JPS621310A - 弾性表面波装置 - Google Patents

弾性表面波装置

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JPS621310A
JPS621310A JP13907485A JP13907485A JPS621310A JP S621310 A JPS621310 A JP S621310A JP 13907485 A JP13907485 A JP 13907485A JP 13907485 A JP13907485 A JP 13907485A JP S621310 A JPS621310 A JP S621310A
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JP
Japan
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surface acoustic
acoustic wave
convolver
track
transducer
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Pending
Application number
JP13907485A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Okamoto
猛 岡本
Teruo Niitsuma
新妻 照夫
Shoichi Minagawa
皆川 昭一
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Faurecia Clarion Electronics Co Ltd
Original Assignee
Clarion Co Ltd
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Publication date
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Priority to FR868609116A priority patent/FR2590089B1/fr
Priority to GB8615382A priority patent/GB2179221B/en
Priority to DE19863621211 priority patent/DE3621211A1/de
Publication of JPS621310A publication Critical patent/JPS621310A/ja
Priority to GB8913782A priority patent/GB2220318B/en
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  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Digital Transmission Methods That Use Modulated Carrier Waves (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 A 産業上の利用分野 本発明は、基板上にその雨漏の近傍に互に対向して設け
られた入力トランスデューサから互に相対する方向く表
面波を伝播し、それらの入力トランスデューサの間に二
つのトラックから成る出力ゲートが設げられたDiff
erential Phase ShiftKeyin
g (以下本明細書においてはDPSKと略称する)コ
ンボルバに関する。
B 発明の砥飲 2個のトラックから成るDPSKコンボルバにおいて、
一方から入力される弾性表面波が二つのトラックで互に
逆相であり、各トラックに対応するゲートがDPSK復
調のために中央で二つに分割され、合計4個の出力端子
を有する弾性表面波コンボルバが開示される。二つのト
ラックにおいて逆相の弾性表面波を発生させる手段は1
80’位相差を与える階段状の!他構造を持つトランス
デユーサである。上記トランスデユーサは有利にはダブ
ル電極で、上記コンボルバはエラスティックコンボルバ
であることも、千尋体基板上に形成された圧電体膜から
成るモノリシックコンボルバであることもできる。
C従来の技術 従来の弾性表面波コンボルバには、(aJ牛牛体体圧電
体を僅かな空隙を介して結合する分離媒質コンボルバ、
<b)圧電体基板自体の非線形性を利用するエラスティ
ックコンボy ハ、 (CJ牛導体基板上に圧電体薄膜
を形成した層状構造のモノリシックコンボルバが知られ
ている。
<aJ)分* m 質コンボルバには、空隙の制御が非
常にやっかいなために、生産性で劣る欠点がある。
(bJのエラスティックコンボルバでは、圧電体基板の
弾性的非1形性を利用するために、大きな弾性表面波エ
ネルギーが必l!になる。一方、エラスティックコンボ
ルバおよび層状構造コンボルバは分離媒質コンボルバと
