JPS62142188A - シロキサンの精製法 - Google Patents

シロキサンの精製法

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JPS62142188A
JPS62142188A JP61238202A JP23820286A JPS62142188A JP S62142188 A JPS62142188 A JP S62142188A JP 61238202 A JP61238202 A JP 61238202A JP 23820286 A JP23820286 A JP 23820286A JP S62142188 A JPS62142188 A JP S62142188A
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bed
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02Silicon compounds
    • C07F7/08Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/20Purification, separation

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  • Organic Chemistry (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はシランおよびシロキサンの精製、特にシランお
よびシロキサンからビフェニルおよび塩素化ビフェニル
を除去する方法に関する。なお、本明細書において、シ
ラン、シロキサン、ビフェニルなどの用語はそれぞれシ
ラン類、シロキサン類、ビフェニル類などを包含するも
のとする。
近年、ビフェニル、中でもポリ塩素化ビフェニルは塩化
ビニルや四塩化炭素と同様に人間の健康に対して有害で
あり、従ってこのような物質との接触をできるだけ避け
るべきであると考えられるようになった。
従って、工場で処理される化学物質および製造工場から
輸送もしくは販売される化学物質に含有されるビフェニ
ルおよび他の不純物の量をできるだけ少なくすることが
、化学工業においては極めて望ましく々つている。
シリコーン工業において、フェニルクロロシランを製造
する場合、クロロベンゼンをシリコン金属と少量の塩化
水素ガスおよび金属銅触媒の存在下約500℃またはそ
れ以上の温度で反応させて種々のクロロシランをつくる
。クロロベンゼンとシリコン金属との反応により形成さ
れる化合物は、ヒドロトリクロロシラン、四塩化珪素、
ヒドロフェニルジクロロシラン、フェニルトリクロロシ
ランおよびジフェニルジクロロシランである。
これらの化合物は槙々のシリコーンポリマーの製造およ
び種々のシリコーン製品の生成に用いられる。残念なこ
とに、か\るフェニルクロロシランの製造方法において
は、生成物から除去するのが望ましいビフェニルおよび
塩素化ビフェニルが少量生成することがある。また、塩
化ビニルおよび四塩化炭素のような不純物が偶然シラン
およびシロキサン流に混入することもある。ある場合に
は、ビフェニルおよび他の不純物の所望のクロロシラン
生成物からの分離を蒸留によって達成することができる
。しかし、上記反応の重要な生成物の一つ、即ちジフェ
ニルジクロロシランの場合、ジフェニルジクロロシラン
からビフェニルを普通の方法で分離することは困難であ
る。例えば、ジフェニルジクロロシランの沸点が種々の
塩素化ビフェニルの沸点とはソ近似する範囲内にある結
果、普通の蒸留方法でジフェニルジクロロシランを精製
するとともにこれからビフェニルを除去することは難し
い。ジフェニルジクロロシランは、シリコーンポリマー
中にフェニル基を導入する一手段となり、か\るシリコ
ーンポリマーを用いてシリコーン生成物を製造すること
ができるので、極めて望ましいシラン生成物である。別
の意味で、ジフェニルジクロロシランをポリ塩素化ビフ
ェニルおよび他の不純物から完全に精製して、か\るク
ロロシランを用いてシリコーン工業向けの種々の生成物
を製造でき為ようにすることが特に望ましい。
また留意すべきことに1シリコーン化学プラントでの重
合プロセスにおいて、シリコーンポリマー中に1即ち製
造プラント内で製造されるシランおよびシロキサンポリ
マー中に外部からとフェニルが導入される可能性もある
。時には精製を蒸留によって行うことができるが、この
ようなケースハ少ない。これは、先のジフェニルジクロ
ロシランの場合に、ビフェニルの沸点と所望生成物の沸
点とが近似しているため、ビフェニルを普通の蒸留技術
により分離するのが困難であるのと同様である。従って
、場合によっては、上述した方法により生成されたフェ
ニルクロロシランからビフェニルを分離することだけで
々く、製造プラント中に存在するクロロシランおよびシ
ロキサン力らあらゆる種類のビフェニルおよび他の不純
物、例えば塩化ビニルおよび四塩化炭素を除去する、製
造プラント内での精製技術を得ることが極めて望ましい
従って、ビフェニルおよび他の不純物をクロロシラン、
シロキサンまたはポリシロキサン流から分離する技術は
、例えば液体クロマトグラフィを用いることにより達成
できる。しかし、液体クロマトグラフィ分離技術は実験
室規模での分離に適当であるにすぎない。第2の例では
、上述したように、不所望なビフェニルおよび他の不純
物を除去する精製技術として蒸留を用いることができる
。しかし、この方法は、シランおよびシロキサンとビフ
ェニルとの間の沸点の差が大きい場合にのみ可能である
従って、沸点の差に依存せず、不所望なビフェニルの除
去に極めて効果的であり、力・つ実駿室で使用できるだ
けでなく製造プラントで使用するようにスケールアップ
できる、シランおよびシロキサンからビフェニルおよび
他の不純物を除去する精製技術を得ることが強く望まれ
ている。従って、本発明の目的は、シランおよびシロキ
サンカラビフェニルおよび他の不純物、例えば塩化ビニ
ルおよび四塩化炭素を除去する方法を提供することにあ
る。
本発明の他の目的は、普通のプラント操業用にスケール
アップして使用可能な、クロロシランからビフェニルお
よび他の不純物を極めて効率的に除去する方法を提供す
ることにある。
本発明のさらに他の目的は、ジフェニルジクロロシラン
および他のクロロシランからビフェニルを効率的に除去
する方法を提供するととにある。
本発明のさらに他の目的は、活性炭またはモレキュラー
シープの吸着床を用いてクロロシランおよびシロキサン
からビフェニルを除去する方法を提供することにある。
上記目的および他の目的を達成する本発明を以下に詳細
に説明する。
本発明の不純なシランおよびシロキサンからビフェニル
および他の不純物を除去する方法は、(1)不純なシラ
ンおよびシロキサンをモレキュラーシープまたは木炭よ
りなる吸着床に通し接触させ、(21F!!を製された
シランおよびシロキサンが所望の純度を越えない間、上
記吸着床から精製シランおよびシロキサンを取出し、(
3)上記吸着床がビフェニルの吸着に関して飽和点く達
するまで、上記吸着床に上記不純なシランおよびシロキ
サンを送給し続け、(4)押出し用炭化水素溶媒を上記
吸着床に導入して上記吸着床中のシランおよびシロキサ
