JP S62162308A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- manufacture
- resistance element
- voltage characteristics
- calcined
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- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、薄型の電圧非直線抵抗体の製造方法に関する
ものである。
ものである。
従来の技術
たとえば、酸化亜鉛を主成分とする電圧非直線抵抗体は
、著しい非オーミ・ツク性を特徴とし、電圧の安定化や
サージ吸収を目的としてエレクトロニクス機器の回路保
護用素子として広く使用されている。そして、最近では
エレクトロニクス機器の高性能化、低電圧化、小型が進
み、これに即応(7て、低バリスタ電圧、高サージ耐量
を特徴とする酸化亜鉛が主成分となる電圧非直線抵抗体
が要求されている。
、著しい非オーミ・ツク性を特徴とし、電圧の安定化や
サージ吸収を目的としてエレクトロニクス機器の回路保
護用素子として広く使用されている。そして、最近では
エレクトロニクス機器の高性能化、低電圧化、小型が進
み、これに即応(7て、低バリスタ電圧、高サージ耐量
を特徴とする酸化亜鉛が主成分となる電圧非直線抵抗体
が要求されている。
以下に第3図に従って従来の電圧非直線抵抗の製造方法
について説明する。酸化亜鉛を主成分とする原料粉体を
混合、粉砕しく工程A)Too〜900’Cで仮焼(工
程B)、粉砕(工程C)する。
について説明する。酸化亜鉛を主成分とする原料粉体を
混合、粉砕しく工程A)Too〜900’Cで仮焼(工
程B)、粉砕(工程C)する。
そして、水と有機バインダーで成形(工程D)後、12
oo〜140o″Cの空気中で焼成(工程E)するとい
う方法が行われていた。
oo〜140o″Cの空気中で焼成(工程E)するとい
う方法が行われていた。
発明が解決しようとする問題点
このような従来の製造方法では、仮焼粉の粒径にバラツ
キが大きいため、第4図のように焼結体の結晶粒径1b
、10にバラツキがでてくる。この結晶粒径のバラツキ
は、素子の厚みが厚い場合は大きな影響を与えないが、
素子が薄くなった場合、第4図に示すように、両電極間
に存在する結晶数に差が生じ電流が素子内を不均一に流
れて、サージ耐量が低下するという問題があった。そこ
で本発明は、このような問題を解決するもので、焼結体
の結晶粒径を均一にし、サージ耐量が低下しない抵抗体
の製造を目的とする。
キが大きいため、第4図のように焼結体の結晶粒径1b
、10にバラツキがでてくる。この結晶粒径のバラツキ
は、素子の厚みが厚い場合は大きな影響を与えないが、
素子が薄くなった場合、第4図に示すように、両電極間
に存在する結晶数に差が生じ電流が素子内を不均一に流
れて、サージ耐量が低下するという問題があった。そこ
で本発明は、このような問題を解決するもので、焼結体
の結晶粒径を均一にし、サージ耐量が低下しない抵抗体
の製造を目的とする。
問題点を解決するための手段
この問題点を解決するために本発明は、仮焼、粉砕後、
分級された酸化亜鉛を主成分とする仮焼粉を用いて、成
形、焼成を行っている。
分級された酸化亜鉛を主成分とする仮焼粉を用いて、成
形、焼成を行っている。
作用
本発明により、焼結体中の結晶の粒径が均一になり電流
が均等に両電極間に流れ、薄型の素子でもサージ耐量の
低下を防ぐことができる。
が均等に両電極間に流れ、薄型の素子でもサージ耐量の
低下を防ぐことができる。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。第1図は、本発明の製造工程を示したものであ
る。
明する。第1図は、本発明の製造工程を示したものであ
る。
まず、酸化亜鉛に添加物を加え、ポール粉砕によって充
分に粉砕、混合を行う(工程a)。こね。
分に粉砕、混合を行う(工程a)。こね。
を600°C〜1o00°Cの各温度で仮焼全行う(工
程b)。この仮焼体を充分にボール粉砕しく工程C)、
分級機により211m未満、 2〜41Lm。
程b)。この仮焼体を充分にボール粉砕しく工程C)、
分級機により211m未満、 2〜41Lm。
4〜6μm、6μm以上と4つに分級し、仮焼粉体粒径
の均一化を行う(工程d)。この各粉体に水とポリビニ
ルアルコールからなる有機バインダーを適量添加し、金
型への充填性を良くし、反応性を良くするために造粒を
行う(工程e)。そして、圧力1 tglcylで、第
1表に示すように素子の厚みを0.5 、1,0 、1
,5ssノ3種類に成形し、これを密閉したサヤ内で1
300°Cで焼成する(工程r)。この焼結体の両面に
銀電極を塗布し、700〜800°Cで焼付けを行う。
の均一化を行う(工程d)。この各粉体に水とポリビニ
ルアルコールからなる有機バインダーを適量添加し、金
型への充填性を良くし、反応性を良くするために造粒を
行う(工程e)。そして、圧力1 tglcylで、第
1表に示すように素子の厚みを0.5 、1,0 、1
,5ssノ3種類に成形し、これを密閉したサヤ内で1
300°Cで焼成する(工程r)。この焼結体の両面に
銀電極を塗布し、700〜800°Cで焼付けを行う。
以上の工程に従って完成した素子のサージ耐量を測定1
、結果を第1表にボす。
、結果を第1表にボす。
表1でも明らかなように分級をし、粒径を揃える事によ
り、素子厚みが薄くなってもサージ耐量の低下がみられ
なくなる。しかし、粉体粒径が6.0μm以上では気孔
が多くな9、又2.0μm以下では結晶粒径が不均一に
なり、いずれもサージ耐量の低下を招ぐ。仮焼温度につ
いても同様の事がいえ、1000°C以上では気孔が多
