JPS62142757A - 装飾品 - Google Patents
装飾品Info
- Publication number
- JPS62142757A JPS62142757A JP28373785A JP28373785A JPS62142757A JP S62142757 A JPS62142757 A JP S62142757A JP 28373785 A JP28373785 A JP 28373785A JP 28373785 A JP28373785 A JP 28373785A JP S62142757 A JPS62142757 A JP S62142757A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- active metal
- base material
- nitride
- carbonitride
- atmosphere
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Adornments (AREA)
- Solid-Phase Diffusion Into Metallic Material Surfaces (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は２時計外装品、メガネフレーム、装身具等の
装飾品に関するものである。
装飾品に関するものである。
窒素雰囲気中に置かれた活性金属表面に高エネルギービ
ームを照射し、窒化物、炭窒化物を形成し、活性金属か
らなる装飾品の表面に金色模様を形成するようにした。
ームを照射し、窒化物、炭窒化物を形成し、活性金属か
らなる装飾品の表面に金色模様を形成するようにした。
又、部分模様等はメタルマスクを形成していた。
従来、窒化物、炭窒化物等の金色は、イオンブレーティ
ング法により、ステンレス等の母材表面に形成されてい
た。
ング法により、ステンレス等の母材表面に形成されてい
た。
イオンブレーティング法により、窒化物、炭窒化物を母
材表面に形成する方法では母相が３００℃〜４００℃に
加熱され、母材の寸法が変化し。
材表面に形成する方法では母相が３００℃〜４００℃に
加熱され、母材の寸法が変化し。
時計ケースの様な精密部品では、嵌合部の不良が生じる
。窒化物、炭窒化物の形成においても、真空中で行なわ
なければならず５作業効率が悪い。
。窒化物、炭窒化物の形成においても、真空中で行なわ
なければならず５作業効率が悪い。
更に模様を形成する場合はメタルマスクを用いるごとに
なるが３曲面への模様、複雑な模様をつけることば困難
であった。
なるが３曲面への模様、複雑な模様をつけることば困難
であった。
そこでこの発明は、従来のこの様な欠点１問題点を解決
するため１１材に活性金属を用い、高エネルギービーム
（レーザー、電子ビーム）をその表面に照射することに
より真空を用いることなしに金色の窒化物、炭窒化物を
母材の変形なしに３任意の模様を容易に得ることを目的
としている。
するため１１材に活性金属を用い、高エネルギービーム
（レーザー、電子ビーム）をその表面に照射することに
より真空を用いることなしに金色の窒化物、炭窒化物を
母材の変形なしに３任意の模様を容易に得ることを目的
としている。
上記問題を解決するために、この発明は母材として活性
金属を用い５窒素雰囲気中に置き、その表面に高エネル
ギービームを照射し、活性金属の表面石のみを溶融させ
、雰囲気と反応を行わせることにより、母材の寸法変化
なしに、マスキングなしに、任意の模様を得る様にした
。
金属を用い５窒素雰囲気中に置き、その表面に高エネル
ギービームを照射し、活性金属の表面石のみを溶融させ
、雰囲気と反応を行わせることにより、母材の寸法変化
なしに、マスキングなしに、任意の模様を得る様にした
。
第１図は、この発明の窒化物、炭窒化物を形成する装置
の断面図である。Ｉは、ＮＣテーブル。
の断面図である。Ｉは、ＮＣテーブル。
２は、窒素雰囲気を保つためのチャンバー、３は高エネ
ルギービームを通ず窓、４は、高エネルギービーム、５
は雰囲気ガス導入口２６は、被加工物から構成されてい
る。この様な装置で、ＮＣテーブル１をプログラムによ
り動かし、被加工物６に照射された高エネルギービーム
４の位置をかえるごとＧこより、任意の模様をマスキン
グなしに描くことが可能となる。第３図に模様を描いた
後の断面図を示す。７は、活性金属、８は、高エネルギ
ービームにより瞬時に溶融した領域、９は、溶融時に周
囲の雰囲気との反応により形成された窒化物、炭窒化物
層である。高エネルギービーム８は、微小部へエネルギ
ーが集中できるので、４副：反応が、短時間で可能とな
り周囲への熱影響は与えない。第４図の様に、窒化物、
炭窒化物９をオーパーラ・７プさせることにより全面を
覆うことも可能となる。第３図、第４図において窒化物
、炭窒化物層９の厚味を２μ以下にし、活性金属７と、
窒化物、炭窒化物層９の結晶構造の差による窒化物、炭
窒化物９の割れを防止することが可能となった。
ルギービームを通ず窓、４は、高エネルギービーム、５
は雰囲気ガス導入口２６は、被加工物から構成されてい
る。この様な装置で、ＮＣテーブル１をプログラムによ
り動かし、被加工物６に照射された高エネルギービーム
４の位置をかえるごとＧこより、任意の模様をマスキン
グなしに描くことが可能となる。第３図に模様を描いた
後の断面図を示す。７は、活性金属、８は、高エネルギ
ービームにより瞬時に溶融した領域、９は、溶融時に周
囲の雰囲気との反応により形成された窒化物、炭窒化物
層である。高エネルギービーム８は、微小部へエネルギ
ーが集中できるので、４副：反応が、短時間で可能とな
り周囲への熱影響は与えない。第４図の様に、窒化物、
炭窒化物９をオーパーラ・７プさせることにより全面を
覆うことも可能となる。第３図、第４図において窒化物
、炭窒化物層９の厚味を２μ以下にし、活性金属７と、
窒化物、炭窒化物層９の結晶構造の差による窒化物、炭
窒化物９の割れを防止することが可能となった。
この発明は２以上説明した様に９局部の加熱により窒１
ヒ物、炭窒化物を形成することができるので、母材の変
形がな（、かつ所望する模様がマスキングなしに容易に
描け、真空を必要としないので作業効率が向上するとい
う効果がある。
ヒ物、炭窒化物を形成することができるので、母材の変
形がな（、かつ所望する模様がマスキングなしに容易に
描け、真空を必要としないので作業効率が向上するとい
う効果がある。
第１図は、この発明の窒化物、炭窒化物を形成する装置
の断面図、第２図は従来の窒化物、炭窒化物を形成する
装置の断面図、第３図、第４図はこの発明により形成さ
れた窒化物、炭窒化物Ｊｉの断面図である。 ■・・ＮＣテーブル ２・・雰囲気チャンバー ３・・高エネルギービーム ４・・被加工物 以上
の断面図、第２図は従来の窒化物、炭窒化物を形成する