ンをさらVCnRするために置換、除去、回収し、(5
)脱着用炭化水素溶媒を上記吸着床に通して上記押出し
用炭化水素溶媒を除去するとともに、吸着されていたビ
フェニルを除去し、さらに不純なシランならびに残留シ
ランおよびシロキサンを上記溶媒からさらに精製するた
めに分離し、(6)上記吸着床中の上記脱着用炭化水素
溶媒を精製シランおよびシロキサンで置換し、この脱着
用炭化水素溶媒から不純なシランおよびシロキサンを回
収し、(力上記精製シランおよびシロキサンを上記吸着
床から回収し、さらに(8)再度不純なシランおよびシ
ロキサンを上記吸着床に通し、精製されたシランおよび
シロキサンを上記吸着床から回収する工程を含む。
本発明の詳細な説明する目的で記載した上記工程の組合
せは、単に本発明の好適例の一つである。本発明のもつ
とも簡単な実現方法は、単にクロロシラン、特VCフェ
ニルクロロシランまたはシロキサンの不純々流れをモレ
キュラーシープまたは木炭、好ましくけ活性炭よりなる
吸着床に通して接触さすことである。不純なシランおよ
びシロキサンをシランおよびシロキサンの所望の精製度
に従って所望の時間吸着床と接触させた後、精製された
シランおよびシロキサンを吸着床から除去する。この際
ビフェニルは吸着剤粒子の表面に吸着されている。
さらに指摘すべきこととして、前述の第1の好適例に記
載した本発明方法の特定条件下において、押出し用炭化
水素溶媒を使用することは必ずしも必要ではない。その
理由は、か\る吸着床の再生プロセスを、吸着床が飽和
点に達した後に、単に脱着用炭化水素溶媒を吸着床に通
すことにより、押出し用炭化水素溶媒を使用することな
〈実施することができるからである。このような手法に
伴なう唯一の問題は、不純なりロロシランおよびシロキ
サンの吸着床への送給を停止した時点で吸着床中に存在
するクロロシランおよびシロキサンをか\る吸着性溶媒
が置換すみとき、吸着性炭化水素溶媒を使用すると、こ
の吸着性炭化水素溶媒により置換されるクロロシランお
よびシロキサン中に存在するビフェニルおよび他の不純
物の量が増加することである。このようなわけで、脱着
用炭化水素溶媒から回収されるクロロシランおよびシロ
キサンは、比較的純度が低く、本発明に従って上記吸着
床または別の吸着床とさらに接触させるととKより低ビ
フェニル含看に精製する必要がある。
同じ文脈で、もし前記好適例に記載したように精製され
たクロロシランまたはシロキサンの流れが脱着用炭化水
″A溶媒を置換せず、単に不純なシランおよびシロキサ
ンをその精製のために脱着用溶媒を押し出すように吸着
床に接触通過させると、脱着用炭化水素溶媒の存在が原
因して吸着床の効率が低減し、吸着床から出てくる精製
されたクロロシランおよびシロキサンの流れはビフェニ
ル含量が高い。従って、ビフェニルおよび他の不純物の
含量が極めて低いシランおよびシロキサンの流れを得る
のが望ましい場合には、脱着用炭化水素溶媒を精製され
たシランおよびシロキサンの流れで置換することが必要
である。
前述したように、本発明の方法は不純彦シランおよびシ
ロキサン、例えばフェニルクロロシラン、特にジフェニ
ルジクロロシランを精製するのに好適であるが、この方
法は任意のシランまたはポリシロキサン流ならびに活性
炭やモレキュラーシーブの吸着特性を阻害しない他の化
学材料を精製すふのに用いることができる。本発明の方
法を室温で行うのが好ましいが、それより僅かに高い温
度であってもこの方法の効率は低下しない。
好適な押出し用炭化水素溶媒はインオクタンまたは任意
の飽和脂肪族炭化水素溶媒であり、また好適な吸着用炭
化水素溶媒は芳香族溶媒、例えばベンゼン、クロロベン
ゼン、キシレンおよヒドルエンである。
ほかに指摘しておくべきこととして、不純なシランおよ
びシロキサンを吸着床に通すR量は、吸着床の構造なら
びにその吸着能および吸着効率に依存する。その理由は
、材料を吸着床に余りに急速にポンプ送給すると、吸着
床がその吸着機能を完全に発揮する時間がなくなり、一
方材料を吸着床に通す速度が余りに遅いと、液相内の乱
流が少々くなるのでビフェニルの吸着剤中への拡散が遅
くなる。
一般に1不純なシランまたはシロキサンの流れを吸着床
の断面積1平方フィート当り5〜500ボンド/時の流
量でポンプ送給することができる。しかし、この範囲は
例示であって、吸着床を通過する不純なシランまたはシ
ロキサン流の実際の送給流量は、吸着床の外形および構
造ならびKその断面積および吸着能力によって決まる。
従つて上記範囲は本発明の方法を限定するものではなく
、むしろ手引である。
本発明の方法は不純表シランおよびシロキサンからビフ
ェニルおよび塩素化ビフェニルを除去するのに用いるの
が好適であるが、本発明の方法は一般にシランまたはシ
ロキサン流から他の不純物を除去するのに用いることが
できる。従って一般に本発明の方法は、シランおよびシ
ロキサン流から塩化ビニルや四塩化炭素のような不純物
を除去するのに用いることができる。本発明の方法はシ
ランおよびシロキサン流から芳香族炭化水素不純物を除
去するのに使用することもできる。このよう浸種々の不
純物を本明細書においては「他の不純物」と称する。
本発明の方法により精製し得るシリコーン化合物はシラ
ンおよびシロキサンである。シランは塩素置換シランお
よび他の種類の口供シラン、例えばメチルトリアセトキ
シシランを包含する。
一般にほとんどのシランが十分に低い粘度を有し、従っ
て吸着床を通過させて処理することができるので、大抵
のシランを本発明の方法に使用できる。
本発明の方法により精製し得るシランの例には、例えば
メチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、メ
チルトリアセトキシシラン、メチルトリメトキシシラン
、メチルトリエトキシシランなどがある。前述したよう
に、はとんどのシランが十分に低い値の粘度を有するの
で、本発明の方法の第1工程において容易に吸着床を通
してポンプ送給、言い換えれば処理することができる。
一般に、本発明の方法で精製し得るシランは次式:%式
% (式中のRは一価の炭化水素基または一価の)・ロゲン
化炭化水素基を示し、又は加水分解可能な基、例えば塩
素、アルコキシ基、アセトキシ基、アミン基表どを示し
、aは1〜4の整数である)を有する。本発明の方法で
精製し得るシランのほかに、本発明の方法により多数の
シロキサンを精製することもできる。本発明の方法で精
製し得るポリシロキサンの例には、ジメチルポリシロキ
サン、ジフェニルポリシロキサン、ジメチルジフェニル
ボリシロキサンなどがある。一般に、本発明の方法で精
製し得るシロキサンは次式: %式% ] を有する。式中のnは1〜3の整数で、このシロキサン
においてR対81の比は1.7 : 2.1で任意に変
化する。上記シロキサン弐において、Rは任意の一価の
炭化水素基または一価のハロゲン化炭化水素基、具体的
にはアルキル基、例えばメチル、エチル、プロピル;ア
ルケニル基、例工ばビニル、アリル;シクロアルキル基
、例えばシクロヘキシル、シクロヘプチル:単核アリー
ル基、例えばフェニル、メチルフェニル、エチルフェニ
ルなトラ示し、−価のハロゲン化炭化水素基としては、
例JJf’3.3− )リフルオログロビルを示す。一
般に、吸着床の作用を阻害せず、吸着床を通過させるに
