JPS62150335A

JPS62150335A - 液晶装置

Info

Publication number: JPS62150335A
Application number: JP29530885A
Authority: JP
Inventors: Shuzo Kaneko; 金子　修三; Tsutomu Toyono; 豊野　勉; Akihiro Mori; 明広毛利; Junichiro Kanbe; 純一郎神辺
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1985-12-25
Filing date: 1985-12-25
Publication date: 1987-07-04
Also published as: JPH0422497B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、光学変調素子の駆動法に関し、特に少なくと
も２つの安定状態をもつ強誘電性液晶素子の駆動法に関
する。

〔従来波イＩＲｉの説明〕

従来より、走査電極群と信号電極群をマトリクス状に構
成し、その電極間に液晶化合物を充填し多数の画素を形
成して、画像或いは情報の表示を行う液晶表示素子はよ
く知られている。

この表示素子の駆動法としては、走査電極群に順次櫂期
的にアドレス信号を選択印加し、信号電極群には所定の
情報信号をアドレス信号と同期させて並列的に選択印加
する時分割駆動が採用されている。

これらの実用に供されたのは、殆どが、例えば°°アプ
ライド・フィジスク・レターズ°”（”　　Ａｐｐｌｉ
ｅｄ　　Ｒｈｙｓｉｃｓ　　Ｌｅｔｔｅｒ”　　）１９
７１年、１８（４）号１２７〜１２８頁に掲載（７）Ｍ
、　シャットＣＭ、　　５ｃｈａｄｔ　）８ヨびｗ、ヘ
ル７リヒ（Ｗ、　Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ　）共著になる“ボ
ルテージ・ディペンダント・オプティカル・アクティビ
ティ−・オブ・ア・ツィステッド・ネマチック・リキッ
ド・クリスタル°′（“Ｖｏｌｔａｇｅ　Ｄｅｐｅｎｄ
ｅｎｔ　０ｐｔｉｃａｌ　Ａｃｔｉｖｉｔｙｏｆ　ａ　
Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ　Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒ
ｙｓｔａｌ”　）に示されたＴ　Ｎ　（ｔｗｉｓｔｅｄ
ｎｅｍａｔｉｃ）型液晶であった。

近年は、在来の液晶素子の改善型として、双安定性を有
する液晶素子の使用がクラーク（Ｃ１ａｒｋ　）および
ラガーウォール（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）の両者により特
開昭５６−１０７２１６号公報、米国特許第４３６７９
２４号明細書等で提案されている。双安定性液晶として
は、一般に、カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ’）又
はＨ相（ＳｍＨ”）を有する強誘電性液晶が用いられ、
これらの状態において、印加された′・１界に応答して
第１の光学的安定状態と第２の光学的安定状態とのいず
れかをとり、かつ電界が印加されないときはその状態を
維持する性質、即ち、安定性を有し、また電界の変化に
対する応答がすみやかで、高速かつ記憶型の表示装置等
の分野における広い利用が期待されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、表示画素数が極めて多く、しかも高速駆
動が求められる時には、問題を生じる。すなわち、所定
の電圧印加時間に対して双安定性を有する強誘電性液晶
セルで第１の安定状態を４えるための閾値電圧を−ｖｔ
　ｈｌとし、第２の安定状態を与えるための閾値電圧を
＋Ｖｔｈ２とすると、これらの閾値電圧を越えなくとも
、長時間に亘り、電圧が印加され続ける場合に、画素に
書込まれた表示状態（例えば、白状態）か別の表示状態
（例えば、点状態）に反転することかある。第１図は、
双安定性強誘電性液晶セルの閾値特性を表わしている。

第１図は強誘電性液晶としてＤＯＢＡＭＢＣ（図中の１
２）とＨＯＢＡＣＰＣ（図中の１１）を用いた時のスイ
ッチングに要する閾値電圧（ｖｔｈ）の印加時間依存性
をプロットしたものである。

