JPS62154447A - ウエハ−の帯電抑制装置 - Google Patents
ウエハ−の帯電抑制装置Info
- Publication number
- JPS62154447A JPS62154447A JP29595485A JP29595485A JPS62154447A JP S62154447 A JPS62154447 A JP S62154447A JP 29595485 A JP29595485 A JP 29595485A JP 29595485 A JP29595485 A JP 29595485A JP S62154447 A JPS62154447 A JP S62154447A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- electron
- slit
- ion
- slit plate
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（関連産業分野）
この発明は半導体製造ラインのイオン打ち込み装置にお
けるウェハーの帯電抑制装置に関するものである。
けるウェハーの帯電抑制装置に関するものである。
（従来技術）
従来から、イオン打ち込み装置において２表面にレジス
ト膵や酸化膜等の極薄の絶縁膜を塗布又は生成したウェ
ハーに正イオンを打ぢ込む際ウェハー上に打ち込まれた
正イオンがウェハー表面の絶縁膜上に多数堆積するため
電位差が生じ絶縁破壊まで至る場合がある。この絶縁破
壊はＬＳＩ回路パターンに損傷を与え、ＬＳＩ製造の歩
留り低下を招く。これを防止するため、イオンビーム流
に対し直角方向に設けられた電子銃と該電子銃からイオ
ンビームに直交する方向に放射される一次電子を受けそ
の衝撃により二次電子をビーム流方向に発生させる金属
製ターゲットとからなる電子シャワーを設け、イオンビ
ーム中の正イオンを中和すると共にこの二次電子をウェ
ハー表面に照射して、ウェハー表面に打ち込まれたイオ
ンにより帯電した正電荷を中和する方法も知られている
。この方法を使用すると見掛は上ウェハー電圧が急激に
低下するが（第１ｔ！ＩＩ照）、現実には相変わらず絶
縁破壊が起こり、ウェハーの歩留りは改良されていない
。
ト膵や酸化膜等の極薄の絶縁膜を塗布又は生成したウェ
ハーに正イオンを打ぢ込む際ウェハー上に打ち込まれた
正イオンがウェハー表面の絶縁膜上に多数堆積するため
電位差が生じ絶縁破壊まで至る場合がある。この絶縁破
壊はＬＳＩ回路パターンに損傷を与え、ＬＳＩ製造の歩
留り低下を招く。これを防止するため、イオンビーム流
に対し直角方向に設けられた電子銃と該電子銃からイオ
ンビームに直交する方向に放射される一次電子を受けそ
の衝撃により二次電子をビーム流方向に発生させる金属
製ターゲットとからなる電子シャワーを設け、イオンビ
ーム中の正イオンを中和すると共にこの二次電子をウェ
ハー表面に照射して、ウェハー表面に打ち込まれたイオ
ンにより帯電した正電荷を中和する方法も知られている
。この方法を使用すると見掛は上ウェハー電圧が急激に
低下するが（第１ｔ！ＩＩ照）、現実には相変わらず絶
縁破壊が起こり、ウェハーの歩留りは改良されていない
。
（発明の解決しようとする問題点）
本発明者はこの絶縁破壊の原因を究明した゛結果。
電子シャワーによる二次電子が充分イオンビーム内に捕
捉されず、ビーム外周にリング状になって移動しウェハ
ー表面に到達しその部分を負：こ帯電させるため平均電
圧としてはビーム照射部分と相殺され見掛は上低くなる
が、負の帯電部分と正の帯電部分とが分、ｉｉｆ併存し
、各部に生じる正または負の帯電が非常に大きなものと
なるためこの絶縁破壊が生ずるとの重要な知見を得た（
第２図参照）この発明は、この知見に基ずき上記従来技
術におけ４絶遂破壊を極めて簡単な手段で解決すること
を目的とする。
捉されず、ビーム外周にリング状になって移動しウェハ
ー表面に到達しその部分を負：こ帯電させるため平均電
圧としてはビーム照射部分と相殺され見掛は上低くなる
が、負の帯電部分と正の帯電部分とが分、ｉｉｆ併存し
、各部に生じる正または負の帯電が非常に大きなものと
なるためこの絶縁破壊が生ずるとの重要な知見を得た（
第２図参照）この発明は、この知見に基ずき上記従来技
術におけ４絶遂破壊を極めて簡単な手段で解決すること
を目的とする。
（問題点の解決手段）
この発明のウェハー帯電防止装置は、ディスクと。
ディスク面の円周上に設けられたウェハー置き台と、該
ウェハー置き台上に置かれたウェハーと。
ウェハー置き台上に置かれたウェハーと。
該ウェハーにイオンビームを照射するためのイオン源と
からなるイオン打ち込み装置において、ウェハーに近い
位置にビームの１部が板部と干渉するような大きさのス
リットを有するスリット板を一般けるとともに、ビーム
流の上流方向に該スリット板と離間した位置に電子通過
バリヤーを設けたことを特徴とするものである。
からなるイオン打ち込み装置において、ウェハーに近い
