JPS62149180A - Led装置 - Google Patents

Led装置

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Publication number
JPS62149180A
JPS62149180A JP60291249A JP29124985A JPS62149180A JP S62149180 A JPS62149180 A JP S62149180A JP 60291249 A JP60291249 A JP 60291249A JP 29124985 A JP29124985 A JP 29124985A JP S62149180 A JPS62149180 A JP S62149180A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
led
insulating layer
led device
resin
chips
Prior art date
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Pending
Application number
JP60291249A
Other languages
English (en)
Inventor
Masami Takagi
高木 正巳
Hideo Miyagi
宮城 秀雄
Shozo Kataoka
片岡 省三
Hiroshi Niiya
新舎 洋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Priority to JP60291249A priority Critical patent/JPS62149180A/ja
Publication of JPS62149180A publication Critical patent/JPS62149180A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F13/00Illuminated signs; Luminous advertising
    • G09F13/20Illuminated signs; Luminous advertising with luminescent surfaces or parts
    • G09F13/22Illuminated signs; Luminous advertising with luminescent surfaces or parts electroluminescent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 この発明は、LEDチップを回路基板上に多数配列させ
て実装し、表示板や光源として用いられるLED装置に
関する。
〔背景技術〕
光源や表示灯として、白熱灯やネオン灯方式のものに替
わって、LEDチップを回路基板上に多数配列させて実
装したLED装置が最近盛んに使用されている。このL
ED装置は白熱灯やネオン灯方式のものに比べて点灯寿
命が半永久的に長く、システムの小型化ができ、かつ小
型化に伴う省エネルギー化が図れるものである。
従来のLED装置は、2つの方式のものがあった。すな
わち、1つは、第7図にみるように、祇エポキシあるい
はガラスエポキシ回路基板1上に、LEDチップ4のボ
ディ全体があらかじめ封止樹脂で封止されたものを、配
列させて実装したものである。第7図中、7はLEDチ
ップ4間を隔絶する分離枠である。もう1つは、第8図
にみるように、紙エポキシあるいはガラスエポキシ回路
基板12上の電路13上にLEDチップ14が実装され
、そののち封止樹脂(封止剤)16で封止されるととも
に、LEDチップ14の実装面1aの裏面には、アルミ
板などの放熱板11が固定ねじ19とナンド20によっ
て固定されているというものである。
しかしながら、これら2つのLED装置には、それぞれ
つぎのような問題があった。すなわち、第7図の方式の
ものでは、封止済のLEDチフプを用いるため、その外
形寸法間隔以下のピッチでは実装できず、実装密度が上
げられない。下部がら接続用のピン9が突出しているた
め嵩高くなる。その結果、表示板として点が粗くなる、
光源として輝度が高くならない、装置が嵩高くなるなど
の問題があった。第8図の方式のものでは、LEDチッ
プを直接実装するため、第7図の方式のものに比べて、
高密度に実装したものが得られるが、祇エポキシやガラ
スエポキシの回路基板を用いているため、LEDチップ
による発熱の放熱性に問題があり、この対策として、ア
ルミ板などの放熱板を固定ねしによって取り付けるよう
にしている。ところが、ねじにより取り付は工数が増え
ること、装置全体の厚みが増すこと、ねじやナツトが突
出することなどの問題があった。
〔発明の目的〕
この発明は、このような事情に鑑みて、LEDチップが
高密度で実装され、薄型で放熱性の良いLED装置を提
供することを目的としている。
〔発明の開示〕
この発明は、このような目的を達成するために、金属ベ
ース上に絶縁層を介して電路が形成されていて、複数の
LEDチップが互いの間隔を保持しつつ前記電路上に直
接実装されているとともに、前記LEDチップ実装面全
面が樹脂によって封止されているLED装置を要旨とす
る。
以下に、この発明をその実施例をあられす図面を参照し
つつ詳しく説明する。
第1図は、この発明にかかるLED装置の1実施例をあ