第１図より明らかな如く、閾値ｖｔｈは印加時間依存性
を持っており、さらに印加時間が短い程、急勾配になっ
ていることが理解される。

このことから、走査線が極めて多く、しかも高速に駆動
する素子に適用した場合には１例えばある画素に走査時
において明状態にスイッチされていても、次の走査以降
常にｖｔｈ以下の情報信号が印加され続ける場合、一画
面の走査が終了する途中でその画素が暗状態に反転して
しまう危険性をもっていることが判る。

〔問題点を解決するための手段〕及び〔作用〕本発明の
目的は、前述したような従来の液晶表示素子或いは液晶
光シャッターにおける問題点を解決した新規な液晶素子
の駆動法を提供することにある。

本発明の別の目的は、高速応答性を有する液晶素子の駆
動法を提供することにある。

本発明の他の目的は、高密度の画素を有する液晶素子の
駆動法を提供することにある。

本発明は、交差した走査電極群と信号電極群との間に少
なくとも２つの安定状態をもつ光学変調物質が配置され
、該走査電極群と信号電極群の交差部を画素としたマト
リクス画素構造を有する光学変調素子の駆動法において
、前記マトリクス画素構造のうちの選択された走査電極
ライン上の画素への書込みが少なくとも３つの位相で行
なわれ、前記マトリクス画素構造のうちの選択されてい
ない走査電極ライン上の画素に印加される電圧波形が、
前記少なくとも３つの位相のうちの最初の位相と最後の
位相とで互いに逆極性となっている光学変調素子の駆動
法に特徴を有している。本発明の好ましい具体例では、
前記マトリクス画素構造のうちの選択された走査電極ラ
イン上の画素への書込みが、該ランイ上の画素の全部又
は所定部を前記光学変調物質の第１の安定状態に基づく
一方の表示状■；とする第１の位相と、前記画素のうち
選択された画素を＋ｉｆｆ記光学変調物質の：５２の安
定状態に基づく他方の表示状態に反転させる第２の位相
とを有する書込み期間内で行なわれる駆動法を用いるこ
とができる。

〔実施例〕

本発明の駆動法で用いる光学変調物質としては、少なく
とも２つの安定状態をもつもの、特に加えられる電界に
応じて第１の光学的安定状態と第２の光学的安定状態と
のいずれかを取る。すなわち電界に対する双安定状態を
有する物質、特にこのような性質を有する液晶が用いら
れる。

本発明の駆動法で用いることができる双安定性を有する
液晶としては、強誘電性を有するカーイラルスメクテイ
ック液晶が最も好ましく、そのうちカイラルスメクテイ
ツクＣ相（ＳｍＣ’）また、Ｈ相（ＳｍＨ’　）の液晶
が適している。

この強誘電性液晶については、′ル・ジュルナール・ド
・フィシツクＯルーチル°”（”Ｌｅ　Ｊｏｕｒｎａｌ
　ｄｅ　Ｐｈｙｓｉｏｖｅ　１ｅｔｔｅｒ　”　）３６
＠（Ｌ−６９）、１９７５年の「フェロエレクトリック
番リキッド・クリスタルス」（ｒＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔ
ｒｉｃ　Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌｓ　Ｊ　）　；
°゛アプライドフィジックス・レタース°゛（”Ａｐｐ
ｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ”　）　３
６巻（１１号）１９８０年の「サブミクロン・セカンド
中バイスティプル・エレクトロオプティック−スイッチ
ング・インφリキッドｅクリスタルスＪ　　（ｒ　Ｓｕ
ｂｍｉｃｒａ　　５ｅｃｏｎｄ　　Ｂ１５ｔａｂｌｅＥ
ｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃ　　Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ　　ｉ
ｎ　　ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌｓＪ　）　　；　　
”固体物理”１６（１４１）１９８１　ｒ液晶」等に記
載されており、本発明ではこれらに開示された強誘電性
液晶を用いることがでＳる。

