JPS62141558A - ホトマスク及びそれを用いた微細パタ−ンの形成方法 - Google Patents
ホトマスク及びそれを用いた微細パタ−ンの形成方法Info
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- JPS62141558A JPS62141558A JP60282338A JP28233885A JPS62141558A JP S62141558 A JPS62141558 A JP S62141558A JP 60282338 A JP60282338 A JP 60282338A JP 28233885 A JP28233885 A JP 28233885A JP S62141558 A JPS62141558 A JP S62141558A
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- mask pattern
- mask
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体装置の製造に用いられるホトマスクと
それを用いた微細パターンの形成方法に関するものであ
る。
それを用いた微細パターンの形成方法に関するものであ
る。
（従来の技術）
従来、このような分野の技術としては第２図（１）、（
２）、および第、３図（１）、（２）のようなものがあ
った、以下、その構成を説明する。
。
２）、および第、３図（１）、（２）のようなものがあ
った、以下、その構成を説明する。
。
第２図は（１）、（２）は従来のホトマスクの一構成例
を示す概略平面図である。
を示す概略平面図である。
第２図（１）のホトマスクｌは、半導体装置のゲート配
線パターン形成用のものであり、透明なマスク基板２上
に、斜線部分のような微細な遮光性のマスクパターン３
が形成されている。
線パターン形成用のものであり、透明なマスク基板２上
に、斜線部分のような微細な遮光性のマスクパターン３
が形成されている。
また、第２図（２）のホトマスク１１は、コンタクトパ
ターン形成に用いられるもので、第２図（１）と同様に
、マスク基板１２上に斜線部分のようなマスクパターン
１３が形成されている。
ターン形成に用いられるもので、第２図（１）と同様に
、マスク基板１２上に斜線部分のようなマスクパターン
１３が形成されている。
この踵のマスクパターン３．１３では通常、屈曲部を、
有し、それには内、角０１，０１１ （＜１８０°）や
、外角０２ （≧１ａｏ’）が存在している。
有し、それには内、角０１，０１１ （＜１８０°）や
、外角０２ （≧１ａｏ’）が存在している。
これらのホトマスク１，１１を用いた従来の微細パター
ン形成方法を第３図（１）、（２）を参照しつつ説明す
る。なお、第３図（１）は第２図（１）に対応するレジ
ストパターン図、第３図（２）は第２図（２）に対応す
るレジストパターン図である。
ン形成方法を第３図（１）、（２）を参照しつつ説明す
る。なお、第３図（１）は第２図（１）に対応するレジ
ストパターン図、第３図（２）は第２図（２）に対応す
るレジストパターン図である。
微細なマスクパターン３．１３をフォトリングラフィ技
術を使用して半導体等の基板上に転写する場合、先ず基
板上にポジ形等のホトレジストを塗布する０次に、ホト
マスク１．１１のマスクパターン３，１３と基板との相
対的な位置合せ（マスク合せ）を行い、反射投影式露光
装置、縮小投影式露光装置等を用いてホトマスク１．１
１に紫外線等を照射する（露光工程）、その後、有機溶
剤等で現象すれば、第３図（１）、（２）のようなレジ
ストパターン３−１．１３−１が得られる。
術を使用して半導体等の基板上に転写する場合、先ず基
板上にポジ形等のホトレジストを塗布する０次に、ホト
マスク１．１１のマスクパターン３，１３と基板との相
対的な位置合せ（マスク合せ）を行い、反射投影式露光
装置、縮小投影式露光装置等を用いてホトマスク１．１
１に紫外線等を照射する（露光工程）、その後、有機溶
剤等で現象すれば、第３図（１）、（２）のようなレジ
ストパターン３−１．１３−１が得られる。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上記構成のホトマスク及びそれを用いた
微細パターン形成方法では、微細なマスクパターン３．
