JPS62139884A - プラズマクリ−ニング装置 - Google Patents

プラズマクリ−ニング装置

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JPS62139884A
JPS62139884A JP60282470A JP28247085A JPS62139884A JP S62139884 A JPS62139884 A JP S62139884A JP 60282470 A JP60282470 A JP 60282470A JP 28247085 A JP28247085 A JP 28247085A JP S62139884 A JPS62139884 A JP S62139884A
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JP
Japan
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quartz tube
plasma
electrode
plasma electrode
high speed
Prior art date
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Granted
Application number
JP60282470A
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English (en)
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JPH0118147B2 (ja
Inventor
Yukio Hoshi
星 之雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TERU SAAMUKO KK
Tokyo Electron Sagami Ltd
Original Assignee
TERU SAAMUKO KK
Tokyo Electron Sagami Ltd
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Publication date
Application filed by TERU SAAMUKO KK, Tokyo Electron Sagami Ltd filed Critical TERU SAAMUKO KK
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Publication of JPS62139884A publication Critical patent/JPS62139884A/ja
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  • Plasma Technology (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、減圧CVD装置などに用いるプラスマクリー
ニング装置に関するもので、更に述べると、プラズマに
より石英管内壁面をクリーニングする装置に関するもの
である。
従来の技術 減圧CVD装置でウエノ・を処理していると、該装置の
石英管内壁面に二酸化シリコンや7リコンナイトライト
などが付着する。
そして、この付着物は、石英管内壁面から剥離して、処
理中のウエノ・に付着し、不良品の原因となるので、石
英管内壁面をクリーニングする必要がある。
従来、このクリーニングは、第4図に示す様に、高周波
電圧用電極1と接地用電極2とを石英管3で囲み、この
石英管3をCVD装!4のプロセス石英管5に挿入した
後、電極1に高周波電圧を印加し、プラズマを発生させ
ることにより行なっている。
発明が解決しようとする問題点 従来例のプラズマクリーニング装置では、電極1.2間
に第4図鎖線Aで示す様な電界が生じ、イオン鞘すなわ
ちイオンシースによる電極表面の電位降下が発生する。
しかし、プロセス石英管5近傍は、電圧が安定している
ので、この近傍のイオンは加速されず、浮いている様な
状態となる。
従って、イオンがプロセス石英管内壁面に衝突するのに
時間がかかるので、高速クリーニングは不可能であった
本発明は、上記事情に鑑み、プラズマクリーニングを高
速に行なうことを目的とする。
問題点を解決するだめの手段 本発明は、外周面に外側プラズマ電極を設けた石英管に
、内側プラズマ電極を同心状に嵌着したことを特徴とす
るプラズマクリーニング装置でおる。
作  用 石英管に内側プラズマ電極を同心状に低ルした後、該電
極に高周波電圧を印加し、石英管内にプラズマを発生さ
せる。
この時、内側プラズマ電極と外側プラズマ電極との間に
は電界が生じ、イオンシースによる電極表面の電圧降下
が発生するが、石英管は外側プラズマ電極のイオンシー
ス部に位置しているので、石英管付近のイオンは電圧降
下の影なにより加速され、石英管内壁面に高速で衝突し
、内壁面の付着物にぬりこむ。
実施例 本発明の一実施例を添附図面に基き説明するが、同一図
面符号はその名称も機能も同一である0 10は減圧CVD装置の石英管で、この石英管10の外
周面には、円筒状の外側プラズマ電極11が配設されて
いる。この外側プラズマ電極11は、接地されているの
で、シールド機能を有する。
12は、高周波電圧を印加する内側プラズマ電極で円筒
状に形成されている。この内側プラズマ電極12は、カ
バー用石英管13により包囲されているので、tllt
zのよごれは、石英管10内に飛散することはない。
カバー用石英管13には、取手14と真空フランジ15
が設けられているが、この真空7ランジ15は、プラズ
マクリーニング時に石英管10内を真空に保持せしめる
本実施例の作動につき説明すると、取手14を把持し、
内側プラズマ電極12を石英管lO内に同心状に挿入し
、真空フランジ15で石英管10をシールする。
次に、内側プラズマ電極12に高周波電圧を印加すると
、電極11.12間にプラズマが発生すると共に、同心
円状の等電位線16と、半径方向の電界17が生ずる。
そして、イオン18は、イオンシースによる外側プラズ
マ電極11衣面の電位降下の影響により加速され、石英
管内壁面10aに高速で衝突し、付着物19、例えは、
二酸化シリコンやポリシリコン内にめシ込んでエツチン
グを行ない、石英管内壁面10αの付着物19を除去す
る。
このエツチングは、両電極11.12が同心状に設けら
れているので、均等に、すなわち、バラツキなく行なう
ことができる。
又、外側プラズマ電極11は、接地されているので、プ
ラズマのノイズがシールドされる。
従って、CVD装置の中央処理装置(CPU)などが、
プラズマのノイズにより誤作動するのを防止できる。
内側プラズマ電極12は、カバー用石英管13によシ覆
われているので、電極12のよごれは石英管10内に飛
散することはない。
発明の効果 本発明は以上の様に、外周面に外側プラズマ電極を設け
た石英管に内側プラズマ電極を同心状に嵌着したので、
イオンは、イオンシースによシ加速され、石英管内壁面
に高速で衝突し、そして、エツチングが行なわれる。
従って、プラズマクリー二/グを高速で行なうことがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第1図〜第3図は、本発明の実施例を示す図で、第1図
は、その縦断面図、第2図は、内91;jプラズマ電極
を示す斜視図、第3図は、第1図の一部拡大図、萼4因
IVル(り°)乞不■口である。 10・・・・・・・・・石英管