は異なり、組立てが容易なために生産性が上るという%
長を持っている。さらにCc)の1状構造コンボルバは
、半導体の空乏層容量の非線形性を利用しているので、
コンポルージョン効率が大きいうえ、モノリシック構造
のために、構成が容易であるという特長を持っている。
層状構造の断面図を第4図、上面図を第5図に示す。こ
こで、1はシリコン等の半導体層、2は酸化亜鉛、窒化
アルミニウム等の圧電体膜、3は弾性表面液入力トラン
スデューサ、4は出方ゲートであり、トランスデユーサ
3およびゲート4はアルミニウム等の金属膜で形成され
る。
弾性表面波コンボルバを列えば5pread Spec
tr−um Corrmunication (以下本
明細書においてはSSCと略記する)等の信号処理機能
素子として応用することは広く知られている。SSCに
おいて転送すべきデータ変w4にはDPSKがよく使わ
れている。
このよ5なりPSKffi!Elfされた信号を弾性表
面波コンボルバで整合Plilするために、第6図に示
す構造のコンボルバが提案されている。第6図に示ス構
造はDPSKコンボルバと呼ばれ、その詳細な動作はデ
ィー・プロットコルブ(D、 J3rod−tkorb
 )およびジエイ・イー・レイナ(J、E。
Laynor )著1978年発行の雑誌ウルトラソニ
ックス・シンポジウム・プロシーデインダス(UH−r
asonics Symposium Proceed
ings ) j1561頁から第566頁までに掲載
された論文に示されている。第6図において、5.6は
出力ゲートであり、中央で分離されている。7は両ゲー
ト5,6からの信号の和および差をとるためのハイブリ
ッドである。8,9はハイブリッド出力であり、8が和
(Σ  )、9が差(Δout)を出力する。
ut また第6図に示す構成では、例えば左端の入力トランス
デューサ3から右方向に伝播する弾性表面波は右端の入
力トランスデューサに運し、このトランスデユーサによ
って反射し、左方向に伝播する弾性表面波となる。この
反射して左方向く伝播する弾性表面波と元の左端の入力
トランスデューサから右方向に伝播する弾性表面波から
コンポルーショ/出力が得られる。この出力はいわゆる
セル7コンボルーシヨンと言われる不訣彼を発生させる
。以上の説明は左右の大カドランスデューサは正規形ト
ランスデユーサと仮定する場合に生じる現象であり、こ
の問題は一方向性、トランスデユーサにすれば解決でき
る。しかし、一般に、一方向性トランスデユーサは設計
および作製が困難である上に、SSCは一般に広帯域信
号な取り扱うために広帯域一方向性トランスデユーサが
要求され、設計、作製がさらに困難になる。
上記不快波を低下させる弾性表面波装直が特公昭57−
47569号に開示されているが、その装置をDPSK
コンボルバとして形成するという思想は示されていない
D 発明が解決しようとする問題点 第6図に示す構成によるDPSKコンボルバを用いy=
 S S C受信機は、ハイブリッド7を使用している
ので、非常に高価になるという欠点がある。
したがって、本発明の目的は、安価で、しかもセルフコ
ンポルージョンが抑制された弾性表面波DPSKコンボ
ルバを提供することである。
E 間趙点を解決するための手段 上記目的を達成するために、本発明による弾性表面波装
直は、上記各トラックに対応して中央で分割して構成さ
れた出力ゲートと、上記各トラックに対zして二つの部
分から成り、それらの部分が互に逆相の表面波を発生す
る入力トランスデューサな含むことを焚旨とする。本発
明の有利な実施の態様においては上記入力トランスデュ
ーサは階段状電極構造を有し、場合によってはダブル電
極として形成される。上記基板は圧電体であることも、
半導体層と圧電体層から成る複合層であることもできる
F 作用 一つのトラックにある2分割された出力ゲートを直接接
続すれば和信号が得られ、一方のトラックにある一つの
出力ゲートと他方のトラックにある、それと対向しない
出力ゲートを接続すれば差信号が得られる。
G 実施的 第1図は本発明によるDPSKコンボルバの上面図およ
び電気的結線図で、図中10は入力トランスデューサ、
11は180’wI段状入方トランスデユーサ、ν、 
13.14.15は出力ゲート、16.17.18゜1
9は出力端子を示す。
第1図に示すように、左右に配置された入力トランスデ
ユーサ10.11の交叉幅にまたがって、それらの入力
トランスデューサの間に二つのトラックから成る出力ゲ
ー)12.13.14.15が配列されている。すなわ
ち出力ゲート12と13は一つのトラックを形成し、出
力ゲート14と15は他の一つのトラックを形成してい
る。右端の入力トランスデューサ11は図示のように二
つのトラック間で位相差カリso’となるように階段状
に形成されている。す “なわち入力トランスデユーサ
■の電極部11− aと11−bは互にλo12ずれた
位置にある。ここでλ。は弾性表面波の波長である。入
力トランスデューサ10.11、出力ゲート臆、 13