１３を露光してホトレジストに転写した場合、転写され
たレジストパターン３−１．１３−１の屈曲部における
内角θ１，０１１側が光の干渉で忠実に転写されず、湾
曲するおそれがあった。そのため、例えばゲート長やそ
の幅が屈曲部で異なってしまったり、コンタクトホール
の面積が小さくなったり、あるいはそのコンタクトホー
ルが開孔されないという問題点があった。
微細パターン形成方法では、微細なマスクパターン３．
１３を露光してホトレジストに転写した場合、転写され
たレジストパターン３−１．１３−１の屈曲部における
内角θ１，０１１側が光の干渉で忠実に転写されず、湾
曲するおそれがあった。そのため、例えばゲート長やそ
の幅が屈曲部で異なってしまったり、コンタクトホール
の面積が小さくなったり、あるいはそのコンタクトホー
ルが開孔されないという問題点があった。
本発明は前記従来技術が持っていた問題点として、レジ
ストパターンの屈曲部における内角側が湾曲する点につ
いて解決したホトマスク及びそれを用いた微細パターン
の形成方法を提供するものである。
ストパターンの屈曲部における内角側が湾曲する点につ
いて解決したホトマスク及びそれを用いた微細パターン
の形成方法を提供するものである。
（問題点を解決するための手段）
第１の発明は前記問題点を解決するために、屈曲部を有
する微細なマスクパターンが形成されたホトマスクにお
いて、前記屈曲部の内角側に、転写不能な幅を有するス
リットを設けたものである。また、第２の発明は、前記
スリットを有するホトマスクを、レジストが塗布された
基板に対してマスク合せをした後、露光および現像工程
を経て微細なレジストパターンを形成したものである。
する微細なマスクパターンが形成されたホトマスクにお
いて、前記屈曲部の内角側に、転写不能な幅を有するス
リットを設けたものである。また、第２の発明は、前記
スリットを有するホトマスクを、レジストが塗布された
基板に対してマスク合せをした後、露光および現像工程
を経て微細なレジストパターンを形成したものである。
（作 用）
第１．第２の発明によれば、以上のようにホトマスク及
びそれを用いた微細パターン形成方法を構成したので、
マスクパターンのスリットは、露光の際に生じる屈曲部
内角側の光の干渉を防止するように働く、これに゛よっ
てマスクパターンの高精度な転写が行える。従って前記
問題点を除去できるのである。
びそれを用いた微細パターン形成方法を構成したので、
マスクパターンのスリットは、露光の際に生じる屈曲部
内角側の光の干渉を防止するように働く、これに゛よっ
てマスクパターンの高精度な転写が行える。従って前記
問題点を除去できるのである。
（実施例）
第１図（１）、（２）は第１の発明の実施例を示すホト
レジストの概略平面図である。
レジストの概略平面図である。
第１図（１）のホトマスク２１は、半導体装置のゲート
配線パターン形成用のものであり、透明なガラス板等の
マスク基板２２上に、斜線部分のような微細なマスクパ
ターン２３が形成されている。マスクパターン２；は、
酸化り・ム膜等の遮光性被膜で形成され、その屈曲部の
内角０２１（＜１８０°）にスリット２４が設けられて
いる。スリット２４は、露光装置の露光（照射）波長で
は解像されないような幅（例えば、０．５＃Ｌ■以下）
に設定される。
配線パターン形成用のものであり、透明なガラス板等の
マスク基板２２上に、斜線部分のような微細なマスクパ
ターン２３が形成されている。マスクパターン２；は、
酸化り・ム膜等の遮光性被膜で形成され、その屈曲部の
内角０２１（＜１８０°）にスリット２４が設けられて
いる。スリット２４は、露光装置の露光（照射）波長で
は解像されないような幅（例えば、０．５＃Ｌ■以下）
に設定される。
さらに、スリット２４の配置は、その一端が内角０２１
の頂部で、その他端が該内角頂部に対向する外角０２２
附近にあり、しかもこのスリット２４によって屈曲部が
２つのパターンに分断される位置にあればよい、そのた
め、スリット２４の配置は、第１図（１）のようにマス
クパターン２３に平行か、あるいは斜めの位置等、適宜
な位置に選定される。
の頂部で、その他端が該内角頂部に対向する外角０２２
附近にあり、しかもこのスリット２４によって屈曲部が
２つのパターンに分断される位置にあればよい、そのた
め、スリット２４の配置は、第１図（１）のようにマス