十分な低さの粘度を有する任意のシラ/およびシロキサ
ンを本発明の方法により精製してビフェニルを除去する
ことができる。本発明の方法で精製し得る他のシロキサ
ンは環状ポリシロキサン、テトラシロキサン、ペンタシ
ロキサンなどである。
環状化合物の例には、オクタメチルテトラ環状シロキサ
ンおよびオクタフェニルテトラ環状シロキサンがある。
本発明の方法に使用する場合、25℃で100,000
センチポアズ以下の粘度、特に25℃で25,000セ
ンチポアズ以下の粘度を有するシラ/およびシロキサン
を用いるのが好ましい。本発明の方法を7二二ルクロロ
シランおよびフェニル含有ポリシロキサンの精製に適用
するのが特に好適である。本発明の方法に用いる吸着床
は種々の材料から同様に構成でき、好ましくは木炭およ
びモレキュラーシープから選択する。木炭はビフェニル
の吸着能力が大きいので、モレキュラーシープより一層
好適である。
一般に1本発明の方法では後述すゐ寸法限度内の任意の
木炭を吸着床に用いることができる。
特Etkfましい木炭の一形態は活性炭である。活性炭
が好適なのは吸着能力が普通の木炭より大きいからであ
る。活性炭は、普通の木炭を極めて高温に加熱して揮発
分を除去するとともに吸着性を増すことによって製造で
きる。木炭を使用する場合、その木炭が米国メツシュ寸
法で4000メツシュ〜Xインチの寸法を有することが
好ましい。本発明の方法の第1工程において吸着床に使
用し得る桐材の例を挙げると、活性炭Pittsbur
gh BL (325メツシュ、カルボン・コーボレイ
ションC!a1gon Corporation  製
造)、活性炭PittsburghCAL (12X 
40メツシュ、カルボン・コーボレイション製造)、活
性ヤシ木炭Pittaburgh PCB(4X10メ
ツシュ、カルボン・コーボレイション製造)、ヤシ木炭
(70X80メツシュ、アナラプス・インコーホレイテ
ッドAnalabs、工nc、勉)、10モレキユラー
シーブ45X60メツシュ。
aylar M (ギルド争コーボレイションGuil
Corpor!Ltion製造・販売)、および13モ
レキユラーシープ600メツシュ(W、R,ブレイス・
アンド・カンパニー、デイビソン・ケミカル・デイビジ
ョ7 Daviso!IChemical Divis
ion of W、 R,Graceana Comp
any製造・販売)がある。モレキュラーシープも40
00本国メツシュー%インチの寸法を有することが好ま
しい。
本発明の方法の第1工程においては、不純なりロロシラ
ンまたはシロキ、サン流を上記吸着剤を含有する吸着床
に通す。吸着床を垂直カラムに入れるのが好ましいが、
水平床とすることもできる。モレキュラーシープおよび
木炭または活性炭に望ましい米国メツシュ寸法は50メ
ツシュ〜%インチであることに留意すべきであふ。この
ようにして不純々シランおよびシロキサンを吸着床に通
し、吸着床からの流出液がビフェニル含tK関して精製
シランおよびシロキサンに望まれる純度レベルだ達する
まで流通を行う。
なお、不純なシランおよびシロキサンを処理する吸着床
の数は1つである必要はなく、多数の吸着床を有する多
数のカラムを用い、これらカラムK ill K不純な
シランおよびシロキサンを通すのが好適である。一般く
い不純なシランおよびシロキサンを吸着床に流す速度は
、シランまたはシロキサンの粘度および吸着床中の活性
炭またはモレキュラーシープの粒径に依存する。吸着床
に流す不純なシランおよびシロキサンの流量を、吸着床
の断面積1平方フィート当り5〜500ボンド/時とな
るように制御すれば、はとんどの目的に十分である。し
かし、この流量は通常の範囲にすぎず、本発明の方法に
おいて用いられる実際の範囲は上記因子およびさらに他
の2つの因子に依存する。シランおよびシロキサン流を
吸着床に余りに速い流量で流すと、シランおよびシロキ
サン流からビフェニルおよび他の不純物を吸着する吸着
床の能力の点で、流量が吸着床の能力限界を越えてしま
う。他方、流量が遅すぎると、液相における乱流が減少
する結果、ビフェニルの吸着が遅くなり、従って吸着床
の効率が悪くなる。
従って、本発明の範囲内で、吸着床を流れる不純なシラ
ンおよびシロキサン流の流量は上記因子により決められ
る。従って本発明の方法の第1工程においては、吸着床
から出て来る流出液中のビフェニルおよび他の不純物が
増加して、特定の生成物について許容されているビフェ
ニル含tレベルに達するまで、不純なシランおよびシロ
キサン流を吸着床に送給接触させる。ビフェニルが上記
レベルに達したところで、脱着用溶媒を吸着床に強制送
給して吸着床からビフェニルを脱着し、従って吸着床を
再生して次に吸着床に送られる追加のクロロシランおよ
びシロキサンからビフェニルを吸着できるようにする。
本発明の方法の一層好適な変更例においては、吸着床f
e最高に利用するために、吸着床への不純なシランまた
はシロキサン流の供給を、ビフェニルおよび他の不純物
の精製限度に達した後も、吸着床がそのビフェニルおよ
び他の不純物を吸着する能力限界に達するまで継続する
。即ち、吸着床が多量のビフェニルおよび他の不純物を
吸着して、処理中の不純なシランおよびシロキサン流か
ら有意量のビフェニルおよび他の不純物をさらに吸着す
ることができなくなるまで継続する。
従ってこのようにすれば、吸着床が不純なシランおよび
シロキサン流から除去すべきビフェニルおよび他の不純
物の特定の所望レベルに関する精製限度に達した後も、
吸着床を不純なシランおよびシロキサン流からビフェニ
ルを吸着するのに使用し続けることができる。従って本
発明の好適例においては、吸着床がその吸着力の限界に
達するまで、吸着床を用いて不純なシランおよびシロキ
サン流からビフェニルを吸着し続ける。
一般にこのことは、吸着床が供給されるシランまたはシ
ロキサン流中の不純物の5〜25重景%またはこれ以下
を吸着することを意味する。
精製レベルを越えた高レベルのビフェニルを含有する、
吸着床からのシランおよびシロキサン流の流出液を吸着
床から収集する。そして、この流出液から十分な量のビ
フェニルが除去されて、流出液が特定のシランまたはシ
ロキサン生成物の望ましいビフェニル含量の精製上限に
達するまで、上記流出液を他の吸着床でさらに処理する
ことができる。
精製限度に達した後なおも不純なシランおよびシロキサ
ンを吸着床に流し通けるこの好適工程をとれば、本発明
の方法において吸着床を最大限に使用することができる
。従って、どのレベルに達したか、即ち不純なシランお
よびシロキサン流の精製限度に達したか、吸着床の吸着
力限界に達したかに係わりなく、本発明の方法の経済性
を最高にするために、吸着床に吸着されたビフェニルを
除去することにより吸着床を再生することが必要である
。勿論、吸着床を捨て新しい吸着側を床に充填すればよ
いと簡単に言うこともできる。
しかし、この別法は本発明の方法のコストが不当に高く
なり、研究用またはパイロットプラント運転の場合を除
いて著しく高価であ、211.。
従って、本発明の方法の効率および経済性を最高にする
ためには、木炭またはモレキュラーシープから吸着され
たビフェニルおよび他の不純物を除去することによって
、吸着床を再生する必要がある。従って、本発明の方法
をもっとも簡単に使用する場合、吸着床に脱着用炭化水
素溶媒を流して、この溶媒が吸着床の表面からビフェニ