.14.15はアルミニウム等の金属から成っている。
このような2トラツクのDPSKコンボルバにおいて、
各出力ゲートからの信号は出力端子16゜17、18.
19から得られる。ここで左端の入力トランスデューサ
10によって発生し、右方向に伝播する弾性表面tlL
SI、S2はそれぞれのトラックを伝播して右端のトラ
ンスデユーサ11に同位相で達する。このトランスデユ
ーサ11は、180’の位相差に対応する配置にある電
極11−aと11−bから成っているから、同位相で入
射した弾性表面長はこのトランスデユーサには何ら影響
を与えない。
逆に、右端の入力トランスデューサ11によって発生し
、左方向に伝播する弾性表面波は同様にして左端のトラ
ンスデユーサ10に達する。この弾性表面波は二つのト
ラックにおいて互に逆位相であるために、トランスデユ
ーサ10に達した弾性表面波はこのトランスデユーサに
何ら影響を与えない。
このように入力トランスデューサ10.11による電気
的再放射は存在しない。したがって、この構造の2トラ
ツクDPSKコンボルバはセルフコンポルージョンを抑
制することが可能である。
上述のように電気的再放射による反射波は抑制できたが
、トランスデユーサ10.11の金属の種類および膜厚
によっては、機械的反射が生じる場合がある。この機械
的反射を抑制するためには入力トランスデユーサ10.
11をダブル電極にすることにより解決される。
以上のようにこの構造のコンボルバはセルフコンポルー
ジョンが抑制できるために高性能なコンボルバである。
さらにこの2トラツクDPSKコンボルバの特長として
次のことが挙げられる。
第1図において、一つのトラック、飼えばゲート12.
13から成るトラックにおけるコンポルージョン出力と
、他のトラック、すなわちゲート14゜15から成るト
ラックにおけるコンポルージョン出力は右端の入力トラ
ンスデューサ11において二つのトラックで逆位相の弾
性表面長であることにより、互に逆位相になる。すなわ
ち出力端子16.17とは同位相であり、また18.1
9とは同位相であるが、出力端子16.17と出力端子
18.19とは逆位相のコンポルージョン出力となって
いる。
このようにDPSK復調を行なう場合において、和出力
が目的ならば出力端子16.17を接続するかまたは出
力端子18.19を接続することにより和出力が得られ
る。また差出力が目的ならば、出力端子16と四を接続
するか、17と18と′lt接続することにより差出力
が得られる。
以上の説明かられかるようにDPSK復調において和出
力、差出力のどちらでも、従来のようにハイブリッドを
使用しな(ても得られる。したがって、高価な)・イブ
リッドが不快なために、SSC受信機の原価および占有
空間が大幅に低減される。
ここで示した2トラツクDPSKコンボルノ(はエラス
ティックコンボルバ、および層状構造コンボルバのいず
れの種類にも応用でさることは明らかである。すなわち
、エラスティックコンボルバを得るためには、第2図に
示すようにニオブ酸リチウム等から成る圧電体基板加重
に第1図に示す入力トランスデューサ10.11および
出力ゲート16゜17、18.19を形成すればよい。
層状構造コンボルバを得るためKは、第3図に示すよう
にシリコン等から成る半導体基板4上に酸化亜鉛、窒化
アルミニウム等の圧電体膜ρを形成し、その上に入力ト
ランスデューサ10.11および出力ゲー)16.17
.18.19を第1図に示すように構成すればよい。
第1図においては、右端の入力トランスデューサ11に
よって二つのトラックに逆位相の弾性表面波を右方から
入力させた。しかし逆に左方向から入力させても同等で
あることは明らかである。また第1図においては、右端
の入力トランスデューサ11によって逆位相の弾性表面
波を各ゲートに人力したが、この逆位相を発生させる手
段は、第1図に示すように階段状のトランスデユーサに
限ることはなく、各トラックに逆位相の弾性表面波が入
力しさえすれば上述の効果が得られることは明らかであ
る。
H発明の詳細 な説明した通り、本発明によるDPSKは、ハイブリッ
ド素子を用いないので、従来の装置に較へ安価で小型で
ある。また、セルフコンボルージョンが抑制されるので
、高性能であるという利点が得られる0
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明によるDPSKコンポルノくの上面図お
よび電気的結線図、第2図は本発明によるエラスティッ
クコンボルバの断面図、第3図は本発明による層状構造
コンボルバの断面図、第4図は従来のモノリシックコン
ボルバの断面図、第5図は第4図に示す装置の上(8)
図、第6図は従来のDPSKコンボルバの上面図である
。 lO・・・入力トランスデューサ、11・・・180”
階段状入力トランスデューサ、12.13.14.15
・・・出力ゲート、16.17.18.19・・−出力
端子、肋・・・圧電体基板、と・・・半導体基板、ρ・
・・圧電体膜。 第1図 本発明によるDPSKコンボルバ構双図10;入カドラ
ンスジ1−サ

