JPS5841005B2 - 表面弾性波素子 - Google Patents
表面弾性波素子Info
- Publication number
- JPS5841005B2 JPS5841005B2 JP15977278A JP15977278A JPS5841005B2 JP S5841005 B2 JPS5841005 B2 JP S5841005B2 JP 15977278 A JP15977278 A JP 15977278A JP 15977278 A JP15977278 A JP 15977278A JP S5841005 B2 JPS5841005 B2 JP S5841005B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- surface acoustic
- acoustic wave
- reflector
- substrate
- transducer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02834—Means for compensation or elimination of undesirable effects of temperature influence
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02637—Details concerning reflective or coupling arrays
- H03H9/02653—Grooves or arrays buried in the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6489—Compensation of undesirable effects
- H03H9/6496—Reducing ripple in transfer characteristic
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は表面弾性波素子に関し、少なくとも１個の反射
器をその構成要素に含む表面弾性波素子の温度特性を改
善することを目的とする。
器をその構成要素に含む表面弾性波素子の温度特性を改
善することを目的とする。
本発明はリング型表面弾性波フィルタとして特に有用で
あるので以下この場合を例にとって説明する。
あるので以下この場合を例にとって説明する。
リング型表面弾性波フィルタは入力変換器よりの表面弾
性波を反射器により直角に２度反射させて出力変換器に
導くように構成され、低挿入損失と高い不用信号除去能
力をもつという特徴をもち表面弾性波フィルタ素子の重
要な構成方法の一つであるが、入出力変換器にくし型電
極を用いることから基板に圧電体を用いる必要がある。
性波を反射器により直角に２度反射させて出力変換器に
導くように構成され、低挿入損失と高い不用信号除去能
力をもつという特徴をもち表面弾性波フィルタ素子の重
要な構成方法の一つであるが、入出力変換器にくし型電
極を用いることから基板に圧電体を用いる必要がある。
入出力変換器の効率からは圧電体基板は表面弾性波との
結合度を表わす結合定数Ｒ２が大きいほど良い。
結合度を表わす結合定数Ｒ２が大きいほど良い。
またフィルタ特性は温度の変化に対して変化の少いこと
が多くの場合要求されている。
が多くの場合要求されている。
これは表面弾性波の遅延時間温度係数ＴＣＤが小さいこ
とを要求している。
とを要求している。
しかし材料的には温度係数の良い材料は結合係数が小さ
く、逆に結合係数の良い材料は温度係数が悪い。
く、逆に結合係数の良い材料は温度係数が悪い。
例えばＬ ＩＮ ｂ ＯｓのＹ板のＺ方向に表面弾性波
を伝播させる材料は結合係数Ｒ２＝４．８％と大きく良
く用いられる材料であるが、遅延時間温度係数はＴＣＤ
＝９４ｐｐｍ／’Ｃと大きく、フィルタ構成上しはしは
問題となる。
を伝播させる材料は結合係数Ｒ２＝４．８％と大きく良
く用いられる材料であるが、遅延時間温度係数はＴＣＤ
＝９４ｐｐｍ／’Ｃと大きく、フィルタ構成上しはしは
問題となる。
逆にＳＴ板の水晶では遅延時間温度係数はＴＣＤ−＝Ｏ
ｐｐｍ／℃であるが、結合係数Ｒ２＝０．１２％と小さ
くフィルタの挿入損失を増加させる。
ｐｐｍ／℃であるが、結合係数Ｒ２＝０．１２％と小さ
くフィルタの挿入損失を増加させる。
本発明の目的はリング型表面弾性波フィルタのごとき反
射器を有する表面弾性波素子において、くし型電極の変
換効率を悪化させることなく、フィルタの温度特性を改
善する手段を提供するものである。
射器を有する表面弾性波素子において、くし型電極の変
換効率を悪化させることなく、フィルタの温度特性を改
善する手段を提供するものである。
第１図は本発明の一実施例を示し、第２図のＡ−Ａ’部
分の断向図である。
分の断向図である。
この実施例では薄膜層１０および１１を除くと通常のリ
ング型表面弾性波の構成と同じである。
ング型表面弾性波の構成と同じである。
まず簡単に動作原理を示すと、端子３に印加された電気
信号は圧電性基板５上に作られた入力くし型電極１によ
り表面弾性波１２および１５に変換され、反射器６およ
び８で直角に反射されて表面弾性波１３および１６とな
り再度反射器１および９で直角に反射されて表面弾性波
１４および１１となり、出力くし型電極２より電気信号
に変換され端子４より取り出される。
信号は圧電性基板５上に作られた入力くし型電極１によ
り表面弾性波１２および１５に変換され、反射器６およ
び８で直角に反射されて表面弾性波１３および１６とな