ルを脱着し、かくして吸着床を精製することができる。
このようにすれば、吸着床を不淘なシランおよびシロキ
サン流からビフェニルを吸着するのに再使用できる。し
かし、本発明の一層好適な例においては、最初に押出し
用炭化水素溶媒を用いる。
押出し用炭化水素溶媒とは吸着剤による被吸着性が相対
的に弱い溶媒を言う。例えば、このような吸着性溶媒を
任意の脂肪族飽和炭化水素溶媒、例えばヘキサン、ヘプ
タン、オクタンなど、好ましくはイソオクタンとするこ
とができるう好適な押出し用炭化水素溶媒の他の例には
、ヘキセン、アセトン、エチルエーテル、酢酸エチルな
どがある。
押出し用炭化水素溶媒の機能は、処理すべき不純なシラ
ンおよびシロキサンからビフェニルを吸着する吸着工程
の終了時に吸着床内のシランまたはシロキサンを単に置
換する(追い出す)ことである。本発明の一例において
押出し用炭化水素溶媒を使用せず、脱着用炭化水素溶媒
を直ちに使用すみ場合には、ビフェニルに対して親和性
を有する脱着用炭化水素溶媒がビフェニルを吸引し、こ
れをシランおよびシロキサン流に付与する。即ち、脱着
用炭化水素溶媒はそれが置換した量のシランおよびシロ
キサンに吸着床中で多重のビフェニルを付加するので、
この置換量のシランおよびシロキサンをビフェニルのレ
ベルに関して所望の純度レベルに到達させるには、押出
し用炭化水素溶媒を使用した場合と比較して著しく大幅
に上記置換量のシランおよびシロキサンを精製しなけれ
ばならなくなる。従って、本発明の好適例においては、
吸着床がそのビフェニル吸着能力限界に達した後、もし
くは吸着床からのnI梨光流出液望まれる純度レベルに
達した後に1イソオクタンのような押出し用炭化水素溶
媒を用いて吸着床中のシランおよびシロキサンを置換す
る。一般に、押出し用炭化水素溶媒の量は吸着床の容積
と等しくする。押出し用炭化水素溶媒が吸着床中のシラ
ンおよびシロキサンを置換し終った後、この押出し用炭
化水素溶媒を吸着床から除去し、脱着用炭化水素溶媒を
吸着床に通して、吸着床を再生するとともに吸着床に吸
着されたビフェニルを除去する。
なお、押出し用炭化水素溶媒が吸着床を通過した後、こ
の溶媒を取出し、蒸留して溶媒中に収集されていたシラ
ンおよびシロキサンを分離する。押出し用炭化水素溶媒
から除去情たは分離されたシランおよびシロキサンを次
に新しい吸着床または再生後の同じ吸着床で、シランお
よびシロキサンが所望の必4!精製限度に達するまで処
理する。シランおよびシロキサンが所望の精製限度に達
した時点で吸着を停止する場合には、蒸留により押出し
用炭化水素溶媒から回収されたシランおよびシロキサン
はおそらく、吸着床から以前に収集された精製された流
出液と一緒にするのに十分な純度になっている。どのよ
う々場合であれ、さらに精製が必要か否かは本発明の方
法に用いられる特定の工程によって決められる。
本発明の方法のもつとも好適な例においては、押出し用
炭化水素溶媒が吸着床中のシランおよびシロキサンを置
換し終った後、脱着用炭化水素溶媒を用いて押出し用炭
化水素溶媒を吸着床から置換または送出する。か\る脱
着用炭化水素溶媒は、吸着剤に対してビフェニルおよび
他の不純物より強いvL着引力を有する性質のものでな
ければならない。この目的のために、一般に、吸着床の
作用を阻害しないものであれば任意の極性炭化水素溶媒
を脱着用溶媒として使用ヤきる。本発明の方法に使用で
きる吸着性炭化水素溶媒の例には、芳香族炭化水素溶媒
、塩素化芳香族溶媒および塩素化脂肪族溶媒がある。
もつとも好適な吸着性炭化水素溶媒はクロロベンゼン、
トルエンおよびキジレンチアリ、ナかでもクロロベンゼ
ンが特に好適である。本発明の方法において吸着床を再
生するのに使用し得る他の吸着性炭化水素溶媒は、例え
ばジクロロベンゼン、1,2−ジクロロエタン、塩化メ
チン/、ベルクロロエチレンである。脱着用炭化水素溶
媒を吸着床に通過させる速度は、脱着用炭化水素溶媒の
特性に依存するが、一般に精製のために不純なシランお
よびシロキサンを吸着床に通過させる際の速度とはソ同
じである。従って、一般に、吸着性炭化水素溶媒を吸着
床の断面積1平方フィート当り5〜500ボンド/時の
流速で送給する。勿紬、脱着用炭化水素溶媒の童は、吸
着床の吸着能力および吸着床に吸着されたビフェニルの
量に依存する。吸着床が多音のビフェニルを吸着してい
ると、吸着性炭化水素溶媒の量は轟然多くなる。
一般に、ここでもほとんどの場合に、吸着床を再生する
のに吸着床の容積の2倍容の吸着性炭化水素溶媒で十分
である。なお、必要とした吸着性炭化水素溶媒の上記流
速および量は例示にすぎない。吸着床を特定の精製方法
の特定の段階延金わせて再生するのく必要な吸着性炭化
水素溶媒の量は、多数の因子、例えは処理すべき不純な
シランおよびシロキサン流に望まれる精製限度に依存す
る。一般に1吸着性炭化水素溶媒、例えばクロロベンゼ
ンは押出し用炭化水素溶媒を置換し、吸着床中に存在す
るビフェニルの大部分を吸着するのに十分な時間吸着床
と接触状態に留まる。
本発明の方法の次善の好適例においては、次の工程で脱
着用炭化水素溶媒を吸着床から除去し、ビフェニルの除
去が望まれる不純なシランおよびシロキサン流を吸着床
に通す。しかし、吸着性炭化水素溶媒の除去に引続いて
不純なシランおよびシロキサンを吸着床に導入すると、
か\る吸着床から得られる流出液の最初の部分はビフェ
ニル含量が高くなることを見出した。このビフェニル含
量の増加は、脱着用炭化・水素溶媒が吸着床の機能を妨
害し、吸着床がその吸着機能を完全に果すのを許さない
ことに原因がある。従って、本発明において吸着床を一
層効率的に利用するために、また再処理を行ってビフェ
ニル含量が特定の繰作に望ましい限度に達するようにビ
フェニルを除去することの必要力、吸着床からのシラン
およびシロキサン流出液の量を最小にするために1吸着
床木 中の脱着用炭化珪素溶媒を精製されたシランま友はシロ
キサン流で置換するのが好適である。次に脱着用炭化水
素溶媒を蒸留処理して、これに混入されているシランお
よびシロキサンを分離し、得られるシランおよびシロキ
サンを再生された吸着床でさらに精製処理してシランお
よびシロキサンをビフェニルおよび他の不純物に関して
所望の含量に精製する。
勿論、脱着用炭化水素溶媒および押出し用炭化水素溶媒
は、蒸留処理により精製した後、本発明の方法に再使用
できる。即ち、押出し用炭化水素溶媒の場合には吸着床
中のシランおよびシロキサンをit換するために、脱着
用炭化水素溶媒の場合にはビフェニルを除去することに
より吸着床を再生するために使用できる。従って、本発
明の好適例においては、精製されたシランおよびシロキ
サン流を用いて吸着床から脱着用炭化水素溶媒を置換し
、次いでこの脱着用炭化水素溶媒を収集し、蒸留などの
手段により溶媒中のシランまたはシロキサンを回収して
該溶媒を精製する。脱着用炭化水素溶媒を吸着床内で精
製シランおよびシロキサンにより完全に置換し終ったら
、さらに精製することが望ましいシランおよびシロキサ
7流を吸着床を通して再処理する。
従って、吸着性炭化水素溶媒を置換するのに精製シラン
またはシロキサンを使用すると、その結果吸着床カラム
から得られる流出液は、ビフェニル含量が極めて低く、
吸着床からの流出液中のビフェニル含量がppbレベル