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、外周面に外側プラズマ電極を設けた石英管に、内側
    プラズマ電極を同心状に嵌着したことを特徴とするプラ
    ズマクリーニング装置。 2、外側プラズマ電極は、接地されていることを特徴と
    する特許請求の範囲第1項記載のプラズマクリーニング
    装置。 3、内側プラズマ電極は、高周波電圧印加用電極である
    ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のプラズマ
    クリーニング装置。 4、内側プラズマ電極は、カバー用石英管で覆われてい
    ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のプラズ
    マクリーニング装置。
JP60282470A 1985-12-16 1985-12-16 プラズマクリ−ニング装置 Granted JPS62139884A (ja)

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JP60282470A JPS62139884A (ja) 1985-12-16 1985-12-16 プラズマクリ−ニング装置

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JPS62139884A true JPS62139884A (ja) 1987-06-23
JPH0118147B2 JPH0118147B2 (ja) 1989-04-04

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS648285A (en) * 1987-06-30 1989-01-12 Fujitsu Ltd Dry washing method of quartz pipe
JPH02175876A (ja) * 1988-12-27 1990-07-09 Tel Sagami Ltd プラズマ処理方法及び装置
US5547512A (en) * 1989-07-21 1996-08-20 Minnesota Mining And Manufacturing Company Continuous atomspheric pressure CVD coating of fibers
KR100514105B1 (ko) * 2002-11-25 2005-09-09 한미반도체 주식회사 상압 플라즈마 발생장치

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS648285A (en) * 1987-06-30 1989-01-12 Fujitsu Ltd Dry washing method of quartz pipe
JPH02175876A (ja) * 1988-12-27 1990-07-09 Tel Sagami Ltd プラズマ処理方法及び装置
US5547512A (en) * 1989-07-21 1996-08-20 Minnesota Mining And Manufacturing Company Continuous atomspheric pressure CVD coating of fibers
KR100514105B1 (ko) * 2002-11-25 2005-09-09 한미반도체 주식회사 상압 플라즈마 발생장치

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JPH0118147B2 (ja) 1989-04-04

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