り再度反射器１および９で直角に反射されて表面弾性波
１４および１１となり、出力くし型電極２より電気信号
に変換され端子４より取り出される。
ここでフィルタの通過特性を主として決めるものは反射
器６，７，８．９であり、これは通常周期構造をもつ多
数の溝より作られ、溝の周期に一致する波が選択的に反
射されることによりフィルタの通過特性を決めている。
器６，７，８．９であり、これは通常周期構造をもつ多
数の溝より作られ、溝の周期に一致する波が選択的に反
射されることによりフィルタの通過特性を決めている。
フィルタの温度係数の改良には、基板上に遅延時間温度
係数が基板のそれとは逆の材料を薄膜層にして構成すれ
ば良いことはすでに知られている。
係数が基板のそれとは逆の材料を薄膜層にして構成すれ
ば良いことはすでに知られている。
例えばＬ ｉＮ ｂ Ｏｓ基板上にＳｉＯ２の薄膜を作
ることにより温度係数が改良されている。
ることにより温度係数が改良されている。
しかし一般にくし型電極で表面弾性波を励振する場合に
はくし型電極と基板との間に他の物質が入ると圧電性を
感じて、表面弾性波との結合係数に２を低下させて変換
効率を悪くする。
はくし型電極と基板との間に他の物質が入ると圧電性を
感じて、表面弾性波との結合係数に２を低下させて変換
効率を悪くする。
このため本発明では第１図に示すごとく、くシ型電極１
および２の部分を除いて、少くとも反射器６．γ、８，
９を覆うように遅延時間温度係数が逆の材料よりなる薄
膜層１０゜１１を構成する。
および２の部分を除いて、少くとも反射器６．γ、８，
９を覆うように遅延時間温度係数が逆の材料よりなる薄
膜層１０゜１１を構成する。
基板がＬｉＮｂＯ３の場合、薄膜層がＳ ｉ ０２等が
良いことは前記の通りである。
良いことは前記の通りである。
フィルタの通過特性は反射器部分で決まるためこの構成
で十分にフィルタの温度係数を改良すると共に、くし型
電極は不用な薄膜層がなく変換効率を悪くしない。
で十分にフィルタの温度係数を改良すると共に、くし型
電極は不用な薄膜層がなく変換効率を悪くしない。
第３図は他の実施例を示し、第１図Ａ −Ａ’の断面図
で上記の実施例とは遅延時間温度係数が逆の材料の薄膜
層１０および１１を構成してからその上に反射器６．γ
、８，９を作っである点が異なる。
で上記の実施例とは遅延時間温度係数が逆の材料の薄膜
層１０および１１を構成してからその上に反射器６．γ
、８，９を作っである点が異なる。
温度係数を改良する効果は本実施例でも前記第１の実施
例と同等である。
例と同等である。
またリング型表面弾性波フィルタではないが、反射器が
４個でなく、２個あるいは１個で表面弾性波を反射させ
て、入力くし型電極から出力くし型電極に表面弾性波を
導く表面弾性波素子もあるが、この場合もくし型電極を
除き、反射器上に基板材料とは逆の遅延時間温度係数の
材料薄膜層を構成することにより温度係数の改良が同様
に可能となる。
４個でなく、２個あるいは１個で表面弾性波を反射させ
て、入力くし型電極から出力くし型電極に表面弾性波を
導く表面弾性波素子もあるが、この場合もくし型電極を
除き、反射器上に基板材料とは逆の遅延時間温度係数の
材料薄膜層を構成することにより温度係数の改良が同様
に可能となる。
またこの実施例でも反射器を薄膜層上に構成しても温度
係数の改良がなされることも同様である。
係数の改良がなされることも同様である。
以上のように本発明は入力変換器よりの表面弾性波を反
射器により反射させて出力変換器に導くごとく入出力変
換器及び反射器を圧電基板上に構成し、反射器を形成す
る領域のみに、基板と逆の遅延時間温度係数を有する薄
膜層を形成した表面弾性波素子を提供するものであり、
結合係数を高く保ちながら温度特性を改良することがで
きる。
射器により反射させて出力変換器に導くごとく入出力変
換器及び反射器を圧電基板上に構成し、反射器を形成す
る領域のみに、基板と逆の遅延時間温度係数を有する薄
膜層を形成した表面弾性波素子を提供するものであり、
結合係数を高く保ちながら温度特性を改良することがで
きる。
第１図は本発明の一実施例における表面弾性波素子の平
面図、第２図はそのＡ −Ａ’断面図、第３図は他の実
施例の断面図である。 １．２・・・・・・くし型電極、３，４・・・・・・電
気端子、５・・・・・・圧電材料基板、６．γ、 ８
、９００．−反射器、１０．１１・・・・・・温度係数
が基板と逆な材料の薄膜層、１２，１３，１４，１５，
１６，１γ・・・・・・表面弾性波。
面図、第２図はそのＡ −Ａ’断面図、第３図は他の実
施例の断面図である。 １．２・・・・・・くし型電極、３，４・・・・・・電
気端子、５・・・・・・圧電材料基板、６．γ、 ８
、９００．−反射器、１０．１１・・・・・・温度係数
が基板と逆な材料の薄膜層、１２，１３，１４，１５，
１６，１γ・・・・・・表面弾性波。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電気信号を表面弾性波に変換する交叉くし型電極よ
りなる第１の変換器、第１の変換器によって生じた表面
弾性波の伝播方向を変更させる少なくとも１個の反射器
、および上記反射器によって反射された表面弾性波を電
気信号に変換する交叉しく型電極よりなる第２の変換器
を圧電基板上に具備し、上記反射器を形成する領域にの
み、基板と逆の遅延時間温度係数を有する薄膜層が形成
されていることを特徴とする表面弾性波素子０２ 圧電
基板上に多数個の周期的溝を形成して反射器を構成し、
その反射器を覆い変換器上には達しない基板と逆の遅延