られす。図にみるように、この発明のLED装置は、金
属ベース21上に接着剤などからなる絶縁層22が形成
されている。絶縁層22の厚みは放熱性を考える上で8
0p以下が好ましく、下限は耐電圧の要求に応じた厚み
にすればよい。絶縁層22上には、導電体によってパタ
ーンやランドなどの電路23が形成されている。このた
め、基板の放熱性が良く、のちに放熱板を取り付けると
いう無駄な工程が必要でない。ねじなどの突出部がなく
薄型化できる。金属ベース21としては、アルミ板、鉄
板などの低コストで熱伝導性の良いものが望まれる。絶
縁層22は、無機質のものでも有機質のものでも構わな
い。導電体としては、Cu +  N t r A u
 + Ag、および、これらの合金などが挙げられる。
この電路23上に、多数のLEDチップ24・・・がそ
のボディを密着させるように実装され、ボンディングワ
イヤ25によってそれぞれ配線されている。これらのL
EDチップ24・・・は、第2図にみるような、分離枠
27によって互いに隔絶されている。分離枠27のLE
Dチップに向かう面27aは、テーバになっており、鏡
面めっきされ反射鏡の役目を果たすようになっている。
分離枠の材質としては、ABS樹脂、PPS樹脂などが
挙げられる。さらに、この上から封止樹脂26が塗布さ
れ、絶縁層22、導電体23.LEDチ・7プ241分
離枠27がともに封止されている。封止樹脂としては、
たとえば、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、アクリル
−エポキシ樹脂、アクリル−メラミン樹脂など比較的透
明度の高い樹脂が好ましい。必要に応じて、散乱材とし
てシリカ、アルミナなどの無機微粒子を封止樹脂中に分
散させておくようにすることもできる。樹脂だけである
と点光源からの光に見えるのであるが、散乱材を入れる
と大きな光源からの光に見えるようになる。
この発明にかかるLED装置は、上記実施例に限定され
ない。たとえば、テールランプや信号などに用いるよう
な場合には、分離枠は無くても構わない。
分離枠の形状も第3図および第4図にみるように、LE
Dチップの収容部31を丸穴にして、この丸穴のLED
チップに向かう面31aがアール形状に形成されている
ようなものであうもよい。
分離枠のLEDチップに向かう面は、必ずしも鏡面にす
る必要がないが、このLED装置を表示灯などに用いる
場合、LEDチップに向かう面にテーパやアールをつけ
て鏡面めっきし、反射鏡にしておくと、輝度の向上、光
源の指向性向上などが図れるので好ましい。
LED装置全体の形状も実施例のような板状のものに限
定されない。たとえば、テープ状の細長いものでもよい
導電体によって形成されるパターンおよびランドなどの
電路は、第5図にみるように、1層構造のものであって
も、第6図にみるように2層構造のものであっても構わ
ない。2層構造など多層にするとさらに高密度化ができ
る。
〔発明の効果〕
この発明のLED装置は、以上のように金属ベース上に
絶縁層を介して導体回路が形成され、この導体回路にL
EDチップが直接高密度で実装されているので、薄型で
放熱性が良く。輝度の高い光源としても点の細かい表示
灯としても用いることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明にかかるLED装置の1実施例をあら
れす側断面図、第2図はその分離枠をあられす斜視図、
第3図は別の分離枠をあられす斜視図、第4図はその側
断面図、第5図は金属ベースに形成された電路の1実施
例をあられす側断面図、第6図はその別の実施例をあら
れす側断面図、第7図は従来のLED装置をあられす分
解斜視図、第8図は従来の別のLED装置をあられす側
断面図である。 11.21・・・金属ベース 22・・・絶縁層 13
.23・・・電路 14.24・・・LEDチップ 1
6.26・・・樹脂 代理人 弁理士  松 本 武 彦 第1図 第2図 第3図 第5図 第6図 第7図 第8図

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)金属ベース上に絶縁層を介して電路が形成されて
    いて、複数のLEDチップが互いの間隔を保持しつつ前
    記電路上に直接実装されているとともに、前記LEDチ
    ップ実装面全面が樹脂によって封止されているLED装
    置。
  2. (2)LEDチップが分離枠によって互いに隔てられて
    いる特許請求の範囲第1項記載のLED装置。
  3. (3)分離枠のLEDチップに向かう面が鏡面となって
    いる特許請求の範囲第2項記載のLED装置。
  4. (4)絶縁層の厚みが80μm以下である特許請求の範
    囲第1項ないし第3項のいずれかに記載のLED装置。
  5. (5)封止樹脂がエポキシ樹脂、アクリル樹脂、アクリ
    ル−エポキシ樹脂およびアクリル−メラミン樹脂からな
    る群より選ばれた1つの透明樹脂である特許請求の範囲
    第1項ないし第4項のいずれかに記載のLED装置。
  6. (6)封止樹脂には光の散乱材が混入されている特許請
    求の範囲第1項ないし第5項のいずれかに記載のLED
    装置。
  7. (7)散乱材がシリカおよび/またはアルミナの微粒子
    である特許請求の範囲第6項記載のLED装置。
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