JPS62155535A - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

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JPS62155535A
JPS62155535A JP60296946A JP29694685A JPS62155535A JP S62155535 A JPS62155535 A JP S62155535A JP 60296946 A JP60296946 A JP 60296946A JP 29694685 A JP29694685 A JP 29694685A JP S62155535 A JPS62155535 A JP S62155535A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
memory
word
memory cells
bit
lines
Prior art date
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Pending
Application number
JP60296946A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Koga
広志 古賀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の構造に関し、特にメモリ付ゲート
アレイの構造に関する。
〔従来の技術〕
従来この種のメモリ付ゲートアレイのメモリ部はメモリ
ブロックの数にかかわらず、メモリブロック内のビット
線、ワード線へのメモリセルの接続を全て行っていた。
この為ビット数、ワード数をメモリの最大構成より減じ
て使用する場合釦も利用しないメモリセルがビット線、
ワード線に接続されたままとなっていた。
(例えば 特許公開 昭和58年 210638)〔発
明が解決しようとする問題点〕 上述した従来のビット数、ワード数可変のメモリ付ゲー
トアレイは、メモリ部におけるメモリセルとビット線、
ワード線への接続が常に決められたものとなっている為
、不要なメモリセルが、ビット線、ワード線に対する負
荷容量となってお)、メモリ動作速度を下げるという欠
点がある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明のビット数、ワード数可変のメモリ付ゲートアレ
イは、従来のメモリセル全てに配線を接続する方式と異
なり、不要なメモリセルを配線と接続しない方式として
ビット線、ワード線に対する負荷容量を減することがで
きることから、メモリ動作の高速化を図るととができる
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例のメモリ部を略図化したもの
である。
メモリセル全体を用いた場合にmピッ)、 2nワード
構成とできるところを(m−a)ビット、2nワード構
成に減じて使用する場合の例である。
bl 、b 1.・−・・、bm−a 、bm−a、−
、bm 、 bmは各々1対づつのビット線であJwl
、w2.・・・・・・・・・・・・。
wn、・・・・・・・・・・・・、w2nは各々ワード
線である。
11.12,13,16.は使用するメモリセル14゜
15はワード方向で使用しないメモリセルの一例であシ
ビット線、ワード線と接続しない。
17.18はビット方向で使用しないメモリセルの例で
あシワード線、ビット線と接続しない。
19.110はワード方向、ビット方向共に使用しない
メモリセルの一例でアシ、ワード線、ビット線と接続し
ない。
図中、ワード線wn+1・・・・・・w 2 nまでは
メモリ用とし、ては使用しない。同様にビット線bm−
a+1 、 bm−a+1.・・・・・・・・・、bm
、bmはメモリ用としては使用しない。
従って、MOS  LSI等においては、使用し々いメ
モリセルのフローティングを避ける目的でビット方向に
ついては、メモリ用として使用しないビット線を、メモ
リとして使用しないメモリセルのクランプ用に用いるこ
とができる。しかも、ワード線に対しては、使用しない
メモリセルは接続されないから、ワード線に対する負荷
容量が増すことは無く、メモリの高速動作を妨げること
は無い。
同様にワード方向については、メモリ用として使用しな
いワード線をメモリとして使用しないメモリセルのクラ
ンプ用に用いることができる。しかもビット線に対して
は、使用しないメモリセルは接続されないから、ビット
線に対する負荷容量が増すことは無く、メモリの高速動
作を妨げることは無い。
また、メモリ用として使用しないビット線ないしは、ワ
ード線をメモリ用として使用しないメモリセルのクラン
プ用として用いる他に、メモリセルのトランジスタを、
VDD若しくはGNDより切シ離すことによっても、入
力端子の70−ティングによる電源からの貫通電流を防
止することができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように1本発明はビット数、ワード数を変
えることのできるメモリ付ゲートアレイに於て、メモリ
の最大構成よりメモリセルを減じて使用する場合に、使
用しないメモリセルとビット線との接続を行わない構造
、ないしは、使用しないメモリセルとワード線との接続
を行わない構造とすることにより、使用しないメモリセ
ルが、ビット線、ないしは、ワード線に対する負荷容量
とならないことから、メモリの動作速度を上げることが
できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明のメモリ部のビット線、ワード線とメ
モリセルとの接続を示した略図である。 b 1 、 b 1 、 b 2 、 b 2.−−−
bm 、 bmはビット線、wl、w2・・・・・・・
・・w2nはワード線である。 11.12.・・・・・・・・・110等、ワード線、
ビット線に接続されているのがメモリセルである。 第2図は、スタティックメモリセルの構造図である。 21.23はビット線側コンタクト、22はワード線側
コンタクトである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ビット数、ワード数を変えることのできるメモリ付ゲー
    トアレイにおいて、メモリの最大構成よりメモリセル数
    を減じて使用する場合に、使用しないメモリセルとビッ
    ト線との接続を行わない構造ないしは、使用しないメモ
    リセルとワード線との接続を行なわない構造とすること
    を特徴とするメモリ付ゲートアレイ。
JP60296946A 1985-12-27 1985-12-27 半導体集積回路 Pending JPS62155535A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6507280B2 (en) 2000-09-13 2003-01-14 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Device for mounting a communication unit to a helmet
US6876845B1 (en) 1999-09-06 2005-04-05 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Radio communication system for vehicle
US7317936B2 (en) 2002-04-12 2008-01-08 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Vehicle intercommunication apparatus
US7356360B2 (en) 2002-02-05 2008-04-08 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Radio communication system

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