装置の断面図、第３図、第４図はこの発明により形成さ
れた窒化物、炭窒化物Ｊｉの断面図である。 ■・・ＮＣテーブル ２・・雰囲気チャンバー ３・・高エネルギービーム ４・・被加工物 以上
Claims (3)
- （１）活性金属からなる装飾品或いは、表面に活性金属
が存在する装飾品を、窒素或いは窒素とアセチレンの混
合雰囲気中に置き、高エネルギービーム（レーザー、電
子ビーム）をその表面に照射走査し、活性金属の窒化物
、炭窒化物を表面に形成したことを特徴とする装飾品。 - （２）高エネルギービームをオーバーラップさせて走査
することにより窒化物、炭窒化物を面状に形成したこと
を特徴とする特許請求第１項記載の装飾品。 - （３）表面に形成する窒化物、炭窒化物の厚みを２μ以
下としたことを特徴とする特許請求第１項記載の装飾品
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28373785A JPS62142757A (ja) | 1985-12-17 | 1985-12-17 | 装飾品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28373785A JPS62142757A (ja) | 1985-12-17 | 1985-12-17 | 装飾品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62142757A true JPS62142757A (ja) | 1987-06-26 |
Family
ID=17669449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28373785A Pending JPS62142757A (ja) | 1985-12-17 | 1985-12-17 | 装飾品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62142757A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7492547B2 (en) | 2005-03-03 | 2009-02-17 | Sony Corporation | Cartridge device with an ejection slider having a projection insertable into a positioning recess |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55132045A (en) * | 1979-04-02 | 1980-10-14 | Mitsubishi Electric Corp | Nitride film forming method |
| JPS5677376A (en) * | 1979-11-28 | 1981-06-25 | Hitachi Ltd | Fusion nitriding method of aluminum and aluminum alloy |
| JPS56150183A (en) * | 1980-04-18 | 1981-11-20 | Hitachi Ltd | Method for hardening ti and ti alloy |
| JPS57174446A (en) * | 1981-04-20 | 1982-10-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacture of thin nitride film |
| JPS57198259A (en) * | 1981-05-28 | 1982-12-04 | Toshiba Corp | Surface treatment of titanium or titanium alloy |
| JPS5852473A (ja) * | 1981-09-21 | 1983-03-28 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 金属材料の表面処理法 |
| JPS593540A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-10 | Canon Inc | ライトペンの位置入力補正方式 |
-
1985
- 1985-12-17 JP JP28373785A patent/JPS62142757A/ja active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55132045A (en) * | 1979-04-02 | 1980-10-14 | Mitsubishi Electric Corp | Nitride film forming method |
| JPS5677376A (en) * | 1979-11-28 | 1981-06-25 | Hitachi Ltd | Fusion nitriding method of aluminum and aluminum alloy |
| JPS56150183A (en) * | 1980-04-18 | 1981-11-20 | Hitachi Ltd | Method for hardening ti and ti alloy |
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| JPS57198259A (en) * | 1981-05-28 | 1982-12-04 | Toshiba Corp | Surface treatment of titanium or titanium alloy |
| JPS5852473A (ja) * | 1981-09-21 | 1983-03-28 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 金属材料の表面処理法 |
| JPS593540A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-10 | Canon Inc | ライトペンの位置入力補正方式 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7492547B2 (en) | 2005-03-03 | 2009-02-17 | Sony Corporation | Cartridge device with an ejection slider having a projection insertable into a positioning recess |
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