位置にビームの１部が板部と干渉するような大きさのス
リットを有するスリット板を一般けるとともに、ビーム
流の上流方向に該スリット板と離間した位置に電子通過
バリヤーを設けたことを特徴とするものである。
また、第２の発明のウェハー帯電装置は、ディスクと、
ディスク面の円周上に設けられたウェハー置き台と、該
ウェハー置き台上に置かれたウェハーと、該ウェハーに
イオンビームな照射するためのイオン源とからなるイオ
ン打ち込み装置において、ウェハーに近い位置にビーム
の１部が板部と干渉するような大きさのスリットを有す
るスリット板を設けるとともに、ビーム流の上流方向に
該スリット板と離間した位置に電子通過バリヤーを設け
、さらにイオンビーム流に対し直角方向に設けられた電
子銃と該電子銃からイオンビームに直交する方向に放射
される一次電子を受けその衝撃により二次電子をビーム
流と反対方向に発生させる金属製ターゲットととからな
る電子シャワーを上記電子通過バリヤーのビーム下流側
近傍に設けたことを特徴とするものである。
ディスク面の円周上に設けられたウェハー置き台と、該
ウェハー置き台上に置かれたウェハーと、該ウェハーに
イオンビームな照射するためのイオン源とからなるイオ
ン打ち込み装置において、ウェハーに近い位置にビーム
の１部が板部と干渉するような大きさのスリットを有す
るスリット板を設けるとともに、ビーム流の上流方向に
該スリット板と離間した位置に電子通過バリヤーを設け
、さらにイオンビーム流に対し直角方向に設けられた電
子銃と該電子銃からイオンビームに直交する方向に放射
される一次電子を受けその衝撃により二次電子をビーム
流と反対方向に発生させる金属製ターゲットととからな
る電子シャワーを上記電子通過バリヤーのビーム下流側
近傍に設けたことを特徴とするものである。
（実施例）
この発明の１実施例を第３図及び第４図に従い説明する
。図中１はディスクで、その面上の円周部に複数のウェ
ハー置き台２が取り付けられており。
。図中１はディスクで、その面上の円周部に複数のウェ
ハー置き台２が取り付けられており。
イオン打ち込み時には高速で回転するとともに上下に往
復動じ、イオン源４からのイオンビーム５をウェハー置
き台２上のウェハー３に照射するようにしている。ウェ
ハー３から適当な距離能れた位置に例えば−１０００Ｖ
の負電圧を印加した電子通過バリヤー２０が設けられて
いる。また、ウェハー３に接近した位置にイオンビーム
流に直交す゛るごとく例えばアルミニウム製のスリット
板８が設けられている。スリット板８の中央部分にはビ
ーム外形より小なるスリット９が穿設されている。
復動じ、イオン源４からのイオンビーム５をウェハー置
き台２上のウェハー３に照射するようにしている。ウェ
ハー３から適当な距離能れた位置に例えば−１０００Ｖ
の負電圧を印加した電子通過バリヤー２０が設けられて
いる。また、ウェハー３に接近した位置にイオンビーム
流に直交す゛るごとく例えばアルミニウム製のスリット
板８が設けられている。スリット板８の中央部分にはビ
ーム外形より小なるスリット９が穿設されている。
イオン打ち込み時には、ディスク１は高速度で回転する
とともに上下往復動じ、そのディスク１上のウェハー３
部分に対して正イオンビーム５が照射される。上記のご
とくスリット板８のスリット９がビーム外形より小であ
るためビームの一部はスリット板８に衝突し電子２１を
生ぜしめる。この電子２１は一部ビーム流に巻込まれる
が、ｌｔｔ！はイオンビーム上流側に放散する。しかし
、ＴＬ子通過バリヤー２０が設けられているため、その
位置で電子の移動は妨げられビーム流に巻込まれること
になる。
とともに上下往復動じ、そのディスク１上のウェハー３
部分に対して正イオンビーム５が照射される。上記のご
とくスリット板８のスリット９がビーム外形より小であ
るためビームの一部はスリット板８に衝突し電子２１を
生ぜしめる。この電子２１は一部ビーム流に巻込まれる
が、ｌｔｔ！はイオンビーム上流側に放散する。しかし
、ＴＬ子通過バリヤー２０が設けられているため、その
位置で電子の移動は妨げられビーム流に巻込まれること
になる。
スリット板８とビーム５とが干渉する場合と干渉しない
場合との比較を第５図に示す。すれから明らかに干渉さ
せた場合部わちスリット９をビーム５の外形より小さく
した場合にウェハー電圧は低くなり絶縁破壊が生じにく
い。さらに電子通過バリヤー２０に負電圧を印加した場
合には一層つエバー電圧ここおける差異が顕著になる。
場合との比較を第５図に示す。すれから明らかに干渉さ
せた場合部わちスリット９をビーム５の外形より小さく
した場合にウェハー電圧は低くなり絶縁破壊が生じにく
い。さらに電子通過バリヤー２０に負電圧を印加した場
合には一層つエバー電圧ここおける差異が顕著になる。
次に、第６図に基すき他の発明に係る実施例について言
及する。
及する。
この実施例は上記第３図乃至第４図に示す実施例に電子
シャワー機構を付加したものである。従って、第６図に
おいて第３図と共通な部分には同一の番号を付し説明を
