JPS62128677A - Mos型固体撮像素子 - Google Patents

Mos型固体撮像素子

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JPS62128677A
JPS62128677A JP60267521A JP26752185A JPS62128677A JP S62128677 A JPS62128677 A JP S62128677A JP 60267521 A JP60267521 A JP 60267521A JP 26752185 A JP26752185 A JP 26752185A JP S62128677 A JPS62128677 A JP S62128677A
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JP
Japan
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vertical
switch
switches
enable
signal line
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JP60267521A
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English (en)
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JPH0547021B2 (ja
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Yoshimitsu Kudo
吉光 工藤
Takashi Murayama
任 村山
Takashi Mitsuida
高 三井田
Ryuji Kondo
近藤 隆二
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Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、マトリクス状に配置された光電変換素子、こ
れら光電変換素子に付属した垂直スイッチ、垂直信号線
に付属した水平スイッチ、垂直走査回路および水平走査
回路から成るMOS型固体撮像素子に関する。
〔従来技術〕
生してしまうことがある。このような妨害信号を光にせ
信号と称する。光にせ信号の代表的な例は、スミアとブ
ルーミングである。どちらも画面上に強い光点があった
場合に、その周囲に光点かにじむ現象である。このにじ
みは一般に縦の帝となって画面上に表われる。
ブルーミングは、強い光が光電変換部に轟たった時、そ
れにより生じた多量の電荷が光電変換部の容量からあふ
れ出ることによって生じる。そのため光電変換部の構造
的な処置によって、あふれた電荷が信号路を通らずに排
出してしまうことによって、ブルーミング現象はかなり
の程度ま↑減少することができる。
〔発明が解決しようとする間顯点〕
一方スミアは、生じた電荷が、拡散により信号転送路に
流れ込む現象〒ある。MOS型固体撮像素子では1列の
光電変換素子が垂直信号線に隣接しており、1列あたり
例えばほぼ400個の光電変換素子が設けられているの
フ、ブルーミング対策により個々の素子のあふれ電荷が
少なくなったとしても、多数の素子から信号転送路に流
入する総電荷量は大きなものとなる。従ってスミア現象
の排除は本質的に困′@↑ある。
本発明の目的は、このスミア現象を大幅に減少したMO
S型固体撮像素子を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段及び作用〕本発明によれ
ばこの目的は次のようにして達成される。
すなわち垂直スイッチに付属して垂直エネーブルスイッ
チが設けられており、これら垂直エネーブルスイッチは
、当該の行の垂直スイッチの制御を可能にし、また水平
スイッチに付属してリセットスイッチが設けられており
、1画素の走操期間中当該の行の垂直スイッチを制御す
べき間に、リセットスイッチ、垂直エネーブルスイッチ
、および水平スイッチが、順に制御され、すなわちまず
垂直信号線をリセットし、次に垂直エネーゾルスイッチ
により垂直スイッチを制御し、それから垂直信号線から
出力線へ信号電荷の転送を行うようにした。
そもそもブルーミング対策により個々の素子のあふれ電
荷は少なくなっているの〒、1水平走査期間中の流入電
荷が加算されないようにすれば、スミアは最大で1行の
素子数分の1に減少〒きることは明らかである。従って
本発明では、1つの画素の読出しを3つのステップに分
け、第1に垂直信号線に蓄積I−だ電荷をリセットし、
第2に光電変換素子の電荷を垂直信号線に転送し、第3
に垂直信号線の電荷を出力線に転送する。
しかしこの3つのステップを各画素に対して直列に行っ
たのでは、制御/ξルスとして従来のiRR2O6倍の
周波数のものが必要になってしまう。
そこで本発明では、前記3つのステップを隣接する画素
