JPS62158190A - 結晶エレメント成長用の溶融半導体材料浴の形成装置 - Google Patents
結晶エレメント成長用の溶融半導体材料浴の形成装置Info
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- JPS62158190A JPS62158190A JP61306165A JP30616586A JPS62158190A JP S62158190 A JPS62158190 A JP S62158190A JP 61306165 A JP61306165 A JP 61306165A JP 30616586 A JP30616586 A JP 30616586A JP S62158190 A JPS62158190 A JP S62158190A
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- crucible
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/02—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、結晶エレメントを成長させるために半導体材
料の浴を形成するための装置に係る。
料の浴を形成するための装置に係る。
該装置は、るつぼと、るつぼ内に半導体材料を導入する
ための手段と、るつぼの加熱手段と、浴内で結晶エレメ
ント３成長させるための手段とから構成される。
ための手段と、るつぼの加熱手段と、浴内で結晶エレメ
ント３成長させるための手段とから構成される。
このような型の既知の装置は、”Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
ｃｒｙｓｔａｌ ｇｒｏｕ＋ｔｈ” ６１（１，９８３
） 、 ｐｐ、６１５−６２８． ＮｏｒＬｈ−１１ｏ
１１ａｎｄ ＰｕｂｌｉｓｈｉｎｇＣｏｍｐａｎｙに掲
載された論文”Ｇｒｏｗｔｈ ｏｆ ｐｏｌｙｓｉ
ｌｉｃｏｎ ５ｈｅｅｔｓ ｏｎ ａ ｃａｒ
ｂｏｎｓｈａｐｅｒ ｂｙ Ｌｈｅ ＲＡＤ ｐｒｏｃ
ｅｓｓＩｌ（Ｃ，Ｂｅ１ｏｕｅｔ他）に記載されている
。この装置の場合、半導体材料はケイ素であり、浴内で
成長する結晶ニレメン１〜は炭素リボン上に堆積した多
結晶ケイ素層であり、半導体材料をるつぼ内に導入する
ための手段は、１０００℃よりも高温に予め加熱された
立方体状のケイ素を一定の時間間隔でるつぼ内に堆積さ
せることの可能な電気機械的分配器から構成されている
。
ｃｒｙｓｔａｌ ｇｒｏｕ＋ｔｈ” ６１（１，９８３
） 、 ｐｐ、６１５−６２８． ＮｏｒＬｈ−１１ｏ
１１ａｎｄ ＰｕｂｌｉｓｈｉｎｇＣｏｍｐａｎｙに掲
載された論文”Ｇｒｏｗｔｈ ｏｆ ｐｏｌｙｓｉ
ｌｉｃｏｎ ５ｈｅｅｔｓ ｏｎ ａ ｃａｒ
ｂｏｎｓｈａｐｅｒ ｂｙ Ｌｈｅ ＲＡＤ ｐｒｏｃ
ｅｓｓＩｌ（Ｃ，Ｂｅ１ｏｕｅｔ他）に記載されている
。この装置の場合、半導体材料はケイ素であり、浴内で
成長する結晶ニレメン１〜は炭素リボン上に堆積した多
結晶ケイ素層であり、半導体材料をるつぼ内に導入する
ための手段は、１０００℃よりも高温に予め加熱された
立方体状のケイ素を一定の時間間隔でるつぼ内に堆積さ
せることの可能な電気機械的分配器から構成されている
。
しかしながら、この装置には欠点がある。実際に、ケイ
素立方体が浴内に到達すると浴は冷却され、リボンに堆
積される層の厚さに直接の影響を生じる。一方、浴内に
おけるケイ素立方体の溶融時間はしばしば非常に長く、
結晶エレメントの成長によりもたらされる浴の液体ケイ
素の消費を相殺することができない。
素立方体が浴内に到達すると浴は冷却され、リボンに堆
積される層の厚さに直接の影響を生じる。一方、浴内に
おけるケイ素立方体の溶融時間はしばしば非常に長く、
結晶エレメントの成長によりもたらされる浴の液体ケイ
素の消費を相殺することができない。
本発明はこの欠点を解消することを目的とする。
本発明の目的は、結晶エレメントを成長させるために溶
融半導体材料の浴を形成するための装置を提供すること
にあり、該装置は、るつぼ内に半導体材料を導入するた
めの手段が、 −底部に開口を備えており、この開口がるつぼの内側に