省略する。電子シャワーは電子銃６とターゲット７とか
らなり、上記電子通過バリヤーに近接してそのビーム下
流側に設けられている。電子銃６はフィラメントに高電
流を流し一次電子１０を発生させるもので、この−次電
子１０をビーム流に対し直交する方向に放出させている
。イオンビーム５を扶んて電子銃６と対向する位置に０
例えばアルミニウム製のターゲット７が設けられている
。ターゲット７の一次電子１０を受ける面は傾斜してお
り、−次電子１０がこの面に当たると二次電子１１がビ
ーム流方向に発生し一部イオンビーム５中に巻込まれ、
ウェハー３表面上で正イオンを中和することになるイオ
ン打ち込み時には、ディスク１は高速度で回転するとと
もに上下往復動し、そのディスク１上ウ工ハー３部分に
対して正・イオンビーム５が照射される。ここで上述の
ごとくスリット板８のスリット９がビーム外形より小で
あるため、ビームの一部はスリット板８に衝突し電子２
１を生ぜしめる。また電子シャワーのターゲット７から
はビーム流下流に向けて電子が放出される。この際、ビ
ーム流に捕捉されない電子はイオンビーム５を包むよう
に前進するが、これらの殆どはスリット板８により前進
を阻止され、ウェハー３上には至らない。従って真にウ
ェハー３表面上で正イオンを中和する電子のみが選択的
にウェハーに到達することになり、ウェハー面上におけ
るウェハー電圧は確実に低下する。
シャワー機構を付加したものである。従って、第６図に
おいて第３図と共通な部分には同一の番号を付し説明を
省略する。電子シャワーは電子銃６とターゲット７とか
らなり、上記電子通過バリヤーに近接してそのビーム下
流側に設けられている。電子銃６はフィラメントに高電
流を流し一次電子１０を発生させるもので、この−次電
子１０をビーム流に対し直交する方向に放出させている
。イオンビーム５を扶んて電子銃６と対向する位置に０
例えばアルミニウム製のターゲット７が設けられている
。ターゲット７の一次電子１０を受ける面は傾斜してお
り、−次電子１０がこの面に当たると二次電子１１がビ
ーム流方向に発生し一部イオンビーム５中に巻込まれ、
ウェハー３表面上で正イオンを中和することになるイオ
ン打ち込み時には、ディスク１は高速度で回転するとと
もに上下往復動し、そのディスク１上ウ工ハー３部分に
対して正・イオンビーム５が照射される。ここで上述の
ごとくスリット板８のスリット９がビーム外形より小で
あるため、ビームの一部はスリット板８に衝突し電子２
１を生ぜしめる。また電子シャワーのターゲット７から
はビーム流下流に向けて電子が放出される。この際、ビ
ーム流に捕捉されない電子はイオンビーム５を包むよう
に前進するが、これらの殆どはスリット板８により前進
を阻止され、ウェハー３上には至らない。従って真にウ
ェハー３表面上で正イオンを中和する電子のみが選択的
にウェハーに到達することになり、ウェハー面上におけ
るウェハー電圧は確実に低下する。
（効果）
この発明によりウェハーの絶縁破壊が抑制され。
その結果、ウェハーの歩留りが著しく向上する。
第１図は従来の電子シャワーを利用した場合の電子シャ
ワー−次電流とウェハー表層部のウェハー電圧とのｒＪ
Ｊ係を示すグラフ、第２図はウェハー表面部分における
負の帯電部分と正の帯電部分との分離併存状態を示す概
略図、第３図は第１の発明の１実施例を示す概略図、第
４図は第３図のｒＶ−ＩＶ線に沿う側面図、第５図は本
実施例の場合とビームと干渉しないスリットを設けない
場合との比較を示すグラフ、第６図は第２の発明の１実
施例を示す概略図である。 １ ディスク ２ ウェハー置き台 ３ ウェハー ４ イオン源 ５ イオンビーム ６ 電子銃 ７ ターゲット °８ スリット板 ９ スリット １〇 −次電子 １１ 二次電子 ２０ 電子通過バリャ− 第２図 第５図
ワー−次電流とウェハー表層部のウェハー電圧とのｒＪ
Ｊ係を示すグラフ、第２図はウェハー表面部分における
負の帯電部分と正の帯電部分との分離併存状態を示す概
略図、第３図は第１の発明の１実施例を示す概略図、第
４図は第３図のｒＶ−ＩＶ線に沿う側面図、第５図は本
実施例の場合とビームと干渉しないスリットを設けない
場合との比較を示すグラフ、第６図は第２の発明の１実
施例を示す概略図である。 １ ディスク ２ ウェハー置き台 ３ ウェハー ４ イオン源 ５ イオンビーム ６ 電子銃 ７ ターゲット °８ スリット板 ９ スリット １〇 −次電子 １１ 二次電子 ２０ 電子通過バリャ− 第２図 第５図
Claims (2)
- （１）ディスクと、ディスク面の円周上に設けられたウ
ェハー置き台と、該ウェハー置き台上に置かれたウェハ
ーと、該ウェハーにイオンビームを照射するためのイオ
ン源とからなるイオン打ち込み装置において、ウェハー
に近い位置にビームの１部が板部と干渉するような大き
さのスリットを有するスリット板を設けるとともに、ビ
ーム流の上流方向に該スリット板と離間した位置に電子
通過バリヤーを設けたことを特徴とするウェハーの帯電