より具体的には、本発明法に用いられる強誘電性液晶化
合物の例としては、デシロキシへンジリデンーｙ−アミ
ノー２−メチルブチルシンナメート（ＤＯＢＡＭＢＣ）
、ヘキシルオキシベンジリデン−Ｙ−アミノ−２−クロ
ロプロピルシンナメート（ＨＯＢＡＣＰＣ）および４−
ｏ−（２−メチル）−ブチルレゾルシリチン−４′−オ
クチルアニリン（ＭＢＲＡ８）等が挙げられる。

これらの材料を用いて素子を構成する場合、液晶化合物
が、ＳｍＣ’相又はＳｍＨ’相となるような温度状態に
保持する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込まれ
た銅ブロック等により支持することができる。

又、本発明では前述のＳｍＣ’　、ＳｍＨ’の他にカイ
ラルスメックチックＦ相、■相、Ｊ相、Ｇ相やに相で現
われる強：Ｊ５ＴＸ、性液晶を用いることも可能である
。

第２図は強誘電性液晶セルの例を模式的に描いたもノテ
ある。２１ａと２１ｂはＩ　ｎ２０３゜Ｓ　ｎ０２やＩ
ＴＯ（インジウム−ティン−オキサイド）等の透明電極
がコートされた基板（ガラス板）であり、その間に液晶
分子層２２がガラス面に垂直になるよう配向したＳｍＣ
’相の液晶が封入されている。太線で示した線２３が液
晶分子を表わしており、この液晶分子２３は、その分子
に直交した方向に双極子モーメン）　（Ｐ土）１４を有
している。基板２１ａと２１ｂ上の電極間に一定の閾値
以上の電圧を印加すると、液晶分子２３のらせん構造が
ほどけ、双極子モーメント（Ｐ工）２４はすべて電界方
向に向くよう、液晶分子２３の配向方向を変えることが
できる。液晶分子２３は細長い形状を有しており、その
長袖方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、従って例え
ばガラス面の上下に互いにクロスニコルの位置関係に配
置した偏光子を置けば、電圧印加極性によって光学特性
が変わる液晶光学変調素子となることは、容易に理解さ
れる。さらに液晶セルの厚さを充分に薄くした場合（例
えば１ル）には、第３図に示すように電界を印加してい
ない状態でも液晶分子のらせん構造はほどけ、その双極
子モーメントＰａ又はＰｂは上向き（３４ａ）又は下向
（３４ｂ）のどちらかの状態をとる。このようなセルに
第３図に示す如く一定の閾値以上の極性の異なる電界Ｅ
ａ又はＥｂを所定時間付与すると、双極子モーメントは
電界Ｅａ又はＥｂの電界ベクトルに対応して上向き３４
ａ又は、下向き３４ｂと向きを変え、それに応じて液晶
分子は第１の安定状態３３ａかあるいは第２の安定状態
３３ｂの何れか一方に配向する。

このような強誘電性液晶を光学変調素子として用いるこ
との利点は２つある。第１に、応答速度が極めて速いこ
と、第２に液晶分子の配向が双安定状態を有することで
ある。第２の点を例えば第２図によって説明すると、電
界Ｅａを印加すると液晶分子は第１の安定状態３３ａに
配向するが、この状態は電界を切っても安定である。又
、逆向きの電界Ｅｂを印加すると、液晶分子は第２の安
定状態３３ｂに配向して、その分子の向きを変えるが、
やはり電界を切ってもこの状態に留っている。又、与え
る電界Ｅａが一定の閾値を越えない限り、それぞれの配
向状態にやはり維持されている。このような応答速度の
速さと、双安定性が有効に実現されるには、セルとして
は出来るだけ薄い方が好ましく、一般的には、０．５ｐ
〜２０ル、特に１ル〜５痔が適している。