対して鉛直となるようにるつぼの上方に配置されている
容器と、 一則粒状の半導体材料を容器内に配置するように構成さ
れた容器への供給手段と、 一溶融半導体液な容器内に形成するなめに細粒を溶融さ
ぜることが可能な容器加熱手段とから構成されることを
特徴としており、前記容器の開口の断面積は、溶融液体
のレベルがある最大値に達しない限り溶融液体が容器内
に維持され、前記液体レベルが前記最大値に達するや否
や該液体が浴を構成するべく開口からるつぼ内に流入し
、容器内の前記液体レベルが前記最大値よりも小さいあ
る最小値よりも大きい値である限り液体の流入が持続す
るように選択されており、るつぼの加熱手段は、結晶エ
レメントの成長を生じる浴を１溶融状態に維持すること
が可能である。
融半導体材料の浴を形成するための装置を提供すること
にあり、該装置は、るつぼ内に半導体材料を導入するた
めの手段が、 −底部に開口を備えており、この開口がるつぼの内側に
対して鉛直となるようにるつぼの上方に配置されている
容器と、 一則粒状の半導体材料を容器内に配置するように構成さ
れた容器への供給手段と、 一溶融半導体液な容器内に形成するなめに細粒を溶融さ
ぜることが可能な容器加熱手段とから構成されることを
特徴としており、前記容器の開口の断面積は、溶融液体
のレベルがある最大値に達しない限り溶融液体が容器内
に維持され、前記液体レベルが前記最大値に達するや否
や該液体が浴を構成するべく開口からるつぼ内に流入し
、容器内の前記液体レベルが前記最大値よりも小さいあ
る最小値よりも大きい値である限り液体の流入が持続す
るように選択されており、るつぼの加熱手段は、結晶エ
レメントの成長を生じる浴を１溶融状態に維持すること
が可能である。
本発明の装置は更に、
−るつぼ内における浴のレベルが所定の値よりも小さい
とき、第１の電気信号を送出し得る第１のレベル検出器
と、 一容器内の溶融半導体液のレベルが前記最大値よりも小
さく且つ重工最小値よりも大きい所定の閾値よりも大き
いとき、第２の電気信号を送出し得る第２のレベル検出
器と、 一第２の検出器と容器への供給手段とに連結されており
、第２の信号が送出されない時に供給手段の作動を命令
することが可能てあり、第２の信号を受け取った時に阻
止される制御回路と、−第１の検出器と制御回路とに連
結されており、第１の信号が送出された時に第３の電気
信号を送出することか可能な解放回路とを更に備えても
よく、前記第３の信号は、制御回路が第２の信号により
阻止されている時には該制御回路を解放することが可能
であり、制御回路が第２の信号により阻止されない時に
は制御回路に何の効果ももたない。
とき、第１の電気信号を送出し得る第１のレベル検出器
と、 一容器内の溶融半導体液のレベルが前記最大値よりも小
さく且つ重工最小値よりも大きい所定の閾値よりも大き
いとき、第２の電気信号を送出し得る第２のレベル検出
器と、 一第２の検出器と容器への供給手段とに連結されており
、第２の信号が送出されない時に供給手段の作動を命令
することが可能てあり、第２の信号を受け取った時に阻
止される制御回路と、−第１の検出器と制御回路とに連
結されており、第１の信号が送出された時に第３の電気
信号を送出することか可能な解放回路とを更に備えても
よく、前記第３の信号は、制御回路が第２の信号により
阻止されている時には該制御回路を解放することが可能
であり、制御回路が第２の信号により阻止されない時に
は制御回路に何の効果ももたない。
本発明の一具体例によると、半導体材料はケイ素であり
、結晶ニレメンＩ・は炭素支持体上に堆積されたケイ素
層である。
、結晶ニレメンＩ・は炭素支持体上に堆積されたケイ素
層である。
以下、本発明の装置の一具体例を示した添付図面を参考
に、本発明の目的を実現するための複数の具体例につい
て説明する。
に、本発明の目的を実現するための複数の具体例につい
て説明する。
ル１」
図面は石英るつぼ１を示しており、該るつぼの外側表面
は、電気エネルギー源４に連結された加熱抵抗３を備え
る電気炉２により囲繞されている。
は、電気エネルギー源４に連結された加熱抵抗３を備え
る電気炉２により囲繞されている。
るつぼ１及び炉２により構成される槽の底部にはスリッ