に達するように吸着床でビフェニルを除去することがで
きる。この時点から本発明の方法の単なる繰返しとなり
、吸着床からの流出液の純度が精製生成物を収集するだ
けですむ所望のレベルに達するまで、シランおよびシロ
キサン流を吸着床で処理する。次に、好ましくは前述し
たように、吸着床がその吸着能力限界に達するまで、吸
着床をシランおよびシロキ脱着用炭化水素溶媒を置換す
るのKjfl&初に用いら゛れた精製シランおよびシロ
キサン流は、常に精製生成物として収集することができ
る。その理由は、そのビフェニル含量が、脱着用炭化水
素溶媒を置換するために吸着床に導入する以前のシラン
およびシロキサン流のビフェニル含量レベルにはソ留ま
るからである。いずれの場合にも、本発明の方法を前述
した諸工程に従って再び繰返し、シランおよびシロキサ
ンが所望のビフェニル含量レベルに精製されるまで、シ
ランおよびシロキサン流からビフェニルを除去し続ける
。なお留意すべきことKは、本発明の方法では不純なシ
ランおよびシロキサン流の精製をビフェニル含量がpp
bのレベルに下るまで行うことができる。また、ビフェ
ニルが押出し用炭化水素溶媒および脱着用炭化水素溶媒
と接触しこれらに含有されるが、か\るビフェニルは蒸
留により溶媒から簡単に除去し、次いで燃焼させ消尽す
ることができる。比較的簡単だが、あまり経済的ではな
い方法においては、シランおよびシロキサンを分離した
後の、ビフェニルが残存する脱着用炭化水素溶媒流およ
び押出し用炭化水素溶媒流を、含有ビフェニルと共に燃
焼させることにより簡単に消尽することかできる。また
、押出し用炭化水素溶媒および脱着用炭化水素溶媒中に
存在するシランおよびシロキサンの大部分を除去(回収
)シ、さらに精製して収率を上げるとともに、精製すべ
き、従ってビフェニル含量を減少させるべき不純なシラ
ンおよびシロキサン流の損失を最小にする。
本発明の方法のもつとも簡単な構成が、不純なシランお
よびシロキサン流を吸着床に通すことであることは前述
した通りである。本発明の方法の好適な変更例において
は、使用済吸着床を廃棄せず、従って吸着床を再生する
こととし、前述したように、この目的のために脱着用炭
化水素溶媒を使用する。本発明のもつとも好適に例は、
シランおよびシロキサン流を所望のレベルまで精製しか
つ生成物の損失を最小にすることが望ましい場合忙、ま
た吸着床の経済的利用を計るために、使用される。従っ
てこのような用途の場合には、前述したように本発明の
方法の好適例に上記事項、例えば押出し用炭化水素溶媒
の使用や、脱着用炭化水素溶媒を着換する精製シランお
よびシロキサン流の使用などのすべての事項を採用する
。当然予想されるように、本発明の方法の各工程は、シ
ランおよびシロキサンからビフェニルを除去スる特定の
必要性に従って、前述したことのはかに別の変更を加え
ることができる。従って、吸着床が吸着能力限界に達し
た後に吸着床中のシランおよびシロキサンを置換するの
に、押出し用炭化水素溶媒の代りに不活性ガス、例えば
窒素を用いることができる。さらに、脱着用炭化水素溶
媒を用いる代りに1窒素雰囲気を内包した吸着床を10
0℃以上の温度に加熱するととも〈窒素流を床Kfiし
、かくして吸着床の作用を阻害しカい窒lLまたは他の
不活性ガス流でビフェニルを蒸発除去することができる
。押出し用炭化水素溶媒の代りの押出し用不活性ガスは
、シランおよびシロキサンのガスからの分離が簡単にな
る々ど多数の利点を有するが、吸着床の加熱は吸着床を
再生する十分経済的な方法ではないので然程有利ではな
い。即ち、加熱用に、吸着床を適当々レベルに加熱する
のに十分々加熱装置または加熱ジャケットを吸着床に設
ける必要がある。しかし、加熱カラムを使用し、かつビ
フェニルを吸着床から除去するのに不活性ガスを用いる
のが望ましい場合には、窒素のような不活性ガスを吸着
床に流すことによりこれら手段を採用でき、吸着床をこ
のようにして再生することができる。次に、ビフェニル
を含有する不活性ガスを処理してビフェニルを除去する
ため罠、か\る不活性ガスを燃焼雰囲気に送入し、ここ
でビフェニルを燃焼し、消尽する。本発明の方法におけ
る押出し用炭化水素溶媒および脱着用炭化水素溶媒の使
用は室温で行え、このようなわけで不活性ガスおよび加
熱を用いて吸着床を再生する場合に比して操作が簡単で
ある。勿論、窒素ガスを用いる別法は吸着床中に存在す
るシランおよびシロキサンを分離するのがはるかに簡単
であり、従って回収率は押出し用炭化水素溶媒および吸
着性炭化水素溶媒の場合より高くなる。
なお、本発明の方法をシランおよびシロキサンからのビ
フェニル除去に関連して説明しためζ本発明の方法性、
その広い範囲での一般的なものも、特定の具体例も、前
述した任意の他の不純物(塩化ビニル、四塩化炭素など
)を除去するのに使用できる。
第1図に関連して本発明の方法の一例をダイヤグラム的
に例説してみる。即ち、本発明のもつとも好適な例を図
解的に概説する。区画lにおいて、不純なシラン流をラ
イン2から供給タンク4に導入する。ビフェニルを除去
すべき不純なシランおよびシロキサン流を供給タンク4
がらライン6を経て、ライン6.8および10&Cより
直列に接続された吸着カラムA、BおよびCに送る。
これらの吸着床には活性炭が充填されている。
最終的に流出液流がカラムCからライン12を経て出て
来て、ライン14から精製生成物タンク16に流入する
。以上のプロセスは連続で、この間カラムDは区画IK
ある。カラムDはその最大吸着点に達しており、従って
供給タンク4からライン6.8および10を経てのシラ
ンおよびシロキサンの吸着系から切り離なされている。
従ってカラムD内のシランおよびシロキサンはタンク1
8からの押出し用炭化水素溶媒、イソオクタンで置換さ
れる。イソオクタンはライン20を通過してカラムD内
のシランおよびシロキサンを置換し、カラムDの流出液
はライン22を経て蒸留カラム24に流入する。蒸留カ
ラム24で、イソオクタンを精製し、これをライン26
を経てイソオクタン供給タンク、即ちタンク18に戻す
。蒸留カラム24での蒸留中に除去されるクロロシラン
をラインSOを経て供給タンク4に送り、さらに精製す
る。
次に区画Iで、カラムDにその吸着床中のビフェニルの
脱着処理を行う。従って、脱着用炭化水素溶媒であるク
ロロベンゼンをタンク32からライン34を経てカラム
Dに送り、カラム中のイソオクタンを置換除去するとと
もに、吸着床に吸着されたビフェニルを脱着する。
従って、このビフェニル脱着段階の間カラムDからのク
ロロベンゼン流出液をライン36を経て蒸留カラム40
に送り、この蒸留カラムでイソオクタンを除去精製し、
精製されたイソオクタンをライン42を経てイソオクタ
ン供給タンク18に送る。なお、必要に応じてライン1
9からイソオクタン供給タンク18に新しいイソオクタ
ンを供給する。区画層において、そして蒸留カラム40
に関して、クロロシランおよびビフェニルヲ含有するク
ロロベンゼン流を蒸留カラム40からライン44を経て
蒸留カラム46に送る。カラム46では、上記クロロベ
ンゼン流をさらに精製して、クロロベンゼンおよびイソ
オクタン(押出し用炭化水素溶媒)ならびに少量の回収
クロロシラン残分を含有する塔頂流を蒸留カラム46か
ら取出レライン48、弁54およびライン56を経て供
給タンク32に送る。次に少量のクロロシラン残分およ