本発明の駆動法の好ましい具体例を第４図〜第７図によ
り説明する。

第４図は、中間に強誘電性液晶化合物が狭まれたマトリ
クス電極構造を有するセル４１の模式図である。４２は
走査電極群であり、４３は信号電極群である。今、説明
を簡略化するために、白黒の二値信号を表示する場合を
例にとって示す。第４図に於て、斜線で示される画素が
「黒」に、その他が「白」に対応するものとする。第５
図（ａ）と（ｂ）はそれぞれ選択された走査電極に与え
られる走査選択信号とそれ以外の走査型Ｊ４ｉ（選択さ
れない走査電極）に与えられる走査非選択信号を示し、
第５図（Ｃ）と（ｄ）はそれぞれ選択された信号電極に
与えられる情報選択信号と選択されない信号電極に与え
られる情報非選択信号を表わす、第５図（ａ）〜（ｂ）
ではそれぞれ横軸が時間を、縦軸が電圧を示している。

本発明の駆動法の好ましい具体例を第５図に示す。

第４図は中間に強誘電性液晶化合物が狭まれたマトリク
ス電極構造を有するセル４１の模式図である。４２は走
査電極群であり、４３は信号電極群である。今、説明を
簡略化するために、白黒の二値信号を表示する場合を例
にとって示す。第４図に於て、斜線で示される画素が「
黒」に、その他が「白」に対応するものとする。第５図
（ａ）と（ｂ）はそれぞれ選択された走査電極Ｓに与え
られる走査選択信号と、それ以外の選択されない走査電
極に与えられる走査非選択信号を示し、第５図（ｃ）と
（ｄ）はそれぞれ選択された（これを黒とする）信号電
極■に与えられる情報選択信号と選択されない（これを
白とする）信号電極に与えられる情報非選択信号を表わ
す。第５図では横軸が時間を縦軸か電圧を示している。

また本例では位相ｔｌ＝ｔ２＝ｔ３で示され、書込みは
位相ｔ１↓ｔ２＋ｔ３＝”ｒで行なわれる。走査電極群
４２順次、１）込み期間が選択される。

今、双安定性を有する液晶セルの第１の安定状態（これ
を白とする）を与えるための印加時間Δｔでの閑イｉＱ
　’ＩＴｉ、圧を−Ｖｔｈｌとし、第２の安定状態（こ
れを黒とする）を与えるための印加時間Δｔでの閾値電
圧をｖｔ　ｈ２とすると、選択された走査電極に与えら
れる電気信号は、第５図（ａ）に示される如く位相（時
間）１１では２ＶＱを、位相（時間）ｔ２では一２ＶＱ
又、位相ｔ３ではＯとなるような電圧波形である。又、
それ以外の走査電極は、第５図（ｂ）に示す如くアース
状態となっており電気信号０である。一方、選択された
信号電極に与えられる電気信号は第５図（Ｃ）に示され
る如く位相ｔ１において−ｖｏで、位相ｔ２においてＶ
。

であり、位相ｔ３においてもｖｏである。又。

選択されない信号電極に与えられる電気信号は第５図（
ｄ）に示される如く位相ｔ１において−ＶＱ−’Ｃ’、
イＶ７．ＨＩ　ｔ　２　＋、：オイテも＝ｖｏ、位相ｔ
３においてｖＯである。以上に於て、電圧値ｖｏはＶ　
Ｏ＜　Ｖ　ｔ　ｈ　２　＜　３　Ｖ　Ｏト−Ｖ　Ｏ＞−
Ｖｔ　ｈｌ＞−３ＶＱを満足する所望の値に設定される
。このような心気イａ号が与えられたときの、各画素に
印加される電圧波形を第６図に示す。第６図に於て（ａ
）と（ｂ）は、それぞれ選択された走査電極ライン上に
あって、「黒」及び「白」を表示されるべき画一←に、
又（Ｃ）と（ｄ）はそれぞれ選択されていない走査電極
上の画素に印加される電圧波形である。

第６図から明らかな如く、選択された走査電極にあるす
べての画素は、最初の第１の位相ｔ１で閾値電圧−Ｖｔ
ｈｌを越える電圧−３ＶＯが印加されるために、まず−
損出に揃えられる。

従って、この位相ｔ１はライン消去位相に相当している
。このうち、「黒」と表示すべき画素では第２の位相ｔ
２で、閾値電圧ｖｔｈ２を越える電圧３ＶＱが印加され
るために他方の光学的安定状態（「黒」）に転移する。