ト５が形成されており、炭素リボンは該スリットを通っ
て例えはローラ７から構成され得る機械的手段により上
方に向かって鉛直方向に引張られる。るつぼ１内には溶
融ケイ素浴８が収容されており、スリットの寸法は溶融
ケ・〔素か漏出しないように決定されている。リボン６
は、その両面が浴の出口において多結晶固体ケイ素の層
９により被覆されるように、浴８を通過する。
ト５が形成されており、炭素リボンは該スリットを通っ
て例えはローラ７から構成され得る機械的手段により上
方に向かって鉛直方向に引張られる。るつぼ１内には溶
融ケイ素浴８が収容されており、スリットの寸法は溶融
ケ・〔素か漏出しないように決定されている。リボン６
は、その両面が浴の出口において多結晶固体ケイ素の層
９により被覆されるように、浴８を通過する。
るつぼ１の上方には同様に石英から構成された容器１０
が配置されており、該容器の外側表面は、電気エネルギ
ー源１３に連結された加熱抵抗１２を備える電気炉１１
により囲繞されている。容器１０及び炉１１により構成
される槽の底部には開口１４が設けられている。容器１
０の上縁には、容器１０の内側に向かって傾斜した樋１
５が配置されている。樋にはケイ素紺粒１６が配置され
ている。樋の上端部には電気機械トランスデユーサ１７
の機械的出力が固定されている。
が配置されており、該容器の外側表面は、電気エネルギ
ー源１３に連結された加熱抵抗１２を備える電気炉１１
により囲繞されている。容器１０及び炉１１により構成
される槽の底部には開口１４が設けられている。容器１
０の上縁には、容器１０の内側に向かって傾斜した樋１
５が配置されている。樋にはケイ素紺粒１６が配置され
ている。樋の上端部には電気機械トランスデユーサ１７
の機械的出力が固定されている。
図面の部材１〜１７により説明した上記装置は、次のよ
うに作動する。
うに作動する。
電気機械トランスデユーサを始動させ、容器１０の内側
に向かって傾斜した樋１５に細粒１６を滑動させるよう
に、該トランスデユーサから超音波振動を発生させる。
に向かって傾斜した樋１５に細粒１６を滑動させるよう
に、該トランスデユーサから超音波振動を発生させる。
炉１１により発生した熱は、容器１０に収容される溶融
ケイ素の液体部分１９を形成するべく細粒１６を溶融さ
せる。開口１４の断面積は、容ＷｊｒｌＣ１内の溶融ケ
イ素のレベルｈが最大値°２０よりも小さい限り液体容
量１９が開口１４から流出することなく容器１０内に留
どまるように選択される。容器１０内の溶融ケイ素のレ
ベルが最大値２０に達するや否や発生器１７は停止し、
従って容器内の液体ケイ素のレベルが最大値２０よりも
小さい最小値２２に低下するまで、容３１０内に収容さ
れている液体ケイ素は液体円柱２１に従って開口１４か
らるつぼ１に流出する。好ましくは、円柱２１の軸は実
質的にリボンの平面内に配置されている。
ケイ素の液体部分１９を形成するべく細粒１６を溶融さ
せる。開口１４の断面積は、容ＷｊｒｌＣ１内の溶融ケ
イ素のレベルｈが最大値°２０よりも小さい限り液体容
量１９が開口１４から流出することなく容器１０内に留
どまるように選択される。容器１０内の溶融ケイ素のレ
ベルが最大値２０に達するや否や発生器１７は停止し、
従って容器内の液体ケイ素のレベルが最大値２０よりも
小さい最小値２２に低下するまで、容３１０内に収容さ
れている液体ケイ素は液体円柱２１に従って開口１４か
らるつぼ１に流出する。好ましくは、円柱２１の軸は実
質的にリボンの平面内に配置されている。
トランスデユーサ１７を再始動させ、浴８のレベルが所
定の値１１０に達するまで液体ケイ素を数回連続的に流
し、浴の液体ケイ素は、炉２によりもたらされる熱エネ
ルギーにより溶融温度仲維持される。
定の値１１０に達するまで液体ケイ素を数回連続的に流
し、浴の液体ケイ素は、炉２によりもたらされる熱エネ
ルギーにより溶融温度仲維持される。
リボン６に准績された多結晶ケイ素層９は浴８の対応量
の溶融ケイ素を取得し、こうして浴のレベルは低下する
。
の溶融ケイ素を取得し、こうして浴のレベルは低下する
。
このレベルの低下３相殺するためには、浴８のレベルが
所定値１１ｏより下に低下した時に１〜ランスデユーサ
１７を始動さぜる。容器１０内の溶融液体のレベルが値