クパターン２３に平行か、あるいは斜めの位置等、適宜
な位置に選定される。
また、第１図（２）のホトマスク３１は、コンタクトパ
ターン形成に用いられるもので、第１図（１）と同様に
、マスク基板３２上に斜線部分のような微細な遮光性マ
スクパターン３３が形成されている。このマスクパター
ン３３における角形開口部内の内角０３１附近は、第１
図（１）のマスクパターン屈曲部に相当する箇所であり
、その内角０３１の頂部には第１図（１）と同様の幅を
持つスリット３４が形成されている。このスリット３４
の配置は、少なくともその一端が内角頂部にあればよく
、そのため第１図（２）のように角形開口部と並列か、
あるいは斜め等、適宜な位置に選定される。
ターン形成に用いられるもので、第１図（１）と同様に
、マスク基板３２上に斜線部分のような微細な遮光性マ
スクパターン３３が形成されている。このマスクパター
ン３３における角形開口部内の内角０３１附近は、第１
図（１）のマスクパターン屈曲部に相当する箇所であり
、その内角０３１の頂部には第１図（１）と同様の幅を
持つスリット３４が形成されている。このスリット３４
の配置は、少なくともその一端が内角頂部にあればよく
、そのため第１図（２）のように角形開口部と並列か、
あるいは斜め等、適宜な位置に選定される。
以上のようなホトマスク２１．３１を用いた第２の発明
である微細パターン形成方法の実施例を。
である微細パターン形成方法の実施例を。
第４図（１）、（２）を参照しつつ説明する。なお。
第４図（１）は第１図（１）に対応するレジスＩ・パタ
ーン図、第４図（２）は第１図（１）に対応レジストパ
ターン図である。
ーン図、第４図（２）は第１図（１）に対応レジストパ
ターン図である。
先ず、半導体等の基板上にポジ形等のホトレジストを塗
布し、その後、熱処理をしてホトレジスｌ布膜中に残存
する溶剤を除去する０次いで、ホトマスク２１．３１の
マスクパターン２３．３３と基板との相対的な位置合せ
を行い、露光装置を用いて紫外光重をホトマスク２１．
３１に照射する。露光後、有機溶剤等の現像液を用いて
ホトレジストを現像すれば、第４図（１）、（２）に示
すように、パターン屈曲部の内角θ２１．０３１側が湾
曲状にならず、所望のレジストパターン２３−１．３３
−１が得られる。その後、熱処理してレジストパターン
２３−１．３３−１と基板との密着性を高めた後、エツ
チングして不必要になったレジストパターン２３−１．
３３−１を剥離除去すれば、ホトエツチング工程が終了
する。
布し、その後、熱処理をしてホトレジスｌ布膜中に残存
する溶剤を除去する０次いで、ホトマスク２１．３１の
マスクパターン２３．３３と基板との相対的な位置合せ
を行い、露光装置を用いて紫外光重をホトマスク２１．
３１に照射する。露光後、有機溶剤等の現像液を用いて
ホトレジストを現像すれば、第４図（１）、（２）に示
すように、パターン屈曲部の内角θ２１．０３１側が湾
曲状にならず、所望のレジストパターン２３−１．３３
−１が得られる。その後、熱処理してレジストパターン
２３−１．３３−１と基板との密着性を高めた後、エツ
チングして不必要になったレジストパターン２３−１．
３３−１を剥離除去すれば、ホトエツチング工程が終了
する。
上記実施例の利点をまとめれば１次のようになる。
（１）マスクパターン２３．３３の屈曲部内角０２１゜
θ３１側に、露光波長では解像されない幅のスリブ）２
４．３４を設けたので、パターン屈曲部の解像度が高く
なる０例えば、屈曲したゲート配線パターンであれば、
従来のようにゲート幅が屈曲部で部分的に太くなるとい
うことも防止できる。また、ｔｇ膳レベルの微細コンタ
クトパターンであれば、角形のレジストパターン開孔部
が丸くなったり、あるいはつぶれて開孔されないという
ことも防止できる。
θ３１側に、露光波長では解像されない幅のスリブ）２
４．３４を設けたので、パターン屈曲部の解像度が高く
なる０例えば、屈曲したゲート配線パターンであれば、
従来のようにゲート幅が屈曲部で部分的に太くなるとい
うことも防止できる。また、ｔｇ膳レベルの微細コンタ
クトパターンであれば、角形のレジストパターン開孔部
が丸くなったり、あるいはつぶれて開孔されないという
ことも防止できる。
（２）また、ダイナミックメモリ（ＤＲＡＭ）に用いら
れる溝型メモリセルを例にして利点を考察してみる。第
５図のトレンチ（溝）深さに対するメモリセル容ＭＣ８