又、同一走査電極上に存在し、「白」と表示すべき画素
では第２の位相ｔ２に於ける印加電圧は閾値電圧ｖｔ　
ｈ２を越えない電圧■０であるために、一方の光学的安
定状態に留まったままである。

一方、選択されない走査電極上では、すべての画素に印
加される電圧は士ｖ□又はＯであって、いずれも閾値電
圧を越えない、従って、液晶分子は、配向状態を変える
ことなく前回走査されたときの信号状態に対応した配向
をそのまま保持している。即ち、走査電極が選択された
ときに、まず第１の位相ｔ１において、−担一方の光学
的安定状態「白」に揃えられ、次に第２の位相ｔ２にお
いて１選択された画素が他方の光学的安定状態（黒）に
転移されて、−ライン分の信号の書込みが行なわれ、−
フレームが終了して次回選択されるまでの間は、その信
号状態を保持し得るわけである。

さて、双安定性を有する状態での強誘電液晶の電界によ
るスイッチングのメカニズムは微視的には必ずしも明ら
かではないが、一般に所定の（第１の）安定状態に所定
時間の強い電界でスイッチングした後、全く電界が印加
されない状態に放置する場合には、はぼ半永久的にその
状態を保つことは可能であるが、所定時間ではスイッチ
ングしないような弱い電界（先に説明した例で言えば、
ｖｔｈ以下の電圧に対応）であっても、逆極性の電界が
長時間に渉って印加される場合には、逆の（第２の）安
定状態へ再び配向状態が反転してしまい、その結果正し
い情報の表示や変調が達成できない現象が生じる。未発
明者等は、このような弱電界の長時間印加による配向状
態の反転現象（一種のクロストーク）の生じ易さが、基
板表面の材質、粗さや液晶材木：１等によって影響を受
けることは認識したか、足許的には未だ把みきっていな
い、ただ、ラビングやＳｉＯ等の斜方基若等液晶分子の
配向のための一軸性基板処理を行なうと、上記反転現象
の生じ易さが増す傾向にあることは確認した。特に、高
い温度の時に低い温度の場合に較へてその傾向が強く現
われることも確認した。いずれにしても、正しい情報の
表示や変：Ａを構成するために一定方向の電界が長時間
に渉って印加されることは、避けるのが好ましい。

そこで、本発明の駆動法に於る第３の位相ｔ３は一定力
向の弱電界が印加され続けることを防Ｉ１ｍするだめの
位相であって、その好ましい具体例として第５図（Ｃ）
及び（ｄ）に示すごとく、信号電極群に位相ｔ１に於て
印加した情報伝りと極性の異なる信号を位相ｔ３に於て
印加するものである。たとえば、第３図（Ａ）に示した
パターンを表示しようとする場合、位相ｔ３を持たない
駆動方法を行なうと、走査電極Ｓ１を走査したとき、画
素Ａは黒となるが、Ｓ２以降では信号電極１１に印加さ
れる電気信号は−Ｖｏが連続し、その電圧はそのます画
素Ａに印加されるため画素Ａがやがて白に反転してしま
う可能性が大きい。

走査時第１の位相ｔ１に於て、その走査電極上の画素を
一担すへて「白」とし、第２の位相ｔ２に於て、情報に
応じて対応する画素を「黒」に１１：き換えるわけであ
るが、本実施例では第１の位相ｔ１で「白」とするため
の電圧は一３ＶＱであり、その印加時間は△ｔである。

一方、「黒」に書き変えるための電圧は３ＶＱであり、
その印加時間はΔＬであり、位相ｔ３でｖｏがΔを印加
される。また、走査峙以外に於て、各画素に加わる電圧
は、最大１±Ｖｏｌであり、これが連続して印加される
最も長い時間は、第４図で示す７１の個所で２ΔＥであ
り、クロストークは全く起こらず、全画面の走査が一度
終了すると、表示された情報は、半永久的に保持される
ため、双安定性を有さない通常のＴＮ液晶を用いた表示
素子における如き、リフレッシユニ程は全く必要ない。