２０に達するや否や、容器１０の断面積とレベル２０及
び２２の差との積に等しい旦の溶融ケイ素が容器１０か
らるつぼ１内に流入する。
所定値１１ｏより下に低下した時に１〜ランスデユーサ
１７を始動さぜる。容器１０内の溶融液体のレベルが値
２０に達するや否や、容器１０の断面積とレベル２０及
び２２の差との積に等しい旦の溶融ケイ素が容器１０か
らるつぼ１内に流入する。
−例として、直径３ｍｍの円筒形下部開口を備える内径
２８ｍｍの円筒形容器の場合、レベル２０及び２２の値
は夫々２７．５及び２１ｍｍである。従って、溶融ケイ
素の１回の注入流量は約４ｃｍ’である。牽引により０
．６７ｃｍ’／ｍｉｎの液体ケイ素を消費すると仮定す
るなら、５分３０秒間牽引した装置のケイ素の消費を相
殺するには１回の注入で十分である。
２８ｍｍの円筒形容器の場合、レベル２０及び２２の値
は夫々２７．５及び２１ｍｍである。従って、溶融ケイ
素の１回の注入流量は約４ｃｍ’である。牽引により０
．６７ｃｍ’／ｍｉｎの液体ケイ素を消費すると仮定す
るなら、５分３０秒間牽引した装置のケイ素の消費を相
殺するには１回の注入で十分である。
上記装置は、浴８に液体ケイ素を供給することにより、
固体ケイ素が浴内に達した時に従来技術で生じたような
熱不均衡を回避することができる。
固体ケイ素が浴内に達した時に従来技術で生じたような
熱不均衡を回避することができる。
上記装置は更に、供給容器とるつぼとの間に（例えばピ
ストンのような）物理的連結及び可動部分か不要である
という利点がある。また、この装置は製造が簡単であり
、容器の内部容量は非常に小さいので熱エネルギーの消
費量が少なくてすむ。
ストンのような）物理的連結及び可動部分か不要である
という利点がある。また、この装置は製造が簡単であり
、容器の内部容量は非常に小さいので熱エネルギーの消
費量が少なくてすむ。
好ましくは、上記装置は更に浴８のレベルの自動調節シ
ステムを備える。
ステムを備える。
図例の場合、このシステムはるつぼ１内の浴８のレベル
１１の光電検出器２３から構成されており、この検出器
は、仏国特許公開明細書第２５５１２３３号に記載され
ているような型であり得る。検出器２３の電気出力は解
放回路２９に連結されている。
１１の光電検出器２３から構成されており、この検出器
は、仏国特許公開明細書第２５５１２３３号に記載され
ているような型であり得る。検出器２３の電気出力は解
放回路２９に連結されている。
容器１０内の液体ケイ素のレベル検出器は、その下端部
がレベル２２よりもやや低くなるように容器１０の内側
に鉛直方向に配置されたグラファイト電極２５から構成
されている。他方のクラファイト電極２６は、その下端
部がレベル２０よりもやや低くなるレベル１８に位置す
るように容器１０の内側に沿直方向に配置されている。
がレベル２２よりもやや低くなるように容器１０の内側
に鉛直方向に配置されたグラファイト電極２５から構成
されている。他方のクラファイト電極２６は、その下端
部がレベル２０よりもやや低くなるレベル１８に位置す
るように容器１０の内側に沿直方向に配置されている。
電極２５及び２６は電流発生器２７の２個の端子に夫々
接続されている。２藺の電極２５及び２６は更に回路２
８の入力に接続され、その出力は制御回路２４を介して
トランスデユーサ１７に連結されている。回路２９の出
力は回路２４に接続されている。
接続されている。２藺の電極２５及び２６は更に回路２
８の入力に接続され、その出力は制御回路２４を介して
トランスデユーサ１７に連結されている。回路２９の出
力は回路２４に接続されている。
電極２６が容器１０内に収容されている液体１９に浸漬
していない時、発生器２７は回路２８の入力に無負荷電
圧を発生する。従って該回路は出力から電気信号を何も
発生しない。液体１９のレベルが値１８に達すると、電
極２６の下端部は浸漬され、発生器２７は電極２５及び
２６を通って液体ケイ素内に流れる電流を発生する。発
生器２７のインピーダンスは低いので、負荷電圧は無負
荷電圧よりも著しく低い。
していない時、発生器２７は回路２８の入力に無負荷電
圧を発生する。従って該回路は出力から電気信号を何も
発生しない。液体１９のレベルが値１８に達すると、電