く、700°C以下では結晶粒径が不均一になりサージ
耐量が低下する。
り、素子厚みが薄くなってもサージ耐量の低下がみられ
なくなる。しかし、粉体粒径が6.0μm以上では気孔
が多くな9、又2.0μm以下では結晶粒径が不均一に
なり、いずれもサージ耐量の低下を招ぐ。仮焼温度につ
いても同様の事がいえ、1000°C以上では気孔が多
く、700°C以下では結晶粒径が不均一になりサージ
耐量が低下する。
第 1 表
注:サージ耐量:8X20/ISの標準′IL流波形を
用い、この波形の衝撃電流を5分間隔で2回印加し、バ
リスタ電圧の変化率が±10%以内である電流値のこと
。
用い、この波形の衝撃電流を5分間隔で2回印加し、バ
リスタ電圧の変化率が±10%以内である電流値のこと
。
尚、工程dで分級された仮焼粉に有機バインダーを加え
スラリー状にし、ドクターブレード法によってシート状
に成形された素子についても著しい効果を及ぼす。この
場合、シートにPi電極を所定のパターンで塗布したも
のヲくシ型構造になるように積層し圧着した後、焼成し
、第3図のように両端面に銀電極を形成した素子のサー
ジ耐量を測定した。その結果を第2表に示す。
スラリー状にし、ドクターブレード法によってシート状
に成形された素子についても著しい効果を及ぼす。この
場合、シートにPi電極を所定のパターンで塗布したも
のヲくシ型構造になるように積層し圧着した後、焼成し
、第3図のように両端面に銀電極を形成した素子のサー
ジ耐量を測定した。その結果を第2表に示す。
(以 下金 白)
第2表
第2表にみられるように、分級した仮焼粉末を用いるこ
とにより、特性の劣化を防ぐことができる。
とにより、特性の劣化を防ぐことができる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、分級により粉体粒径を揃
えだ仮焼粉を用いて成形後焼成する事により、焼結体中
の結晶の粒径が均一になり電流が均等に電極間に流れ、
薄型素子のサージ耐量の低下を防ぐという効果かえられ
る。
えだ仮焼粉を用いて成形後焼成する事により、焼結体中
の結晶の粒径が均一になり電流が均等に電極間に流れ、
薄型素子のサージ耐量の低下を防ぐという効果かえられ
る。
第1図は本発明を用いた電圧非直線抵抗体の製造工程を
示すフロー図、第2図は本発明により作成された素子の
構造断面図、第3図は本発明を用いた一実施例の積層型
素子の斜視図、第4図は従来の製造工程を示すフロー図
、第5図は従来法による素子の構造断面図である。 1a・・・・・・結晶粒、2・・・・・・粒界、3・・
・・・・セラミックス、4・・・・・・内部電極、5・
・・・・・外部電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第3図 5−外@電極 第4図
示すフロー図、第2図は本発明により作成された素子の
構造断面図、第3図は本発明を用いた一実施例の積層型
素子の斜視図、第4図は従来の製造工程を示すフロー図
、第5図は従来法による素子の構造断面図である。 1a・・・・・・結晶粒、2・・・・・・粒界、3・・
・・・・セラミックス、4・・・・・・内部電極、5・
・・・・・外部電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第3図 5−外@電極 第4図
Claims (1)
- セラミック半導体原料を混合し、仮焼した後、この仮
焼体を粉砕し、分級により粉体粒径を揃えた仮焼粉を用
いて成形し焼成する事を特徴とする電圧非直線抵抗体の
製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61004534A JPS62162308A (ja) | 1986-01-13 | 1986-01-13 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61004534A JPS62162308A (ja) | 1986-01-13 | 1986-01-13 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62162308A true JPS62162308A (ja) | 1987-07-18 |
Family
ID=11586710
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61004534A Pending JPS62162308A (ja) | 1986-01-13 | 1986-01-13 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62162308A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01291404A (ja) * | 1988-05-06 | 1989-11-24 | Avx Corp | バリスタ、キャパシタ及びその製法 |
JPH01317158A (ja) * | 1988-06-15 | 1989-12-21 | Somar Corp | バリスタ材料の製法 |
-
1986
- 1986-01-13 JP JP61004534A patent/JPS62162308A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01291404A (ja) * | 1988-05-06 | 1989-11-24 | Avx Corp | バリスタ、キャパシタ及びその製法 |
JPH01317158A (ja) * | 1988-06-15 | 1989-12-21 | Somar Corp | バリスタ材料の製法 |
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