抑制装置 - （２）ディスクと、ディスク面の円周上に設けられたウ
ェハー置き台と、該ウェハー置き台上に置かれたウェハ
ーと、該ウェハーにイオンビームを照射するためのイオ
ン源とからなるイオン打ち込み装置において、ウェハー
に近い位置にビームの１部が板部と干渉するような大き
さのスリットを有するスリット板を設けるとともに、ビ
ーム流の上流方向に該スリット板と離間した位置に電子
通過バリヤーを設け、さらにイオンビーム流に対し直角
方向に設けられた電子銃と該電子銃からイオンビームに
直交する方向に放射される一次電子を受けその衝撃によ
り二次電子をビーム流と反対方向に発生させる金属製タ
ーゲットとからなる電子シャワーを上記電子通過バリヤ
ーのビーム下流側近傍に設けたことを特徴とするウェハ
ーの帯電抑制装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29595485A JPS62154447A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | ウエハ−の帯電抑制装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29595485A JPS62154447A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | ウエハ−の帯電抑制装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62154447A true JPS62154447A (ja) | 1987-07-09 |
Family
ID=17827250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29595485A Pending JPS62154447A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | ウエハ−の帯電抑制装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62154447A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019525394A (ja) * | 2017-04-13 | 2019-09-05 | ザ・スウォッチ・グループ・リサーチ・アンド・ディベロップメント・リミテッド | 被処理物体の表面に１価又は多価イオンを注入する方法及び方法を実施するデバイス |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5787056A (en) * | 1980-09-24 | 1982-05-31 | Varian Associates | Method and device for strengthening neutralization of ion beam of positive charge |
| JPS5826441A (ja) * | 1981-08-10 | 1983-02-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | イオン注入装置 |
| JPS5981852A (ja) * | 1982-09-29 | 1984-05-11 | イ−トン・コ−ポレ−シヨン | イオン移植装置 |
-
1985
- 1985-12-25 JP JP29595485A patent/JPS62154447A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5787056A (en) * | 1980-09-24 | 1982-05-31 | Varian Associates | Method and device for strengthening neutralization of ion beam of positive charge |
| JPS5826441A (ja) * | 1981-08-10 | 1983-02-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | イオン注入装置 |
| JPS5981852A (ja) * | 1982-09-29 | 1984-05-11 | イ−トン・コ−ポレ−シヨン | イオン移植装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019525394A (ja) * | 2017-04-13 | 2019-09-05 | ザ・スウォッチ・グループ・リサーチ・アンド・ディベロップメント・リミテッド | 被処理物体の表面に１価又は多価イオンを注入する方法及び方法を実施するデバイス |
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