間で1つづつずらして行うことにより、従り 来の水平転送与ロックと同じ周波数で制御できるような
構成を提供している。
この構成によれば、第1の画素の水平スイッチと第2の
画素の垂直エネーブルスイッチと第3の画素のリセット
スイッチは同時に制御され、以下同様に隣接する3つの
画素のそれぞれのスイッチが1周期づつずらせて制御さ
れる。
本発明によるMOS型固体撮像素子によれば、スミアは
極めて大幅に低減できる。しかもそのための処置は、若
干の素子数の増加だけでよく、特に高速の制御もいらな
い。LSIチップ上の素子数のこの程度の増加により、
製造コストが大幅に上昇することもないので、本発明に
よれば、わずかなコストの上昇で大幅な画質の向上が得
られる。
本発明の実施例を以下図面によって説明する。
第1図と第2図は、本発明による固体撮像素子の構造と
動作の説明に供されるものであり、第1図の各位置に生
じる信号波形が、第2図に、当該の位置と同じ記号で示
されている。
従来のMOS型固体撮像素子〒は、垂直走査回路Vのそ
れぞれの出力端子v1.v2・・・は、垂直スイッチT
r3のゲートに直接接続されているが、本発明によれば
これら出力端子は、垂直エネーブルスイッチTr1を介
して垂直スイッチTr3のゲートに接続されている。従
って垂直スイッチTr5は、垂直走査回路Vと水平走査
回路Hの両方から信号が供給された場合にしか導通しな
い。
またここではそれぞれの垂直信号線は、水平走査回路H
から制御される水平スイッチTr4を介して出力線に接
続されていると共に、同じく水平走査回路Hから制御さ
れるリセットスイッチTr2を介してバイアス線に接続
されている。
水平走査回路Hのそれぞれの出力端子H1,H2・・・
は、リセットスイッチTr2のゲート、垂直エネーブル
スイッチTr1のドレイン、および水平スイッチTr4
のグー・トに接続されている。個別的に述べれば、出力
端子H1は第1の画素リセットスイッチTr2に、出力
端子H2は、第1の垂直エネーブルスイッチTr1と第
2の画素のリセットスイッチTr2に、また出力端子H
6は、第1の画素の水平スイッチTr4と第2の画素の
垂直エネーブルスイッチTr1と第3の画素のリセット
スイッチTr2に接続されており、以下同様である。
従って例えば出力端子H3から出力が供給されている場
合、第1の画素では、すでにリセットと光電変換素子か
ら垂直信号線への電荷の転送が終了しており、垂直信号
線から出力線へ電荷が転送される。この時同時に第2の
画素では、光電変換素子から出力線へ電荷が転送され、
一方第3の画素では、リセットが行われる。このように
隣接する3つの画素で、3種類の動作が同時に行われる
ので、1走査線の画素を読出すために水平走査回路Hが
発生すべき・ぞルスの数は、従来のものより2つ多いに
すぎない。
第2図から明らかなように、垂直走査回路Vのそれぞれ
の出力v1 、 v2・・・・・・は、各出力が高レベ
ルにある時に、垂直スイッチTr5が導通するのではな
く、この時垂直スイッチTr3はエネーブルされるだけ
である。この時水平走査回路Hから垂直エネーブルスイ
ッチTr1のドレインに出力H1,H2・・・が供給さ
れると、垂直スイッチTr5が導通する。
第1図の構成の垂直スイッチTr3と垂直エネーブルス
イッチTr1は、第3図に抜き出して示しである。しか
しこの2つのスイッチTrδとTrlの配列はこれだけ
に限らない。第4図にこれらスイッチTr5とTrlの
別の配列の実施例が示しである。
この場合2つのスイッチTr3とTrlは直列に接続さ
れている。従って垂直走査回路Vの出力v1と水平走査
回路Hの出力H1が同時に供給された時に、光電変換素
子の電荷が垂直信号線に供給されるという動作に関して
は、第4図の回路は、第3図の回路と同じである。
本発明による固体撮像素子の動作を要約すれば次の通り
である。
(r)  垂直エネーブルスイッチTr1に垂直走査回
路Vから・ぞルスが供給され、読出し可能状態となる。
(n)  リセットスイッチTr2に水平走査回路Hか
ら・ぞルスが供給され、垂直信号線が一定電位にリセッ
トされる。
(I[l)  垂直スイッチTrδに垂直エネーブルス
イッチTr1を介して水平走査回路Hから/ぞルスが供
給され、光電変換素子の画像信号が垂直信号線に転送さ
れる。
(財)水平スイッチTr4に水平走査回路HからノZル
スが供給され、垂直信号線の画像信号が出力線に転送さ
れる。
なお動作(1)は、行の選択であるから、1行につき1
度だけ行われる。動作(It)〜QV)は、それぞれの
画素について順に行われるが、1つの画素について動作
(II)〜(Iv)が終了した後、次の画素について同
じ動作を行ったのマは、動作時間が従来のものの3倍に
なってしまう。従って本実施例では、それぞれ隣接する
画素で、1つづつずれた動作(II)、(l[0、(財
)を同時に行うことによって、動作時間を延長すること
なく、すべての画素の信号を読出すことができる。各画
素にオ(τける動作と時間経過の関係を次の表に示す。
一画素番号 1 2?)456  ・・・・・・・・・・・・・・・