時間温度係数を有する薄膜層が形成されていることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の表面弾性波素子。 ３ 圧電基板上の変換器を除く領域に、基板と逆の遅延
時間温度係数を有する薄膜層が形成されており、この薄
膜層に多数個の周期的な溝を設けたことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の表面弾性波素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15977278A JPS5841005B2 (ja) | 1978-12-22 | 1978-12-22 | 表面弾性波素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15977278A JPS5841005B2 (ja) | 1978-12-22 | 1978-12-22 | 表面弾性波素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5585121A JPS5585121A (en) | 1980-06-26 |
| JPS5841005B2 true JPS5841005B2 (ja) | 1983-09-09 |
Family
ID=15700918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15977278A Expired JPS5841005B2 (ja) | 1978-12-22 | 1978-12-22 | 表面弾性波素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5841005B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0349838Y2 (ja) * | 1984-09-28 | 1991-10-24 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5656025A (en) * | 1979-10-13 | 1981-05-16 | Toshiba Corp | Elastic surface wave resonator |
| KR100713668B1 (ko) | 2005-03-28 | 2007-05-02 | 쿄세라 코포레이션 | 탄성표면파 공진자, 탄성표면파 필터 및 탄성표면파듀플렉서 및 통신장치 |
-
1978
- 1978-12-22 JP JP15977278A patent/JPS5841005B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0349838Y2 (ja) * | 1984-09-28 | 1991-10-24 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5585121A (en) | 1980-06-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4571519A (en) | Sezawa surface acoustic wave device using a piezoelectric layer over a nitride layer on a substrate | |
| JPH025327B2 (ja) | ||
| KR101913933B1 (ko) | 탄성파 디바이스 | |
| US3980904A (en) | Elastic surface wave device | |
| JPH0336326B2 (ja) | ||
| KR20200131188A (ko) | 탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치 | |
| JPS60169210A (ja) | 表面波装置 | |
| US4491811A (en) | Surface acoustic wave device | |
| JPS6294009A (ja) | 差動検出用千鳥配置表面音波共振器 | |
| JP2847438B2 (ja) | 弾性表面波素子 | |
| JPH09205337A (ja) | 表面波装置 | |
| US3987377A (en) | Elastic surface wave propagation device | |
| US11606079B2 (en) | Transducer structure for source suppression in saw filter devices | |
| JPS5841005B2 (ja) | 表面弾性波素子 | |
| JPH03133209A (ja) | 一方向性ｓａｗフィルタ | |
| JPH0410764B2 (ja) | ||
| JPS63260313A (ja) | 弾性表面波コンボルバ | |
| JPS5885611A (ja) | 弾性表面波素子 | |
| JPS585605B2 (ja) | 弾性表面波トランスジユ−サ | |
| JPS63110809A (ja) | 弾性表面波伝播素子 | |
| JPH04331505A (ja) | 弾性表面波コンボルバ | |
| JP2745167B2 (ja) | 弾性表面波コンボルバ | |
| JP3255658B2 (ja) | 弾性表面波コンボルバ | |
| CN117782179A (zh) | 一种声表面波传感器 | |
| JPS6330575B2 (ja) |