の特性図に示すように、露光波長ｔｏｘ ＝ １５０人
において、従来のマスクパターンを用いて角形開孔部が
ｌＢｍ径の円形に転写開孔された特性直線Ａと、本実施
例により角形開孔部が１７ｔｍ口の正方形に転写開孔さ
れた特性直線Ｂとを比較した場合、メモリセル容量Ｃ８
値で約１０ｔｒの差があり、本実施例の解像度がより高
いことがわかる。
れる溝型メモリセルを例にして利点を考察してみる。第
５図のトレンチ（溝）深さに対するメモリセル容ＭＣ８
の特性図に示すように、露光波長ｔｏｘ ＝ １５０人
において、従来のマスクパターンを用いて角形開孔部が
ｌＢｍ径の円形に転写開孔された特性直線Ａと、本実施
例により角形開孔部が１７ｔｍ口の正方形に転写開孔さ
れた特性直線Ｂとを比較した場合、メモリセル容量Ｃ８
値で約１０ｔｒの差があり、本実施例の解像度がより高
いことがわかる。
このように、 １ＪＬ１１レベルの微細パターンが要求
される半導体装置に対しては、本実施例のマスクパター
ン２３．３３を用いることによって高性能、高信頼性、
高歩留等が期待できる。
される半導体装置に対しては、本実施例のマスクパター
ン２３．３３を用いることによって高性能、高信頼性、
高歩留等が期待できる。
第１と第２の発明は図示の実施例に限定されず１種々の
変形が可ス距である０例えば、マスクパターン２３．３
３は屈曲部を有する他の形状に変形できる。
変形が可ス距である０例えば、マスクパターン２３．３
３は屈曲部を有する他の形状に変形できる。
（発明の効果）
以上詳細に説明したように、第１．第２の発明によれば
、マスクパターンの屈曲部内角側にスリットを設けたの
で、屈曲部内角側における転写精度の向上が期待できる
。これによって半導体装置に対する性能、信頼性、歩留
等が向上する。
、マスクパターンの屈曲部内角側にスリットを設けたの
で、屈曲部内角側における転写精度の向上が期待できる
。これによって半導体装置に対する性能、信頼性、歩留
等が向上する。
４、図面のｌ’！ｆ？ｔｉな説明
第１図（１）、（２）は本発明の実施例を示すホトマス
クの概略平面図、第２図（１）、（２）は従来のホトマ
スクを示す概略平面図、第３図（１）、（２）は従来の
微細パターン形成方法で得られるレジストパターンを示
す図、第４図（１）、（２）は本発明の微細パターン形
成方法で得られるレジストパターンを示す図、第５図は
本発明の実施例と従来との転写精度を比較するための比
較特性図である。
クの概略平面図、第２図（１）、（２）は従来のホトマ
スクを示す概略平面図、第３図（１）、（２）は従来の
微細パターン形成方法で得られるレジストパターンを示
す図、第４図（１）、（２）は本発明の微細パターン形
成方法で得られるレジストパターンを示す図、第５図は
本発明の実施例と従来との転写精度を比較するための比
較特性図である。
２１．３１・・・・・・ホトマスク、２２．３２・・・
・・・マスク基板、 ２３．３３・・団・マスクパター
ン、２３−１．３３−１・旧・・レジストパターン、２
４．３４・・・・・・スリット、０２１、５＞３１・・
・・・・屈曲部内角。
・・・マスク基板、 ２３．３３・・団・マスクパター
ン、２３−１．３３−１・旧・・レジストパターン、２
４．３４・・・・・・スリット、０２１、５＞３１・・
・・・・屈曲部内角。
出願人代理人 柿 本 恭 成２３−１．３
３−１°レジストパターン第４囚 トレ）チケ＋”！（／Ｊ、扉） 本発明と従来の比較特性図 値Ｆ１図
３−１°レジストパターン第４囚 トレ）チケ＋”！（／Ｊ、扉） 本発明と従来の比較特性図 値Ｆ１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、屈曲部を有する微細なマスクパターンにおける該屈
曲部の内角側に、転写不能な幅を有するスリットを設け
たことを特徴とするホトマスク。 ２、屈曲部を有する微細なマスクパターンにおける該屈
曲部の内角側に、転写不能な幅を有するスリットを設け
たホトマスクを、レジストが塗布された基板に対してマ
スク合せをした後、露光および現像工程に経て微細なレ
ジストパターンを形成することを特徴とするホトマスク