極２６の下端部は浸漬され、発生器２７は電極２５及び
２６を通って液体ケイ素内に流れる電流を発生する。発
生器２７のインピーダンスは低いので、負荷電圧は無負
荷電圧よりも著しく低い。
回路２８は入力から発生器２７の負荷電圧を受け収ると
、電気信号を発生する。
、電気信号を発生する。
一方、浴８のレベル１１がレベルｌｌｏよりも低いと、
るつぼ１の浴８のレベルの検出器２３は電気信号を発生
し、レベル１１がｌｌｏ以上であると電気信号を発生し
ない。
るつぼ１の浴８のレベルの検出器２３は電気信号を発生
し、レベル１１がｌｌｏ以上であると電気信号を発生し
ない。
浴８のレベルの自動調節システムは次のように作動する
。
。
容器１０内のレベル１１が値１８よりも小さい限り、制
御回路２４はＩ・ランスデューサ１７の作動を命令する
。液体１９は固体ケイ素を補給され、レベルｈは上昇す
る。このレベルが閾値１８に達すると、回路２４は回路
２８から発生された電気信号をその入力で受け取り、こ
うして回路２４が阻止される。この場合、２種類の状態
が考えられる。
御回路２４はＩ・ランスデューサ１７の作動を命令する
。液体１９は固体ケイ素を補給され、レベルｈは上昇す
る。このレベルが閾値１８に達すると、回路２４は回路
２８から発生された電気信号をその入力で受け取り、こ
うして回路２４が阻止される。この場合、２種類の状態
が考えられる。
るつぼ１内の浴８のレベルＩＩが値１１ｏよりも低い場
合、検出器２３は解放回路２９により受け収られる電気
信号を発生する。解放回路は制御回路２４に向がって電
気信号を発生し、従って制御回路は解放される。トラン
スデユーサ１７は作動し、液体１９に固体ケイ素ｆ！：
供給し続け、液体のレベル１１は値２０まで上昇する。
合、検出器２３は解放回路２９により受け収られる電気
信号を発生する。解放回路は制御回路２４に向がって電
気信号を発生し、従って制御回路は解放される。トラン
スデユーサ１７は作動し、液体１９に固体ケイ素ｆ！：
供給し続け、液体のレベル１１は値２０まで上昇する。
従って、液体１９は開口１４から浴８内に流れる。液体
１９のレベルｈが値１８よりも低下すると、制御回路２
４は回路２８から発生された電気信号を最早受け取らな
いので、この信号により最早阻止されず、再び正規通り
に１〜ランスデユーサ１７の作動を命令する。当然のこ
とながら、回路２４が受け収り続けている解放信号はこ
の回路に何の効果ももたない。容２″：ｉ１０は、固体
ケイ素の補給により獲得する以上の液体を開口１４から
失う。液体１９のレベルが値２２まで低下すると、液体
は開口１４から流出するのを停止し、そのレベルは再ひ
上昇する。
１９のレベルｈが値１８よりも低下すると、制御回路２
４は回路２８から発生された電気信号を最早受け取らな
いので、この信号により最早阻止されず、再び正規通り
に１〜ランスデユーサ１７の作動を命令する。当然のこ
とながら、回路２４が受け収り続けている解放信号はこ
の回路に何の効果ももたない。容２″：ｉ１０は、固体
ケイ素の補給により獲得する以上の液体を開口１４から
失う。液体１９のレベルが値２２まで低下すると、液体
は開口１４から流出するのを停止し、そのレベルは再ひ
上昇する。
逆にるつぼ１内の浴８のレベル１１力月１ｏ以上である
なら、検出器２３は電気信号を何ら発生しない。回路２
４は阻止されたままであり、容器１０は最早固体ケイ素
を補給されない。従って、容器１０は浴８のレベル１１
がレベルｌｌｏよりも低下するまでレベル１８に充填さ
れた状態を維持する。
なら、検出器２３は電気信号を何ら発生しない。回路２
４は阻止されたままであり、容器１０は最早固体ケイ素
を補給されない。従って、容器１０は浴８のレベル１１
がレベルｌｌｏよりも低下するまでレベル１８に充填さ
れた状態を維持する。
従って、浴８のレベルは値１１０に維持され、その精度
は容器１０内に収容されているレベル２０及び２２間の
液体ケイ素の量に依存する。
は容器１０内に収容されているレベル２０及び２２間の
液体ケイ素の量に依存する。
当然のことながら、本発明の装置は例えば単結晶の引き
上げ用として溶融半導体材料の任意の浴の形成に適用さ
れ得る。更に、容器内の液体ケイ素のレベルは、上記以