び高漉度のビフェニルをライン50を経て収集タンク5
2に送り、しかる後これを消尽する。
タンク52の内容物からクロロシランを除去する処理を
行って後、この内容物を燃焼により消尽することもでき
る。蒸留カラム46からの塔頂流はライン48を経て、
さらに弁54およびライン56を経てクロロベンゼン供
給タンク32に戻る。クロロベンゼンの追加が必要なと
きには、ライン58から供給タンク32にクロロベンゼ
ンを追加することができる。
次に区画■では、吸着床カラムDに精製クロロシランに
よるクロロベンゼン(脱着用炭化水素溶媒)の置換を行
う。精製クロロシラン生成物を区画Iのタンク16から
ライン14および58を経て高N度クロロシランタンク
60に送る。さらに精製クロロシランをタンク60から
ライン62を経てカラムDに送入し、このカラムの吸着
床内のクロロベンゼンを置換する。カラムDからクロロ
ベンゼンおよび精製クロロシランを塔頂ライン64を経
て蒸留カラム66に送る。蒸留カラム66ではクロロベ
ンゼン(脱着用炭化水素溶媒)が塔頂へ蒸留され、ライ
ン68、弁54およびライン56を経てクロロベンゼン
供給タンク52に戻る。
蒸留カラム66でクロロベンゼンから分離または精製さ
れた、精製クロロシラン生成物流は次にライン70を経
て高純度クロロシラン供給タンク60に入り、吸着床カ
ラムの再生プロセスに再び使用するためにここに貯蔵さ
れる。この時点で、カラムっけ、区画lに於けるように
、タンク4からくふ不純なりロロシラン流からビフェニ
ルを吸着するための吸着床として再使用でき、そして他
のカラムが吸着能力限界に達していたらそのカラムを切
離し、前述したように区画1、Iおよび■の再生工程を
順次行う。
上述した処理工程から明らかなように、本発明のもつと
も好適な例において唸、所望に応じて、不純なシランお
よび/またはシロキサン流からビフェニルを吸着する連
続方法が得られる。前述したように、このダイヤグラム
的概説は本発明の方法を連続的に使用できる好適例を示
しているにすぎない。本発明の方法は例説以外の形態に
所望に応じて変更することができ、さらに連続法または
バッチ法のいずれとしてもよく、不純なシランおよびシ
ロキサン流を単一カラムまたは複数カラムに適し、また
例示の具体例で示した工程をとる代りにカラムを単に停
止して再生を行うようKすることができる。例解したプ
ロセスまたは本発明の方法の諸工程のこのような種々の
変更は、当業者には自明であるので、詳細な説明を省略
する。
本発明の方法は所望に応じて特定の要求を満たすように
1または特定のシランおよびシロキサンの特定の精製条
件下で最高の効率が得られるように改変できると述べて
おけば十分である。今までのダイヤグラム的例解はクロ
ロシランに対する特定の処理工程構成を示すが、既知の
変更をもってシロキサンの精製にも適用できる。上述し
た限定条項を具え、吸着床を用いてシランおよびシロキ
サン流からビフェニルを吸着する本発明の方法は、シラ
ンまたはシロキサン流からビフェニルを除去することに
係わる特定の目的を達成し、あるいは適当外要求を満た
すように任意適当に改変できることに留意すべきである
本発明の方法の実施を具体的に説明するために以下に実
施例を示す。これらの実施例はいかなる意味でも本発明
の範囲を限定するものではない。実施例および以上の説
明において、クロロシラン流中のビフェニルの濃度は次
のようにして測定した。クロロシラン流出液の一部を取
出し秤量し、これを水酸化カリウム水溶液およびヘキサ
ンと接触させた。水酸化カリウムはクロロシラン、特に
ジフェニルジクロロシランと反応してクロロシランを水
性相中に保持し、一方ビフェニルはへキサン相に移動し
た。次いでヘキサンを取出し、分離し、さらにストリッ
ピングにより濃縮し、とフェニルを濃縮した。次にヘキ
サン流をガスクロマトグラフィに通して最初のサンプル
中のビフェニルの量をI)I)t)で検出した。本発明
ではすべて、供給流中であれ、実施例に示すような生成
物の流出液流からのサンプル中であれ、ビフェニル濃度
の測定〈は上記測定法を使用した。なお、下記の実施例
にはジフェニルジクロロシランカラのビフェニルの除去
を記載したが、同じ手順で任意のシランまたはシロキサ
ン流からビフェニルおよび他の不純物を除去することが
できる。
実施例1 16インチ、スケジュール4o鋼の長さ1゜フィートの
管よりなる容器に、322 Lb、の乾燥吸着剤(活性
炭、Pittsburgh (!AL 、  12 X
 40メツシュ、カルボン舎コーポレイション製造)を
充填し、ここに20 A Q ppmのビフェニルを含
有する不純なジフェニルジクロロシラン(4SiC4)
を容器断面積1平方フィート当り175 lb、7時の
質量速度でポンプ送給した。容器から出て来る流れ中の
ビフェニルの濃度を測定し、次の結果を得た。
0.13 1                 22
.4 4                84.09
           29 5.8 0              6 77.4
 1            1 1 18・46  
           1  S4実施例2 実施例1の終了後、合計3630 t’tLのクロロベ
ンゼンを四じ吸着床に通してビフェニルを脱着し、吸着
床を再生した。次K 1960 ppmのビフェニルを
含有する不純な4Si 04をこの吸着床に実施例1で
使用したのと同じ質量速度で通した。容器から出て来る
流出液中のビフェニルの濃度を測定し、次の結果を得た
0.5 7            1 01.9 8
             1 25.6 2    
         5 65.1 2        
     5 96.6 5            
 9 58.2 6           1 2 8
9.8 9           2 0 51 1.
6             2 8 91 3.1 
             S  5 91 4、OS
  S  6 実施例3 実施例2の終了後、同じ吸着床にクロロベンゼンを流す
ことによりこの吸着床を再生し、次いで27801)1
)”のビフェニルを含有する不純なφ、5ic4を実施
例1で使用したのと同じ質量速度でこの吸着床に通した
。そして前と同じように、容器から出て来る流出液中の
ビフェニルの濃度を測定し、次の結果を得た。 − 0,1920 1,1915 2,8418 4,4936 6,1561 7,82115 9,55161 11,24218 12,90268 14,40!S  2 7 1 5.7 5           4 2 21 
6.8 4           5 0 0実施例4 上記実施例で使用した吸着床をクロロベンゼンを通すこ
とにより再生し、この吸着床に780 ppmのビフェ
ニルを含有する不純な48104を実施例1で使用した
のと同じ質量速度で供給した容器から出て来る流出液中
のビフェニルの濃度を測定し、次の結果を得た。
0.5 4               41.7 
9              75.3 9    
         1 75.0 8        
     3 56.7 9            
5 58.4 5             6 71
 0.1 2            8 91 1.