・・・間■■n 経 過   ■ mn ■ ■ ■ ■ ■ ■ 〔発明の効果・〕 以上記載したとおり、本発明のMOS型固体撮像素子に
よれば、1つの画素の読出しを6つのステップに分け、
第1に垂直信号線に蓄積した電荷をリセットし、第2に
光電変換素子の電荷を垂直信号線に転送し、第3に垂直
信号線の電荷を出力線に転送し、この3つのステップを
隣接する画素間で1つづつずらして行うことにより、垂
直信号線に蓄積されるスミア等の光にせ信号が大幅に減
少〒きて好適な画像が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明による固体撮像素子の実施例を示す回
路図、第2図は、第1図の素子の動作を説明する時間線
図、第3図と第4図は、垂直スイッチと垂直エネーブル
の配列を示す2つの実施例の図である。 Trl・・・垂直エネーブルスイッチ、Tr2・・・リ
セットスイッチ、Trろ・・・垂直スイッチ、Tr4・
・・水平スイッチ、H・・・水平走査回路、V・・・垂
直走査回路。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)マトリクス状に配置された光電変換素子、これら
    光電変換素子に付属した垂直スイツチ、垂直信号線に付
    属した水平スイツチ、垂直走査回路および水平走査回路
    から成るMOS型固体撮像素子において、 垂直スイツチに付属して垂直エネーブルスイツチが設け
    られており、これら垂直エネーブルスイツチは、当該の
    行の垂直スイツチの制御を可能にし、また水平スイツチ
    に付属してリセツトスイツチが設けられており、1画素
    の走操期間中当該の行の垂直スイツチを制御すべき間に
    、リセツトスイツチ、垂直エネーブルスイツチ、および
    水平スイツチが、順に制御され、すなわちまず垂直信号
    線をリセツトし、次に垂直エネーブルスイツチにより垂
    直スイツチを制御し、それから垂直信号線から出力線へ
    信号電荷の転送を行うようにしたことを特徴とする、M
    OS型固体撮像素子。
  2. (2)第1の画素の水平スイツチと第2の画素の垂直エ
    ネーブルスイツチと第3の画素のリセツトスイツチは同
    時に制御され、以下同様に隣接する3つの画素のそれぞ
    れのスイツチが1周期づつずらせて制御される、特許請
    求の範囲第1項記載の固体撮像素子。
JP60267521A 1985-11-29 1985-11-29 Mos型固体撮像素子 Granted JPS62128677A (ja)

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JPH0547021B2 JPH0547021B2 (ja) 1993-07-15

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7663168B2 (en) * 2004-03-18 2010-02-16 Renesas Technology Corp. Image pickup element performing image detection of high resolution and high image quality and image pickup apparatus including the same

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7663168B2 (en) * 2004-03-18 2010-02-16 Renesas Technology Corp. Image pickup element performing image detection of high resolution and high image quality and image pickup apparatus including the same
US7868365B2 (en) 2004-03-18 2011-01-11 Renesas Electronics Corporation Image pickup element performing image detection of high resolution and high image quality and image pickup apparatus including the same
US8106433B2 (en) 2004-03-18 2012-01-31 Renesas Electronics Corporation Image pickup element performing image detection of high resolution and high image quality and image pickup apparatus including the same

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