特に本発明においては、第１の位相ｔ１において液晶層
に印加される電圧の方向は、走査電極の非選択時におい
ても、「黒」、「白」の情報信号のいずれにかかわらず
、本例ではｅ側であり、また、最後の位相（本例では第
３の位相ｔ３）において印加される電圧は全て＋ｖＯで
ありｅ側の電圧である様にしたため、前記クロストロー
クは必ず２Δを以下となる。また本例において第３の位
相ｔ３で信号電極に印加される′電圧は、第５図（Ｃ）
と（ｄ）に示すごとく第１の位相と逆の電圧、同時に第
２の位相ｔ２における「黒」書き込みの電圧と同極性で
あるため、「黒」の９き込みは前記した様に３ＶＱのΔ
ｔの印加と、ｖｏのΔｔの印加によりさらにクロストー
ク発生防止を確実なものとする効果かある。

さて、第３の位相ｔ３の最適時間間隔としては、この位
相に於て、信号゛上様に印加される電圧の大きさにも依
存し、第２の位相Ｌ２に於て情報信号として付加される
電圧と逆極性の１［圧を印加する場合、一般的には電圧
が大きい場合には、時間間隔は短く、電圧が小さい場合
には時間間隔は長くするのか好ましいが、時間間隔は長
いと一画面全体を走査するに長い時間を要することにな
る。このため、好ましくは、ｔ３≦ｔ２と設定するのが
よい。

実施例１透明導電膜（ＩＴＯ）が互いに５００Ｘ５００のマトリ
クスを構成するようにパターニングされた１組のガラス
板に、スピンコードにより約３００　のポリイミド膜を
形成した。それぞれの基板を表面にテレン布が巻きつけ
られたローラによってラビング処理を施し、ラビング方
向が一致するようにして貼りあわせてセルを形成した。

このときのセル間隔は約１．６＃Ｌである。このセルに
強誘電液晶であるデシロキシベンジリデン−ｙ−アミノ
−２−メチルブチルシンナメート　（Ｄ　ＯＢ　ＡＭＢ
　Ｃ）を注入し、加熱溶融状態より除冷することにより
、ＳｍＣ状態で均一な七ノドメイン状ＩＥを得た。セル
温度を７０°Ｃにコントロールし、第５図〜第７図に示
した駆動方法に基づき、ｖ（、＝ｔｏｖ、ｔ　１＝ｔ２
＝ｔ３＝Δｔ＝５０ｐｓｅｃと設定して、！！ｌ１ｌｆ
’ｉ次走査を行なったところ、極めて良好な画像が得ら
れた。

第８図〜第１０図は１本発明におけるもう一つの別の実
効例である。第８図（ａ）は１選択された走査電極ライ
ンに印加される走査選択信号で、位相ｔ１で２ＶＯ，位
相ｔ２で一２ＶＱ、位相ｔ３でｖｏ、そして位相ｔ４で
Ｏとなっている。第８図（ｂ）は、選択されていない走
査電極ラインに印加される走査非選択信号で、（ｑ相Ｌ
１、ｔ２、ｔ３とｔ４に亘ってＯとなっている。第８図
（Ｃ）は、選択された信号電極に印加する情報選択信号
で位相ｔ１で一■ｏ１位相ｔ２でＶｏ９位相ｔ３で０、
位相ｔ　４ｖＯとなっている。第８図（ｄ）は、選択さ
れない信号電極に印加する情報非選択信号で、位相ｔ１
とＬ２で−Ｖｏ１位相ｔ３でＯｌそして位相ｔ４でｖｏ
となっている。第９図（ａ）は、画素に前述の走査選択
信号と情報選択信号が同期して印加された時の電圧波形
を表わしており、第９図（ｂ）は走査選択信号と情報非
選択信号が同期して印加された時の電圧波形を表わして
いる。第９ｒＡ（ｃ）は、９Ｔｊｉ素に前述の走査非選
択信号と情報選択信号とか印加された時の七、′−Ｅ波
形で、第９図（ｄ）は走査非選択信号と情報非選択信号
とか印加された時の電圧波形を表わしている。また、書
込みは、位相ｔ１＋ｔ２十ｔ３＋ｔ４＝Ｔで行なわれる
。