を用いた微細パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60282338A JPS62141558A (ja) | 1985-12-16 | 1985-12-16 | ホトマスク及びそれを用いた微細パタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60282338A JPS62141558A (ja) | 1985-12-16 | 1985-12-16 | ホトマスク及びそれを用いた微細パタ−ンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62141558A true JPS62141558A (ja) | 1987-06-25 |
Family
ID=17651115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60282338A Pending JPS62141558A (ja) | 1985-12-16 | 1985-12-16 | ホトマスク及びそれを用いた微細パタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62141558A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0470656A (ja) * | 1990-07-05 | 1992-03-05 | Mitsubishi Electric Corp | フォトマスク |
| US6197452B1 (en) | 1997-09-17 | 2001-03-06 | Nec Corporation | Light exposure pattern mask with dummy patterns and production method of the same |
| KR100303799B1 (ko) * | 1998-03-19 | 2001-11-30 | 황인길 | 반도체소자용마스크패턴 |
| US7418685B2 (en) | 2003-06-27 | 2008-08-26 | Elpida Memory, Inc. | Layout method for miniaturized memory array area |
| US7438998B2 (en) | 2003-10-03 | 2008-10-21 | Elpida Memory, Inc. | Method of manufacturing semiconductor device |
| JP2009236319A (ja) * | 1999-04-15 | 2009-10-15 | Bridgestone Corp | Ｅａ材の取付構造 |
-
1985
- 1985-12-16 JP JP60282338A patent/JPS62141558A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0470656A (ja) * | 1990-07-05 | 1992-03-05 | Mitsubishi Electric Corp | フォトマスク |
| US6197452B1 (en) | 1997-09-17 | 2001-03-06 | Nec Corporation | Light exposure pattern mask with dummy patterns and production method of the same |
| KR100303799B1 (ko) * | 1998-03-19 | 2001-11-30 | 황인길 | 반도체소자용마스크패턴 |
| JP2009236319A (ja) * | 1999-04-15 | 2009-10-15 | Bridgestone Corp | Ｅａ材の取付構造 |
| US7418685B2 (en) | 2003-06-27 | 2008-08-26 | Elpida Memory, Inc. | Layout method for miniaturized memory array area |
| US7438998B2 (en) | 2003-10-03 | 2008-10-21 | Elpida Memory, Inc. | Method of manufacturing semiconductor device |
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