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)基板上にその両端の近傍に互に対向して設けられ
    た入力トランスデューサから互に相対する方向に表面波
    を伝播し、それらの入力トランスデューサの間に二つの
    トラックから成る出力ゲートが設けられたDPSKコン
    ボルバとして使用される弾性表面波装置において、 (a)上記各トラックに対応して中央で分割して構成さ
    れた出力ゲート、および (b)上記各トラックに対応して二つの部分から成り、
    それらの部分が互に逆相の表面波を発生する入力トラン
    スデューサ を含むことを特徴とする弾性表面波装直。
  2. (2)上記二つの部分から成る入力トランスデューサが
    階段状電極構造を有することを特徴とする特許請求の範
    囲第1項記載の弾性表面波装置。
  3. (3)上記入力トランスデューサがダブル電極から成る
    ことを特徴とする特許請求の範囲第2項記載の弾性表面
    波装置。
  4. (4)上記基板が圧電体であることを特徴とする特許請
    求の範囲第1項記載の弾性表面波装置。
  5. (5)上記基板が半導体層と圧電体層から成る複合層で
    あることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の弾性
    表面波装置。
JP13907485A 1985-06-25 1985-06-27 弾性表面波装置 Pending JPS621310A (ja)

Priority Applications (7)

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JP13907485A JPS621310A (ja) 1985-06-27 1985-06-27 弾性表面波装置
US06/875,855 US4841470A (en) 1985-06-25 1986-06-18 Surface acoustic wave device for differential phase shift keying convolving
NL8601643A NL8601643A (nl) 1985-06-25 1986-06-24 Oppervlakte-acoustische-golfinrichting.
FR868609116A FR2590089B1 (fr) 1985-06-25 1986-06-24 Convolutionnement a codage par dephasage differentiel
GB8615382A GB2179221B (en) 1985-06-25 1986-06-24 Surface acoustic wave device
DE19863621211 DE3621211A1 (de) 1985-06-25 1986-06-25 Phasendifferenzmodulations-wendelleiter
GB8913782A GB2220318B (en) 1985-06-25 1989-06-15 Surface acoustic wave device

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JP13907485A JPS621310A (ja) 1985-06-27 1985-06-27 弾性表面波装置

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JPS621310A true JPS621310A (ja) 1987-01-07

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ID=15236879

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JP13907485A Pending JPS621310A (ja) 1985-06-25 1985-06-27 弾性表面波装置

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0250609A (ja) * 1988-08-12 1990-02-20 Canon Inc 弾性表面波コンボルバ
JPH02162818A (ja) * 1988-12-15 1990-06-22 Canon Inc 弾性表面波コンボルバ

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0250609A (ja) * 1988-08-12 1990-02-20 Canon Inc 弾性表面波コンボルバ
JPH02162818A (ja) * 1988-12-15 1990-06-22 Canon Inc 弾性表面波コンボルバ

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