8 0           1 1 8次の2つの実
施例は、前述した本発明の方法の吸着工程(1)および
(2)の終了時に吸着床に残るφ、5i04を置換し回
収するために、ビフェニルに対して吸着性が弱い「押出
し用溶媒」を使用する効果を示す。
実施例5 1インチ、スケジュール40鋼の長さ4インチの管に充
填された347fの乾燥吸着剤(活性炭、Pittab
urgh CAL 、 12 X 40メツシュ、カル
ボン・コーポレイション製造)の吸着床VCl4080
 ppmのビフェニルを含有すみ不純な4Si04を供
給した。流出液68104のビフェニル含量が3580
ppmKなったところで、不純な4Si 04の供給を
停止し、クロロベンゼンを184−7時の流量で供給し
た。クロロベンゼンを供給している間の吸着床からの流
出液中のビフェニルおよびφ、5i04の濃度を測定し
、次の結果を得た。
42.4      4,490 61.1      4,640 81.2      5,9 S O 93,910100 実施例6 1インチ、スケジュール40鋼の長さ4フイートの管に
充填された347tの乾燥吸着剤(活性炭、Pitts
burgh CAL 、 12 X 40メツシュ、カ
ルボン・コーポレイション製造)の吸着床に、実施例5
で使用したのと同じ不純な4Si04を供給した。流出
液4SiO/、のビフェニル含量が3150 ppmに
達したところで、不純な48i04の供給を停止し、1
tのイソオクタンを180m/時の流量で供給した。イ
ソオクタン供給終了後、クロロベンゼンを同じ流量で供
給した。イソオクタンを供給している間の吸着床からの
流出液中のビフェニルおよび48104の濃度を測定し
、次の結果を得た。
18.3      5,2 S O 58,05,220 57,63,220 72,83,25O 7B、0      3,200 82.7      3,140 84.6      5160 86.1      5,140 87.1      5160 89.4      3,070 90.35050 92.0      5,520 94.2      6,160 実施例5および6の結果を比較すると、ビフェニルに対
して相対的に吸着性が強い溶媒、例えばクロロベンゼン
と較べて吸着床による被吸着性が相対的に弱い溶媒、例
えばイソオクタンを使用することにより、吸着の最後に
吸着床中に残される48104を一層純粋な形態で回収
できることが明らかである。従って回収4Si04をさ
らに精製するのに必要な処理が少なくてよく、精製4S
iC4の収率における総合的改良が実現される。このこ
とは極めて高い純度の生成物が望ましい場合K特に重要
である。その理由は、吸着剤1zb、当り   □の精
製生成物のtb量で表示される吸着床の能力が生成物の
純度に関する規格が低下するKつれて減少するからであ
り、また純度規格の低下に伴って精製生成物1 tb、
当りの必要な再生および再処理が多くなるからである。
上表において最後の2つのデータに関して回収4810
4中のビフェニル濃度(ppm )  が増大している
のは、流出液中にクロロベンゼンが現れているからで、
ここでは吸着床からのビフェニルの脱着が始まっている
次の2つの実施例は、吸着床に精製11.Si(!4を
供給することKより脱着用溶媒を置換する効果を示す。
実施例7 1インチ、スケジュール40鋼の長さ4フイートの管に
充填された647fの吸着剤(活性炭、Pittabu
rgh CAL、 12 X 40メツシュ、カルボン
・コーポレイション製造)の吸着床で、不純な4Eii
O4からビフェニルを吸着するのに既に使用されたこと
があり、クロロベンゼンで再生された吸着床に、408
0ppmのビフェニルを含有する不純な48104を9
4−7時の流量で供給し九不純な+48104の供給開
始時に1吸着床はクロロベンゼン充満状態にあった。吸
着床からの流出液中のビフェニルおよび4sia4の濃
度を測定し、次の結果を得た。
2.7 8            4 6実施例8 1インチ、スケジュール4o鋼の長さ4フイートの管に
充填された647fの吸着剤(活性炭、Pittsbu
rgh CAL、12X40メツシュ、カルボン・コー
ボレイション製造)の吸着床で、不純な(11,81C
4からビフェニルを吸着するのに既に使用されたことが
あり、クロロベンゼンで再生された吸着床に、3ppm
のビフェニルを含有する精製φ、8104を2を供給し
て吸着床からクロロベンゼンを置換した。次に実施例7
に使用したのと同じ不純な4Si04を94−7時の流
量で供給した。
吸着床からの流出液中のビフェニルおよび4810/。
の濃度を測定した。不純な4Si04が吸着床を通過し
た後に得られる流出液についての結果を下記に示す。
0.3 0               0.40.
5 0              0.80.7 8
              2.71.0 5   
            5.6L3 1      
       1 11.5 5          
   1 71.8 2            2 
4実施例7および8の結果を比較すると、脱着用溶媒、
例えばクロロベンゼンを精製へ日1at。
で置換することにより、吸着工程の再開時に高純度の生
成物が得られることが明らかである。
次の実施例は、異なるタイプの種々の吸着剤により48
104からビフェニルを除去する例を示す。
実施例9 下記の吸着剤をそれぞれ別々にパッチ操作にて、下記の
濃度のビフェニルを富有する4Si04と24時間振盪
することにより接触させた。処理φ、Sin/、中のビ
フェニルの濃度を測定し、下記の結果を得た。すべての
実験について、未処理の不純な4S104対乾燥吸着剤
の重を比は4であつ九
【図面の簡単な説明】
図は本発明の方法を例示する系統線図である。 4//l不純シラン供給タンク、A、B、C。 Dll/吸着カラム、16 ttt精製物タンク、18
111押出用炭化水素溶媒タンク、241/I蒸留カラ
ム、521/l脱着用炭化水素溶媒タンλ40.46/
//蒸留カラム、52 ttt収集タンク、60///
高純度シランタンク、661//蒸留カラム。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、(1)不純なシロキサンをモレキュラーシーブまた
    は木炭よりなる吸着床に通して接触させ、次いで(2)
    精製されたシロキサンを上記吸着床から取り出すことを
    特徴とする不純なシロキサンからビフェニルおよび他の
    不純物を除去する方法。 2、得られるシロキサンが所望の純度に達するまで上記
    シロキサンを上記吸着床に通し、精製されたシロキサン
    を上記吸着床から取り出し、この後さらに上記吸着床が
    ビフェニルおよび他の不純物に関して飽和点に達するま
    で不純なシロキサンを上記吸着床に通し、部分的に精製
    されたシロキサンを吸着床から取り出す特許請求の範囲
    第1項記載の方法。 3、上記部分的に精製されたシロキサンを追加の吸着床
    に、シロキサンが所望の純度に達するまで通す特許請求
    の範囲第2項記載の方法。 4、上記ビフェニルおよび他の不純物に対して吸着性が
    弱い押出し用炭化水素溶媒を送給して上記吸着床中の精
    製されたシロキサンを押し出して置換する特許請求の範
    囲第1項記載の方法。 5、上記ビフェニルおよび他の不純物に対して吸着性が
    強い脱着用炭化水素溶媒を上記吸着床に通し、これによ
    り吸着床中の上記押出し用炭化水素溶媒を置換し、上記
    押出し用炭化水素溶媒から置換分のシロキサンを回収し
    、これを吸着床に通してさらに精製する特許請求の範囲
    第4項記載の方法。 6、上記吸着床からビフェニルおよび他の不純物を強く
    脱着し、かつ吸着床中の精製されたシロキサンを置換し
    得る脱着用炭化水素溶媒を吸着床に通す特許請求の範囲
    第1項記載の方法。 7、上記吸着床中の脱着用炭化水素溶媒を精製シロキサ
    ンで置換し、上記脱着用炭化水素溶媒から置換分のシロ
    キサンを回収し、これを吸着床に通してさらに精製する
    特許請求の範囲第5項記載の方法。 8、上記精製シロキサンを上記吸着床から取出し、この
    シロキサンを精製生成物として収集し、次いで不純なシ
    ロキサンを上記吸着床に、このシロキサンが所望の純度
    に達するまで通す特許請求の範囲第7項記載の方法。 9、処理を周囲温度で行う特許請求の範囲第1項記載の
    方法。 10、上記押出し用炭化水素溶媒を炭素原子数4〜16
    個の飽和脂肪族炭化水素溶媒とする特許請求の範囲第4
    項記載の方法。 11、上記押出し用炭化水素溶媒をイソオクタンとする
    特許請求の範囲第10項記載の方法。 12、上記脱着用炭化水素溶媒を芳香族溶媒、塩素化芳
    香族溶媒および塩素化脂肪族溶媒のなかから選択する特
    許請求の範囲第6項記載の方法。 13、上記脱着用炭化水素溶媒をクロロベンゼンとする
    特許請求の範囲第12項記載の方法。 14、上記吸着床が4000メッシュから1/4インチ
    までの大きさの活性炭よりなる特許請求の範囲第1項記
    載の方法。 15、シロキサンを吸着床の断面1平方フィート当り5
    〜500lb./時の流量で吸着床に供給する特許請求
    の範囲第1項記載の方法。 16、上記吸着床に不活性ガスを送給して吸着床の空隙
    を埋めているシロキサンを除去し、部分的に精製された
    シロキサンをさらに精製するために取り出す特許請求の
    範囲第1項記載の方法。 17、上記吸着床に不活性ガスを流すとともに吸着床を
    100℃以上に十分な時間加熱して吸着床に吸着された
    ビフェニルおよび他の不純物ならびにシロキサンを除去
    し、これを別の吸着床に通して不純なシロキサンを精製
    する特許請求の範囲第16項記載の方法。 18、(1)不純なシロキサンをモレキュラーシーブま
    たは木炭よりなる吸着床に通して接触させ、(2)精製
    されたシロキサンが所望の純度を越えない間、上記吸着
    床から上記精製シロキサンを取り出し、さらに(3)上
    記吸着床への上記不純なシロキサンの送給を、吸着床が
    ビフェニルおよび他の不純物の吸着に関して飽和点に達