外の手段、例えば液体ケイ素の平衡表面に応答するレー
ザーと−１、の光電検出により検出してもよい。
上げ用として溶融半導体材料の任意の浴の形成に適用さ
れ得る。更に、容器内の液体ケイ素のレベルは、上記以
外の手段、例えば液体ケイ素の平衡表面に応答するレー
ザーと−１、の光電検出により検出してもよい。
図面は、本発明の装置の一具体例を示す説明図である。
１・・・・・・るつぼ、２，１１・・・・・・炉、３，
１２・・・・・・抵抗、４，１３・・・・・電気エネル
ギー源、５・・・・・・スリット、６・・・・・・炭素
リボン、７・・・・・・ローラ、８・・・・・・溶融ケ
イ素浴、９・・・・・・ケイ素層、１０・・・・・・容
器、１４・・・・・・開口、１７・・・・・・電気機械
１〜ランスデユーサ。
１２・・・・・・抵抗、４，１３・・・・・電気エネル
ギー源、５・・・・・・スリット、６・・・・・・炭素
リボン、７・・・・・・ローラ、８・・・・・・溶融ケ
イ素浴、９・・・・・・ケイ素層、１０・・・・・・容
器、１４・・・・・・開口、１７・・・・・・電気機械
１〜ランスデユーサ。
Claims (3)
- （１）るつぼと、るつぼ内に半導体材料を導入するため
の手段と、るつぼの加熱手段と、浴内で結晶エレメント
を成長させるための手段とから構成される、結晶エレメ
ントを成長させるために溶融半導体材料の浴を形成する
ための装置であって、るつぼ内に半導体材料を導入する
ための手段が、底部に開口を備えており、この開口がる
つぼの内側に対して鉛直となるようにるつぼの上方に配
置されている容器と、 細粒状の半導体材料を容器内に配置するように構成され
た容器への供給手段と、 溶融半導体液を容器内に形成するために細粒を溶融させ
ることが可能な容器加熱手段とから構成されており、前
記容器の開口の断面積は、溶融液体のレベルがある最大
値に達しない限り溶融液体が容器内に維持され、前記液
体レベルが前記最大値に達するや否や該液体が浴を構成
するべく開口からるつぼ内に流入し、前記液体レベルが
前記最大値よりも小さいある最小値よりも大きい値であ
る限り液体の流入が持続するように選択されており、る
つぼの加熱手段は結晶エレメントの成長を生じる浴を溶
融状態に維持することが可能である装置。 - （２）るつぼ内における浴のレベルが所定の値よりも小
さいとき、第１の電気信号を送出し得る第１のレベル検
出器と、 容器内の溶融半導体のレベルが前記最大値よりも小さく
且つ前記最小値よりも大きい所定の閾値よりも大きいと
き、第２の電気信号を送出し得る第２のレベル検出器と
、 第２の検出器と容器への供給手段とに連結されており、
第２の信号が送出されない時には供給手段の作動を命令
することが可能であり、第２の信号を受け取つた時には
阻止される制御回路と、第１の検出器と制御回路とに連
結されており、第１の信号が送出された時に第３の電気
信号を送出することが可能な開放回路とを更に含んでお
り、前記第３の信号は、制御回路が第２の信号により阻
止されているとき、制御回路を解放することが可能であ
り、制御回路が第２の信号により阻止されない時には制
御回路に何の効果ももたない特許請求の範囲第１項に記
載の装置。 - （３）半導体材料がケイ素であり、結晶エレメントが炭
素支持体上に堆積されたケイ素層である特許請求の範囲
第１項又は第２項に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
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Publications (1)
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| JPS62158190A true JPS62158190A (ja) | 1987-07-14 |
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- 1986-12-23 US US06/945,710 patent/US4762687A/en not_active Expired - Fee Related
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