第１０図は、前述した信号電圧を時系列で表わしたもの
で、図中Ａは第４図の画素Ａに印加される時系列波形で
、Ｂは第４図の画素Ｂに印加される時系列波形を表わし
ている。

本例においても、最初の位相Ｌ１と最後の位相ｔ４にお
いて、液晶層にかかる電圧が選択、非選択を問わず互い
に逆極性となる様にしたもので、これにより前記のクロ
ストーク量は最大２Δｔとすることができる。

以上説明した実施例において、１ラインの書込み期間を
３つの位相あるいは４つの位相に分割したものを挙げた
が、高速の効率の良い駆動を行なうためには、この分割
数は５程度迄を限度とするのが望ましい。

〔発明の効果〕

本発明によれば、強誘電性液晶素子を用いた表示パネル
を高速で駆動させても、走査非選択信号が印加されてい
る走査電極ライン上の画素に印加され続ける電圧波形の
最大パルス幅が古込み時のパルスΔｔの２倍であるため
、一画面の書込み走査途中で表示状態が他の表示状態に
反転する現象を有効に防止することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、強誘電性液晶の閾値特性を表わす説明図であ
る。第２図及び第３図は、本発明で用いる強誘電性液晶
素子を模式的に表わす斜視図である。第４図は、本発明
で用いるマトリクス画素構造の平面図である。第５図（
ａ）〜（ｄ）及び第８図（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ電極
に印加される信号の電圧波形を示す説明図である。第６
図（ａ）〜（ｄ）及び第９図（ａ）〜（ｄ）は、それぞ
れ画素に印加される信号の電圧波形を示す説明図である
。：ｆＩＪ７図及び第１０図は前述の信号を時系列で表
わした電圧波形の説明図である。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）交差した走査電極群と信号電極群の間に少なくと
も２つの安定状態をもつ光学変調物質が配置され、該走
査電極群と信号電極群の交差部を画素としたマトリクス
画素構造を有する光学変調素子の駆動法において、前記
マトリクス画素構造のうちの選択された走査電極ライン
上の画素への書込みが少なくとも３つの位相で行なわれ
、前記マトリクス画素構造のうちの選択されていない走
査電極ライン上の画素に印加される電圧波形が、前記少
なくとも３つの位相のうちの最初の位相と最後の位相と
で互いに逆極性となっていることを特徴とする光学変調
素子の駆動法。
（２）前記マトリクス画素構造のうちの選択された走査
電極ライン上の画素への書込みが、該ランイ上の画素の
全部又は所定部を前記光学変調物質の第１の安定状態に
基づく一方の表示状態とする第１の位相と、前記画素の
うち選択された画素を前記光学変調物質の第２の安定状
態に基づく他方の表示状態に反転させる第２の位相とを
有する書込み期間内で行なわれる特許請求の範囲第１項
記載の駆動法。
（３）前記第１の位相が前記書込み期間内における最初
の位相で、前記第２の位相が前記書込み期間内における
２番目の位相である特許請求の範囲第２項記載の駆動法
。
（４）前記書込み期間が３つの位相を有している特許請
求の範囲第１項又は第２項記載の駆動法。
（５）前記光学変調物質が強誘電性液晶である特許請求
の範囲第１項記載の駆動法。
（６）前記強誘電性液晶がカイラルスメクチツク液晶で
ある特許請求の範囲第５項記載の駆動法。
（７）前記カイラルスメクチツク液晶が非らせん構造の
カイラルスメクチツク液晶である特許請求の範囲第６項
記載の駆動法。
（８）前記強誘電性液晶がカイラルスメクチツクＣ相又
はＨ相である特許請求の範囲第５項記載の駆動法。