    するまで継続し、(4)上記吸着床に押出し用炭化水素
    溶媒を加えて吸着床中のシロキサンをさらに精製するた
    めに置換、回収し、(5)上記吸着床に脱着用炭化水素
    溶媒を通して上記押出し用炭化水素溶媒を置換するとと
    もに、上記吸着床からビフェニルおよび他の不純物を脱
    着し、さらに上記押出し用炭化水素溶媒から不純なシロ
    キサンをさらに精製するために分離し、(6)上記吸着
    床中の上記脱着用炭化水素溶媒を精製シロキサンで置換
    し、上記脱着用炭化水素溶媒から精製シロキサンを回収
    し、(7)上記吸着床から上記精製シロキサンを回収し
    、次いで、(8)上記吸着床に不純なシロキサンを通し
    、精製されたシロキサンを上記吸着床から回収すること
    を特徴とする不純なシロキサンからビフェニル及び他の
    不純物を除去する方法。
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Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4299704A (en) * 1980-05-19 1981-11-10 General Electric Company Method for removing polychlorinated biphenyls from contaminated transformer dielectric liquid
US4379746A (en) * 1980-08-18 1983-04-12 Sun-Ohio, Inc. Method of destruction of polychlorinated biphenyls
US4913178A (en) * 1984-07-18 1990-04-03 Quadrex Hps Inc. Process and apparatus for removing PCB's from electrical apparatus
DE3534218A1 (de) * 1984-11-13 1987-03-26 Licentia Gmbh Verfahren zur reinigung von siliconoel
JPS62114992A (ja) * 1985-11-14 1987-05-26 Toray Silicone Co Ltd アルコキシシランの精製方法
US4814021A (en) * 1986-08-01 1989-03-21 Ensr Corporation Apparatus and method for reclassifying electrical apparatus contaminated with PCB
JPS63190891A (ja) * 1987-02-03 1988-08-08 Toray Silicone Co Ltd ヘキサメチルジシロキサンの精製方法
US5057242A (en) * 1987-03-24 1991-10-15 Novapure Corporation Composition, process, and apparatus, for removal of water and silicon mu-oxides from chlorosilanes
US5094830A (en) * 1987-03-24 1992-03-10 Novapure Corporation Process for removal of water and silicon mu-oxides from chlorosilanes
US4774347A (en) * 1988-02-29 1988-09-27 Dow Corning Corporation Removal of chlorinated hydrocarbons from alkylsilanes
US4950837A (en) * 1989-07-18 1990-08-21 General Electric Company Method for reclassifying PCB transformers
US4956486A (en) * 1990-03-07 1990-09-11 Dow Corning Corporation Removal of organic chloride from phenylchlorosilanes
US4962221A (en) * 1990-03-12 1990-10-09 Dow Corning Corporation Chloride reduction in polysiloxanes
US5276173A (en) * 1992-10-05 1994-01-04 Dow Corning Corporation Method for removal for ionic chloride from hydroxyl-terminated siloxanes
US5777145A (en) * 1997-09-19 1998-07-07 Dow Corning Corporation Removal of chlorocarbons from organochlorosilanes
DE19902270C1 (de) * 1999-01-21 2000-01-05 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zum Entfernen von Chlorkohlenwasserstoffen aus Organochlorsilanen
US7456488B2 (en) * 2002-11-21 2008-11-25 Advanced Technology Materials, Inc. Porogen material
US7423166B2 (en) * 2001-12-13 2008-09-09 Advanced Technology Materials, Inc. Stabilized cyclosiloxanes for use as CVD precursors for low-dielectric constant thin films
US7108771B2 (en) * 2001-12-13 2006-09-19 Advanced Technology Materials, Inc. Method for removal of impurities in cyclic siloxanes useful as precursors for low dielectric constant thin films
US8053375B1 (en) 2006-11-03 2011-11-08 Advanced Technology Materials, Inc. Super-dry reagent compositions for formation of ultra low k films
DE102017125221A1 (de) * 2017-10-27 2019-05-02 Nexwafe Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Entfernung von Verunreinigungen aus Chlorsilanen
US10676412B2 (en) * 2018-03-30 2020-06-09 Exxonmobil Research & Engineering Company Production and separation of dimethyl biphenyl isomers
US10676413B2 (en) * 2018-03-30 2020-06-09 Exxonmobil Research & Engineering Company Production and separation of dimethyl biphenyl isomers
CN109336919A (zh) * 2018-11-02 2019-02-15 辽宁新邦新材料有限公司 有机硅材料的前体材料的纯化方法和装置
CN109467570A (zh) * 2018-11-02 2019-03-15 辽宁新邦新材料有限公司 有机硅材料的前体材料、有机硅材料、有机硅高分子材料、组合物和制品
US11512013B2 (en) * 2019-09-18 2022-11-29 Ralph Birchard Lloyd System and method of reducing oxidants in a chemical stream

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5133540A (en) * 1974-09-17 1976-03-22 Tokyo Shibaura Electric Co Fet zofukuki no ratsushudenryuboshikairo

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2972626A (en) * 1958-01-15 1961-02-21 Monsanto Chemicals Purification of organo-silicate condensation products

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5133540A (en) * 1974-09-17 1976-03-22 Tokyo Shibaura Electric Co Fet zofukuki no ratsushudenryuboshikairo

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Publication number Publication date
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JPH0319237B2 (ja) 1991-03-14
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US4127598B1 (ja) 1985-09-10

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